JPH0193490A - 単結晶の製造装置 - Google Patents
単結晶の製造装置Info
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- JPH0193490A JPH0193490A JP24754087A JP24754087A JPH0193490A JP H0193490 A JPH0193490 A JP H0193490A JP 24754087 A JP24754087 A JP 24754087A JP 24754087 A JP24754087 A JP 24754087A JP H0193490 A JPH0193490 A JP H0193490A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、単結晶の製造装置に関する。
（従来の技術）
従来、ＬｆＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３等の酸化物単結晶の
製造方法としてチョクラルスキー法と呼ばれる引上げ方
法が知られている。
製造方法としてチョクラルスキー法と呼ばれる引上げ方
法が知られている。
このチヨクラルスキー法（以下、引上げ法）は、白金等
からなる溶融るつぼ内に収容した結晶原材料を溶融るつ
ぼに周設された高周波コイル等の加熱手段により加熱溶
融した侵、種子結晶を原料溶融面に接触させて徐々に該
種子結晶を回転させながら引上げることにより、単結晶
を育成する方法である。
からなる溶融るつぼ内に収容した結晶原材料を溶融るつ
ぼに周設された高周波コイル等の加熱手段により加熱溶
融した侵、種子結晶を原料溶融面に接触させて徐々に該
種子結晶を回転させながら引上げることにより、単結晶
を育成する方法である。
この引上げ法では、通常、種子結晶の径に連続して結晶
径を次第に増加させて肩部を形成し、この１部が所定の
直径に達した後は、結晶径が一定となるように制御しな
から種子結晶を引上げて直胴部を形成する。
径を次第に増加させて肩部を形成し、この１部が所定の
直径に達した後は、結晶径が一定となるように制御しな
から種子結晶を引上げて直胴部を形成する。
ところで、このような単結晶の引上げ方法に用いる製造
装置では、育成する単結晶の直径制御が重要な問題とな
るため、高精度の直径制御技術が用いられている。
装置では、育成する単結晶の直径制御が重要な問題とな
るため、高精度の直径制御技術が用いられている。
一般に、単結晶の製造装置では、引上げた単結晶の重量
を検出してこの重量検出信号と予め゛設定した基準型は
信号との偏差信号を作成し、一方、単結晶の引上げ距離
（単結晶の長さ）を検出し、この引上げ距離信号と上記
偏差信号とを演算して直径制御を行うように構成されて
いる。。
を検出してこの重量検出信号と予め゛設定した基準型は
信号との偏差信号を作成し、一方、単結晶の引上げ距離
（単結晶の長さ）を検出し、この引上げ距離信号と上記
偏差信号とを演算して直径制御を行うように構成されて
いる。。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上述した単結晶の製造装置では、単結晶
育成時に単結晶が偏心してもこれを検出することができ
ないという問題があった。すなわち、単結晶に偏心が発
生しても単一時間における結晶育成ｍｍが変化していな
い場合は、単結晶の偏心を検出することができなかった
。
育成時に単結晶が偏心してもこれを検出することができ
ないという問題があった。すなわち、単結晶に偏心が発
生しても単一時間における結晶育成ｍｍが変化していな
い場合は、単結晶の偏心を検出することができなかった
。
このように単結晶に偏心が発生すると、結晶は溶融るつ
ぼ内壁に向って成長するようになり、その結果、不良品
である曲った単結晶が製造されてしまうばかりか、最悪
の場合には成長結晶が溶融るつぼに固着して製品になら
ないという問題が発生する。
ぼ内壁に向って成長するようになり、その結果、不良品
である曲った単結晶が製造されてしまうばかりか、最悪
の場合には成長結晶が溶融るつぼに固着して製品になら
ないという問題が発生する。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、単結晶成長時における単結晶の偏心を検出可能とす
ることで、結晶の曲りや結晶の溶融るつぼ内壁への固着
を防止して歩留りの向上が図れる単結晶の製造装置を提
供することを目的とする。
で、単結晶成長時における単結晶の偏心を検出可能とす
ることで、結晶の曲りや結晶の溶融るつぼ内壁への固着
を防止して歩留りの向上が図れる単結晶の製造装置を提
供することを目的とする。
［発明の構成１
（問題点を解決するための手段）
本発明の単結晶の製造装置は、原料融液を収容する溶融
るつぼと、前記原料融液液面と接触した種子結晶を下端
に保持して前記溶融るつぼ内の原料融液液面上に垂設さ
れた保持体と、前記保持体を回転させながら上界さＶる
回転引上げ機構とを備えた単結晶の製造装置において、
前記保持体の回転軸の偏心状態を検出する回転軸変位検
出機構と、この回転軸変位検出機構からの変位情報に基
づいて前記保持体の回転軸の傾斜角度を所定の角度に補
正する回転軸傾斜角度調整機構とを具備したことを特徴
とするものである。
るつぼと、前記原料融液液面と接触した種子結晶を下端
に保持して前記溶融るつぼ内の原料融液液面上に垂設さ
れた保持体と、前記保持体を回転させながら上界さＶる
回転引上げ機構とを備えた単結晶の製造装置において、
前記保持体の回転軸の偏心状態を検出する回転軸変位検
出機構と、この回転軸変位検出機構からの変位情報に基
づいて前記保持体の回転軸の傾斜角度を所定の角度に補
正する回転軸傾斜角度調整機構とを具備したことを特徴
とするものである。
（作 用）
回転軸変位検出機構が、種子結晶を保持しながらこれを
回転引上げする保持体の偏心状態を検出し、回転軸傾斜
角度調整機構が回転軸変位・検出機構からの変位情報に
基づいて、保持体の回転軸の傾斜角度を調整するように
構成したので、単結晶育成時における結晶偏心を防止で
きる。
回転引上げする保持体の偏心状態を検出し、回転軸傾斜
角度調整機構が回転軸変位・検出機構からの変位情報に
基づいて、保持体の回転軸の傾斜角度を調整するように
構成したので、単結晶育成時における結晶偏心を防止で
きる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図を参照して説明する
。
。
第１図は実施例による単結晶の製造装置の構成を丞す図
で、溶融原料１を収容する例えば白金るつぼ等の溶融る
つぼ２は、その外周を例えばバルブアルミナとアルミす
るつぼからなる引上げ炉体３に覆われており、さらにこ
の引上げ炉体３外周には加熱源として高周波ワークコイ
ル４が周設されている。
で、溶融原料１を収容する例えば白金るつぼ等の溶融る
つぼ２は、その外周を例えばバルブアルミナとアルミす
るつぼからなる引上げ炉体３に覆われており、さらにこ
の引上げ炉体３外周には加熱源として高周波ワークコイ
ル４が周設されている。
一方、原料融液１液面上方には、下端に種子結晶５を取
付けたアルミナ保持体６が垂下されており、このアルミ
ナ保持体６に接続された回転引上げ機構７により、種子
結晶５を原料融液１液面に接触させた後、これを回転さ
せながら引上げて単結晶８を育成・する。
付けたアルミナ保持体６が垂下されており、このアルミ
ナ保持体６に接続された回転引上げ機構７により、種子
結晶５を原料融液１液面に接触させた後、これを回転さ
せながら引上げて単結晶８を育成・する。
アルミナ保持体６の外周部近傍には、回転軸傾斜制御部
９に接続された変位検出センサ１ｏが配置されており、
この変位検出センサ１ｏがらの変位情報に基づいて、回
転軸傾斜制御部９がアルミナ保持体６と回転引上げ機構
７間に設けられた回転軸傾斜角調整機構１１を駆動制御
するように構成されている。
９に接続された変位検出センサ１ｏが配置されており、
この変位検出センサ１ｏがらの変位情報に基づいて、回
転軸傾斜制御部９がアルミナ保持体６と回転引上げ機構
７間に設けられた回転軸傾斜角調整機構１１を駆動制御
するように構成されている。
このような構成の単結晶の引上げ装置では、結晶の偏心
が発生すると、この偏心状態がアルミナ保持体６に伝え
られてアルミナ保持体６が大きく振れだし、この振れ状
態を変位センサ１ｏにて検出して変位情報を回転軸傾斜
制御部９へと出力する。
が発生すると、この偏心状態がアルミナ保持体６に伝え
られてアルミナ保持体６が大きく振れだし、この振れ状
態を変位センサ１ｏにて検出して変位情報を回転軸傾斜
制御部９へと出力する。
回転軸傾斜ｆｔ１ｌＪ御？＄９では入力した変位情報に
基づいて回転軸傾斜信号を作成し、該信号を回転＋ｔ＋
ｂ傾斜Ｉａ構１１へと出力し、回転軸傾斜調整機構１１
により、アルミナ保持体６の回転軸の傾斜角度を調整し
て単結晶の偏心を補正する。本例の装置を用いて実際に
単結晶を製造したところ、偏心発生率が従来装置では１
２．１％であったものが３．０％まで低下した。
基づいて回転軸傾斜信号を作成し、該信号を回転＋ｔ＋
ｂ傾斜Ｉａ構１１へと出力し、回転軸傾斜調整機構１１
により、アルミナ保持体６の回転軸の傾斜角度を調整し
て単結晶の偏心を補正する。本例の装置を用いて実際に
単結晶を製造したところ、偏心発生率が従来装置では１
２．１％であったものが３．０％まで低下した。
このように結晶の偏心発生の初期段階でこれを検出して
補正することで、結晶偏心を原因とする諸問題を解決す
ることができる。
補正することで、結晶偏心を原因とする諸問題を解決す
ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の単結晶の製造方法によれば
、単結晶育成時における結晶偏心を防止でき、結晶偏心
による単結晶の曲りや結晶と溶融るつぼ内壁面との固着
がなくなり歩留りが向上する。
、単結晶育成時における結晶偏心を防止でき、結晶偏心
による単結晶の曲りや結晶と溶融るつぼ内壁面との固着
がなくなり歩留りが向上する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す図である。
１・・・・・・・・・原料融液
２・・・・・・・・・溶融るつぼ
５・・・・・・・・・種子結晶
６・・・・・・・・・アルミナ保持体
７・・・・・・・・・回転引上げ機構
８・・・・・・・・・単結晶
９・・・・・・・・・回転軸傾斜制御部１０・・・・・
・・・・変位検出センサ１１・・・・・・・・・回転軸
傾斜角調整機構出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 −
・・・・変位検出センサ１１・・・・・・・・・回転軸
傾斜角調整機構出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 原料融液を収容する溶融るつぼと、前記原料融液液面と
接触した種子結晶を下端に保持して前記溶融るつぼ内の
原料融液液面上に垂設された保持体と、前記保持体を回
転させながら上昇させる回転引上げ機構とを備えた単結
晶の製造装置において、 前記保持体の回転軸の偏心状態を検出する回転軸変位検
出機構と、この回転軸変位検出機構からの変位情報に基
づいて前記保持体の回転軸の傾斜角度を所定の角度に補
正する回転軸傾斜角度調整機構とを具備したことを特徴
とする単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24754087A JPH0193490A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24754087A JPH0193490A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 単結晶の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193490A true JPH0193490A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17165016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24754087A Pending JPH0193490A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02225392A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-09-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 引上軸の偏芯量測定方法及びその装置 |
| KR101331753B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2013-11-20 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 성장장치의 편심제어장치 및 그 방법 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24754087A patent/JPH0193490A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02225392A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-09-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 引上軸の偏芯量測定方法及びその装置 |
| KR101331753B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2013-11-20 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 성장장치의 편심제어장치 및 그 방법 |
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