CN110344109A - 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法 - Google Patents

一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110344109A
CN110344109A CN201910682520.8A CN201910682520A CN110344109A CN 110344109 A CN110344109 A CN 110344109A CN 201910682520 A CN201910682520 A CN 201910682520A CN 110344109 A CN110344109 A CN 110344109A
Authority
CN
China
Prior art keywords
camera
heat shielding
elevating mechanism
crucible
ccd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910682520.8A
Other languages
English (en)
Inventor
胡建荣
高宇
倪军夫
叶钢飞
周铮超
王小飞
迟浩田
傅林坚
曹建伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd filed Critical Zhejiang Jingsheng Mechanical and Electrical Co Ltd
Priority to CN201910682520.8A priority Critical patent/CN110344109A/zh
Publication of CN110344109A publication Critical patent/CN110344109A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及单晶炉技术领域,涉及视觉测量技术,特别是涉及一种单晶炉CCD双目液位测控装置和方法。包括炉体,炉体的顶部设有炉盖,炉体内设有坩埚和热屏;还包括CCD相机、控制器系统和升降机构;CCD相机设于炉盖顶部,用于观测炉内液面;热屏设于坩埚上方,升降机构设有坩埚下方,用于升降坩埚和热屏;控制器系统用于人机交互及控制升降机构。本发明还提供了一种利用上述装置进行的单晶炉CCD双目液位测控方法。本发明,不需要进行任何像素比例的转换,减小测量误差。控制器系统由上位机控制系统和PLC电气控制系统组成,协调控制,增强人机交互效率与电气控制效率。

Description

一种单晶炉CCD双目液位测控装置和方法
技术领域
本发明涉及单晶炉技术领域,涉及视觉测量技术,特别是涉及一种单晶炉CCD双目液位测控装置和方法。
背景技术
单晶炉上安装有晶棒、水冷套、可升降式热屏和控制热屏升降及坩埚升降的升降机构,介于单晶炉长晶工艺的要求,液面与热屏之间的高度差会影响拉晶效果,必须精准控制液面与热屏高度误差。现市面上可能已存在其他的液位测量方式,可能存在一个比例系数校准的误差,而本发明方法可通过视觉传感器算法处理直接测出实际液位高度,从而减小测量误差。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,克服现有技术中的不足,提供一种单晶炉CCD双目液位测控装置和方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的解决方案是:
提供一种单晶炉CCD双目液位测控装置,包括炉体,炉体的顶部设有炉盖,炉体内设有坩埚和热屏;还包括CCD相机、控制器系统和升降机构;
CCD相机设于炉盖顶部,用于观测炉内液面;
热屏设于坩埚上方,升降机构设有坩埚下方,用于升降坩埚和热屏;控制器系统用于人机交互及控制升降机构。
作为一种改进,CCD相机有两个,分别为第一相机和第二相机。
作为一种改进,控制器系统包括上位机控制系统和PLC电气控制系统,上位机控制系统与PLC电气控制系统相连,PLC电气控制系统与升降机构相连。
一种利用上述装置进行的单晶炉CCD双目液位测控方法,按如下步骤:
S1、第一相机和第二相机通过标定后,确定两相机之间的空间立体关系,确定两相机与液面之间的空间立体关系;
S2、第一相机和第二相机通过捕捉晶棒与液体之间交界处的同一亮圈测量点来计算出测量点空间坐标,得出当前液位高度H;
S3、控制器系统读取标定时热屏与标定时标定板放置的水平面间的距离D,通过D-H算出热屏与液面之间的高度差ΔH,根据高度差ΔH与设定高度差偏差来控制升降机构的升降及速度,从而实现将高度差控制在目标值±0.5mm之内。
与现有技术相比,本发明的技术效果是:
本发明用高精度双目定位机器视觉算法,过标定后确定两相机之间的空间立体关系,确定相机与液面之间的空间立体关系,双相机再通过捕捉晶棒与液体之间交界处的同一亮圈测量点来计算出测量点空间坐标,得出当前液位高度H,这个高度H是实际的空间数值,不需要进行任何像素比例的转换,减小测量误差。控制器系统由上位机控制系统和PLC电气控制系统组成,协调控制,增强人机交互效率与电气控制效率。控制器系统读取标定时导流筒与标定面距离D,通过D-H算出热屏与液面之间的高度差ΔH,根据测量得到高度差ΔH与设定高度差偏差来控制升降机构的升降及速度,从而实现将高度差控制在目标值±0.5mm之内。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的单晶炉CCD双目测液装置的结构示意图。
图2为本发明较佳实施例的第一相机的视野及捕捉区域示意图。
图3为本发明较佳实施例的第二相机的视野及捕捉区域示意图。
图4为本发明较佳实施例的双目立体算法原理示意图。
附图标记:1-第一相机;2-炉盖;3-热屏;4-固液交界面;5-晶棒;6-升降机构;7-第二相机;8-液面。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的具体实施方式进行详细描述。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,一种单晶炉CCD双目液位测控装置,包括炉体,炉体的顶部设有炉盖,炉体内设有坩埚和热屏;还包括CCD相机、控制器系统和升降机构;
CCD相机设于炉盖顶部,用于观测炉内液面;
热屏设于坩埚上方,升降机构设有坩埚下方,用于升降坩埚和热屏;控制器系统用于人机交互及控制升降机构。
CCD相机有两个,分别为第一相机与第二相机;呈一定角度安装在炉盖一侧,可采集到炉内同一物体处于不同角度的图像。
第一相机与第二相机用于空间定位,图像捕捉,均为高精度CCD相机,且一套装置安装两个相机,安装位置呈一定角度,固定不动。
控制器系统由上位机控制系统和PLC电气控制系统组成,用于读取标定时导流筒与标定面距离D,通过D-H算出热屏与液面之间的高度差ΔH,根据测量得到高度差ΔH与设定高度差偏差来控制升降机构的升降及速度,从而实现将高度差控制在目标值±0.5mm之内。
本实施例还提供一种半导体单晶炉液面位置测控方法,其利用上述的控制装置实现,详细举例赋值后的控制方法包括以下步骤:
S1、第一相机和第二相机通过标定后确定两相机之间的空间立体关系,确定两相机与液面之间的空间立体关系;
S2、第一相机和第二相机通过捕捉晶棒与液体之间交界处的同一亮圈测量点来计算出如图4所示测量点空间坐标P(X,Y,Z),计算得出当前液位高度H;
S3、控制器系统读取标定时热屏与标定时标定板放置的水平面距离D,通过D-H算出热屏与液面之间的高度差ΔH,根据高度差ΔH与设定高度差偏差来控制升降机构的升降及速度,从而实现将高度差控制在目标值±0.5mm之内。
如图3所示,其中S1步骤所述双相机标定是使用双目立体视觉算法标定的,最终可得到P点空间坐标,本实施例使用点阵型和棋盘格标定板标定,其他类似空间标定算法都属于本发明实施例。
本发明将图像数字信号转换成高度位置信号,解决了热屏与液面高度不稳定问题,提高了硅溶液的纯度,减少了杂质,稳定工艺气体的流速,减少液面波动。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,这些仅是举例说明,本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式做出多种变更或修改,但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种单晶炉CCD双目液位测控装置,包括炉体,炉体的顶部设有炉盖,炉体内设有坩埚和热屏;其特征在于,还包括CCD相机、控制器系统和升降机构;
所述CCD相机设于炉盖顶部,用于观测炉内液面;
所述热屏设于坩埚上方,升降机构设有坩埚下方,用于升降坩埚和热屏;所述控制器系统用于人机交互及控制升降机构。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述CCD相机有两个,分别为第一相机和第二相机。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述控制器系统包括上位机控制系统和PLC电气控制系统,上位机控制系统与PLC电气控制系统相连,PLC电气控制系统与升降机构相连。
4.一种利用权利要求1-3所述的装置进行的单晶炉CCD双目液位测控方法,其特征在于,按如下步骤:
S1、第一相机和第二相机通过标定后,确定两相机之间的空间立体关系,确定两相机与液面之间的空间立体关系;
S2、第一相机和第二相机通过捕捉晶棒与液体之间交界处的同一亮圈测量点来计算出测量点空间坐标,得出当前液位高度H;
S3、控制器系统读取标定时热屏与标定时标定板放置的水平面之间的距离D,通过D-H算出热屏与液面之间的高度差ΔH,根据高度差ΔH与设定高度差偏差来控制升降机构的升降及速度,从而实现将高度差控制在目标值±0.5mm之内。
CN201910682520.8A 2019-07-26 2019-07-26 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法 Pending CN110344109A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910682520.8A CN110344109A (zh) 2019-07-26 2019-07-26 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910682520.8A CN110344109A (zh) 2019-07-26 2019-07-26 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110344109A true CN110344109A (zh) 2019-10-18

Family

ID=68180320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910682520.8A Pending CN110344109A (zh) 2019-07-26 2019-07-26 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110344109A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112522779A (zh) * 2020-11-18 2021-03-19 上海新昇半导体科技有限公司 液位测量方法及拉单晶方法
CN113106546A (zh) * 2021-03-25 2021-07-13 徐州鑫晶半导体科技有限公司 用于单晶炉的导流筒、单晶炉及导流筒的加工方法
CN114232081A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 航天智造(上海)科技有限责任公司 一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法及装置
CN114913225A (zh) * 2021-02-10 2022-08-16 上海梅山钢铁股份有限公司 一种基于单目视觉的转炉液位实时测量方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03120424A (ja) * 1989-10-04 1991-05-22 Kawasaki Steel Corp 溶融金属のレベル測定方法および測定装置
JPH03252388A (ja) * 1990-02-28 1991-11-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd Cz法による単結晶ネック部育成自動制御方法
CN201154996Y (zh) * 2008-01-08 2008-11-26 西安理工大学 基于数字信号处理器的双相机直拉单晶直径检测装置
CN201852618U (zh) * 2010-07-30 2011-06-01 西安理工大学 采用激光曲面镜反射进行熔硅液位检测的装置
CN202170375U (zh) * 2011-07-14 2012-03-21 常州江南电力光伏科技有限公司 用于晶体生长的检测系统
CN102677157A (zh) * 2012-06-04 2012-09-19 曾泽斌 一种直拉硅单晶炉的硅熔体液面相对位置的测量方法
CN203857963U (zh) * 2014-04-23 2014-10-01 西安交通大学 基于变视域目标搜索的双目测量装置
CN105562975A (zh) * 2016-03-11 2016-05-11 湘潭大学 自适应双目视觉传感的波纹板焊缝跟踪监测与控制系统
CN108823634A (zh) * 2018-06-01 2018-11-16 上海汉虹精密机械有限公司 半导体单晶炉液面位置控制装置及方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03120424A (ja) * 1989-10-04 1991-05-22 Kawasaki Steel Corp 溶融金属のレベル測定方法および測定装置
JPH03252388A (ja) * 1990-02-28 1991-11-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd Cz法による単結晶ネック部育成自動制御方法
CN201154996Y (zh) * 2008-01-08 2008-11-26 西安理工大学 基于数字信号处理器的双相机直拉单晶直径检测装置
CN201852618U (zh) * 2010-07-30 2011-06-01 西安理工大学 采用激光曲面镜反射进行熔硅液位检测的装置
CN202170375U (zh) * 2011-07-14 2012-03-21 常州江南电力光伏科技有限公司 用于晶体生长的检测系统
CN102677157A (zh) * 2012-06-04 2012-09-19 曾泽斌 一种直拉硅单晶炉的硅熔体液面相对位置的测量方法
CN203857963U (zh) * 2014-04-23 2014-10-01 西安交通大学 基于变视域目标搜索的双目测量装置
CN105562975A (zh) * 2016-03-11 2016-05-11 湘潭大学 自适应双目视觉传感的波纹板焊缝跟踪监测与控制系统
CN108823634A (zh) * 2018-06-01 2018-11-16 上海汉虹精密机械有限公司 半导体单晶炉液面位置控制装置及方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
中国卫星导航定位协会编: "《卫星导航定位与北斗系统应用 深化北斗应用·促进产业发展》", 31 August 2018, 测绘出版社 *
洪登峰: ""基于双目视觉的单晶炉液位检测技术研究",洪登峰,中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士) 工程科技Ⅰ辑,B015-136,20190515", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士) 工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112522779A (zh) * 2020-11-18 2021-03-19 上海新昇半导体科技有限公司 液位测量方法及拉单晶方法
CN114913225A (zh) * 2021-02-10 2022-08-16 上海梅山钢铁股份有限公司 一种基于单目视觉的转炉液位实时测量方法
CN114913225B (zh) * 2021-02-10 2024-04-09 上海梅山钢铁股份有限公司 一种基于单目视觉的转炉液位实时测量方法
CN113106546A (zh) * 2021-03-25 2021-07-13 徐州鑫晶半导体科技有限公司 用于单晶炉的导流筒、单晶炉及导流筒的加工方法
CN114232081A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 航天智造(上海)科技有限责任公司 一种基于视觉的单晶炉液位、单晶棒直径测量方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110344109A (zh) 一种单晶炉ccd双目液位测控装置和方法
CN112281208B (zh) 一种液口距确定方法、装置及单晶炉
US20120025112A1 (en) Device and method for detecting liquid level of molten silicon using laser reflected from curved mirror
US5656078A (en) Non-distorting video camera for use with a system for controlling growth of a silicon crystal
KR101774625B1 (ko) 다수의 카메라를 사용한 결정 성장 특징의 측정
CN101748478B (zh) 一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法
CN102787353B (zh) 单晶炉非接触式硅棒晶线测量方法
CN109829638A (zh) 一种基于图像的埚位控制装置和方法
JP6477356B2 (ja) 単結晶の製造方法および製造装置
CN114399488B (zh) 一种液口距的监测方法、存储介质、终端和拉晶设备
CN100384222C (zh) 一种调整摄像机位置的方法及装置
CN108823634A (zh) 半导体单晶炉液面位置控制装置及方法
CN113607241A (zh) 一种用于提升液位检测精度及灵敏度的方法
CN115265391B (zh) 一种单晶硅棒制备过程中硅料液距检测方法
US6471768B2 (en) Method of and apparatus for growing ribbon of crystal
KR102488064B1 (ko) 단결정 잉곳 성장 장치 및 그 제어 방법
CN113109259A (zh) 一种图像的智能导航方法及装置
JPH04328425A (ja) 液面位置測定方法,装置及び単結晶引上方法,装置
CN2840550Y (zh) 一种调整摄像机位置的装置
CN218175198U (zh) 一种辅助放置液口距装置
CN114913225B (zh) 一种基于单目视觉的转炉液位实时测量方法
KR102147461B1 (ko) 단결정 잉곳 성장 장치
CN106984785A (zh) 一种用3d摄像或照相来监测结晶器内液面波动的方法
CN206132654U (zh) 一种基于双目视觉的镁熔液含氢量检测装置
CN117661100A (zh) 用于液口距测量的装置、液口距测量方法和单晶炉

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191018

RJ01 Rejection of invention patent application after publication