JPH05225914A - 電子放出素子及びこれを用いた平面ディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】動作電圧の低い電子放出素子及びこれを用いた
平面ディスプレイ装置を提供することにある。 【構成】第２の絶縁膜１５を挟んで基板１２上に積層さ
れるとともに電子放出用の溝１７を介してそれぞれ分割
されたエミッタ１４とゲ−ト１６とを備え、エミッタ１
４及びゲ−ト１６の縁部２０ａ、２０ｂ及び２１ａ、２
１を溝１７内に突出させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、真空マイクロ
エレクトロニクス技術を利用した冷陰極管及びこれを用
いた平面ディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、真空マイクロエレクトロニクスの
分野において、微構造真空三極管（電子放出素子）及び
この微構造真空三極管を利用した平面ディスプレイ装置
の開発が盛んに行われ始めている。

【０００３】図１１及び図１２に一般的な微構造真空三
極管の冷陰極管の形状を示す。各図に示すように円錐状
のエミッタ１が基板２上に突設されており、このエミッ
タ１は電子銃となる。基板２上には絶縁膜３及び導電性
薄膜４が積層されている。そして、両膜３、４に跨がっ
て丸孔５が設けられており、エミッタ１はこの丸孔５の
内側に位置している。そして、エミッタ１の先端は丸孔
５の開口部に達している。上記導電性薄膜４はゲ−ト
（以下、ゲ−ト４と称する）であり、このゲ−ト４は引
き出し電極となる。

【０００４】この冷陰極管は電界放出型であり、真空中
でエミッタ１とゲ−ト４との間に電界を発生させてエミ
ッション電流を流す。そして、上述のようにエミッタの
形状が円錐状である冷陰極管はスピント型と呼ばれる。

【０００５】このスピント型の冷陰極管に対し、図１３
及び図１４に示すようにエミッタを薄膜化したものは平
面型と呼ばれる。即ち、この平面型の冷陰極管において
は、基板上６に絶縁膜７が形成され、この絶縁膜７上に
導電性薄膜からなるエミッタ８とゲ−ト９とが積層され
ている。エミッタ８とゲ−ト９とは離間して縁部を向い
合わせており、エミッタ８及びゲ−ト９の下側の部分
は、それぞれの縁部が突出するようエッチングされてい
る。

【０００６】さらに、エミッタ８の縁部は鋸歯状に成形
されており、エミッタ６の先端の尖った部分から電子が
放出される。このタイプの冷陰極管においては、作製プ
ロセスが容易なことが特徴である。

【０００７】これらの冷陰極管を平面上に多数配列すれ
ば平面ディスプレイが実現される。冷陰極管を利用した
平面ディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ装置と比較
すると、応答性、輝度、耐環境性など多くの点で優れて
いる。このため、この種の平面ディスプレイ装置は、近
い将来、ディスプレイ産業の主流を占める可能性がある
と言われている。

【０００８】また、電界を利用して光を励起するＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）が知られている。このＥ
Ｌの分野においては、カラ−素子の豊富な有機ＥＬ素子
を利用する試みが盛んである。最近は、有機ＥＬ薄膜を
三層重ねて電界を加えることで発光効率を高めたデバイ
スも発表されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の冷陰極管におい
ては、動作電圧（エミッタ−ゲ−ト間にエミッション電
流を流すための電圧）を低くするために、半導体素子製
造プロセスの微細加工技術、特にパタ−ニング技術を利
用してエミッタ−ゲ−ト間の距離を小さくする努力が行
われている。

【００１０】しかし、パタ−ニング技術は光縮小投影露
光装置（ステッパ）や電子ビ−ム露光装置などのレジス
トパタ−ニングに頼らざるを得ず、距離の縮小化は、自
ずとレジストパタ−ニングの解像度の影響を受ける。そ
して、エミッタ−ゲ−ト間の距離は現状で０．１μｍ以
上に制限されている。従って、従来の冷陰極管を利用し
た平面ディスプレイ装置には、現在の液晶ディスプレイ
装置に比べて動作電圧が高くなるという問題がある。

【００１１】また、微構造真空三極管から放出される電
子は低加速電子線であり、この低加速電子線を利用した
デバイスとして代表的なものに蛍光表示管がある。これ
らのデバイス用の蛍光体として例えばＺｎＯ：Ｚｎ
（緑）などがあり、カラ−用としては例えばＺｎＳ：Ａ
ｇ、Ｃｌ＋Ｉｎ₂ Ｏ₃ （青）や（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ
ｇ、Ａｌ＋Ｉｎ₂ Ｏ₃ （赤）などがある。しかし、これ
らの蛍光体のうち、ＺｎＯ：Ｚｎ以外の蛍光体には、閾
値が高いこと、輝度が低いこと等の不具合がある。この
ため、微構造真空三極管を利用した輝度の高い蛍光表示
管の実用化は困難である。

【００１２】上述の蛍光体に対し、有機ＥＬ素子には、
カラ−が豊富で、輝度が高いという長所がある。しか
し、金属電極と有機ＥＬ薄膜、或いは有機ＥＬ薄膜同志
の界面の適合性の判断、時間の経過に伴う輝度の低下、
及び、種々の界面の酸化など様々な問題があり、有機Ｅ
Ｌ素子の利用も困難である。本発明の目的とするところ
は、動作電圧の低い電子放出素子及びこれを用いた平面
ディスプレイ装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、絶縁膜を挟んで基板上に積層さ
れるとともに電子放出用の溝を介してそれぞれ分割され
たエミッタとゲ−トとを備え、エミッタ及びゲ−トの縁
部を溝内に突出させた電子放出素子にある。また、本発
明は、エミッタ及びゲ−トの縁部に、尖った部分を有す
る突起を設けた電子放出素子にある。

【００１４】また、本発明は、第１の基板上に積層され
たアノ−ドと、このアノ−ド上に積層された蛍光体と、
第２の基板上に積層されたエミッタ及びゲ−トとを備
え、蛍光体をゲ−トに向けて第１の基板と第２の基板と
を重ね、エミッタから放出された電子を蛍光体に供給し
て発光する電子放出素子にある。また、本発明は、発光
する前記電子放出素子を集積化してなる平面ディスプレ
イ装置にある。そして、本発明は、動作電圧の低い電子
放出素子及びこれを用いた平面ディスプレイ装置を得ら
れるようにした。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の各実施例を図１〜図１０に基
づいて説明する。

【００１６】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実
施例を示しており、両図中の符号１１は二極の電子放出
素子である。この電子放出素子１１は基板上に絶縁性材
料及び導電性材料を交互に堆積してなり、四層の薄膜を
有する。

【００１７】すなわち、電子放出素子１１においては、
Ｓｉ等からなる基板１２上に第１の絶縁膜１３が形成さ
れており、この第１の絶縁膜１３上に、導電性薄膜から
なるエミッタ１４が積層されている。そして、エミッタ
１４の上に、第２の絶縁膜１５を介して、導電性薄膜か
らなるゲ−ト１６が積層されている。エミッタ１４−ゲ
−ト１６間は第２の絶縁膜１５により絶縁されている。

【００１８】そして、電子放出素子１１の中央部には電
子放出用の溝１７が形成されており、この溝１７はゲ−
ト１６に開口するとともに、上の三つの層を通過して第
１の絶縁膜１３の途中の部位に達している。エミッタ１
４及びゲ−ト１６は、それぞれ間隙１８、１９を介在さ
せて二分割されている。また、第１及び第２の絶縁膜１
３、１５は、間隙１８、１９の周囲の部分を除去されて
いる。

【００１９】エミッタ１４の縁部２０ａ、２０ｂ及びゲ
−ト１６の縁部２１ａ、２１ｂはそれぞれ略平行に向い
合っており、第１及び第２の絶縁膜１３、１５に対して
突出している。そして、各縁部２０ａ、２０ｂ及び２１
ａ、２１ｂには、図１（ａ）中に示すように、エミッタ
突起及びゲ−ト突起（以下では、ともに突起と称する）
２２ａ、２２ｂ及び２３ａ、２３ｂが設けられている。

【００２０】各突起２２ａ、２２ｂ及び２２ａ、２３ａ
の形状は三角形に設定されており、各突起２２ａ、２２
ｂ及び２３ａ、２３ｂは間隙１８、１９の中心に向って
突出している。さらに、各突起２２ａ、２２ｂ及び２３
ａ、２３ｂは溝１７の幅方向に並んだ二つを一組として
配設されており、尖鋭な先端２４ａ、２４ｂ及び２５
ａ、２５ｂを離間させるとともに対向させている。

【００２１】図２及び図３に電子放出素子１１の作製プ
ロセスの一例を示す。電子放出素子１１の作製プロセス
は、大まかには、成膜、パタ−ニング、及び、エッチン
グの各工程からなる。

【００２２】まず、図２（ａ）に示すように、基板１２
上に絶縁性材料からなる薄膜３１、３２及び導電性材料
からなる薄膜３３、３４が交互に四層堆積し、図２
（ｂ）に示すように、最上層の薄膜３４上にレジスト３
５が塗布されてパタ−ニングが行われる。この後、図３
（ｃ）に示すように、レジスト３５をマスクとしてＲＩ
Ｅ（反応性イオンエッチング）が行われ、上三層が複数
の三角形の部分を有する形状に加工される。

【００２３】例えば絶縁性材料にＳｉＯ₂ を用いるとと
もに導電性材料にＷＳｉを用いた場合は、ＲＩＥ用のガ
スとしてＣＦ₄ とＯ₂ を導入すれば、エッチングが可能
である。

【００２４】つぎに、例えばＨＦを用いたウエットエッ
チングが行われ、図３（ｄ）に示すようにＳｉＯ₂ （絶
縁性材料３１、３２）だけが選択的にエッチングされ
る。導電性の薄膜３３、３４の縁部２０ａ、２０ｂ及び
２１ａ、２１ｂの周辺の絶縁材料が除去され、縁部２０
ａ、２０ｂ及び２１ａ、２１ｂが絶縁膜１３、１５が残
される。そして、三角形の突起２２ａ、２２ｂ及び２３
ａ、２３ｂを備えたエミッタ１４とゲ−ト１６とが作製
される。

【００２５】この工程において、エミッタ１４及びゲ−
ト１６の十分な突出量が確保される。したがって、この
工程は、真空中でエミッタ１４の先端とゲ−ト１６の先
端との間に効率良くエミッション電流を流すために必要
である。

【００２６】こののち、Ｆラジカルを用いたＣＤＥ(Che
mical Dry Etching)が行われ、エミッタ突起２２ａ、２
２ｂの先端２４ａ、２４ｂ、及び、ゲ−ト突起２３ａ、
２３ｂの先端２５ａ、２５ｂだけが選択的に尖鋭化され
る。ここで、図２（ａ）〜図３（ｄ）中においては、エ
ミッタ１４とゲ−ト１６とに突起２２ａ、２２ｂ及び２
３ａ、２３ｂが、それぞれ二組ずつ示されている。

【００２７】上述のような電子放出素子１１において
は、エミッタ１４及びゲ−ト１６が薄膜化されており、
第２の絶縁膜１５を介して積層されている。そして、エ
ミッタ１４−ゲ−ト１６間の距離は第２の絶縁膜１５の
厚さによって決まる。つまり、エミッタ１４及びゲ−ト
１６は、パタ−ニング技術ではなく、製膜技術により作
製されるので、作製プロセスが容易であるとともに、エ
ミッタ１４−ゲ−ト１６間の距離の縮小化及び調整が容
易である。そして、エミッタ１４−ゲ−ト１６間の距離
を縮小化できるので、エミッション電流を流すための動
作電圧を低くすることが可能である。

【００２８】第２の絶縁膜１５の製作方法には、拡散炉
を利用した熱酸化膜形成技術やＣＶＤ技術、或いは、ス
パッタ技術等があるが、いずれの場合も膜厚の制御が容
易であり、成膜装置によっては、膜厚を例えば１００オ
ングストロ−ム以下にすることもできる。さらに、エミ
ッタ１４−ゲ−ト１６間の距離は、レジストパタ−ニン
グの解像度に因らないので、レジストパタ−ニングの解
像度はさほど要らない。

【００２９】なお、同じ電圧の下でのエミッション電流
の値は、各突起２０ａ、２０及び２３ａ、２３ｂのそれ
ぞれの先端２４ａ、２４ｂ及び２５ａ、２５ｂの曲率半
径が小さい程大きい。そして、本実施例においては、Ｆ
ラジカルを用いたＣＤＥにより各突起２２ａ、２２ｂ及
び２３ａ、２３ｂが尖鋭化されているので、より大きな
値のエミッション電流を得ることができる。そして、具
体的には、エミッション電流の値は従来の電子放出素子
に比べて２倍になった。

【００３０】なお、本実施例においては、突起２２ａ、
２２ｂ及び２３ａ、２３ｂの形状が三角形に設定されて
いるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば図４（ａ）〜（ｃ）に示すように種々の形状を採用す
ることができる。（ａ）においては突起２６ａ、２６ｂ
が長方形に加工され、（ｂ）においては突起２７ａ、２
７ｂが正方形に加工されている。また、（ｃ）において
は突起２８ａ、２８ｂが星形に加工されている。

【００３１】つまり、鋭利な部分が存在すれば効率良く
エミッション電流を流すことができる。特に（ｃ）に示
すように星形を採用した場合には、鋭利なエッジが多く
形成され、ト−タル電流値が高くなる。つぎに、本発明
の第２の実施例を図５及び図６に基づいて説明する。な
お、第１の実施例と同様の部分については同一番号を付
し、その説明は省略する。

【００３２】両図中の符号４１は電子放出素子であり、
この電子放出素子４１は三極管である。電子放出素子４
１は積層構造のエミッタ１４とゲ−ト１６、及び、透明
な基板４２上に積層された導電性薄膜からなるアノ−ド
４３とを備えている。透明な基板４２の材質には石英ガ
ラス等が用いられており、アノ−ド４３にもＩＴＯ等の
ように透明な材質が利用されている。

【００３３】アノ−ド４３には低加速電子線用の蛍光体
４４が積層されており、この蛍光体４４の材質としてＺ
ｎＯ：Ｚｎなどが利用されている。透明な基板４２は、
他方の基板１２に対して適当な間隔で離間している。こ
の基板１２にはエミッタ１４とゲ−ト１６とが積層され
ている。そして、透明な基板４２の蛍光体４４がゲ−ト
１６に対向している。両基板１２、４２は互いに接合さ
れており、接合方法として例えば静電接合が採用されて
いる。そして、この静電接合は以下のように行われる。

【００３４】まず、透明な基板４２に例えばＮａやＫを
含むパイレックスガラスを用い、透明な基板４２の表側
（蛍光体４４が積層された側の面に対して反対の面）４
５の周辺に例えばＡｌなどの金属を着けて透明な基板４
２を他方の基板１２に重ね合わせる。透明な基板に着け
られた金属と他方の基板１２との間に電界を与えると、
ＮａイオンやＫイオンが移動し、両基板１２、４２の界
面に電化空乏層が生成する。このため両基板１２、４２
が静電力により密着する。

【００３５】この工程を真空雰囲気内で行えば、電子放
出素子４１を大気圧下に取出した後でも、両基板１２、
４２間の真空を保つことができる。また、真空引きのた
めの穴を両基板１２、４２間に前もって設けておき、接
合後に両基板１２、４２間を真空引きして密封しても、
両基板１２、４２間の真空を保つことができる。

【００３６】図６中に示すように、エミッタ１４及びゲ
−ト１６と電源アノ−ド４３とは電源４６とスイッチ４
７とを介して接続されており、エミッタ１４とゲ−ト１
６との間には電源４８によって電圧が印加されている。

【００３７】このような構成の電子放出素子４１におい
ては、エミッタ１４−ゲ−ト１６間に電圧が加られて電
子が引き出される。この後、エミッタ１６−アノ−ド４
３間に更に高い電圧が加えられ、エミッタ１４−ゲ−ト
１６間に引き出された電子が、図５中に矢印Ａ、Ａで示
すようにアノ−ド４３の側に引き寄せられる。この電子
はアノ−ド４３に到達する直前に蛍光体４４に衝突して
蛍光を発生させる。

【００３８】このような電子放出素子４１を各画素とし
て多数個を配列すれば平面ディスプレイ装置が得られ
る。この種の平面ディスプレイ装置においては、各画素
を構成する電子放出素子４１…を近接させても、電子放
出素子４１…間の距離がエミッタ１４−ゲ−ト１６間の
距離よりもわずかでも大きければエミッション電流は流
れない。

【００３９】このため、画素同志の間隔を小さくして画
素を緻密に配設し、透明な基板４２側、及び、他方の基
板１２側にそれぞれ直交する複数の配線を形成してもク
ロスト−クなどの問題は生じない。したがって、駆動方
式に単純マトリクス方式を採用することが可能である。
また、本実施例においては両基板１２、４２の接合に静
電接合が採用されているので、電子放出素子内の真空を
容易に保つことができる。つぎに、本発明の第３の実施
例を図７に基づいて説明する。なお、前述の各実施例と
同様の部分については同一番号を付し、その説明は省略
する。

【００４０】図７中の符号５１は電子放出素子であり、
この電子放出素子５１は五極管である。電子放出素子５
１においては、絶縁膜と導電膜が基板１２の上に交互に
４層ずつ堆積しており、エミッタ１４、ゲ−ト１６の上
に、第３の絶縁膜５２、加速電極５３、第４の絶縁膜５
４、及び、偏向電極５５が順に形成されている。

【００４１】この電子放出素子５１においては、図中に
矢印Ｂ、Ｂで示すように加速電極５３が、エミッタ１４
から放出された電子に蛍光体４４を励起するための適度
なエネルギを与えながら任意の方向に曲げる。そして、
例えば蛍光体８をパタ−ニングによってＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の三色に分ければ、上記偏向電極１１
を用い、一色だけを選択して発光させることができる。
つぎに、本発明の第４の実施例を図８に基づいて説明す
る。

【００４２】図８中の電子放出素子６１においては、加
速電極５３の前段に収束可変電極６２が設けられてお
り、六極管が構成されている。収束可変電極６２は電子
群に電界を作用させ、図中に矢印Ｃ…で示すように電子
群の収束程度を制御する。電子群は、例えば電界の正負
或いは強弱の変化に伴って、絞られたり拡げられたりす
る。そして、この電子放出素子６１においては、例えば
三色を同時に発光させたりに、或いは二色を選択的に光
らせたりすることができ、多色表示が可能である。つぎ
に、本発明の第５の実施例を図９に基づいて説明する。

【００４３】これまで述べてきた各種の電子放出素子は
光透過型のものであるが、反射型も同様の作製プロセス
で製作できる。図９に反射型の電子放出素子７１が示さ
れている。構造の大部分は透過型のものと同様である
が、エミッタ１４側の基板７２に例えば石英ガラスなど
のように光透過性の高い材質が採用されており、蛍光体
４４の側の基板７３にはＳｉなどのような不透明な材質
が採用されている。また、アノ−ド７４にはＡｕなどの
ように不透明で反射率の高い材質が採用されている。

【００４４】蛍光体４４から発せられた光は、直接に、
或いは、アノ−ド７４で反射して透明な基板７２の側へ
向かう。そして、蛍光体４４から発せられた光は、図中
に波状の矢印Ｄ、Ｄで示すように全て一方向へ送り出さ
れる。ここで、エミッタ１４やベ−ス１６に例えばＩＴ
Ｏなどの透明な材質を採用すれば、光量の減少を抑える
ことができる。

【００４５】このタイプの電界放出素子７１において
は、透過型の電界放出素子に比べて乱反射が少なく、輝
度が高い。なお、基板７２と第１の絶縁膜１３とに透明
な絶縁性材料を採用すれば、基板７２と第１の絶縁膜１
３とを一体化できる。また、反射型の電子放出素子を利
用した平面ディスプレイにおいては、透過光と反射光と
の遅延時間を短くすることができる。つぎに、本発明の
第６の実施例を図１０に基づいて説明する。

【００４６】本実施例の電子放出素子８１の構成は第２
実施例の電子放出素子４１と略同様であるが、蛍光体８
２に有機ＥＬ薄膜が採用されている。有機ＥＬ薄膜にお
いては、内部にホ−ルと電子とが供給されると、一重項
励起子が生成し、これが基底準位に戻る際に光が発生す
る。

【００４７】つまり、エミッタ１４−ベ−ス１６間に電
界を与えて電子を引き出し、エミッタ１４−アノ−ド４
３間に更に高い電界を与え、上記電子をアノ−ド５側に
引き寄せて有機ＥＬ薄膜に供給する。また、高い電界が
エミッタ１４−アノ−ド４３間に与えられたことに伴
い、ホ−ルが有機ＥＬ薄膜の内部に供給される。ここ
で、８−キノリノ−ルＡｌ錯体などのようにホ−ル輸送
性のある有機ＥＬ薄膜を選択すれば、発光効率はより向
上する。

【００４８】有機ＥＬ薄膜には、カラ−ディスプレイに
必要な赤、青、緑などの色をもつものが豊富に存在す
る。例えば、赤色のための物質にペリノン誘導体などが
在り、青色のための物質にＴＰＤなどが在る。また、緑
色のための物質にフタロペリノン誘導体などがある。

【００４９】上述のような電子放出素子８１を一画素と
して多数配列し、一画素ごとに赤、青、緑などの色をも
つ有機ＥＬ薄膜をパタ−ニングによって区分けすれば、
平面カラ−ディスプレイ装置が得られる。なお、本発明
は、要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能
である。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁膜を
挟んで基板上に積層されるとともに電子放出用の溝を介
してそれぞれ分割されたエミッタとゲ−トとを備え、エ
ミッタ及びゲ−トの縁部を溝内に突出させた電子放出素
子である。また、本発明は、エミッタ及びゲ−トの縁部
に、尖った部分を有する突起を設けた電子放出素子であ
る。

【００５１】また、本発明は、第１の基板上に積層され
たアノ−ドと、このアノ−ド上に積層された蛍光体と、
第２の基板上に積層されたエミッタ及びゲ−トとを備
え、蛍光体をゲ−トに向けて第１の基板と第２の基板と
を重ね、エミッタから放出された電子を蛍光体に供給し
て発光する電子放出素子である。また、本発明は、発光
する前記電子放出素子を集積化してなる平面ディスプレ
イ装置である。したがって、本発明は、電子放出素子及
び平面ディスプレイ装置の動作電圧を低減できるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例を示す平面図、
（ｂ）は前記（ａ）中のＥ−Ｅ線に沿った断面図。

【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施例の電子
放出素子の製造工程を順に示す説明図。

【図３】本発明の第１の実施例の電子放出素子の各製造
工程を［図２］に続いて順に示す説明図。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は各々突起の形状の変形例を示
す平面図。

【図５】本発明の第２実施例の要部を示す構成図。

【図６】本発明の第２の実施例を示す説明図。

【図７】本発明の第３実施例の要部を示す断面図。

【図８】本発明の第４の実施例の要部を示す説明図。

【図９】本発明の第５の実施例の要部を示す断面図。

【図１０】本発明の第６の実施例の要部を示す断面図。

【図１１】従来例を示すもので、（ａ）はスピント型の
冷陰極管の斜視図、（ｂ）はスピント型の冷陰極管を多
数配列してなる冷陰極管アレイを示す同じく斜視図。

【図１２】［図１１］の（ａ）中のＦ−Ｆ線に沿った断
面図。

【図１３】平面型の冷陰極管を示す斜視図。

【図１４】［図１３］中のＧ−Ｇ線に沿った断面図。

【符号の説明】

１１…電子放出素子、１２…基板、１３…第１の絶縁
膜、１４…エミッタ、１５…第２の絶縁膜、１６…ゲ−
ト、１７…電子放出用の溝、２２ａ、２２ｂ…エミッタ
突起、２３ａ、２３ｂ…ゲ−ト突起、４３…アノ−ド、
４４…蛍光体。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁膜を挟んで基板上に積層されるとと
   もに電子放出用の溝を介してそれぞれ分割されたエミッ
   タとゲ−トとを備え、上記エミッタ及び上記ゲ−トの縁
   部を上記溝内に突出させたことを特徴とする電子放出素
   子。
2. 【請求項２】 上記エミッタ及び上記ゲ−トの縁部に、
   尖った部分を有する突起を設けたことを特徴とする［請
   求項１］記載の電子放出素子。
3. 【請求項３】 第１の基板上に積層されたアノ−ドと、
   このアノ−ド上に積層された蛍光体と、第２の基板上に
   積層されたエミッタ及びゲ−トとを備え、上記蛍光体を
   上記ゲ−トに向けて上記第１の基板と上記第２の基板と
   を重ね、上記エミッタから放出された電子を上記蛍光体
   に供給して発光することを特徴とする電子放出素子。
4. 【請求項４】 前記［請求項３］記載の電子放出素子を
   集積化してなることを特徴とする平面ディスプレイ装
   置。
5. 【請求項５】 上記螢光体として有機ＥＬ素子を用い、
   前記［請求項３］或いは前記［請求項４］記載の電子放
   出素子を使用した平面カラ−ディスプレイ装置。