JPH03252025A - プレーナ型冷陰極の製造方法 - Google Patents
プレーナ型冷陰極の製造方法Info
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- JPH03252025A JPH03252025A JP2049770A JP4977090A JPH03252025A JP H03252025 A JPH03252025 A JP H03252025A JP 2049770 A JP2049770 A JP 2049770A JP 4977090 A JP4977090 A JP 4977090A JP H03252025 A JPH03252025 A JP H03252025A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
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- H01J21/02—Tubes with a single discharge path
- H01J21/06—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only
- H01J21/10—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode
- H01J21/105—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode with microengineered cathode and control electrodes, e.g. Spindt-type
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子源に用いる微小曲率半径の尖端部分を有す
るプレーナ型冷陰極に関するものであａ従来の技術 従来から薄膜電界放出型の冷陰極は数多く報告されてい
も その中でも第４図（特開昭６３−２７４０４７号公
報に開示）に示すようなプレーナ型冷陰極ζ＆ ８０
Ｖ以上の引き出し電圧で電子放出が起こるとされていも
この冷陰極は第５図に示すように絶縁体基板２３の表
面に冷陰極２４と引き出し電極２５をお互い対向させて
構成されていも 引き出し電極に対向する冷陰極の端面
にはＦＩＢを用いたサブミクロンオーダの微細加工技術
により、微小曲率半径の尖端部を有する多数の凸状部２
６が形成されていも この冷陰極に設けられた凸状部の
尖端部と引き出し電極の間隔は０．１μｍであａ この
ように構成された冷陰極と引き出し電極間に８０ｖ以上
の電圧を印加すると、冷陰極の尖端部の曲率半径が小さ
いたべ 凸状部尖端部には２ｘｌＯ’Ｖ／ｃｎｎの強電
界が発生し尖端部から電界電子放出が起こも 発明が解決しようとする課題 前記のプレーナ型冷陰極は前述のような特徴を有してい
る力（冷陰極の尖端部の曲率半径を極力小さくし かつ
サブミクロンオーダの間隔で電極を形成しなければなら
な（〜 しかし 現状のとこへ 従来のホトエツチング
技術を使った微細加工法でｉ友 ０．７μｍ程度が限度
となっていも 従って、これ以下の微細加工を行なうた
めにζ戴ＦＩＢ等のマスクレスエツチング技術を用いる
必要があａ しかし この技術では大面積の冷陰極を形
成するのは困難であり、また製造工程のコスト面からも
実用化には適していなＬ％ 課題を解決するための手段 基板表面に冷陰極材料を成膜し 前記冷陰極材料表面に
冷陰極材料と異なる材料を用いて、従来のホトエツチン
グ技術により尖端部を有する形状の薄膜を形成し 前記
薄膜をレジスト膜として等方性エツチング技術を用いて
、サイドエツチングの深さ力（少なくともレジスト膜尖
端部の曲率半径以上となるように冷陰極材料をエツチン
グすることで、 ０．１μｍ以下の曲率半径の尖端部を
有する平板形状の冷陰極を形成すも さらに 上記の方
法で製造された微小曲率半径を有するプレーナ型冷陰極
尖端部下部の絶縁体基板の一部を、等方性エツチング技
術を用いて除去することにより、庇状の先端形状を有す
る冷陰極を形成すも作用 上記の製造方法において、 レジスト膜として用いる薄
膜の尖端部分は従来の微細加工技術により形成されるた
べ 曲率半径は０．１μｍ以上であ４等方性エツチング
技術を用いると、レジスト膜下部の冷陰極尖端部１１［
レジスト膜尖端部の両側からサイドエツチングされるた
数 エツチング深さが少なくともレジスト膜尖端部の曲
率半径以上となるようにサイドエツチングすれ（−Ｌ
レジスト膜下部に形成された冷陰極の少なくとも上面の
尖端部分！よ 非常に微小な曲率半径となり、さら番こ
サイドエツチングを続けることで下面の尖端部分も非常
に微小なム さらに 冷陰極尖端部分の膜厚方向の曲率
に関してＬ 一方の主面力（突出した形状になっている
た数 突出部分の曲率（よ非常番こ微小になム この手
法によれ＆ｉ ＦＩＢ等のサブミクロンオーダの微細加
工技術を用０なくとＬ従来のホトエツチング技術を用０
て、０．１μｍ以下の曲率半径を有する冷陰極力く形成
され 製造コスト面でも著しく有利なプレーナ型冷陰極
となもこのようにして形成された冷陰極とそれ番こ対向
して設けられた引き出し電極間番こ電圧を印加すると、
電極間隔が１μｍ以上でも前記冷陰極尖端部分こ＆よ強
電界が発生し 低電圧での動作力（可能なプレーナ型冷
陰極が得られも 実施例 第１図に本発明の実施例のプレーナ型冷陰極の斜視図を
示す。平板状冷陰極１の尖端部２が０．１μｍ以下の曲
率半径を有しており、一方の主面の尖端部３が突出した
形状になっていも 第２図ζよ上記冷陰極４と、それに
対向して設けた引き出し電極５の配置図であａ 画電極
はそれぞれ絶縁体基板６の上に形成され 先端部が庇状
７の形状を有していも これらの電極間に 引き出し電
極側を高電位として電圧を印加すれば 電極間隔が１μ
ｍ以上でｋ 冷陰極尖端部には強電界が発生し電界電子
放出を行わせることが可能となム本実施例で用いたプレ
ーナ型冷陰極の製造プロセスを第３図（ａ）〜（ｃ）に
示ｉ−，Ｓｉ基板の表面に絶縁層として熱酸化により厚
さ１μｍのＳｉＯ２膜８を形成機 この５ｉｎｓ膜８の
表面に厚さ０．２．ｕｍのＷＳｉｅ膜９を形成すも こ
のＷＳｉｅＪ［９の表面にホトリソグラフィー技術によ
って尖端部１０を有するレジスト膜１１およびそれに対
向したレジスト膜１２を形成する（第３図ａ）。
るプレーナ型冷陰極に関するものであａ従来の技術 従来から薄膜電界放出型の冷陰極は数多く報告されてい
も その中でも第４図（特開昭６３−２７４０４７号公
報に開示）に示すようなプレーナ型冷陰極ζ＆ ８０
Ｖ以上の引き出し電圧で電子放出が起こるとされていも
この冷陰極は第５図に示すように絶縁体基板２３の表
面に冷陰極２４と引き出し電極２５をお互い対向させて
構成されていも 引き出し電極に対向する冷陰極の端面
にはＦＩＢを用いたサブミクロンオーダの微細加工技術
により、微小曲率半径の尖端部を有する多数の凸状部２
６が形成されていも この冷陰極に設けられた凸状部の
尖端部と引き出し電極の間隔は０．１μｍであａ この
ように構成された冷陰極と引き出し電極間に８０ｖ以上
の電圧を印加すると、冷陰極の尖端部の曲率半径が小さ
いたべ 凸状部尖端部には２ｘｌＯ’Ｖ／ｃｎｎの強電
界が発生し尖端部から電界電子放出が起こも 発明が解決しようとする課題 前記のプレーナ型冷陰極は前述のような特徴を有してい
る力（冷陰極の尖端部の曲率半径を極力小さくし かつ
サブミクロンオーダの間隔で電極を形成しなければなら
な（〜 しかし 現状のとこへ 従来のホトエツチング
技術を使った微細加工法でｉ友 ０．７μｍ程度が限度
となっていも 従って、これ以下の微細加工を行なうた
めにζ戴ＦＩＢ等のマスクレスエツチング技術を用いる
必要があａ しかし この技術では大面積の冷陰極を形
成するのは困難であり、また製造工程のコスト面からも
実用化には適していなＬ％ 課題を解決するための手段 基板表面に冷陰極材料を成膜し 前記冷陰極材料表面に
冷陰極材料と異なる材料を用いて、従来のホトエツチン
グ技術により尖端部を有する形状の薄膜を形成し 前記
薄膜をレジスト膜として等方性エツチング技術を用いて
、サイドエツチングの深さ力（少なくともレジスト膜尖
端部の曲率半径以上となるように冷陰極材料をエツチン
グすることで、 ０．１μｍ以下の曲率半径の尖端部を
有する平板形状の冷陰極を形成すも さらに 上記の方
法で製造された微小曲率半径を有するプレーナ型冷陰極
尖端部下部の絶縁体基板の一部を、等方性エツチング技
術を用いて除去することにより、庇状の先端形状を有す
る冷陰極を形成すも作用 上記の製造方法において、 レジスト膜として用いる薄
膜の尖端部分は従来の微細加工技術により形成されるた
べ 曲率半径は０．１μｍ以上であ４等方性エツチング
技術を用いると、レジスト膜下部の冷陰極尖端部１１［
レジスト膜尖端部の両側からサイドエツチングされるた
数 エツチング深さが少なくともレジスト膜尖端部の曲
率半径以上となるようにサイドエツチングすれ（−Ｌ
レジスト膜下部に形成された冷陰極の少なくとも上面の
尖端部分！よ 非常に微小な曲率半径となり、さら番こ
サイドエツチングを続けることで下面の尖端部分も非常
に微小なム さらに 冷陰極尖端部分の膜厚方向の曲率
に関してＬ 一方の主面力（突出した形状になっている
た数 突出部分の曲率（よ非常番こ微小になム この手
法によれ＆ｉ ＦＩＢ等のサブミクロンオーダの微細加
工技術を用０なくとＬ従来のホトエツチング技術を用０
て、０．１μｍ以下の曲率半径を有する冷陰極力く形成
され 製造コスト面でも著しく有利なプレーナ型冷陰極
となもこのようにして形成された冷陰極とそれ番こ対向
して設けられた引き出し電極間番こ電圧を印加すると、
電極間隔が１μｍ以上でも前記冷陰極尖端部分こ＆よ強
電界が発生し 低電圧での動作力（可能なプレーナ型冷
陰極が得られも 実施例 第１図に本発明の実施例のプレーナ型冷陰極の斜視図を
示す。平板状冷陰極１の尖端部２が０．１μｍ以下の曲
率半径を有しており、一方の主面の尖端部３が突出した
形状になっていも 第２図ζよ上記冷陰極４と、それに
対向して設けた引き出し電極５の配置図であａ 画電極
はそれぞれ絶縁体基板６の上に形成され 先端部が庇状
７の形状を有していも これらの電極間に 引き出し電
極側を高電位として電圧を印加すれば 電極間隔が１μ
ｍ以上でｋ 冷陰極尖端部には強電界が発生し電界電子
放出を行わせることが可能となム本実施例で用いたプレ
ーナ型冷陰極の製造プロセスを第３図（ａ）〜（ｃ）に
示ｉ−，Ｓｉ基板の表面に絶縁層として熱酸化により厚
さ１μｍのＳｉＯ２膜８を形成機 この５ｉｎｓ膜８の
表面に厚さ０．２．ｕｍのＷＳｉｅ膜９を形成すも こ
のＷＳｉｅＪ［９の表面にホトリソグラフィー技術によ
って尖端部１０を有するレジスト膜１１およびそれに対
向したレジスト膜１２を形成する（第３図ａ）。
形成されたレジスト膜１１の尖端部１０の曲率半径は０
．５μｍ程度であム 次にこの基板をフッ硝酸に浸漬し
てＷＳｉ黛膜９を適当な時間等方性エツチングすること
でサイドエッチを行１．％ レジスト膜１１の尖端部
１３下部に微小曲率半径の尖端部１４を有し かつ一方
の主面１５が突出した形状の薄膜状冷陰極１６およびそ
れに対向する引き出し電極１７を同時に形成する（第３
図ｂ）。本実施例では３００人程度の曲率半径の尖端部
１５を有する冷陰極が形成された 次へ 冷陰極表面に
残っているレジスト膜１８を除去し この基板をバッフ
ァエッチ溶液（ＨＦＩ容とＮＨ４Ｆ６容の混合液）に浸
漬して５ｉｎｓ膜１９を等方性エツチングし 冷陰極と
引き出し電極先端部下部に凹部２０を形成し 画電極先
端部を庇状にする（第３図Ｃ）。
．５μｍ程度であム 次にこの基板をフッ硝酸に浸漬し
てＷＳｉ黛膜９を適当な時間等方性エツチングすること
でサイドエッチを行１．％ レジスト膜１１の尖端部
１３下部に微小曲率半径の尖端部１４を有し かつ一方
の主面１５が突出した形状の薄膜状冷陰極１６およびそ
れに対向する引き出し電極１７を同時に形成する（第３
図ｂ）。本実施例では３００人程度の曲率半径の尖端部
１５を有する冷陰極が形成された 次へ 冷陰極表面に
残っているレジスト膜１８を除去し この基板をバッフ
ァエッチ溶液（ＨＦＩ容とＮＨ４Ｆ６容の混合液）に浸
漬して５ｉｎｓ膜１９を等方性エツチングし 冷陰極と
引き出し電極先端部下部に凹部２０を形成し 画電極先
端部を庇状にする（第３図Ｃ）。
このように構成した冷陰極２１と引き出し電極２２間に
５０〜７０Ｖの電圧を印加すると、冷陰極の突出した面
の尖端部には１０’Ｖ／ｃｍ以上の強電界が発生し 尖
端部から電界電子放出が起こな抵 電極材料と絶縁材料
の組合せ、ＷＳｉｇと５ｉｄｅに限られるものではなく
、電極材料としてＷ、Ｍｏ、ＷｅＣ，ＮｂＣ，ＨｆＣ等
高融点 低仕事関数でかつバッファエッチ溶液に難溶の
材料および絶縁体基板材料としてガラス板等バッファエ
ッチ溶液に溶解する材料を組合せることが可能であ４ また 本実施例では レジスト膜材料に１よ 従来のホ
トレジスト材料を使用した力（冷陰極材料表面に５ｉｄ
ｅや５ｉｓＮａを堆積後 これらの材料をホトエツチン
グしてレジスト膜として使用してもよし−これらの材料
をレジスト膜として使用すれば サイドエツチング量を
１μｍ以上にすることも可能となム 本実施例の製造方法を用いて複数個の冷陰極を引き出し
電極に対向させた構成の電子源を作製すれば 個々の冷
陰極に特性状のバラツキがあっても全体としては平均化
された特性となり安定した電子源が得られも 発明の効果 本発明によれ（ｆ、、ＦＩＢ等を利用したサブミクロン
オーダの微細加工技術を用いなくとＬ Ｏ，１μｍ以
下の曲率半径を有する冷陰極尖端部を均一に再現性よく
形成することが可能となり、 １００Ｖ以下の低電圧で
電界電子放出を起こす電子源が得られも この電子源を
用いることで、低コストで高速スイッチング素子や画像
表示装置の製造が可能となム
５０〜７０Ｖの電圧を印加すると、冷陰極の突出した面
の尖端部には１０’Ｖ／ｃｍ以上の強電界が発生し 尖
端部から電界電子放出が起こな抵 電極材料と絶縁材料
の組合せ、ＷＳｉｇと５ｉｄｅに限られるものではなく
、電極材料としてＷ、Ｍｏ、ＷｅＣ，ＮｂＣ，ＨｆＣ等
高融点 低仕事関数でかつバッファエッチ溶液に難溶の
材料および絶縁体基板材料としてガラス板等バッファエ
ッチ溶液に溶解する材料を組合せることが可能であ４ また 本実施例では レジスト膜材料に１よ 従来のホ
トレジスト材料を使用した力（冷陰極材料表面に５ｉｄ
ｅや５ｉｓＮａを堆積後 これらの材料をホトエツチン
グしてレジスト膜として使用してもよし−これらの材料
をレジスト膜として使用すれば サイドエツチング量を
１μｍ以上にすることも可能となム 本実施例の製造方法を用いて複数個の冷陰極を引き出し
電極に対向させた構成の電子源を作製すれば 個々の冷
陰極に特性状のバラツキがあっても全体としては平均化
された特性となり安定した電子源が得られも 発明の効果 本発明によれ（ｆ、、ＦＩＢ等を利用したサブミクロン
オーダの微細加工技術を用いなくとＬ Ｏ，１μｍ以
下の曲率半径を有する冷陰極尖端部を均一に再現性よく
形成することが可能となり、 １００Ｖ以下の低電圧で
電界電子放出を起こす電子源が得られも この電子源を
用いることで、低コストで高速スイッチング素子や画像
表示装置の製造が可能となム
第１図Ｃヨ 本発明の実施例のプレーナ型冷陰極の斜
視図 第２図１友 本発明の実施例における冷陰極と引
き出し電極の配置医 第３図法 本発明の実施例におけ
るプレーナ型冷陰極の製造プロセスの説明医 第４図１
よ 従来のプレーナ型冷陰極の斜視図であも
視図 第２図１友 本発明の実施例における冷陰極と引
き出し電極の配置医 第３図法 本発明の実施例におけ
るプレーナ型冷陰極の製造プロセスの説明医 第４図１
よ 従来のプレーナ型冷陰極の斜視図であも
Claims (2)
- （１）絶縁体基板上に冷陰極と引き出し電極をお互いに
対向させて配置し、前記冷陰極と引き出し電極間に電圧
を印加することにより、前記冷陰極から電界電子放出を
起こさせるように構成したプレーナ型冷陰極において、
前記冷陰極が、尖端部を有する平板形状を有しており、
前記冷陰極の少なくとも一方の主面の尖端部が０．１μ
ｍ以下の曲率半径であり、かつ一方の主面の尖端部が他
方の主面の尖端部より突出した形状に形成されているこ
とを特徴とするプレーナ型冷陰極。 - （２）絶縁体基板の表面に前記基板とは異なる材料から
なる冷陰極材料を成膜し、前記冷陰極材料表面に前記冷
陰極材料と異なる材料で尖端部を有する形状のレジスト
膜を形成し、等方性エッチング技術を用いて、前記冷陰
極材料のサイドエッチングの深さが少なくとも前記レジ
スト膜尖端部の曲率半径以上となるように前記冷陰極材
料をエッチングし、０．１μｍ以下の曲率半径を有し、
かつ上面より下面が突出した形状の冷陰極尖端部を形成
し、さらに少なくとも形成された前記冷陰極尖端部上部
の前記レジスト膜および下部の前記絶縁体基板材料を除
去することを特徴とするプレーナ型冷陰極の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4977090A JP2574500B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
| DE69104393T DE69104393T2 (de) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | Flachgestaltete Kaltkathode mit spitzen Enden und Herstellungsverfahren derselben. |
| EP91103012A EP0444670B1 (en) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | Planar type cold cathode with sharp tip ends and manufacturing method therefor |
| US07/662,574 US5148079A (en) | 1990-03-01 | 1991-03-01 | Planar type cold cathode with sharp tip ends and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4977090A JP2574500B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252025A true JPH03252025A (ja) | 1991-11-11 |
| JP2574500B2 JP2574500B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=12840407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4977090A Expired - Fee Related JP2574500B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5148079A (ja) |
| EP (1) | EP0444670B1 (ja) |
| JP (1) | JP2574500B2 (ja) |
| DE (1) | DE69104393T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574327A (ja) * | 1991-02-22 | 1993-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
| JPH05225914A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 電子放出素子及びこれを用いた平面ディスプレイ装置 |
| US5679960A (en) * | 1994-01-28 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compact display device |
| US5760536A (en) * | 1993-11-24 | 1998-06-02 | Tdk Corporation | Cold cathode electron source element with conductive particles embedded in a base |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3235172B2 (ja) * | 1991-05-13 | 2001-12-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電界電子放出装置 |
| US5382867A (en) * | 1991-10-02 | 1995-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Field-emission type electronic device |
| JP2669749B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1997-10-29 | 工業技術院長 | 電界放出素子 |
| EP0578512B1 (en) * | 1992-07-09 | 1998-11-11 | Varian Associates, Inc. | Single crystal field emission device |
| JP2639308B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1997-08-13 | 富士電機株式会社 | 力センサ，温度センサおよび温度・力センサ装置 |
| JPH08138561A (ja) * | 1992-12-07 | 1996-05-31 | Mitsuteru Kimura | 微小真空デバイス |
| KR970000963B1 (ko) * | 1992-12-22 | 1997-01-21 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 광게이트를 갖는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US5519414A (en) * | 1993-02-19 | 1996-05-21 | Off World Laboratories, Inc. | Video display and driver apparatus and method |
| JP3599765B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2004-12-08 | 株式会社東芝 | 陰極線管装置 |
| US5502314A (en) * | 1993-07-05 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-emission element having a cathode with a small radius |
| US5771039A (en) * | 1994-06-06 | 1998-06-23 | Ditzik; Richard J. | Direct view display device integration techniques |
| US5712527A (en) * | 1994-09-18 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Multi-chromic lateral field emission devices with associated displays and methods of fabrication |
| JP3532275B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2004-05-31 | ソニー株式会社 | 平面表示パネル |
| KR100366694B1 (ko) * | 1995-03-28 | 2003-03-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다중팁전계방출소자의그제조방법 |
| KR100343207B1 (ko) * | 1995-03-29 | 2002-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계효과전자방출소자및그제조방법 |
| KR100322696B1 (ko) * | 1995-03-29 | 2002-06-20 | 김순택 | 전계효과전자방출용마이크로-팁및그제조방법 |
| US5859493A (en) * | 1995-06-29 | 1999-01-12 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Lateral field emission display with pointed micro tips |
| US5990619A (en) * | 1996-03-28 | 1999-11-23 | Tektronix, Inc. | Electrode structures for plasma addressed liquid crystal display devices |
| CN1327610A (zh) * | 1999-07-26 | 2001-12-19 | 先进图像技术公司 | 真空场效应器件及其制作工艺 |
| KR20010075311A (ko) * | 1999-07-26 | 2001-08-09 | 어드밴스드 비젼 테크놀러지스 인코포레이티드 | 절연-게이트 전자의 전계 방출 소자 및 그 제작 공정 |
| JP3907667B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2007-04-18 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置およびそれを用いた電子源並びに画像表示装置および情報表示再生装置 |
| JP2011018491A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Canon Inc | 電子放出素子とこれを用いた電子線装置、画像表示装置 |
| CN110875165A (zh) * | 2018-08-30 | 2020-03-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种场发射阴极电子源及其阵列 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212236A (ja) * | 1990-02-22 | 1992-08-03 | Seiko Epson Corp | 電界電子放出装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8621600D0 (en) * | 1986-09-08 | 1987-03-18 | Gen Electric Co Plc | Vacuum devices |
| US4904895A (en) * | 1987-05-06 | 1990-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission device |
| JP2654012B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1997-09-17 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子およびその製造方法 |
| JPS6433833A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Canon Kk | Electron emitting element |
| JPH0340332A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界放出型スウィチング素子およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-01 JP JP4977090A patent/JP2574500B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-28 EP EP91103012A patent/EP0444670B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-28 DE DE69104393T patent/DE69104393T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-01 US US07/662,574 patent/US5148079A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212236A (ja) * | 1990-02-22 | 1992-08-03 | Seiko Epson Corp | 電界電子放出装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574327A (ja) * | 1991-02-22 | 1993-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
| JPH05225914A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 電子放出素子及びこれを用いた平面ディスプレイ装置 |
| US5760536A (en) * | 1993-11-24 | 1998-06-02 | Tdk Corporation | Cold cathode electron source element with conductive particles embedded in a base |
| US5860844A (en) * | 1993-11-24 | 1999-01-19 | Tdk Corporation | Cold cathode electron source element and method for making |
| US5679960A (en) * | 1994-01-28 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compact display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0444670A3 (en) | 1991-11-06 |
| DE69104393T2 (de) | 1995-05-04 |
| EP0444670A2 (en) | 1991-09-04 |
| JP2574500B2 (ja) | 1997-01-22 |
| US5148079A (en) | 1992-09-15 |
| DE69104393D1 (de) | 1994-11-10 |
| EP0444670B1 (en) | 1994-10-05 |
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