JPH08138561A - 微小真空デバイス - Google Patents
微小真空デバイスInfo
- Publication number
- JPH08138561A JPH08138561A JP5329952A JP32995293A JPH08138561A JP H08138561 A JPH08138561 A JP H08138561A JP 5329952 A JP5329952 A JP 5329952A JP 32995293 A JP32995293 A JP 32995293A JP H08138561 A JPH08138561 A JP H08138561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electron emitter
- vacuum device
- gate
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J21/00—Vacuum tubes
- H01J21/02—Tubes with a single discharge path
- H01J21/06—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only
- H01J21/10—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode
- H01J21/105—Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode with microengineered cathode and control electrodes, e.g. Spindt-type
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的低真空であっても電子放出特性を向上
させ，電源電圧を比較的小さくし，また，半導体のマイ
クロマシーンニング技術を用いて形成できるようにし，
微細で精度がよい宙に浮いた構造の薄膜ヒータを持った
電子エミッタを有する微小真空デバイスを容易に大量生
産可能にする。 【構成】 真空中に配置した薄膜ヒータ兼電子エミッタ
１０６，ゲート１０４およびコレクタ１０２を有する微
小真空デバイスにおいて，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１
０６を宙に浮いた状態で薄膜状に形成し，薄膜ヒータ兼
電子エミッタ１０６が電子を電界放出するように空隙を
介して薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６をゲート１０４
に近接配置したものである。
させ，電源電圧を比較的小さくし，また，半導体のマイ
クロマシーンニング技術を用いて形成できるようにし，
微細で精度がよい宙に浮いた構造の薄膜ヒータを持った
電子エミッタを有する微小真空デバイスを容易に大量生
産可能にする。 【構成】 真空中に配置した薄膜ヒータ兼電子エミッタ
１０６，ゲート１０４およびコレクタ１０２を有する微
小真空デバイスにおいて，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１
０６を宙に浮いた状態で薄膜状に形成し，薄膜ヒータ兼
電子エミッタ１０６が電子を電界放出するように空隙を
介して薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６をゲート１０４
に近接配置したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，電界放出形や熱電子・
電界放出形の電子エミッタを有する微小真空デバイスに
関し，特に，微小三極真空デバイスや微小真空磁気セン
サなどに応用できる微小真空デバイスに関するものであ
る。
電界放出形の電子エミッタを有する微小真空デバイスに
関し，特に，微小三極真空デバイスや微小真空磁気セン
サなどに応用できる微小真空デバイスに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来における微小真空デバイスにあって
は，半導体のマイクロマシーンニング技術を用いて，真
空中においてシリコン基板などに電子エミッタ，ゲー
ト，および，コレクタを形成配置し，針状や薄膜状に作
成した電子エミッタにゲートを単に近接させて配置する
ことにより電界放出形に構成したものが一般的であっ
た。
は，半導体のマイクロマシーンニング技術を用いて，真
空中においてシリコン基板などに電子エミッタ，ゲー
ト，および，コレクタを形成配置し，針状や薄膜状に作
成した電子エミッタにゲートを単に近接させて配置する
ことにより電界放出形に構成したものが一般的であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
微小真空デバイスにおける電子エミッタは，真空度が低
くなるにしたがい，電子エミッタ表面に対するガス吸着
等により電子放出特性が損なわれるという問題点があっ
た。
微小真空デバイスにおける電子エミッタは，真空度が低
くなるにしたがい，電子エミッタ表面に対するガス吸着
等により電子放出特性が損なわれるという問題点があっ
た。
【０００４】本発明は，上記に鑑みてなされたもので，
電子エミッタ表面を熱し，吸着ガス等を放出させて活性
化させることにより，電子が電界放出しやすい状態にす
るか，あるいは，電子エミッタを熱することにより，熱
電子が出やすい状態にして電界放出させることにより，
比較的低真空であっても電子放出特性を向上させ，電源
電圧を比較的小さくすることを第１の目的とする。
電子エミッタ表面を熱し，吸着ガス等を放出させて活性
化させることにより，電子が電界放出しやすい状態にす
るか，あるいは，電子エミッタを熱することにより，熱
電子が出やすい状態にして電界放出させることにより，
比較的低真空であっても電子放出特性を向上させ，電源
電圧を比較的小さくすることを第１の目的とする。
【０００５】また，半導体のマイクロマシーンニング技
術を用いて形成できるようにし，微細で精度がよい宙に
浮いた構造の薄膜ヒータを持った電子エミッタを有する
微小真空デバイスを容易に大量生産可能にすることを第
２の目的とする。
術を用いて形成できるようにし，微細で精度がよい宙に
浮いた構造の薄膜ヒータを持った電子エミッタを有する
微小真空デバイスを容易に大量生産可能にすることを第
２の目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は，上記の目的を
達成するために，真空中に配置した電子エミッタ，ゲー
トおよびコレクタを有する微小真空デバイスにおいて，
前記電子エミッタを宙に浮いた状態の薄膜ヒータ上に薄
膜状に形成し，前記電子エミッタが電子を電界放出する
ように空隙を介して前記電子エミッタを前記ゲートに近
接配置したものである。
達成するために，真空中に配置した電子エミッタ，ゲー
トおよびコレクタを有する微小真空デバイスにおいて，
前記電子エミッタを宙に浮いた状態の薄膜ヒータ上に薄
膜状に形成し，前記電子エミッタが電子を電界放出する
ように空隙を介して前記電子エミッタを前記ゲートに近
接配置したものである。
【０００７】また，前記薄膜ヒータを前記電子エミッタ
として構成し，前記電子エミッタと前記コレクタとの間
を流れる電流を，前記ゲートに印加する電圧により変化
させ，前記ゲートに近接配置する電子エミッタの先端部
を尖鋭化し，前記ゲートに近接配置する電子エミッタの
先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設け，前記電
子エミッタに形成する先端部に対応する部分にスリット
を設けたものである。
として構成し，前記電子エミッタと前記コレクタとの間
を流れる電流を，前記ゲートに印加する電圧により変化
させ，前記ゲートに近接配置する電子エミッタの先端部
を尖鋭化し，前記ゲートに近接配置する電子エミッタの
先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設け，前記電
子エミッタに形成する先端部に対応する部分にスリット
を設けたものである。
【０００８】また，前記コレクタを複数近接させて配置
し，前記複数のコレクタに流れる電子電流の大きさから
外部磁界の大きさ，および，外部磁界の方向を検出し，
前記コレクタを薄膜状に構成し，前記コレクタが，絶縁
薄膜を介して複数層から構成されているものである。ま
た，前記電子エミッタの表面に凸部を設けたものであ
る。
し，前記複数のコレクタに流れる電子電流の大きさから
外部磁界の大きさ，および，外部磁界の方向を検出し，
前記コレクタを薄膜状に構成し，前記コレクタが，絶縁
薄膜を介して複数層から構成されているものである。ま
た，前記電子エミッタの表面に凸部を設けたものであ
る。
【０００９】さらに，表面に凹部を形成したシリコン単
結晶チップをカバーとして，前記凹部を含む領域を微小
真空領域室となるように真空封止し，前記電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て前記微小真空領域の外部に引き出すように構成したも
のである。
結晶チップをカバーとして，前記凹部を含む領域を微小
真空領域室となるように真空封止し，前記電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て前記微小真空領域の外部に引き出すように構成したも
のである。
【００１０】また，本発明は，真空中に配置した電子エ
ミッタ，ゲートおよびコレクタを有する微小真空デバイ
スにおいて，前記コレクタを導体基板により構成し，前
記コレクタ上に絶縁薄膜を介してゲート電極を配置し，
前記ゲート電極内に前記コレクタが露出するように前記
絶縁薄膜に孔を形成し，薄膜ヒータ上に薄膜状に形成さ
れた電子エミッタを前記孔の中央付近に配置し，前記電
子エミッタが電子を電界放出するように前記電子エミッ
タをゲートに近接配置したものである。
ミッタ，ゲートおよびコレクタを有する微小真空デバイ
スにおいて，前記コレクタを導体基板により構成し，前
記コレクタ上に絶縁薄膜を介してゲート電極を配置し，
前記ゲート電極内に前記コレクタが露出するように前記
絶縁薄膜に孔を形成し，薄膜ヒータ上に薄膜状に形成さ
れた電子エミッタを前記孔の中央付近に配置し，前記電
子エミッタが電子を電界放出するように前記電子エミッ
タをゲートに近接配置したものである。
【００１１】また，前記薄膜ヒータを前記電子エミッタ
として構成し，前記電子エミッタと前記コレクタとの間
を流れる電流を，前記ゲートに印加する電圧により変化
させ，前記孔の中央付近に配置する電子エミッタの先端
部を尖鋭化し，前記孔の中央付近に配置する電子エミッ
タの先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設け，前
記電子エミッタに形成する先端部に対応する部分にスリ
ットを設けたものである。また，前記電子エミッタの表
面に凸部を設けたものである。
として構成し，前記電子エミッタと前記コレクタとの間
を流れる電流を，前記ゲートに印加する電圧により変化
させ，前記孔の中央付近に配置する電子エミッタの先端
部を尖鋭化し，前記孔の中央付近に配置する電子エミッ
タの先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設け，前
記電子エミッタに形成する先端部に対応する部分にスリ
ットを設けたものである。また，前記電子エミッタの表
面に凸部を設けたものである。
【００１２】さらに，表面に凹部を形成したシリコン単
結晶チップをカバーとして，前記凹部を含む領域を微小
真空領域室となるように真空封止し，前記電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て前記微小真空領域の外部に引き出すように構成したも
のである。
結晶チップをカバーとして，前記凹部を含む領域を微小
真空領域室となるように真空封止し，前記電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て前記微小真空領域の外部に引き出すように構成したも
のである。
【００１３】
【作用】本発明に係る微小真空デバイスは，エアブリッ
ジにより電子エミッタを宙に浮いた状態の薄膜ヒータ上
に薄膜状に形成し，あるいは，薄膜ヒータを電子エミッ
タとして構成し，空隙を介して電子エミッタをゲートに
近接配置することにより，電子が電界放出しやすい状態
にするか，あるいは，電子エミッタを熱することにより
熱電子を出やすい状態にする。
ジにより電子エミッタを宙に浮いた状態の薄膜ヒータ上
に薄膜状に形成し，あるいは，薄膜ヒータを電子エミッ
タとして構成し，空隙を介して電子エミッタをゲートに
近接配置することにより，電子が電界放出しやすい状態
にするか，あるいは，電子エミッタを熱することにより
熱電子を出やすい状態にする。
【００１４】また，電子エミッタとコレクタとの間を流
れる電流を，ゲートに印加する電圧により変化させる。
また，ゲートに近接配置する電子エミッタの先端部を尖
鋭化することにより，電界を集中させ，電子放出効率を
向上させる。また，ゲートに近接配置する電子エミッタ
の先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設けること
により，その部分に電流を多く流すようにする。
れる電流を，ゲートに印加する電圧により変化させる。
また，ゲートに近接配置する電子エミッタの先端部を尖
鋭化することにより，電界を集中させ，電子放出効率を
向上させる。また，ゲートに近接配置する電子エミッタ
の先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設けること
により，その部分に電流を多く流すようにする。
【００１５】また，電子エミッタに形成する先端部に対
応する部分にスリットを設けることにより，薄膜ヒータ
部分の電気抵抗および熱容量を低減し，他の部分よりも
薄膜ヒータ部分を高温に維持することができ，その分消
費電力を低減する。
応する部分にスリットを設けることにより，薄膜ヒータ
部分の電気抵抗および熱容量を低減し，他の部分よりも
薄膜ヒータ部分を高温に維持することができ，その分消
費電力を低減する。
【００１６】また，コレクタを薄膜状に構成し，該コレ
クタを絶縁薄膜を介して複数層から構成するようにコレ
クタを複数近接させて配置し，複数のコレクタに流れる
電子電流の大きさから外部磁界の大きさ，および，外部
磁界の方向を検出する。
クタを絶縁薄膜を介して複数層から構成するようにコレ
クタを複数近接させて配置し，複数のコレクタに流れる
電子電流の大きさから外部磁界の大きさ，および，外部
磁界の方向を検出する。
【００１７】また，電子エミッタの表面に凸部を設ける
ことにより，機械的強度を増加できる。
ことにより，機械的強度を増加できる。
【００１８】さらに，表面に凹部を形成したシリコン単
結晶チップをカバーとして，凹部を含む領域を微小真空
領域となるように真空封止した構造となし，電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て微小真空領域の外部に引き出し，半導体のマイクロマ
シーンニング技術を用いて微細で精度がよい微小真空デ
バイスを容易に大量生産できる。
結晶チップをカバーとして，凹部を含む領域を微小真空
領域となるように真空封止した構造となし，電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て微小真空領域の外部に引き出し，半導体のマイクロマ
シーンニング技術を用いて微細で精度がよい微小真空デ
バイスを容易に大量生産できる。
【００１９】また，本発明に係る微小真空デバイスは，
コレクタを導体基板により構成し，コレクタ上に絶縁薄
膜を介してゲート電極を配置し，あるいは，薄膜ヒータ
を電子エミッタとして構成し，ゲート電極内にコレクタ
が露出するように絶縁薄膜に孔を形成し，薄膜ヒータ上
に薄膜状に形成された電子エミッタを孔の中央付近に配
置し，電子エミッタが電子を電界放出するように電子エ
ミッタをゲートに近接配置することにより電子が電界放
出しやすい状態にするか，あるいは，電子エミッタを熱
することにより熱電子を出やすい状態にする。
コレクタを導体基板により構成し，コレクタ上に絶縁薄
膜を介してゲート電極を配置し，あるいは，薄膜ヒータ
を電子エミッタとして構成し，ゲート電極内にコレクタ
が露出するように絶縁薄膜に孔を形成し，薄膜ヒータ上
に薄膜状に形成された電子エミッタを孔の中央付近に配
置し，電子エミッタが電子を電界放出するように電子エ
ミッタをゲートに近接配置することにより電子が電界放
出しやすい状態にするか，あるいは，電子エミッタを熱
することにより熱電子を出やすい状態にする。
【００２０】また，電子エミッタとコレクタとの間を流
れる電流を，ゲートに印加する電圧により変化させる。
また，孔の中央付近に配置する電子エミッタの先端部を
尖鋭化することにより電界を集中させ，電子放出効率を
向上させる。また，孔の中央付近に配置する電子エミッ
タの先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設けるこ
とにより，その部分に電流を多く流すようにする。
れる電流を，ゲートに印加する電圧により変化させる。
また，孔の中央付近に配置する電子エミッタの先端部を
尖鋭化することにより電界を集中させ，電子放出効率を
向上させる。また，孔の中央付近に配置する電子エミッ
タの先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設けるこ
とにより，その部分に電流を多く流すようにする。
【００２１】電子エミッタに形成する先端部に対応する
部分にスリットを設けることにより，薄膜ヒータ部分の
電気抵抗および熱容量を低減し，他の部分よりも薄膜ヒ
ータ部分を高温に維持することができ，その分消費電力
を低減する。
部分にスリットを設けることにより，薄膜ヒータ部分の
電気抵抗および熱容量を低減し，他の部分よりも薄膜ヒ
ータ部分を高温に維持することができ，その分消費電力
を低減する。
【００２２】また，電子エミッタの表面に凸部を設ける
ことにより，機械的強度を増加できる。
ことにより，機械的強度を増加できる。
【００２３】また，表面に凹部を形成したシリコン単結
晶チップをカバーとして，凹部を含む領域を微小真空領
域室となるように真空封止した構造となし，電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て微小真空領域の外部に引き出し，半導体のマイクロマ
シーンニング技術を用いて微細で精度がよい微小真空デ
バイスを容易に大量生産できる。
晶チップをカバーとして，凹部を含む領域を微小真空領
域室となるように真空封止した構造となし，電子エミッ
タ，ゲート，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介し
て微小真空領域の外部に引き出し，半導体のマイクロマ
シーンニング技術を用いて微細で精度がよい微小真空デ
バイスを容易に大量生産できる。
【００２４】
【実施例１】 〔実施例１〕以下，本発明に係る微小真空デバイスの実
施例を図面に基づいて説明する。図１は，本発明に係る
微小真空デバイスの一実施例を示す斜視図であり，図２
（ａ）は，図１に示した微小真空デバイスの平面図，図
２（ｂ）は，図２（ａ）に示した平面図のＸ−Ｘ’断面
図である。
施例を図面に基づいて説明する。図１は，本発明に係る
微小真空デバイスの一実施例を示す斜視図であり，図２
（ａ）は，図１に示した微小真空デバイスの平面図，図
２（ｂ）は，図２（ａ）に示した平面図のＸ−Ｘ’断面
図である。
【００２５】図１，図２（ａ），（ｂ）において，１０
０はｎ形シリコンの基板，１０１はｎ形シリコンの基板
１００表面に形成された酸化シリコン膜，１０２はコレ
クタ，１０３はコレクタ１０２の電極であるコレクタ電
極，１０４はゲート，１０５はゲート１０４の電極であ
るゲート電極，１０６は薄膜ヒータ兼電子エミッタ，１
０７は薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６の電極である薄
膜ヒータ兼エミッタ電極，１０８は薄膜ヒータ兼電子エ
ミッタ１０６および薄膜ヒータ兼エミッタ電極１０７と
酸化シリコン膜１０１との間の配置された酸化シリコン
膜，１０９はゲート１０４と薄膜ヒータ兼電子エミッタ
１０６との間に形成される空隙，１１０は薄膜ヒータ兼
電子エミッタ１０６の一部に形成された尖鋭化された先
端部，１１１は該先端部１１０の後部に設けられたスリ
ットである。
０はｎ形シリコンの基板，１０１はｎ形シリコンの基板
１００表面に形成された酸化シリコン膜，１０２はコレ
クタ，１０３はコレクタ１０２の電極であるコレクタ電
極，１０４はゲート，１０５はゲート１０４の電極であ
るゲート電極，１０６は薄膜ヒータ兼電子エミッタ，１
０７は薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６の電極である薄
膜ヒータ兼エミッタ電極，１０８は薄膜ヒータ兼電子エ
ミッタ１０６および薄膜ヒータ兼エミッタ電極１０７と
酸化シリコン膜１０１との間の配置された酸化シリコン
膜，１０９はゲート１０４と薄膜ヒータ兼電子エミッタ
１０６との間に形成される空隙，１１０は薄膜ヒータ兼
電子エミッタ１０６の一部に形成された尖鋭化された先
端部，１１１は該先端部１１０の後部に設けられたスリ
ットである。
【００２６】次に，上記微小真空デバイスの製造方法を
図３に示すフローチャートに基づいて説明する。この実
施例に係る微小真空デバイスは，宙に浮いた構造の薄膜
ヒータを形成し，該薄膜ヒータそれ自体を電子エミッタ
とした場合（薄膜ヒータ兼電子エミッタ電極１０６）の
例であり，先ず，ｎ形シリコンの基板１００表面に約１
μｍ厚の酸化シリコン膜１０１を形成し（Ｓ１），この
上にチタン（０．０５μｍ厚）とモリブデン（０．２μ
ｍ厚）とをスパッタリング形成し（Ｓ２），フォトリソ
グラフィ技術を用いて，ゲート１０４とコレクタ１０２
およびこれらの電極であるゲート電極１０５とコレクタ
電極１０３とをパターン形成する（Ｓ３）。なお，上記
のようにモリブデン層と酸化シリコン膜との間に薄いチ
タン層を挟んだのは，モリブデン層の密着性を向上させ
るためである。ゲート１０４とコレクタ１０２との間隔
は，５〜８μｍ程度とし，図２（ａ）の平面図における
Ｘ−Ｘ’線上のゲート１０４とコレクタ１０２との長さ
は，１０μｍ程度とする。
図３に示すフローチャートに基づいて説明する。この実
施例に係る微小真空デバイスは，宙に浮いた構造の薄膜
ヒータを形成し，該薄膜ヒータそれ自体を電子エミッタ
とした場合（薄膜ヒータ兼電子エミッタ電極１０６）の
例であり，先ず，ｎ形シリコンの基板１００表面に約１
μｍ厚の酸化シリコン膜１０１を形成し（Ｓ１），この
上にチタン（０．０５μｍ厚）とモリブデン（０．２μ
ｍ厚）とをスパッタリング形成し（Ｓ２），フォトリソ
グラフィ技術を用いて，ゲート１０４とコレクタ１０２
およびこれらの電極であるゲート電極１０５とコレクタ
電極１０３とをパターン形成する（Ｓ３）。なお，上記
のようにモリブデン層と酸化シリコン膜との間に薄いチ
タン層を挟んだのは，モリブデン層の密着性を向上させ
るためである。ゲート１０４とコレクタ１０２との間隔
は，５〜８μｍ程度とし，図２（ａ）の平面図における
Ｘ−Ｘ’線上のゲート１０４とコレクタ１０２との長さ
は，１０μｍ程度とする。
【００２７】次に，試料表面前面にアルミニウムを０．
３μｍ厚程度に真空蒸着し（Ｓ４），宙に浮いた構造の
薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６を形成するための犠牲
層として利用する。このためには，宙に浮いた構造の薄
膜ヒータ兼電子エミッタ１０６を形成する箇所の犠牲層
アルミニウムを，その薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６
よりも幅広に残し，他の部分のアルミニウムはエッチン
グ除去する。次に，この上に酸化シリコン膜１０８を
０．３μｍ厚程度にスパッタリング形成し（Ｓ５），さ
らに，その上に薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６として
のチタン（０．０５μｍ厚）とモリブデン（０．５μｍ
厚）とをスパッタリング形成する（Ｓ６）。
３μｍ厚程度に真空蒸着し（Ｓ４），宙に浮いた構造の
薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６を形成するための犠牲
層として利用する。このためには，宙に浮いた構造の薄
膜ヒータ兼電子エミッタ１０６を形成する箇所の犠牲層
アルミニウムを，その薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６
よりも幅広に残し，他の部分のアルミニウムはエッチン
グ除去する。次に，この上に酸化シリコン膜１０８を
０．３μｍ厚程度にスパッタリング形成し（Ｓ５），さ
らに，その上に薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６として
のチタン（０．０５μｍ厚）とモリブデン（０．５μｍ
厚）とをスパッタリング形成する（Ｓ６）。
【００２８】その後，フォトリソグラフィ技術により，
長さ３０μｍ，幅１５μｍ程度の宙に浮いた構造の薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６の部分およびこれらの電極
である薄膜ヒータ兼エミッタ電極１０７のパターン形成
を行ない，さらに，これらのパターン以外の領域のスパ
ッタリング酸化シリコン膜１０８のエッチング除去を行
ない（Ｓ７），最後に，アルミニウム犠牲層の除去を行
う（Ｓ８）。薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６の先端部
とコレクタ１０２との間隔は１０μｍ程度とする。フッ
化水素系の酸化シリコン膜１０８のエッチャントに対し
てアルミニウムのエッチング速度が速いので，このと
き，アルミニウム犠牲層もほとんどエッチング除去さ
れ，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６とゲート１０４の
間は，アルミニウム犠牲層の厚みに相当する極めて狭い
空隙１０９を持つ宙に浮いた構造の薄膜ヒータ兼電子エ
ミッタ１０６の部分が形成される。
長さ３０μｍ，幅１５μｍ程度の宙に浮いた構造の薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６の部分およびこれらの電極
である薄膜ヒータ兼エミッタ電極１０７のパターン形成
を行ない，さらに，これらのパターン以外の領域のスパ
ッタリング酸化シリコン膜１０８のエッチング除去を行
ない（Ｓ７），最後に，アルミニウム犠牲層の除去を行
う（Ｓ８）。薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６の先端部
とコレクタ１０２との間隔は１０μｍ程度とする。フッ
化水素系の酸化シリコン膜１０８のエッチャントに対し
てアルミニウムのエッチング速度が速いので，このと
き，アルミニウム犠牲層もほとんどエッチング除去さ
れ，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６とゲート１０４の
間は，アルミニウム犠牲層の厚みに相当する極めて狭い
空隙１０９を持つ宙に浮いた構造の薄膜ヒータ兼電子エ
ミッタ１０６の部分が形成される。
【００２９】アルミニウム犠牲層が残存しやすいとき
は，リン酸系のアルミニウムエッチイング液でアルミニ
ウム犠牲層をエッチング除去するとよい。このリン酸系
のアルミニウムエッチイング液は酸化シリコン膜をエッ
チングしないので，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に
密着している部分のスパッタ酸化シリコン膜１０８と下
部の酸化シリコン膜１０１は残存する。なお，モリブデ
ン薄膜は，フッ化水素系の酸化シリコン膜のエッチャン
トには侵されないので，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０
６，ゲート１０４とコレクタ１０２およびこれらの各電
極部分１０３，１０５，１０７は侵されないで残存す
る。
は，リン酸系のアルミニウムエッチイング液でアルミニ
ウム犠牲層をエッチング除去するとよい。このリン酸系
のアルミニウムエッチイング液は酸化シリコン膜をエッ
チングしないので，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に
密着している部分のスパッタ酸化シリコン膜１０８と下
部の酸化シリコン膜１０１は残存する。なお，モリブデ
ン薄膜は，フッ化水素系の酸化シリコン膜のエッチャン
トには侵されないので，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０
６，ゲート１０４とコレクタ１０２およびこれらの各電
極部分１０３，１０５，１０７は侵されないで残存す
る。
【００３０】また，本実施例では，図１，図２（ａ）に
示すように，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に電界を
集中させるため，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６のコ
レクタ１０２側に尖鋭化させた先端部１１０を設ける。
このように薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６の先端部１
１０を尖鋭化させることにより電界が集中しやすく，電
子が電界放出しやすくなる状態が得られる。
示すように，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に電界を
集中させるため，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６のコ
レクタ１０２側に尖鋭化させた先端部１１０を設ける。
このように薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６の先端部１
１０を尖鋭化させることにより電界が集中しやすく，電
子が電界放出しやすくなる状態が得られる。
【００３１】また，エアブリッジに構成されている薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６の先端部１１０に対応する
後部にスリット１１１を設ける。このように，スリット
１１１を設けることにより，薄膜ヒータの，この部分に
おける電気抵抗および熱容量を減らし，他の部分より該
部分を高温にする効果があり，その結果，デバイスの消
費電力を減らすことが可能となる。微小真空デバイスに
おける真空領域は小さいため，大きな電力を必要とし，
その結果，真空室の壁を熱することになり，不要なアウ
トガスを壁より放出させ，真空室の真空度が低下し，真
空デバイスとしては好ましくない状態が発生する。この
ため，本実施例では，上記の如くスリット１１１を設
け，真空室の真空領域を拡大し，小さな電力により駆動
できるように構成したものである。
ヒータ兼電子エミッタ１０６の先端部１１０に対応する
後部にスリット１１１を設ける。このように，スリット
１１１を設けることにより，薄膜ヒータの，この部分に
おける電気抵抗および熱容量を減らし，他の部分より該
部分を高温にする効果があり，その結果，デバイスの消
費電力を減らすことが可能となる。微小真空デバイスに
おける真空領域は小さいため，大きな電力を必要とし，
その結果，真空室の壁を熱することになり，不要なアウ
トガスを壁より放出させ，真空室の真空度が低下し，真
空デバイスとしては好ましくない状態が発生する。この
ため，本実施例では，上記の如くスリット１１１を設
け，真空室の真空領域を拡大し，小さな電力により駆動
できるように構成したものである。
【００３２】図４は，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６
の先端部の他の構成を示す説明図であり，この実施例に
あっては，先端部１１０とスリット１１１との先端前部
幅ａを狭く形成すると共に，先端部１１０とスリット１
１１との先端後部幅ｂを広く形成し（ａ＜ｂ），先端部
１１０付近の発熱を特に大きくしたものである。ここ
で，薄膜ヒータは，モリブデン／チタンあるいは白金／
チタンの二重層により構成することもできる。また，金
属は温度が上昇すると伸び垂れ下がるため，これらの金
属製薄膜ヒータの下部には，酸化シリコン膜などの電気
絶縁性を配置し，高融点の固い材料を密着させ，支持す
るのが好ましい。
の先端部の他の構成を示す説明図であり，この実施例に
あっては，先端部１１０とスリット１１１との先端前部
幅ａを狭く形成すると共に，先端部１１０とスリット１
１１との先端後部幅ｂを広く形成し（ａ＜ｂ），先端部
１１０付近の発熱を特に大きくしたものである。ここ
で，薄膜ヒータは，モリブデン／チタンあるいは白金／
チタンの二重層により構成することもできる。また，金
属は温度が上昇すると伸び垂れ下がるため，これらの金
属製薄膜ヒータの下部には，酸化シリコン膜などの電気
絶縁性を配置し，高融点の固い材料を密着させ，支持す
るのが好ましい。
【００３３】図５（ａ），（ｂ）は，薄膜ヒータ兼電子
エミッタ１０６の先端部の他の構成を示す説明図であ
り，この実施例にあっては，先端部１１０の下部には酸
化シリコン膜を除去した状態に形成されている。このよ
うな構成にすることにより，薄膜ヒータ兼電子エミッタ
１０６の先端部１１０に密着した酸化シリコン膜がない
ので，特に，この部分の温度が上昇しやすく，薄膜ヒー
タの低消費電力化を図ることができる。
エミッタ１０６の先端部の他の構成を示す説明図であ
り，この実施例にあっては，先端部１１０の下部には酸
化シリコン膜を除去した状態に形成されている。このよ
うな構成にすることにより，薄膜ヒータ兼電子エミッタ
１０６の先端部１１０に密着した酸化シリコン膜がない
ので，特に，この部分の温度が上昇しやすく，薄膜ヒー
タの低消費電力化を図ることができる。
【００３４】図６は，電子エミッタの部分の他の構成を
示す斜視図であり，図において，１０６ａは薄膜ヒー
タ，１０６ｂは電子エミッタである。上記実施例にあっ
ては，は薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６として薄膜ヒ
ータと電子エミッタを一体成形していたが，図６に示し
た実施例にあっては，薄膜ヒータ１０６ａの上に電子エ
ミッタ１０６ｂを形成している。また，ここで，電子エ
ミッタ１０６ｂは仕事関数の小さな酸化バリウムあるい
は酸化トリウムのスパッタ膜を用いている。以上の構成
において，白金／チタンより構成される薄膜ヒータ１０
６ａによって，例えば，酸化バリウムにより構成された
電子エミッタ１０６ｂが熱せられると，電子エミッタ１
０６ｂの方が仕事関数が小さいため，コレクタ１０２に
正の電圧を印加したときは，図示した矢印方向に電子エ
ミッタ１０６ｂから電子が電界放出される。
示す斜視図であり，図において，１０６ａは薄膜ヒー
タ，１０６ｂは電子エミッタである。上記実施例にあっ
ては，は薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６として薄膜ヒ
ータと電子エミッタを一体成形していたが，図６に示し
た実施例にあっては，薄膜ヒータ１０６ａの上に電子エ
ミッタ１０６ｂを形成している。また，ここで，電子エ
ミッタ１０６ｂは仕事関数の小さな酸化バリウムあるい
は酸化トリウムのスパッタ膜を用いている。以上の構成
において，白金／チタンより構成される薄膜ヒータ１０
６ａによって，例えば，酸化バリウムにより構成された
電子エミッタ１０６ｂが熱せられると，電子エミッタ１
０６ｂの方が仕事関数が小さいため，コレクタ１０２に
正の電圧を印加したときは，図示した矢印方向に電子エ
ミッタ１０６ｂから電子が電界放出される。
【００３５】〔実施例２〕図７は，本発明に係る微小真
空デバイスの他の実施例を示す斜視図であり，図８
（ａ）は，図７に示した微小真空デバイスの平面図，図
８（ｂ）は，図８（ａ）に示した平面図のＹ−Ｙ’断面
図である。
空デバイスの他の実施例を示す斜視図であり，図８
（ａ）は，図７に示した微小真空デバイスの平面図，図
８（ｂ）は，図８（ａ）に示した平面図のＹ−Ｙ’断面
図である。
【００３６】図７，図８（ａ），（ｂ）において，７０
１は石英により構成される基板，７０２はコレクタ，７
０３はコレクタ７０２の電極であるコレクタ電極，７０
４はゲート，７０５はゲート７０４の電極であるゲート
電極，７０６は薄膜ヒータ兼電子エミッタ，７０７は薄
膜ヒータ兼電子エミッタ７０６の電極である薄膜ヒータ
兼エミッタ電極，７０８は薄膜ヒータ兼エミッタ電極７
０７と基板７０１との間に配置されたモリブデン／チタ
ン膜，７０９はゲート７０４と薄膜ヒータ兼電子エミッ
タ７０６との間に形成される空隙，７１０ａ，ｂは薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６の一部に形成され，尖鋭化
された先端部，７１１ａ，ｂは該先端部７１０ａ，ｂの
後部に設けられた各々先端部７１０ａ，ｂに対応するス
リットである。
１は石英により構成される基板，７０２はコレクタ，７
０３はコレクタ７０２の電極であるコレクタ電極，７０
４はゲート，７０５はゲート７０４の電極であるゲート
電極，７０６は薄膜ヒータ兼電子エミッタ，７０７は薄
膜ヒータ兼電子エミッタ７０６の電極である薄膜ヒータ
兼エミッタ電極，７０８は薄膜ヒータ兼エミッタ電極７
０７と基板７０１との間に配置されたモリブデン／チタ
ン膜，７０９はゲート７０４と薄膜ヒータ兼電子エミッ
タ７０６との間に形成される空隙，７１０ａ，ｂは薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６の一部に形成され，尖鋭化
された先端部，７１１ａ，ｂは該先端部７１０ａ，ｂの
後部に設けられた各々先端部７１０ａ，ｂに対応するス
リットである。
【００３７】次に，薄膜ヒータ兼エミッタ電極７０７と
基板７０１との間の配置されたモリブデン／チタン膜７
０８について説明する。このように，薄膜ヒータ兼電子
エミッタ７０６の電極部分が二重構造（薄膜ヒータ兼エ
ミッタ電極７０７とモリブデン／チタン膜７０８）に構
成されており，上記モリブデン／チタン膜７０８は，チ
タンの薄い層上にモリブデン薄膜を重ねた構造であり，
このチタンは基板７０１との密着性を向上させる。ま
た，モリブデン／チタン膜７０８の上部にある薄膜ヒー
タ兼エミッタ電極７０７は，例えば，白金／チタンある
いはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等により構成する。
この場合，上記モリブデン／チタン膜７０８は，微小真
空デバイスの製作工程上，ゲート電極７０５，コレクタ
電極７０３の電極材料となる。
基板７０１との間の配置されたモリブデン／チタン膜７
０８について説明する。このように，薄膜ヒータ兼電子
エミッタ７０６の電極部分が二重構造（薄膜ヒータ兼エ
ミッタ電極７０７とモリブデン／チタン膜７０８）に構
成されており，上記モリブデン／チタン膜７０８は，チ
タンの薄い層上にモリブデン薄膜を重ねた構造であり，
このチタンは基板７０１との密着性を向上させる。ま
た，モリブデン／チタン膜７０８の上部にある薄膜ヒー
タ兼エミッタ電極７０７は，例えば，白金／チタンある
いはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等により構成する。
この場合，上記モリブデン／チタン膜７０８は，微小真
空デバイスの製作工程上，ゲート電極７０５，コレクタ
電極７０３の電極材料となる。
【００３８】次に，コレクタ７０２の構成について説明
する。コレクタ７０２は，図７，図８（ｂ）に示すよう
に，第１のコレクタ７０２ａと第２のコレクタ７０２ｃ
が電気絶縁薄膜層７０２ｂを介して層状に構成されてい
る。この構成によれば，薄膜ヒータ兼電子エミッタ７０
６から放出される電子線が被検出磁場によるローレンツ
力により一対のコレクタ７０２ａ，７０２ｃのうち，一
方に多く捕集され，コレクタ７０２ａ，７０２ｃを流れ
る電流変化から磁場を検出することができる。
する。コレクタ７０２は，図７，図８（ｂ）に示すよう
に，第１のコレクタ７０２ａと第２のコレクタ７０２ｃ
が電気絶縁薄膜層７０２ｂを介して層状に構成されてい
る。この構成によれば，薄膜ヒータ兼電子エミッタ７０
６から放出される電子線が被検出磁場によるローレンツ
力により一対のコレクタ７０２ａ，７０２ｃのうち，一
方に多く捕集され，コレクタ７０２ａ，７０２ｃを流れ
る電流変化から磁場を検出することができる。
【００３９】さらに，詳細に説明する。微小真空デバイ
スにおけるコレクタ７０２を，例えば，０．２μｍ厚程
度のスパッタリングやＣＶＤなどによる酸化シリコン膜
などの電気絶縁薄膜層７０２ｂを挟んで二重層に形成し
ておき，電子放出させれば，この微小真空デバイスを高
感度の磁気センサとして利用することができる。薄膜ヒ
ータ兼電子エミッタ７０６と近接配置した二つのコレク
タ７０２ａ，７０２ｃに向かう電子ビームに垂直で，か
つ，二つのコレクタ７０２ａ，７０２ｃ層に平行である
磁界成分は，ローレンツ力によりどちらかのコレクタに
多く電子ビームが集まるように偏向するので，二つのコ
レクタ７０２ａ，７０２ｃを流れる電流を比較すれば，
磁界の大きさおよびその向きまで検出することができ
る。その結果，高感度高速応答の超小型磁気センサを得
ることができる。
スにおけるコレクタ７０２を，例えば，０．２μｍ厚程
度のスパッタリングやＣＶＤなどによる酸化シリコン膜
などの電気絶縁薄膜層７０２ｂを挟んで二重層に形成し
ておき，電子放出させれば，この微小真空デバイスを高
感度の磁気センサとして利用することができる。薄膜ヒ
ータ兼電子エミッタ７０６と近接配置した二つのコレク
タ７０２ａ，７０２ｃに向かう電子ビームに垂直で，か
つ，二つのコレクタ７０２ａ，７０２ｃ層に平行である
磁界成分は，ローレンツ力によりどちらかのコレクタに
多く電子ビームが集まるように偏向するので，二つのコ
レクタ７０２ａ，７０２ｃを流れる電流を比較すれば，
磁界の大きさおよびその向きまで検出することができ
る。その結果，高感度高速応答の超小型磁気センサを得
ることができる。
【００４０】図９は，上記図７，図８（ａ），（ｂ）に
係る微小真空デバイスを磁気センサに応用した例を示す
具体的な回路図であり，図において，２つのコレクタ７
０２ａと７０２ｃに流れる電流Ｉ1 ，Ｉ2 の大きさを差
動増幅器１３０１により差動増幅する。電流Ｉ1 ，Ｉ2
のうちどちらが大きいかにより磁場Ｂの向きが検出で
き，さらに，電流Ｉ1 ，Ｉ2 の差の大きさから磁場Ｂの
大きさが検出できる。
係る微小真空デバイスを磁気センサに応用した例を示す
具体的な回路図であり，図において，２つのコレクタ７
０２ａと７０２ｃに流れる電流Ｉ1 ，Ｉ2 の大きさを差
動増幅器１３０１により差動増幅する。電流Ｉ1 ，Ｉ2
のうちどちらが大きいかにより磁場Ｂの向きが検出で
き，さらに，電流Ｉ1 ，Ｉ2 の差の大きさから磁場Ｂの
大きさが検出できる。
【００４１】また，この実施例に係る薄膜ヒータ兼電子
エミッタ７０６には，その一部に２個の尖鋭化された先
端部７１０ａ，７１０ｂが形成されている。これは：１
個の先端部が形成されているものに比較して，２個の先
端部７１０ａ，７１０ｂに電子電流が多く流れるように
したものである。また，図８（ｂ）に示すように先端部
７１０ａ，７１０ｂの下部におけるブリッジを支持する
ための窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜が除去さ
れているので，熱容量が小さく，高温になりやすいの
で，消費電力が少なくて済むという効果がある。
エミッタ７０６には，その一部に２個の尖鋭化された先
端部７１０ａ，７１０ｂが形成されている。これは：１
個の先端部が形成されているものに比較して，２個の先
端部７１０ａ，７１０ｂに電子電流が多く流れるように
したものである。また，図８（ｂ）に示すように先端部
７１０ａ，７１０ｂの下部におけるブリッジを支持する
ための窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜が除去さ
れているので，熱容量が小さく，高温になりやすいの
で，消費電力が少なくて済むという効果がある。
【００４２】〔実施例３〕図１０（ａ），（ｂ）は，本
発明に係る微小真空デバイスの他の実施例を示す斜視図
であり，図１０（ａ）は，微小真空デバイスの平面図，
図１０（ｂ）は，図１０（ａ）に示した平面図のＺ−
Ｚ’断面図である。
発明に係る微小真空デバイスの他の実施例を示す斜視図
であり，図１０（ａ）は，微小真空デバイスの平面図，
図１０（ｂ）は，図１０（ａ）に示した平面図のＺ−
Ｚ’断面図である。
【００４３】図１０（ａ），（ｂ）において，９００は
ｎ形シリコンの基板，９０１はｎ形シリコンの基板９０
０表面に形成された酸化シリコン膜，９０４はリング状
のゲート，９０５はゲート９０４の電極であるゲート電
極，９０６は薄膜ヒータ兼電子エミッタ，９０７は薄膜
ヒータ兼電子エミッタ９０６の電極である薄膜ヒータ兼
エミッタ電極，９０８は薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０
６および薄膜ヒータ兼エミッタ電極９０７と酸化シリコ
ン膜９０１との間の配置された窒化シリコン薄膜，９０
９はゲート９０４と薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０６と
の間に形成される空隙，９１０は薄膜ヒータ兼電子エミ
ッタ１０６の一部に形成された尖鋭化された先端部，９
１１は該先端部９１０の後部に設けられたスリット，９
１２はゲート９０４，酸化シリコン膜９０１，ｎ形シリ
コンの基板９００を通して設けられた孔，９１３は孔９
１２に配置されたコレクタとしての白金シリサイドであ
る。なお，孔９１２の直径は相対的に小さい方が電界集
中のためによく，２μｍ程度に形成される。
ｎ形シリコンの基板，９０１はｎ形シリコンの基板９０
０表面に形成された酸化シリコン膜，９０４はリング状
のゲート，９０５はゲート９０４の電極であるゲート電
極，９０６は薄膜ヒータ兼電子エミッタ，９０７は薄膜
ヒータ兼電子エミッタ９０６の電極である薄膜ヒータ兼
エミッタ電極，９０８は薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０
６および薄膜ヒータ兼エミッタ電極９０７と酸化シリコ
ン膜９０１との間の配置された窒化シリコン薄膜，９０
９はゲート９０４と薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０６と
の間に形成される空隙，９１０は薄膜ヒータ兼電子エミ
ッタ１０６の一部に形成された尖鋭化された先端部，９
１１は該先端部９１０の後部に設けられたスリット，９
１２はゲート９０４，酸化シリコン膜９０１，ｎ形シリ
コンの基板９００を通して設けられた孔，９１３は孔９
１２に配置されたコレクタとしての白金シリサイドであ
る。なお，孔９１２の直径は相対的に小さい方が電界集
中のためによく，２μｍ程度に形成される。
【００４４】次に，動作について説明する。この実施例
は，ｎ形シリコン基板９００をコレクタ電極として利用
する微小真空デバイスの例であり，リング状のゲート９
０４への薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０６に対する印加
電圧を変化させることにより，薄膜ヒータ兼電子エミッ
タ９０６からの電子の引き出し量を変化させるので，三
極真空管として機能することができる。ここでは，上記
ゲート９０４は薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０６からの
電子引出電極として機能している。
は，ｎ形シリコン基板９００をコレクタ電極として利用
する微小真空デバイスの例であり，リング状のゲート９
０４への薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０６に対する印加
電圧を変化させることにより，薄膜ヒータ兼電子エミッ
タ９０６からの電子の引き出し量を変化させるので，三
極真空管として機能することができる。ここでは，上記
ゲート９０４は薄膜ヒータ兼電子エミッタ９０６からの
電子引出電極として機能している。
【００４５】この実施例における特徴は，第１に，電子
エミッタがヒータとして構成されていること，第２に，
コレクタに低抵抗となりえる金属シリサイド（本実施例
では，白金シリサイドを使用している）使用しているこ
と，第３に，ゲート電極形成時に，その下部の白金シリ
サイドのコレクタ電極がセルフアライメントにより形成
できることである。これは，例えば，ゲート電極９０５
用の白金を電子ビーム蒸着形成したときに，孔９１２の
周囲の酸化シリコン膜９０１がオーバーハングの状態に
なっており，上記のゲート電極と下部（孔９１２の内部
の）白金シリサイド９１３のコレクタとは導通しないよ
うに形成できることによる。
エミッタがヒータとして構成されていること，第２に，
コレクタに低抵抗となりえる金属シリサイド（本実施例
では，白金シリサイドを使用している）使用しているこ
と，第３に，ゲート電極形成時に，その下部の白金シリ
サイドのコレクタ電極がセルフアライメントにより形成
できることである。これは，例えば，ゲート電極９０５
用の白金を電子ビーム蒸着形成したときに，孔９１２の
周囲の酸化シリコン膜９０１がオーバーハングの状態に
なっており，上記のゲート電極と下部（孔９１２の内部
の）白金シリサイド９１３のコレクタとは導通しないよ
うに形成できることによる。
【００４６】〔実施例４〕図１１は，本発明に係る微小
真空デバイスの他の実施例を示す斜視図であり，図１２
（ａ）は，図１１に示した微小真空デバイスの平面図，
図１２（ｂ）は，図１２（ａ）に示した平面図のＷ−
Ｗ’断面図である。図１および図２（ａ），（ｂ）に示
した構成と同じ部分は同一の番号を用いて示し，その説
明を省略する。
真空デバイスの他の実施例を示す斜視図であり，図１２
（ａ）は，図１１に示した微小真空デバイスの平面図，
図１２（ｂ）は，図１２（ａ）に示した平面図のＷ−
Ｗ’断面図である。図１および図２（ａ），（ｂ）に示
した構成と同じ部分は同一の番号を用いて示し，その説
明を省略する。
【００４７】上記実施例では，宙に浮いた構造の金属
（モリブデン／チタン）からなる薄膜ヒータ兼電子エミ
ッタ１０６の機械的強度を増加させるために，スパッタ
リング形成した酸化シリコン膜１０８をその下部に形成
してあるが，熱電子・電界放出形の電子エミッタとして
用いる場合は，１０００℃以上に昇温させる必要がある
ので，スパッタリング形成した酸化シリコン膜１０８の
代わりに，例えば，酸化アルミニウム膜などの高融点絶
縁薄膜層を用いるか，あるいは，これらの絶縁薄膜層を
始めから用いずに金属（モリブデン／チタン）からなる
薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６だけとし，その代わり
機械的強度を増加させるために，宙に浮いた構造部分に
波形トタンのような凹凸を形成し，実効的な厚みを持た
せるようにすればよい。
（モリブデン／チタン）からなる薄膜ヒータ兼電子エミ
ッタ１０６の機械的強度を増加させるために，スパッタ
リング形成した酸化シリコン膜１０８をその下部に形成
してあるが，熱電子・電界放出形の電子エミッタとして
用いる場合は，１０００℃以上に昇温させる必要がある
ので，スパッタリング形成した酸化シリコン膜１０８の
代わりに，例えば，酸化アルミニウム膜などの高融点絶
縁薄膜層を用いるか，あるいは，これらの絶縁薄膜層を
始めから用いずに金属（モリブデン／チタン）からなる
薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６だけとし，その代わり
機械的強度を増加させるために，宙に浮いた構造部分に
波形トタンのような凹凸を形成し，実効的な厚みを持た
せるようにすればよい。
【００４８】図１１，図１２（ａ），（ｂ）を用いて，
詳細に説明する。図において，１００１は薄膜ヒータ兼
電子エミッタ１０６に設けられた凸部である。このよう
な凸部を薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に設けること
により薄い薄膜ヒータであってもたわみの発生が抑制さ
れる。このため，ゲート１０４と薄膜ヒータ兼電子エミ
ッタ１０６との間隔（０．５μｍ程度）を保持すること
が可能となり，より薄く構成することが可能となり，ヒ
ータの消費電力をより少なくすることができる。
詳細に説明する。図において，１００１は薄膜ヒータ兼
電子エミッタ１０６に設けられた凸部である。このよう
な凸部を薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に設けること
により薄い薄膜ヒータであってもたわみの発生が抑制さ
れる。このため，ゲート１０４と薄膜ヒータ兼電子エミ
ッタ１０６との間隔（０．５μｍ程度）を保持すること
が可能となり，より薄く構成することが可能となり，ヒ
ータの消費電力をより少なくすることができる。
【００４９】次に，図１，図２（ａ），（ｂ）に示した
微小真空デバイスを例にとって真空室の形成について図
１３に基づいて説明する。以上のように形成された薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６，ゲート１０４，コレクタ
１０２をもつ微小デバイスを１０-6Ｔｏｒｒの真空封止
し，微小真空デバイスとして形成する。薄膜ヒータ兼電
子エミッタ１０６に電流を流して約３００度に熱し，薄
膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に対してゲート１０４が
正になるように約５０Ｖを印加し，さらに，ゲート１０
４に対してコレクタ１０２が正の約２０Ｖになるように
電圧を印加すれば，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０４と
コレクタ１０２間には，安定的に約１μＡの電流が流
れ，安定した状態において電子エミッタとして動作させ
ることができる。
微小真空デバイスを例にとって真空室の形成について図
１３に基づいて説明する。以上のように形成された薄膜
ヒータ兼電子エミッタ１０６，ゲート１０４，コレクタ
１０２をもつ微小デバイスを１０-6Ｔｏｒｒの真空封止
し，微小真空デバイスとして形成する。薄膜ヒータ兼電
子エミッタ１０６に電流を流して約３００度に熱し，薄
膜ヒータ兼電子エミッタ１０６に対してゲート１０４が
正になるように約５０Ｖを印加し，さらに，ゲート１０
４に対してコレクタ１０２が正の約２０Ｖになるように
電圧を印加すれば，薄膜ヒータ兼電子エミッタ１０４と
コレクタ１０２間には，安定的に約１μＡの電流が流
れ，安定した状態において電子エミッタとして動作させ
ることができる。
【００５０】超小型の真空室を形成するために，例え
ば，シリコンチップ１２０１にエッチングにより凹部１
２０２を形成し，これをキャップにして，真空中（１０
-6Ｔｏｒｒ程度）で封止する。電極などの凸凹はある
が，ＣＶＤなので，封止する箇所には電気絶縁膜（例え
ば，酸化シリコン膜や窒化シリコン膜）１２０３を１μ
ｍ厚にカバーしておき，ニッケルスパッタリング後低溶
点金属（例えば，スズ，鉛）でニッケル膜上に凸凹が埋
まる程度の厚みに真空蒸着等により形成しておき，さら
に，キャップ側も同様に接合面（封止の周囲の面）に金
属化して，真空中において昇温して封止する。
ば，シリコンチップ１２０１にエッチングにより凹部１
２０２を形成し，これをキャップにして，真空中（１０
-6Ｔｏｒｒ程度）で封止する。電極などの凸凹はある
が，ＣＶＤなので，封止する箇所には電気絶縁膜（例え
ば，酸化シリコン膜や窒化シリコン膜）１２０３を１μ
ｍ厚にカバーしておき，ニッケルスパッタリング後低溶
点金属（例えば，スズ，鉛）でニッケル膜上に凸凹が埋
まる程度の厚みに真空蒸着等により形成しておき，さら
に，キャップ側も同様に接合面（封止の周囲の面）に金
属化して，真空中において昇温して封止する。
【００５１】以上説明したように，上記各実施例にあっ
ては，真空中に配置した電子エミッタ，ゲート，およ
び，コレクタのうち，電子エミッタを宙に浮いた状態の
薄膜ヒータ上に薄膜状に形成するか，あるいは，該薄膜
ヒータそのものとして構成し，ゲートは，電子エミッタ
に空隙をおいて近接配置させた構造であり，半導体のマ
イクロマシーンニング技術を用いて容易に形成できる。
ては，真空中に配置した電子エミッタ，ゲート，およ
び，コレクタのうち，電子エミッタを宙に浮いた状態の
薄膜ヒータ上に薄膜状に形成するか，あるいは，該薄膜
ヒータそのものとして構成し，ゲートは，電子エミッタ
に空隙をおいて近接配置させた構造であり，半導体のマ
イクロマシーンニング技術を用いて容易に形成できる。
【００５２】また，電子エミッタを宙に浮いた構造の薄
膜ヒータに形成したため，薄膜ヒータの熱容量を小さく
できると共に熱コンダクタンスを小さくでき，小さな消
費電力で大きな温度上昇を得ることができる。
膜ヒータに形成したため，薄膜ヒータの熱容量を小さく
できると共に熱コンダクタンスを小さくでき，小さな消
費電力で大きな温度上昇を得ることができる。
【００５３】なお，薄膜ヒータは，外部から光照射など
により熱してもよいが，電流を流しジュール加熱しても
よい。電界放出形にしても，熱電子・電界放出形にして
も，電子エミッタの仕事関数が小さい方が電子放出しや
すいので，仕事関数の小さい酸化バリウムや酸化トリウ
ムなどの酸化物を薄膜ヒータ上に薄膜形成して，これを
電子エミッタとして用いてもよい。宙に浮いた構造の薄
膜ヒータに形成した電子エミッタのコレクタ側の先端
は，上記の如く，薄膜でありながらも尖形にしたほう
が，電界が集中し電子放出効率がよくなる。
により熱してもよいが，電流を流しジュール加熱しても
よい。電界放出形にしても，熱電子・電界放出形にして
も，電子エミッタの仕事関数が小さい方が電子放出しや
すいので，仕事関数の小さい酸化バリウムや酸化トリウ
ムなどの酸化物を薄膜ヒータ上に薄膜形成して，これを
電子エミッタとして用いてもよい。宙に浮いた構造の薄
膜ヒータに形成した電子エミッタのコレクタ側の先端
は，上記の如く，薄膜でありながらも尖形にしたほう
が，電界が集中し電子放出効率がよくなる。
【００５４】加えて，宙に浮いた構造の電子エミッタの
尖形部付近にのみ，１μｍ以下の空隙を挟んでゲートを
形成したほうが，電子エミッタとゲートとの耐圧の観点
から好ましい。
尖形部付近にのみ，１μｍ以下の空隙を挟んでゲートを
形成したほうが，電子エミッタとゲートとの耐圧の観点
から好ましい。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように，本発明に係る微小
真空デバイスは，電子エミッタ表面を熱し，吸着ガス等
を放出させて活性化させることにより，電子が電界放出
しやすい状態にするか，あるいは，電子エミッタを熱す
ることにより，熱電子が出やすい状態にして電界放出さ
せることにより，比較的低真空であっても電子放出特性
を向上させ，電源電圧を比較的小さくすることができ
る。
真空デバイスは，電子エミッタ表面を熱し，吸着ガス等
を放出させて活性化させることにより，電子が電界放出
しやすい状態にするか，あるいは，電子エミッタを熱す
ることにより，熱電子が出やすい状態にして電界放出さ
せることにより，比較的低真空であっても電子放出特性
を向上させ，電源電圧を比較的小さくすることができ
る。
【００５６】また，半導体のマイクロマシーンニング技
術を用いて形成できるようにし，微細で精度がよい宙に
浮いた構造の薄膜ヒータを持った電子エミッタを有する
微小真空デバイスを容易に大量生産可能にすることがで
きる。
術を用いて形成できるようにし，微細で精度がよい宙に
浮いた構造の薄膜ヒータを持った電子エミッタを有する
微小真空デバイスを容易に大量生産可能にすることがで
きる。
【図１】本発明に係る微小真空デバイスの構成を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１に示した微小真空デバイスの平面図（ａ）
と断面図（ｂ）である。
と断面図（ｂ）である。
【図３】図１に示した微小真空デバイスの製造工程を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図４】図１に示した薄膜ヒータ兼電子エミッタの他の
形状を示す説明図である。
形状を示す説明図である。
【図５】図１に示した薄膜ヒータ兼電子エミッタの他の
形状を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
形状を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図６】図１に示した薄膜ヒータ兼電子エミッタの他の
形状を示す説明図である。
形状を示す説明図である。
【図７】本発明に係る微小真空デバイスの他の構成を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】図７に示した微小真空デバイスの平面図（ａ）
と断面図（ｂ）である。
と断面図（ｂ）である。
【図９】図７に示した微小真空デバイスを磁気センサに
応用した場合を示す回路図である。
応用した場合を示す回路図である。
【図１０】本発明に係る微小真空デバイスの他の構成を
示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１１】本発明に係る微小真空デバイスの他の構成を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１２】図１１に示した微小真空デバイスの平面図
（ａ）と断面図（ｂ）である。
（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１３】図１に示した微小真空デバイスを真空封止し
た状態を示す説明図である。
た状態を示す説明図である。
１００，７０１，９００ 基板 １０１，９０１ 酸化シリコン膜 １０２，７０２， コレクタ １０３，７０３ コレクタ電極 １０４，７０４，９０４ ゲート １０５，７０５，９０５ ゲート電極 １０６，７０６，９０６ 薄膜ヒータ兼電子エミッタ １０７，７０７，９０７ 薄膜ヒータ兼エミッタ電極 １０８，酸化シリコン膜 １０９，７０９，９０９ 空隙 １１０，７１０，９１０ 先端部 １１１，７１１，９１１ スリット ７０８ モリブデン／チタン膜 ９０８ 窒化シリコン薄膜 ９１２ 孔 ９１３ 白金シリサイド １００１ 凸部 １２０１ シリコンチップ １２０２ 凹部 １２０３ 電気絶縁膜 １３０１ 差動増幅器
Claims (14)
- 【請求項１】 真空中に配置した電子エミッタ，ゲート
およびコレクタを有する微小真空デバイスにおいて，前
記電子エミッタを宙に浮いた状態の薄膜ヒータ上に薄膜
状に形成し，前記電子エミッタが電子を電界放出するよ
うに空隙を介して前記電子エミッタを前記ゲートに近接
配置したことを特徴とする微小真空デバイス。 - 【請求項２】 前記ゲートに近接配置する電子エミッタ
の先端部を尖鋭化することを特徴とする請求項１記載の
微小真空デバイス。 - 【請求項３】 前記ゲートに近接配置する電子エミッタ
の先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設けたこと
を特徴とする請求項１記載の微小真空デバイス。 - 【請求項４】 前記コレクタを複数近接させて配置し，
前記複数のコレクタに流れる電子電流の大きさから外部
磁界の大きさ，および，外部磁界の方向を検出すること
を特徴とする請求項１記載の微小真空デバイス。 - 【請求項５】 前記コレクタを薄膜状に構成することを
特徴とする請求項４項記載の微小真空デバイス。 - 【請求項６】 前記コレクタが，絶縁薄膜を介して複数
層から構成されていることを特徴とする請求項５記載の
微小真空デバイス。 - 【請求項７】 真空中に配置した電子エミッタ，ゲート
およびコレクタを有する微小真空デバイスにおいて，前
記コレクタを導体基板により構成し，前記コレクタ上に
絶縁薄膜を介してゲート電極を配置し，前記ゲート電極
内に前記コレクタが露出するように前記絶縁薄膜に孔を
形成し，薄膜ヒータ上に薄膜状に形成された電子エミッ
タを前記孔の中央付近に配置し，前記電子エミッタが電
子を電界放出するように前記電子エミッタをゲートに近
接配置したことを特徴とする微小真空デバイス。 - 【請求項８】 前記孔の中央付近に配置する電子エミッ
タの先端部を尖鋭化することを特徴とする請求項７記載
の微小真空デバイス。 - 【請求項９】 前記孔の中央付近に配置する電子エミッ
タの先端部を，同一の薄膜ヒータに対し複数個設けたこ
とを特徴とする請求項７記載の微小真空デバイス。 - 【請求項１０】 前記薄膜ヒータを前記電子エミッタと
して構成することを特徴とする請求項１または７記載の
微小真空デバイス。 - 【請求項１１】 前記電子エミッタと前記コレクタとの
間を流れる電流を，前記ゲートに印加する電圧により変
化させることを特徴とする請求項１または７記載の微小
真空デバイス。 - 【請求項１２】 前記電子エミッタに形成する先端部に
対応する部分にスリットを設けることを特徴とする請求
項１または７記載の微小真空デバイス。 - 【請求項１３】 前記電子エミッタの表面に凸部を設け
たことを特徴とする請求項１または７記載の微小真空デ
バイス。 - 【請求項１４】 表面に凹部を形成したシリコン単結晶
チップをカバーとして，前記凹部を含む領域を微小真空
領域となるように真空封止し，前記電子エミッタ，ゲー
ト，および，コレクタの電極を絶縁薄膜を介して前記微
小真空領域の外部に引き出すように構成したことを特徴
とする請求項１または７記載の微小真空デバイス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329952A JPH08138561A (ja) | 1992-12-07 | 1993-11-30 | 微小真空デバイス |
| US08/161,609 US5463277A (en) | 1992-12-07 | 1993-12-06 | Micro vacuum device |
| EP93119687A EP0601533B1 (en) | 1992-12-07 | 1993-12-07 | Micro vacuum device |
| KR1019930026690A KR0160530B1 (ko) | 1992-12-07 | 1993-12-07 | 미소진공 디바이스 |
| DE69300587T DE69300587T2 (de) | 1992-12-07 | 1993-12-07 | Mikrovakuumvorrichtung. |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-326383 | 1992-12-07 | ||
| JP32638392 | 1992-12-07 | ||
| JP5329952A JPH08138561A (ja) | 1992-12-07 | 1993-11-30 | 微小真空デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138561A true JPH08138561A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=26572170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5329952A Pending JPH08138561A (ja) | 1992-12-07 | 1993-11-30 | 微小真空デバイス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5463277A (ja) |
| EP (1) | EP0601533B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08138561A (ja) |
| KR (1) | KR0160530B1 (ja) |
| DE (1) | DE69300587T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239538B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Field emitter |
| KR100749460B1 (ko) * | 2001-04-25 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 그의 제조 방법 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841219A (en) * | 1993-09-22 | 1998-11-24 | University Of Utah Research Foundation | Microminiature thermionic vacuum tube |
| JP3131339B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2001-01-31 | 三菱電機株式会社 | 陰極、陰極線管および陰極線管の作動方法 |
| US5686779A (en) * | 1995-03-01 | 1997-11-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High sensitivity temperature sensor and sensor array |
| US5818166A (en) * | 1996-07-03 | 1998-10-06 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission device with edge emitter and method for making |
| US5955828A (en) * | 1996-10-16 | 1999-09-21 | University Of Utah Research Foundation | Thermionic optical emission device |
| JP3377162B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2003-02-17 | 株式会社リコー | 熱分析装置およびその計測方法 |
| USRE38880E1 (en) | 1997-07-16 | 2005-11-22 | Robotic Vision Systems, Inc. | Inspection handler apparatus and method |
| US6188939B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-02-13 | The Texas A&M University System | Advanced law enforcement and response technology |
| FR2792770A1 (fr) | 1999-04-22 | 2000-10-27 | Cit Alcatel | Fonctionnement a haute pression d'une cathode froide a emission de champ |
| US6995502B2 (en) | 2002-02-04 | 2006-02-07 | Innosys, Inc. | Solid state vacuum devices and method for making the same |
| US7005783B2 (en) | 2002-02-04 | 2006-02-28 | Innosys, Inc. | Solid state vacuum devices and method for making the same |
| US20060006787A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | David Champion | Electronic device having a plurality of conductive beams |
| KR20070010660A (ko) * | 2005-07-19 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
| WO2009097487A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Temperature-dependent nanoscale contact potential measurement technique and device |
| US8387443B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-03-05 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microcantilever with reduced second harmonic while in contact with a surface and nano scale infrared spectrometer |
| US9685295B2 (en) * | 2011-07-28 | 2017-06-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electron emission device |
| CN107346720B (zh) * | 2016-05-04 | 2020-09-01 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 场发射器件及其制作方法 |
| CN110875165A (zh) * | 2018-08-30 | 2020-03-10 | 中国科学院微电子研究所 | 一种场发射阴极电子源及其阵列 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8621600D0 (en) * | 1986-09-08 | 1987-03-18 | Gen Electric Co Plc | Vacuum devices |
| US4855636A (en) * | 1987-10-08 | 1989-08-08 | Busta Heinz H | Micromachined cold cathode vacuum tube device and method of making |
| FR2641412B1 (fr) * | 1988-12-30 | 1991-02-15 | Thomson Tubes Electroniques | Source d'electrons du type a emission de champ |
| US5217401A (en) * | 1989-07-07 | 1993-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a field-emission type switching device |
| JP2574500B2 (ja) * | 1990-03-01 | 1997-01-22 | 松下電器産業株式会社 | プレーナ型冷陰極の製造方法 |
| JPH0456040A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-24 | Yokogawa Electric Corp | 微小真空デバイス |
| US5204588A (en) * | 1991-01-14 | 1993-04-20 | Sony Corporation | Quantum phase interference transistor |
| JPH04286825A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Canon Inc | 熱電子放出素子 |
| US5145438A (en) * | 1991-07-15 | 1992-09-08 | Xerox Corporation | Method of manufacturing a planar microelectronic device |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5329952A patent/JPH08138561A/ja active Pending
- 1993-12-06 US US08/161,609 patent/US5463277A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-07 EP EP93119687A patent/EP0601533B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-07 KR KR1019930026690A patent/KR0160530B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-12-07 DE DE69300587T patent/DE69300587T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239538B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Field emitter |
| KR100749460B1 (ko) * | 2001-04-25 | 2007-08-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 그의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940016429A (ko) | 1994-07-23 |
| EP0601533B1 (en) | 1995-10-04 |
| DE69300587D1 (de) | 1995-11-09 |
| EP0601533A1 (en) | 1994-06-15 |
| DE69300587T2 (de) | 1996-03-28 |
| US5463277A (en) | 1995-10-31 |
| KR0160530B1 (ko) | 1998-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08138561A (ja) | 微小真空デバイス | |
| US7397175B2 (en) | Solid state vacuum devices | |
| EP0501785A2 (en) | Electron emitting structure and manufacturing method | |
| US5527200A (en) | Method for making a silicon field emission emitter | |
| US7044823B2 (en) | Method of making a tunneling emitter | |
| CN102254762B (zh) | 场发射装置 | |
| KR0143507B1 (ko) | 전계 방출 캐소드와 이를 사용한 전자관 | |
| US6495865B2 (en) | Microcathode with integrated extractor | |
| CN101971285B (zh) | 高频三极管型场致发射器件及其制造方法 | |
| US6902458B2 (en) | Silicon-based dielectric tunneling emitter | |
| JP4699833B2 (ja) | 電子放出素子、及びそれを用いた電子放出型のセンサ、電気分解装置 | |
| CN102254765B (zh) | 场发射装置的制备方法 | |
| JP3156903B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
| JP3184890B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
| JP3207700B2 (ja) | 電界放出型電子源装置の製造方法 | |
| JP3595821B2 (ja) | 冷電子放出素子及びその製造方法 | |
| JP3405584B2 (ja) | 微小多極真空管の製造方法 | |
| JPH08148080A (ja) | アレイ状電界放射冷陰極とその製造方法 | |
| JP3084741B2 (ja) | プレーナ形熱電子放出素子 | |
| JP3127054B2 (ja) | 電界放出型真空管 | |
| JP3143679B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
| JPH0982215A (ja) | 真空マイクロ素子 | |
| JPH09320454A (ja) | 冷電子放出素子及びその製造方法 | |
| JPH0696660A (ja) | 電子機器の電子管カソード電極 | |
| JPH07168531A (ja) | 電界放射型電子放出素子 |