JPS61136989A - 引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法 - Google Patents
引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法Info
- Publication number
- JPS61136989A JPS61136989A JP25709384A JP25709384A JPS61136989A JP S61136989 A JPS61136989 A JP S61136989A JP 25709384 A JP25709384 A JP 25709384A JP 25709384 A JP25709384 A JP 25709384A JP S61136989 A JPS61136989 A JP S61136989A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- resistance value
- pulling
- grown
- variation
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、引上げ法における単結晶育成時の単結晶の形
状を制御する方法に関する。
状を制御する方法に関する。
［従来の技術］
一般に、高純度の多結晶をるつぼ内で溶融し、これに核
となる種子結晶を浸漬し徐々に引上げて単結晶を育成す
る引上げ法における単結晶の形状制御、特に直径制御は
、引上げ速度および／または加熱温度を制御することに
よって行われている。
となる種子結晶を浸漬し徐々に引上げて単結晶を育成す
る引上げ法における単結晶の形状制御、特に直径制御は
、引上げ速度および／または加熱温度を制御することに
よって行われている。
−従来、引上げ法における単結晶育成時の形状の制御は
、テレビカメラまたはイメージセンナ等の光学的手段に
より育成中の単結晶の固液界面の直径を測定し、この測
定値と設定値とを比較演算して引上げ速度および／また
は加熱温度にフィードバック制御する方法がとられてい
る。
、テレビカメラまたはイメージセンナ等の光学的手段に
より育成中の単結晶の固液界面の直径を測定し、この測
定値と設定値とを比較演算して引上げ速度および／また
は加熱温度にフィードバック制御する方法がとられてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、上記形状制御方法によれば、テレビカメラ等の
８ｉ！置位置がるつぼの斜め上方に限定されるため、ネ
ック、クラウンおよびボディーの直径の測定は可能であ
るものの、テール育成時における固液界面のメニスカス
がボディー等の影にかくれてしまい、この部分の直径の
測定ができず、ひいては引上げ速度等のフィードバック
制御によるテールの形状制御が困難となる問題がある。
８ｉ！置位置がるつぼの斜め上方に限定されるため、ネ
ック、クラウンおよびボディーの直径の測定は可能であ
るものの、テール育成時における固液界面のメニスカス
がボディー等の影にかくれてしまい、この部分の直径の
測定ができず、ひいては引上げ速度等のフィードバック
制御によるテールの形状制御が困難となる問題がある。
［問題点を解決するための手段１
本発明は、上記問題点を解決するため、るつぼ内の溶融
液を引上げて単結晶を育成する引上げ法においで、前記
育成中の単結晶の抵抗値を測定するとともに抵抗値変化
量を算出し、前記抵抗値変化量と抵抗値変化量設定値と
を比較演算して引上げ速度および／または加熱温度をフ
ィードバック制御するものである。
液を引上げて単結晶を育成する引上げ法においで、前記
育成中の単結晶の抵抗値を測定するとともに抵抗値変化
量を算出し、前記抵抗値変化量と抵抗値変化量設定値と
を比較演算して引上げ速度および／または加熱温度をフ
ィードバック制御するものである。
なお、ここで抵抗値変化量と抵抗値変化量設定値とは、
偏析による抵抗値変化分の補正も加えた値である。
偏析による抵抗値変化分の補正も加えた値である。
［作 用］
育成中の単結晶の抵抗値変化量が、直径の変化量、換言
すれば断面積の変化量として電気的に算出される。
すれば断面積の変化量として電気的に算出される。
［実施例１
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の実施に供した引上げ装置の概略構成図
である。
である。
図においてるつぼ１は、その外周に配置したヒーター２
にって加熱溶解される高１ｉｌｉ度の多結晶の溶融液３
を収容するもので、回転駆動装Ｗ４と連動連結した回転
軸５を介して回転可能に設けられている。るつぼ１の上
方には、単結晶６を育成するため溶融液３に浸漬した種
子結晶（図示せず）をワイヤーまたはポールチェーン等
の引上げ軸７を介して徐々に引上げる引上げ機構８が配
置されており、引上軸７には重量センサー１０が介装さ
れている。そして、回転軸５と引上げ軸７との間には、
育成中の単結晶６の抵抗値を測定する抵抗計９が接続さ
れている。
にって加熱溶解される高１ｉｌｉ度の多結晶の溶融液３
を収容するもので、回転駆動装Ｗ４と連動連結した回転
軸５を介して回転可能に設けられている。るつぼ１の上
方には、単結晶６を育成するため溶融液３に浸漬した種
子結晶（図示せず）をワイヤーまたはポールチェーン等
の引上げ軸７を介して徐々に引上げる引上げ機構８が配
置されており、引上軸７には重量センサー１０が介装さ
れている。そして、回転軸５と引上げ軸７との間には、
育成中の単結晶６の抵抗値を測定する抵抗計９が接続さ
れている。
次に、上記引上げ装置により単結晶を育成する場合の形
状制御方法について説明する。
状制御方法について説明する。
まず、直径がほぼ−・定となるネックおよびボディーの
形状制御を行うには、第２図に示すように、抵抗計９に
よって測定された育成中の単結晶６の抵抗値の変化量と
、予め直径の大きさによって算出されている抵抗値変化
量ｙ定値とが比較されるとと−もに、ＰＩＤ演算処理さ
れて操作信号が引上げ機構８に送出され、その速度が調
節される。
形状制御を行うには、第２図に示すように、抵抗計９に
よって測定された育成中の単結晶６の抵抗値の変化量と
、予め直径の大きさによって算出されている抵抗値変化
量ｙ定値とが比較されるとと−もに、ＰＩＤ演算処理さ
れて操作信号が引上げ機構８に送出され、その速度が調
節される。
また、引上げ機１１１８による単結晶引上げ速度と単結
晶引上げ速度設定値とが比較されるとともに、ＰＩＤ演
算されて操作信号がヒーター２に送出され、そのパワー
が調節される。
晶引上げ速度設定値とが比較されるとともに、ＰＩＤ演
算されて操作信号がヒーター２に送出され、そのパワー
が調節される。
ついで、直径が漸次変化するクラウンおよびテールの形
状制御を行うには、第３図に示すように、抵抗計９によ
って測定された育成中の単結晶６の抵抗値の変化量と、
予め直径の大きさの変化、すなわちテーパー角度によっ
て算出された抵抗値変化量設定値とが比較されるととも
に、ＰＩＤ演算処理されて引上げ速度勾配と温度勾配と
が操作信号として引上げ機構８およびヒーター２に送出
され、それぞれの速度およびパワーが調節される。
状制御を行うには、第３図に示すように、抵抗計９によ
って測定された育成中の単結晶６の抵抗値の変化量と、
予め直径の大きさの変化、すなわちテーパー角度によっ
て算出された抵抗値変化量設定値とが比較されるととも
に、ＰＩＤ演算処理されて引上げ速度勾配と温度勾配と
が操作信号として引上げ機構８およびヒーター２に送出
され、それぞれの速度およびパワーが調節される。
ここで、抵抗値変化量設定値は、偏析による抵抗値変化
量を含めた値でなければならない。このため、１ｌｉｆ
ｉセンサー１０によって常に同化率（結晶化した部分の
重量とヂャージした原料の用ａ比）を計算し、偏析によ
る抵抗値変化量を含めた設定値を演算しておく必要があ
る。
量を含めた値でなければならない。このため、１ｌｉｆ
ｉセンサー１０によって常に同化率（結晶化した部分の
重量とヂャージした原料の用ａ比）を計算し、偏析によ
る抵抗値変化量を含めた設定値を演算しておく必要があ
る。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、育成中の単結晶の直径を
抵抗値の変化により電気的に測定するようにしたので、
従来のように光学的検知が不可能な部分でもフィードバ
ック制御により、所望の形状となるように自動的に育成
することができる。
抵抗値の変化により電気的に測定するようにしたので、
従来のように光学的検知が不可能な部分でもフィードバ
ック制御により、所望の形状となるように自動的に育成
することができる。
第１図は本発明の実施に供した引上げ装置のスケルトン
図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の第１実施例
および第２実施例を示すブロック線図である。 １・・・るつぼ ２・・・ヒーター３・・・
溶融液 ５・・・回転軸６・・・単結晶
７・・・引上げ軸８・・・引上げ機構
９・・・抵抗計１０・・・重量センサー 発 明 者 鈴 木
修発 明 者 長谷部 等発
明 者 松 １） 正
人発 明 者 中 西
正 美量１１１ニ ーーゴー
図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の第１実施例
および第２実施例を示すブロック線図である。 １・・・るつぼ ２・・・ヒーター３・・・
溶融液 ５・・・回転軸６・・・単結晶
７・・・引上げ軸８・・・引上げ機構
９・・・抵抗計１０・・・重量センサー 発 明 者 鈴 木
修発 明 者 長谷部 等発
明 者 松 １） 正
人発 明 者 中 西
正 美量１１１ニ ーーゴー
Claims (1)
- るつぼ内の溶融液を引上げて単結晶を育成する引上げ法
において、前記育成中の単結晶の抵抗値を測定するとと
もに抵抗値変化量を算出し、前記抵抗値変化量と抵抗値
変化量設定値とを比較演算して引上げ速度および／また
は加熱温度にフィードバック制御することを特徴とする
引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25709384A JPS61136989A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25709384A JPS61136989A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136989A true JPS61136989A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17301637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25709384A Pending JPS61136989A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 引上げ法における単結晶育成時の形状制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136989A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102895A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の直径制御方法 |
| JPS59184795A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Agency Of Ind Science & Technol | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25709384A patent/JPS61136989A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59102895A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の直径制御方法 |
| JPS59184795A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Agency Of Ind Science & Technol | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
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