JPH0785397B2 - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子Info
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- JPH0785397B2 JPH0785397B2 JP13263391A JP13263391A JPH0785397B2 JP H0785397 B2 JPH0785397 B2 JP H0785397B2 JP 13263391 A JP13263391 A JP 13263391A JP 13263391 A JP13263391 A JP 13263391A JP H0785397 B2 JPH0785397 B2 JP H0785397B2
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- JP
- Japan
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- cathode
- electron
- emitting device
- connecting portion
- insulating layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子顕微鏡、電子ビー
ム露光装置、ＣＲＴ等、各種電子ビーム装置の発生源と
して利用することができる電子放出素子に関するもので
ある。
ム露光装置、ＣＲＴ等、各種電子ビーム装置の発生源と
して利用することができる電子放出素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、微細加工技術の進展に伴い、加熱
を必要としない電子放出素子、いわゆる冷陰極、特に、
微小冷陰極に関する研究開発が活発になってきており、
幾つかあるタイプの中で、電界放出型の電子放出素子が
よく研究されている。電界放出型の電子放出素子は、電
子を放出させるために陰極エミッタの先端の曲率が数百
ｎｍ以下となるように針状加工され、このエミッタ先端
に１０7 Ｖ／ｃｍ程度の強電界を集中させることにより
電子放出を行わせるように構成されている。この電界放
出型の電子放出素子は、（１）電流密度が高い、（２）
陰極を加熱する必要がないので、電力消費が非常に少な
いなどの特徴を有する。
を必要としない電子放出素子、いわゆる冷陰極、特に、
微小冷陰極に関する研究開発が活発になってきており、
幾つかあるタイプの中で、電界放出型の電子放出素子が
よく研究されている。電界放出型の電子放出素子は、電
子を放出させるために陰極エミッタの先端の曲率が数百
ｎｍ以下となるように針状加工され、このエミッタ先端
に１０7 Ｖ／ｃｍ程度の強電界を集中させることにより
電子放出を行わせるように構成されている。この電界放
出型の電子放出素子は、（１）電流密度が高い、（２）
陰極を加熱する必要がないので、電力消費が非常に少な
いなどの特徴を有する。
【０００３】また、従来の電界放出型の電子放出素子の
他の例として、特願平２−１３３３９７号に記載された
構成が知られている。図１６（ａ）〜（ｃ）はこの従来
の電子放出素子を示し、図１６（ａ）は平面図、図１６
（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図１６（ａ）のＣ−Ｃ線
およびＤ−Ｄ線に沿う断面図である（なお、図１６
（ａ）の平面図には、理解しやすいように図１６
（ｂ）、（ｃ）に対応する各部に同方向の斜線を付して
ある。）。
他の例として、特願平２−１３３３９７号に記載された
構成が知られている。図１６（ａ）〜（ｃ）はこの従来
の電子放出素子を示し、図１６（ａ）は平面図、図１６
（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図１６（ａ）のＣ−Ｃ線
およびＤ−Ｄ線に沿う断面図である（なお、図１６
（ａ）の平面図には、理解しやすいように図１６
（ｂ）、（ｃ）に対応する各部に同方向の斜線を付して
ある。）。
【０００４】図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように、ガラ
ス等からなる絶縁基板１１１の上に導電性物質からなる
ベース電極１１２が形成され、ベース電極１１２の上に
このベース電極１１２から電流が供給される陰極部１１
３が形成されている。この陰極部１１３としては、仕事
関数が低く、かつ高融点の材料が望ましく、例えば、Ｓ
ｉＣ、ＺｒＣ、ＴｉＣ、Ｍｏ、Ｗ等が用いられている。
陰極部１１３は中心より四方に延びる十字状で、エッジ
部１１４を有するように断面において矩形、若しくは台
形に形成され、かつ平面における幅ｗが先端側から中心
側に至るに従い０から所定の大きさまで徐々に直線的に
変化する、いわゆる楔形状に設定されている。ベース電
極１１２の上の陰極部１１３の下側外縁部と陰極部１１
３の形成されていない部分には絶縁層１１５が形成され
ている。陰極部１１３の周囲には、この陰極部１１３に
対し、所定の間隔をおいて絶縁層１１６と制御電極１１
７が絶縁層１１５の上に順次形成されている。絶縁層１
１６はＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ 2 等からなり、陰極部１１３
の厚さと同等以上の厚さに形成され、制御電極１１７は
陰極部１１３から電子を引き出すためのものであり、金
属等で形成されている。
ス等からなる絶縁基板１１１の上に導電性物質からなる
ベース電極１１２が形成され、ベース電極１１２の上に
このベース電極１１２から電流が供給される陰極部１１
３が形成されている。この陰極部１１３としては、仕事
関数が低く、かつ高融点の材料が望ましく、例えば、Ｓ
ｉＣ、ＺｒＣ、ＴｉＣ、Ｍｏ、Ｗ等が用いられている。
陰極部１１３は中心より四方に延びる十字状で、エッジ
部１１４を有するように断面において矩形、若しくは台
形に形成され、かつ平面における幅ｗが先端側から中心
側に至るに従い０から所定の大きさまで徐々に直線的に
変化する、いわゆる楔形状に設定されている。ベース電
極１１２の上の陰極部１１３の下側外縁部と陰極部１１
３の形成されていない部分には絶縁層１１５が形成され
ている。陰極部１１３の周囲には、この陰極部１１３に
対し、所定の間隔をおいて絶縁層１１６と制御電極１１
７が絶縁層１１５の上に順次形成されている。絶縁層１
１６はＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ 2 等からなり、陰極部１１３
の厚さと同等以上の厚さに形成され、制御電極１１７は
陰極部１１３から電子を引き出すためのものであり、金
属等で形成されている。
【０００５】以上のように構成された電子放出素子にお
いて、以下、その動作について説明する。陰極部１１３
が負、制御電極１１７が正となるように両者の間に電圧
を印加すると、陰極部１１３のエッジ部１１４に電気力
線が集中し、強電界となる。このとき、陰極部１１３お
よび制御電極１１７の幅が場所によって徐々に変わって
いるため、電界強度も変化することになる。したがっ
て、製造時において陰極部１１３および制御電極１１７
のパターン精度にバラツキが生じても、電子を放出する
のに必要な電界強度となる陰極部１１３のエッジ部は必
ず存在し、そのため、安定した電子放出特性を得ること
ができる。
いて、以下、その動作について説明する。陰極部１１３
が負、制御電極１１７が正となるように両者の間に電圧
を印加すると、陰極部１１３のエッジ部１１４に電気力
線が集中し、強電界となる。このとき、陰極部１１３お
よび制御電極１１７の幅が場所によって徐々に変わって
いるため、電界強度も変化することになる。したがっ
て、製造時において陰極部１１３および制御電極１１７
のパターン精度にバラツキが生じても、電子を放出する
のに必要な電界強度となる陰極部１１３のエッジ部は必
ず存在し、そのため、安定した電子放出特性を得ること
ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の構成では、陰極部１１３の断面形状が矩形、若し
くは台形であるため、陰極部１１３の上面のエッジ部１
１４に十分に電界集中することができず、電子放出特性
を十分に向上させることができないという問題があっ
た。
来例の構成では、陰極部１１３の断面形状が矩形、若し
くは台形であるため、陰極部１１３の上面のエッジ部１
１４に十分に電界集中することができず、電子放出特性
を十分に向上させることができないという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題を解決する
ものであり、電界集中度を増すことができ、したがっ
て、低電圧で動作させることができると共に、電子放出
特性を向上させることができるようにした電子放出素子
を提供し、また、上記目的に加えて不必要な部分への電
界集中が起きないようにして動作を安定させることがで
きるようにした電子放出素子を提供することを目的とす
るものである。
ものであり、電界集中度を増すことができ、したがっ
て、低電圧で動作させることができると共に、電子放出
特性を向上させることができるようにした電子放出素子
を提供し、また、上記目的に加えて不必要な部分への電
界集中が起きないようにして動作を安定させることがで
きるようにした電子放出素子を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の技術的解決手段は、基板と、この基板上に形
成されたベース電極と、このベース電極上の一部に形成
された陰極接続部と、この陰極接続部の上に形成され、
表面に比べて裏面の方が広くなり、裏面側端縁が断面鋭
角なエッジ部となるメサ形状で、平面において幅が徐々
に変化する楔状部分を有する陰極部と、この陰極部の楔
状部分と所定の間隔をおいて形成された絶縁層と、この
絶縁層上に形成され、上記陰極部から電子を引き出すた
めの制御電極とを備えたものである。
に本発明の技術的解決手段は、基板と、この基板上に形
成されたベース電極と、このベース電極上の一部に形成
された陰極接続部と、この陰極接続部の上に形成され、
表面に比べて裏面の方が広くなり、裏面側端縁が断面鋭
角なエッジ部となるメサ形状で、平面において幅が徐々
に変化する楔状部分を有する陰極部と、この陰極部の楔
状部分と所定の間隔をおいて形成された絶縁層と、この
絶縁層上に形成され、上記陰極部から電子を引き出すた
めの制御電極とを備えたものである。
【０００９】上記目的を達成するための本発明の他の技
術的解決手段は、上記技術的解決手段における陰極部の
エッジ部が陰極接続部の側方に突出されたものである。
術的解決手段は、上記技術的解決手段における陰極部の
エッジ部が陰極接続部の側方に突出されたものである。
【００１０】または基板と、この基板上に形成されたベ
ース電極と、このベース電極上の一部に形成された陰極
接続部と、この陰極接続部の上に形成され、表面に比べ
て裏面の方が狭くなり、表面側端縁が断面鋭角なエッジ
部となる逆メサ形状で、平面において幅が徐々に変化す
る楔状部分を有する陰極部と、この陰極部の楔状部分と
所定の間隔をおいて形成された絶縁層と、この絶縁層上
に形成され、上記陰極部から電子を引き出すための制御
電極とを備えたものである。
ース電極と、このベース電極上の一部に形成された陰極
接続部と、この陰極接続部の上に形成され、表面に比べ
て裏面の方が狭くなり、表面側端縁が断面鋭角なエッジ
部となる逆メサ形状で、平面において幅が徐々に変化す
る楔状部分を有する陰極部と、この陰極部の楔状部分と
所定の間隔をおいて形成された絶縁層と、この絶縁層上
に形成され、上記陰極部から電子を引き出すための制御
電極とを備えたものである。
【００１１】そして、上記各技術的解決手段における陰
極接続部を陰極部と異なる導電体材料、若しくは半導電
体材料のいずれかにより形成することができる。
極接続部を陰極部と異なる導電体材料、若しくは半導電
体材料のいずれかにより形成することができる。
【００１２】
【作用】本発明は、上記構成により、陰極部に陰極接続
部を介して電気的に接続されているベース電極と制御電
極との間に電圧を印加することにより、陰極部のエッジ
部に電気力線が集中し、強電界となるので、電子を放出
することができる。そして、陰極部のエッジ部を断面鋭
角に形成しているので、電界の集中度を増すことができ
る。さらに、平面的にも幅が徐々に直線的に変化する楔
状部分を有しているため、一層の電界集中が可能とな
り、より低電圧での電子放出を可能とする。
部を介して電気的に接続されているベース電極と制御電
極との間に電圧を印加することにより、陰極部のエッジ
部に電気力線が集中し、強電界となるので、電子を放出
することができる。そして、陰極部のエッジ部を断面鋭
角に形成しているので、電界の集中度を増すことができ
る。さらに、平面的にも幅が徐々に直線的に変化する楔
状部分を有しているため、一層の電界集中が可能とな
り、より低電圧での電子放出を可能とする。
【００１３】また、電界の集中する陰極部のエッジ部を
陰極接続部の側方へ突出させて空中に浮かすように構成
することにより、不必要な部分への電界集中が起きない
ようにすることができる。また、陰極部のエッジ部と制
御電極との水平距離や高さを調整することにより、放出
電子の軌道を容易に制御することができる。
陰極接続部の側方へ突出させて空中に浮かすように構成
することにより、不必要な部分への電界集中が起きない
ようにすることができる。また、陰極部のエッジ部と制
御電極との水平距離や高さを調整することにより、放出
電子の軌道を容易に制御することができる。
【００１４】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１５】図１（ａ）は本発明の第１の実施例におけ
る電子放出素子を示す平面図、図１（ｂ）および図１
（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）におけるＡ−Ａ線およびＢ
−Ｂ線に沿う断面図である（なお、図１（ａ）の平面図
には、理解しやすいように図１（ｂ）、（ｃ）に対応す
る各部に同方向の斜線を付してある。）。
る電子放出素子を示す平面図、図１（ｂ）および図１
（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）におけるＡ−Ａ線およびＢ
−Ｂ線に沿う断面図である（なお、図１（ａ）の平面図
には、理解しやすいように図１（ｂ）、（ｃ）に対応す
る各部に同方向の斜線を付してある。）。
【００１６】図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ等からなる絶縁性の基板
１１の上に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等か
らなるベース電極１２が形成され、ベース電極１２上の
所定の部分に、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる
陰極接続部１３が形成され、陰極接続部１３の上にＭ
ｏ、Ｗ、ＺｒＣ、ＬａＢ6 等からなる陰極部１４が形成
されている。この陰極部１４は、平面において、少なく
ともその一部の幅が先端側から中心側に至るに従い０か
ら所定の大きさまで徐々に直線的に変化する、いわゆる
楔状に形成され、しかも、表面に比べて裏面の方が広く
なる、いわゆるメサ形状に形成され、裏面側端縁に断面
鋭角のエッジ部１５が形成されている。したがって、先
端裏面側にエッジ部１５が交わる尖鋭部１５ａが形成さ
れている。陰極部１４の尖鋭部１５ａを含むエッジ部１
５は陰極接続部１３の側方に突出されて空中に浮くよう
に設定されている。陰極部１４から所定の間隔をおい
て、ベース電極１２の上にＳｉＯ 2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
3 Ｎ4 等からなる絶縁層１６が形成され、絶縁層１６の
上に陰極部１４から電子を引き出すためのＣｒ、Ｍｏ、
Ｗ等からなる制御電極１７が形成されている。
に、ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ等からなる絶縁性の基板
１１の上に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等か
らなるベース電極１２が形成され、ベース電極１２上の
所定の部分に、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる
陰極接続部１３が形成され、陰極接続部１３の上にＭ
ｏ、Ｗ、ＺｒＣ、ＬａＢ6 等からなる陰極部１４が形成
されている。この陰極部１４は、平面において、少なく
ともその一部の幅が先端側から中心側に至るに従い０か
ら所定の大きさまで徐々に直線的に変化する、いわゆる
楔状に形成され、しかも、表面に比べて裏面の方が広く
なる、いわゆるメサ形状に形成され、裏面側端縁に断面
鋭角のエッジ部１５が形成されている。したがって、先
端裏面側にエッジ部１５が交わる尖鋭部１５ａが形成さ
れている。陰極部１４の尖鋭部１５ａを含むエッジ部１
５は陰極接続部１３の側方に突出されて空中に浮くよう
に設定されている。陰極部１４から所定の間隔をおい
て、ベース電極１２の上にＳｉＯ 2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
3 Ｎ4 等からなる絶縁層１６が形成され、絶縁層１６の
上に陰極部１４から電子を引き出すためのＣｒ、Ｍｏ、
Ｗ等からなる制御電極１７が形成されている。
【００１７】以上のように構成された電子放出素子にお
いて、以下、その動作について説明する。陰極部１４に
陰極接続部１３を介して電気的に接続されているベース
電極１２が負、制御電極１８が正となるように両者の間
に電圧を印加すると、陰極部１４に電圧が印加され、陰
極部１４における断面鋭角のエッジ部１５に電気力線が
集中する。本実施例では、シミュレーションの結果から
明らかなように、特に、楔状陰極部１４の先端裏面側の
尖鋭部１５ａに電気力線が集中する。そして、所定の電
界以上になるとトンネル現象によって電子が真空中に透
過し、尖鋭部１５ａから電子が放出される。
いて、以下、その動作について説明する。陰極部１４に
陰極接続部１３を介して電気的に接続されているベース
電極１２が負、制御電極１８が正となるように両者の間
に電圧を印加すると、陰極部１４に電圧が印加され、陰
極部１４における断面鋭角のエッジ部１５に電気力線が
集中する。本実施例では、シミュレーションの結果から
明らかなように、特に、楔状陰極部１４の先端裏面側の
尖鋭部１５ａに電気力線が集中する。そして、所定の電
界以上になるとトンネル現象によって電子が真空中に透
過し、尖鋭部１５ａから電子が放出される。
【００１８】このように本実施例によれば、陰極部１４
をメサ形状とし、陰極部１４の裏面側のエッジ部１５の
断面形状を尖鋭化させている。これによりエッジ部１
５、特に、尖鋭部１５ａにおける電界の集中度が増し、
低電圧で動作させることができると共に、電子放出特性
を向上させることができる。また、陰極部１４における
電界の集中するエッジ部（尖鋭部１５ａを含む）１５を
陰極接続部１３の側方に突出させて空中に浮くように形
成しているので、不必要な部分への電界集中が起こら
ず、電子放出動作を安定させることができる。
をメサ形状とし、陰極部１４の裏面側のエッジ部１５の
断面形状を尖鋭化させている。これによりエッジ部１
５、特に、尖鋭部１５ａにおける電界の集中度が増し、
低電圧で動作させることができると共に、電子放出特性
を向上させることができる。また、陰極部１４における
電界の集中するエッジ部（尖鋭部１５ａを含む）１５を
陰極接続部１３の側方に突出させて空中に浮くように形
成しているので、不必要な部分への電界集中が起こら
ず、電子放出動作を安定させることができる。
【００１９】次に、図１（ａ）〜（ｃ）に示した上記第
１の実施例における電子放出素子の一製造方法につい
て、図２ないし図７に示す断面図を参照しながら説明す
る（なお、各図は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する断面
図である。）。
１の実施例における電子放出素子の一製造方法につい
て、図２ないし図７に示す断面図を参照しながら説明す
る（なお、各図は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する断面
図である。）。
【００２０】まず、図２に示すように、ガラス、Ａｌ2
Ｏ3 、Ｓｉ等からなる基板１１の上に、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等からなるベース電極１２、Ａｕ、Ｃ、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる陰極接続部材料２３、Ｍ
ｏ、Ｗ等からなる陰極材料２４およびＡｌ、ＳｉＯ2 等
からなるマスク材３１を例えば、蒸着等の方法により順
次形成する。次に、図３に示すように、マスク材３１の
上に通常のリソグラフィー技術を用い、形成しようとす
る陰極部１４の形状に対応したレジストパターン３２を
形成し、このレジストパターン３２をマスクとしてマス
ク材３１をエッチング加工する。次に、図４に示すよう
に、エッチング加工されたマスク材３１をマスクとし、
例えば、ＣＦ4 系ガスによるリアクティブ・イオン・エ
ッチングにより、陰極材料２４をマスク材３１のパター
ンよりやや小さくなるように加工し、陰極部１４を形成
する。この陰極部１４の加工の際、等方性エッチングの
条件にすることにより、裾が広がった、すなわち、表面
より裏面の方が広くなるメサ形状に形成し、裏面側端縁
に断面鋭角のエッジ部１５を形成すると共に、先端裏面
側に尖鋭部１５ａ（図１（ａ）、（ｂ）参照）を形成す
ることができる。したがって、陰極接続部材料２３とし
て、ＣＦ4 系ガスでエッチングされない材料を用いる必
要がある。次に、図５に示すように、マスク材３１およ
び陰極部１４をマスクとし、例えば、Ｃｌ2 系ガスを用
いて陰極接続部材料２３を陰極部１４のパターンよりや
や小さくなるようにエッチング加工することにより陰極
接続部１３を形成し、陰極部１４の尖鋭部１５ａを含む
エッジ部１５を陰極接続部１３の側方へ突出させて空中
に浮かせる。したがって、陰極材料２４として、Ｃｌ2
系ガスでエッチングされない材料を用いる必要がある。
次に、図６に示すように、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
3 Ｎ4 等からなる絶縁層１６およびＭｏ、Ｗ、Ｃｒ等か
らなる制御電極１７を上方から順次蒸着等の方法により
全面に形成する。最後に、図７に示すように、マスク材
３１をその上の絶縁層１６および制御電極１７と共にリ
フトオフすることにより、陰極部１４を露出させ、この
陰極部１４から所定の間隔をおいて絶縁層１６、制御電
極１７を形成した本実施例の電子放出素子を製造するこ
とができる。なお、図６において、絶縁層１６および制
御電極１７の膜厚を制御することに より、エッジ部１５
と制御電極１７の相対的位置を決めることができ、また
エッジ部１５と制御電極１７との距離を調整することに
より、放出電子軌道を容易に制御できる。
Ｏ3 、Ｓｉ等からなる基板１１の上に、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等からなるベース電極１２、Ａｕ、Ｃ、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる陰極接続部材料２３、Ｍ
ｏ、Ｗ等からなる陰極材料２４およびＡｌ、ＳｉＯ2 等
からなるマスク材３１を例えば、蒸着等の方法により順
次形成する。次に、図３に示すように、マスク材３１の
上に通常のリソグラフィー技術を用い、形成しようとす
る陰極部１４の形状に対応したレジストパターン３２を
形成し、このレジストパターン３２をマスクとしてマス
ク材３１をエッチング加工する。次に、図４に示すよう
に、エッチング加工されたマスク材３１をマスクとし、
例えば、ＣＦ4 系ガスによるリアクティブ・イオン・エ
ッチングにより、陰極材料２４をマスク材３１のパター
ンよりやや小さくなるように加工し、陰極部１４を形成
する。この陰極部１４の加工の際、等方性エッチングの
条件にすることにより、裾が広がった、すなわち、表面
より裏面の方が広くなるメサ形状に形成し、裏面側端縁
に断面鋭角のエッジ部１５を形成すると共に、先端裏面
側に尖鋭部１５ａ（図１（ａ）、（ｂ）参照）を形成す
ることができる。したがって、陰極接続部材料２３とし
て、ＣＦ4 系ガスでエッチングされない材料を用いる必
要がある。次に、図５に示すように、マスク材３１およ
び陰極部１４をマスクとし、例えば、Ｃｌ2 系ガスを用
いて陰極接続部材料２３を陰極部１４のパターンよりや
や小さくなるようにエッチング加工することにより陰極
接続部１３を形成し、陰極部１４の尖鋭部１５ａを含む
エッジ部１５を陰極接続部１３の側方へ突出させて空中
に浮かせる。したがって、陰極材料２４として、Ｃｌ2
系ガスでエッチングされない材料を用いる必要がある。
次に、図６に示すように、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
3 Ｎ4 等からなる絶縁層１６およびＭｏ、Ｗ、Ｃｒ等か
らなる制御電極１７を上方から順次蒸着等の方法により
全面に形成する。最後に、図７に示すように、マスク材
３１をその上の絶縁層１６および制御電極１７と共にリ
フトオフすることにより、陰極部１４を露出させ、この
陰極部１４から所定の間隔をおいて絶縁層１６、制御電
極１７を形成した本実施例の電子放出素子を製造するこ
とができる。なお、図６において、絶縁層１６および制
御電極１７の膜厚を制御することに より、エッジ部１５
と制御電極１７の相対的位置を決めることができ、また
エッジ部１５と制御電極１７との距離を調整することに
より、放出電子軌道を容易に制御できる。
【００２１】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００２２】図８（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施
例における電子放出素子を示し、それぞれ図１（ｂ）、
（ｃ）と同様の断面図である。本実施例において、平面
形状は上記第１の実施例の平面図とほぼ同様であるの
で、断面図のみ示す。
例における電子放出素子を示し、それぞれ図１（ｂ）、
（ｃ）と同様の断面図である。本実施例において、平面
形状は上記第１の実施例の平面図とほぼ同様であるの
で、断面図のみ示す。
【００２３】図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラ
ス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ等からなる絶縁性の基板４１の上
に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等からなるベ
ース電極４２が形成され、ベース電極４２上の所定の部
分に、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる陰極接続
部４３が形成され，陰極接続部４３の上にＭｏ、Ｗ、Ｚ
ｒＣ、ＬａＢ6 等からなる陰極部４４が形成されてい
る。この陰極部４４は、平面において、少なくともその
一部の幅が徐々に直線的に変化する、いわゆる楔状に形
成され、しかも、表面に比べて裏面の方が狭くなる、い
わゆる逆メサ形状に形成され、表面側端縁に断面鋭角の
エッジ部４５が形成されている。したがって、先端表面
側にエッジ部４５ａが交わる尖鋭部４５ａが形成されて
いる。陰極部４４は逆メサ形状に形成されているので、
尖鋭部４５ａを含むエッジ部４５は陰極接続部４３の側
方に突出されて空中に浮かされている。陰極部４４から
所定の間隔をおいて、ベース電極４２の上にＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等からなる絶縁層４６が形成さ
れ、絶縁層４６の上に陰極部４４から電子を引き出すた
めのＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等からなる制御電極４７が形成され
ている。
ス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ等からなる絶縁性の基板４１の上
に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等からなるベ
ース電極４２が形成され、ベース電極４２上の所定の部
分に、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる陰極接続
部４３が形成され，陰極接続部４３の上にＭｏ、Ｗ、Ｚ
ｒＣ、ＬａＢ6 等からなる陰極部４４が形成されてい
る。この陰極部４４は、平面において、少なくともその
一部の幅が徐々に直線的に変化する、いわゆる楔状に形
成され、しかも、表面に比べて裏面の方が狭くなる、い
わゆる逆メサ形状に形成され、表面側端縁に断面鋭角の
エッジ部４５が形成されている。したがって、先端表面
側にエッジ部４５ａが交わる尖鋭部４５ａが形成されて
いる。陰極部４４は逆メサ形状に形成されているので、
尖鋭部４５ａを含むエッジ部４５は陰極接続部４３の側
方に突出されて空中に浮かされている。陰極部４４から
所定の間隔をおいて、ベース電極４２の上にＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等からなる絶縁層４６が形成さ
れ、絶縁層４６の上に陰極部４４から電子を引き出すた
めのＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等からなる制御電極４７が形成され
ている。
【００２４】以上のように構成された電子放出素子にお
いて、以下、その動作について説明する。陰極部４４に
陰極接続部４３を介して電気的に接続されているベース
電極４２が負、制御電極４７が正となるように両者の間
に電圧を印加すると、陰極部４４に電圧が印加され、陰
極部４４のエッジ部４５に電気力線が集中する。本実施
例では、シミュレーションの結果から明らかなように、
特に、楔状陰極部４４の先端表面側の尖鋭部４５ａに電
気力線が集中する。そして、所定の電界以上になるとト
ンネル現象によって電子が真空中に透過し、尖鋭部４５
ａから電子が放出される。
いて、以下、その動作について説明する。陰極部４４に
陰極接続部４３を介して電気的に接続されているベース
電極４２が負、制御電極４７が正となるように両者の間
に電圧を印加すると、陰極部４４に電圧が印加され、陰
極部４４のエッジ部４５に電気力線が集中する。本実施
例では、シミュレーションの結果から明らかなように、
特に、楔状陰極部４４の先端表面側の尖鋭部４５ａに電
気力線が集中する。そして、所定の電界以上になるとト
ンネル現象によって電子が真空中に透過し、尖鋭部４５
ａから電子が放出される。
【００２５】このように本実施例によれば、陰極部４４
を逆メサ形状とし、陰極部４４の表面側のエッジ部４５
の断面形状をより尖鋭化させている。これによりエッジ
部４５、特に、尖鋭部４５ａにおける電界の集中度が増
し、低電圧で動作させることができると共に、電子放出
特性を向上させることができる。また、陰極部４４にお
ける電界の集中するエッジ部（尖鋭部４５ａを含む）４
５を陰極接続部４３の側方に突出させて空中に浮くよう
に形成しているので、不必要な部分への電界集中が起こ
らず、電子放出動作を安定させることができる。
を逆メサ形状とし、陰極部４４の表面側のエッジ部４５
の断面形状をより尖鋭化させている。これによりエッジ
部４５、特に、尖鋭部４５ａにおける電界の集中度が増
し、低電圧で動作させることができると共に、電子放出
特性を向上させることができる。また、陰極部４４にお
ける電界の集中するエッジ部（尖鋭部４５ａを含む）４
５を陰極接続部４３の側方に突出させて空中に浮くよう
に形成しているので、不必要な部分への電界集中が起こ
らず、電子放出動作を安定させることができる。
【００２６】次に、図８（ａ）、（ｂ）に示した上記第
２の実施例における電子放出素子の一製造方法につい
て、図９ないし図１５に示す断面図を参照しながら説明
する（なお、各図は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する断
面図である。）。
２の実施例における電子放出素子の一製造方法につい
て、図９ないし図１５に示す断面図を参照しながら説明
する（なお、各図は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する断
面図である。）。
【００２７】まず、図９に示すように、ガラス、Ａｌ2
Ｏ3 、Ｓｉ等からなる基板４１の上に、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等からなるベース電極４２、Ａｕ、Ｃ、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる陰極接続部材料５３、Ｍ
ｏ、Ｗ等からなる陰極材料５４およびＡｌ、ＳｉＯ2 等
からなるマスク材６１を例えば、蒸着等の方法により順
次形成する。次に、図１０に示すように、マスク６１の
上に通常のリソグラフィー技術を用い、形成しようとす
る陰極部４４の形状に対応したレジストパターン６２を
形成し、このレジストパターン６２をマスクとしてマス
ク材６１をエッチング加工する。次に、図１１に示すよ
うに、エッチング加工されたマスク材６１をマスクと
し、例えば、ＣＦ4 系ガスによるリアクティブ・イオン
・エッチングの異方性エッチングの条件によって陰極材
料５４をマスク材６１のパターンと同じように加工す
る。次に、図１２に示すように、マスク材６１および陰
極材料５４をマスクとして，例えば、Ｃｌ2 系ガスによ
るリアクティブ・イオン・エッチングによって陰極接続
部材料５３を加工して陰極接続部４３を形成する。この
加工の際、エッチング条件を等方性エッチングの条件に
することにより、陰極接続部材料５３を所定のパターン
で、かつ陰極材料５４の裏面内方まで後退するようにエ
ッチングする。次に、図１３に示すように、ＣＦ4 系ガ
スの等方性エッチングの条件で陰極材料５４をエッチン
グすることにより、表面に比べて裏面の方が狭くなる逆
メサ形状で、表面側端縁に断面鋭角の尖鋭化したエッジ
部４５を有すると共に、先端表面側に尖鋭部４５ａを有
する陰極部４４を形成し、陰極部４４の尖鋭部４５ａを
含むエッジ部４５を陰極接続部４３の側方へ突出させて
空中に浮かせることができる。次に、図１４に示すよう
に、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等からなる絶縁
層４６およびＭｏ、Ｗ、Ｃｒ等からなる制御電極４７を
上方から順次蒸着等の方法により全面に形成する。最後
に、図１５に示すように、マスク材６１をその上の絶縁
層４６および制御電極４７と共にリフトオフすることに
より、陰極部４４を露出させ、この陰極部４４から所定
の間隔をおいて絶縁層４６、制御電極４７を形成した本
実施例の電子放出素子を製造することができる。なお、
図１４において、絶縁層４６および制御電極４７の膜厚
を制御すること により、エッジ部４５と制御電極４７と
の相対位置を決めることができ、また、エッジ部４５と
制御電極４７との距離を調整することにより、放出電子
軌道を容易に制御できる。
Ｏ3 、Ｓｉ等からなる基板４１の上に、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、Ｔａ等からなるベース電極４２、Ａｕ、Ｃ、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等からなる陰極接続部材料５３、Ｍ
ｏ、Ｗ等からなる陰極材料５４およびＡｌ、ＳｉＯ2 等
からなるマスク材６１を例えば、蒸着等の方法により順
次形成する。次に、図１０に示すように、マスク６１の
上に通常のリソグラフィー技術を用い、形成しようとす
る陰極部４４の形状に対応したレジストパターン６２を
形成し、このレジストパターン６２をマスクとしてマス
ク材６１をエッチング加工する。次に、図１１に示すよ
うに、エッチング加工されたマスク材６１をマスクと
し、例えば、ＣＦ4 系ガスによるリアクティブ・イオン
・エッチングの異方性エッチングの条件によって陰極材
料５４をマスク材６１のパターンと同じように加工す
る。次に、図１２に示すように、マスク材６１および陰
極材料５４をマスクとして，例えば、Ｃｌ2 系ガスによ
るリアクティブ・イオン・エッチングによって陰極接続
部材料５３を加工して陰極接続部４３を形成する。この
加工の際、エッチング条件を等方性エッチングの条件に
することにより、陰極接続部材料５３を所定のパターン
で、かつ陰極材料５４の裏面内方まで後退するようにエ
ッチングする。次に、図１３に示すように、ＣＦ4 系ガ
スの等方性エッチングの条件で陰極材料５４をエッチン
グすることにより、表面に比べて裏面の方が狭くなる逆
メサ形状で、表面側端縁に断面鋭角の尖鋭化したエッジ
部４５を有すると共に、先端表面側に尖鋭部４５ａを有
する陰極部４４を形成し、陰極部４４の尖鋭部４５ａを
含むエッジ部４５を陰極接続部４３の側方へ突出させて
空中に浮かせることができる。次に、図１４に示すよう
に、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等からなる絶縁
層４６およびＭｏ、Ｗ、Ｃｒ等からなる制御電極４７を
上方から順次蒸着等の方法により全面に形成する。最後
に、図１５に示すように、マスク材６１をその上の絶縁
層４６および制御電極４７と共にリフトオフすることに
より、陰極部４４を露出させ、この陰極部４４から所定
の間隔をおいて絶縁層４６、制御電極４７を形成した本
実施例の電子放出素子を製造することができる。なお、
図１４において、絶縁層４６および制御電極４７の膜厚
を制御すること により、エッジ部４５と制御電極４７と
の相対位置を決めることができ、また、エッジ部４５と
制御電極４７との距離を調整することにより、放出電子
軌道を容易に制御できる。
【００２８】（実施例３） 以下、本発明の第３の実施例について説明する。本実施
例においては、図１（ａ）〜（Ｃ）に示す上記第１の実
施例、若しくは図８（ａ）、（ｂ）に示す上記第２の実
施例と同様に形成され、陰極接続部１３、若しくは４３
が陰極部１４、若しくは４４の材料と異なる導電体材
料、若しくは半導電体材料から構成された点に特徴を有
する。
例においては、図１（ａ）〜（Ｃ）に示す上記第１の実
施例、若しくは図８（ａ）、（ｂ）に示す上記第２の実
施例と同様に形成され、陰極接続部１３、若しくは４３
が陰極部１４、若しくは４４の材料と異なる導電体材
料、若しくは半導電体材料から構成された点に特徴を有
する。
【００２９】陰極部１４、４４の材料として、例えば、
Ｍｏ、Ｗ等を用いるのに対し、陰極接続部１３、４３の
材料として、例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等の陰極
部材料とは異なった材料を用いることにより、例えば、
上記第１および第２の実施例で説明したような方法で陰
極部１４および４４のエッジ部１５および４５を極めて
容易に尖鋭化加工することができる。また、陰極接続部
１３、４３の材料としてＳｉ、Ｇｅ等の半導電体材料を
用いることにより、電子放出電流が急激に増大したと
き、陰極接続部１３、４３の抵抗効果によって電圧降下
を起こし、陰極部１４、４４にかかる電圧を下げ、過大
な電流放出による陰極部１４、４４の損傷を防止するこ
とができる。その他の作用効果については上記第１、第
２の実施例と同様であるので、その説明を省略する。
Ｍｏ、Ｗ等を用いるのに対し、陰極接続部１３、４３の
材料として、例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等の陰極
部材料とは異なった材料を用いることにより、例えば、
上記第１および第２の実施例で説明したような方法で陰
極部１４および４４のエッジ部１５および４５を極めて
容易に尖鋭化加工することができる。また、陰極接続部
１３、４３の材料としてＳｉ、Ｇｅ等の半導電体材料を
用いることにより、電子放出電流が急激に増大したと
き、陰極接続部１３、４３の抵抗効果によって電圧降下
を起こし、陰極部１４、４４にかかる電圧を下げ、過大
な電流放出による陰極部１４、４４の損傷を防止するこ
とができる。その他の作用効果については上記第１、第
２の実施例と同様であるので、その説明を省略する。
【００３０】なお、陰極部１４、４４と制御部１７、４
７との間のベース電極１２、４２上の表面が絶縁物であ
っても、本発明の効果が失われるものではない。
７との間のベース電極１２、４２上の表面が絶縁物であ
っても、本発明の効果が失われるものではない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、陰
極部をメサ形状とし、若しくは逆メサ形状とし、エッジ
部を断面鋭角に形成して尖鋭化させ、平面的にも楔状部
分を形成しているので、電界集中度を増し、より低電圧
で動作させることができると共に、電子放出特性を向上
させることができる。また、、陰極部のエッジ部と制御
電極との水平距離や高さを調整することにより、放出電
子の軌道を容易に制御することができる。
極部をメサ形状とし、若しくは逆メサ形状とし、エッジ
部を断面鋭角に形成して尖鋭化させ、平面的にも楔状部
分を形成しているので、電界集中度を増し、より低電圧
で動作させることができると共に、電子放出特性を向上
させることができる。また、、陰極部のエッジ部と制御
電極との水平距離や高さを調整することにより、放出電
子の軌道を容易に制御することができる。
【００３２】また、電界の集中する陰極部のエッジ部を
陰極接続部の側方に突出させて空中に浮かすように構成
することにより、不必要な部分への電界集中が起こら
ず、動作を安定させることができる。
陰極接続部の側方に突出させて空中に浮かすように構成
することにより、不必要な部分への電界集中が起こら
ず、動作を安定させることができる。
【００３３】また、陰極部をベース電極に接続する陰極
接続部を陰極部とは異なる材料により形成することによ
り、陰極部のエッジ部の尖鋭化加工を容易に行うことが
できる。
接続部を陰極部とは異なる材料により形成することによ
り、陰極部のエッジ部の尖鋭化加工を容易に行うことが
できる。
【００３４】また、陰極接続部に半導電体材料を用いる
ことにより、電子放出電流が増大したとき、この陰極接
続部で電圧降下を起こさせ、過大な電流放出による陰極
部の損傷を防止することができる。
ことにより、電子放出電流が増大したとき、この陰極接
続部で電圧降下を起こさせ、過大な電流放出による陰極
部の損傷を防止することができる。
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例における電子放出
素子を示す平面図 （ｂ）本発明の第１の実施例における電子放出素子を示
し、（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図 （ｃ）本発明の第１の実施例における電子放出素子を示
し、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図
素子を示す平面図 （ｂ）本発明の第１の実施例における電子放出素子を示
し、（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図 （ｃ）本発明の第１の実施例における電子放出素子を示
し、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図
【図２】本発明の第１の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図３】本発明の第１の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図４】本発明の第１の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図５】本発明の第１の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図６】本発明の第１の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図７】本発明の第１の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図８】（ａ）本発明の第２の実施例における電子放出
素子を示し、図１（ｂ）と同様の断面図 （ｂ）本発明の第２の実施例における電子放出素子を示
し、図１（ｃ）と同様の断面図
素子を示し、図１（ｂ）と同様の断面図 （ｂ）本発明の第２の実施例における電子放出素子を示
し、図１（ｃ）と同様の断面図
【図９】本発明の第２の実施例における電子放出素子の
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する断
面図
【図１０】本発明の第２の実施例における電子放出素子
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
【図１１】本発明の第２の実施例における電子放出素子
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
【図１２】本発明の第２の実施例における電子放出素子
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
【図１３】本発明の第２の実施例における電子放出素子
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
【図１４】本発明の第２の実施例における電子放出素子
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
【図１５】本発明の第２の実施例における電子放出素子
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
の製造工程を説明するための図１のＢ−Ｂ線に相当する
断面図
【図１６】（ａ）従来の電子放出素子を示す平面図 （ｂ）従来の電子放出素子を示し、（ａ）のＣ−Ｃ線に
沿う断面図 （ｃ）従来の電子放出素子を示し、（ａ）のＤ−Ｄ線に
沿う断面図
沿う断面図 （ｃ）従来の電子放出素子を示し、（ａ）のＤ−Ｄ線に
沿う断面図
【符号の説明】 １１ 基板 １２ ベース電極 １３ 陰極接続部 １４ 陰極部 １５ エッジ部 １６ 絶縁層 １７ 制御電極 ４１ 基板 ４２ ベース電極 ４３ 陰極接続部 ４４ 陰極部 ４５ エッジ部 ４６ 絶縁層 ４７ 制御電極
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に形成されたベース
電極と、このベース電極上の一部に形成された陰極接続
部と、この陰極接続部の上に形成され、表面に比べて裏
面の方が広くなり、裏面側端縁が断面鋭角なエッジ部と
なるメサ形状で、平面において幅が徐々に変化する楔状
部分を有する陰極部と、この陰極部の楔状部分と所定の
間隔をおいて形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成
され、上記陰極部から電子を引き出すための制御電極と
を備えた電子放出素子。 - 【請求項２】 陰極部のエッジ部が陰極接続部の側方に
突出された請求項１記載の電子放出素子。 - 【請求項３】 基板と、この基板上に形成されたベース
電極と、このベース電極上の一部に形成された陰極接続
部と、この陰極接続部の上に形成され、表面に比べて裏
面の方が狭くなり、表面側端縁が断面鋭角なエッジ部と
なる逆メサ形状で、平面において幅が徐々に変化する楔
状部分を有する陰極部と、この陰極部の楔状部分と所定
の間隔をおいて形成された絶縁層と、この絶縁層上に形
成され、上記陰極部から電子を引き出すための制御電極
とを備えた電子放出素子。 - 【請求項４】 陰極接続部が陰極部と異なる導電体材料
により形成されている請求項１ないし３のいずれかに記
載の電子放出素子。 - 【請求項５】 陰極接続部が半導電体材料により形成さ
れている請求項１ないし３のいずれかに記載の電子放出
素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263391A JPH0785397B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 電子放出素子 |
| US07/889,938 US5343110A (en) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Electron emission element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263391A JPH0785397B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 電子放出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359831A JPH04359831A (ja) | 1992-12-14 |
| JPH0785397B2 true JPH0785397B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=15085895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13263391A Expired - Fee Related JPH0785397B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 電子放出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785397B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3599765B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2004-12-08 | 株式会社東芝 | 陰極線管装置 |
| JPH07254354A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 電界電子放出素子、電界電子放出素子の製造方法およびこの電界電子放出素子を用いた平面ディスプレイ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02239538A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プレーナ型冷陰極 |
| JPH038236A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プレーナ型冷陰極 |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13263391A patent/JPH0785397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04359831A (ja) | 1992-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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