JPH0320084A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPH0320084A JPH0320084A JP15538489A JP15538489A JPH0320084A JP H0320084 A JPH0320084 A JP H0320084A JP 15538489 A JP15538489 A JP 15538489A JP 15538489 A JP15538489 A JP 15538489A JP H0320084 A JPH0320084 A JP H0320084A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置やイメージセンサ等に応用され
ている絶縁基板上に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の製造
方法に関するものである。
ている絶縁基板上に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の製造
方法に関するものである。
従来の技術
近年、石英基板上のポリシリコン薄膜にＭＯＳＦＥＴ（
絶縁ゲート型電解効果トランジスタ）を形成する技術は
、一次元イメージセンサ等に実用化されている。従来、
薄膜トランジスタは減圧化学気相成長法（ＬＰＧＶＤ）
によって堆積したポリシリコン膜にゲート酸化膜，ゲー
ト電極，イオン注入によるソース・ドレイン形成等の製
造方法で作製している。そして、トランジスタ回路の高
速化のためにＬＰＣＶＤ法によって堆積したポリシリコ
ン膜（膜厚２００ナノメータ以下〉をシリコンイオン注
入によってアモルファス化し、そのアモルファスシリコ
ンを摂氏６００度の，電気炉アニールを用いて再結晶化
して大きな結晶粒のポリシリコン膜形成し、そのポリシ
リコン薄膜にＴＰＴを作製することが研究されている。
絶縁ゲート型電解効果トランジスタ）を形成する技術は
、一次元イメージセンサ等に実用化されている。従来、
薄膜トランジスタは減圧化学気相成長法（ＬＰＧＶＤ）
によって堆積したポリシリコン膜にゲート酸化膜，ゲー
ト電極，イオン注入によるソース・ドレイン形成等の製
造方法で作製している。そして、トランジスタ回路の高
速化のためにＬＰＣＶＤ法によって堆積したポリシリコ
ン膜（膜厚２００ナノメータ以下〉をシリコンイオン注
入によってアモルファス化し、そのアモルファスシリコ
ンを摂氏６００度の，電気炉アニールを用いて再結晶化
して大きな結晶粒のポリシリコン膜形成し、そのポリシ
リコン薄膜にＴＰＴを作製することが研究されている。
その製造工程においてイオン注入工程は同一注入角度で
行われている。
行われている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような注入工程の方法では再結晶
化ポリシリコン膜が＋ｔｉｏｔ面に配向しているために
ソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入にお
いてイオンチャンネリングを起こして注入イオンがポリ
シリコン膜を貫通して絶縁基板に到達してしまい、注入
イオンを有効に使えないという欠点を有している。本発
明は、上記の欠点に鑑みて注入イオンを有効に使う薄膜
トランジスタの製造方法を提供するものである。
化ポリシリコン膜が＋ｔｉｏｔ面に配向しているために
ソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入にお
いてイオンチャンネリングを起こして注入イオンがポリ
シリコン膜を貫通して絶縁基板に到達してしまい、注入
イオンを有効に使えないという欠点を有している。本発
明は、上記の欠点に鑑みて注入イオンを有効に使う薄膜
トランジスタの製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の薄膜トランジス
タの製造方法は、イオンチャンネリングを抑制するため
にイオン注入工程においてイオン注入角度を変えて行う
ようにするものである。
タの製造方法は、イオンチャンネリングを抑制するため
にイオン注入工程においてイオン注入角度を変えて行う
ようにするものである。
作用
この構成により、イオン注入角度を変えることによって
注入イオンをポリシリコン膜に分布するようになる。容
易に薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域が形戒で
きる。
注入イオンをポリシリコン膜に分布するようになる。容
易に薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域が形戒で
きる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は、本発明の一実施例の薄膜トランジスタの製造
方法の製造工程図である。はじめに石英基板３に減圧Ｃ
ＶＤ法を用いてポリシリコン膜を１５０ナノメータの厚
さで堆積する。次に第１図（ａ）のようにｌ００〜１５
０キロエレクトロンボルトの注入エネルギー、２ ｘ
１ ０”／ｃｊの注入量でシリコンイオン１をポリシリ
コン膜に注入してアモルファス化する。以上のようにし
て形成したアモルファスシリコン４を島状にパターン化
して、電気炉で摂氏６００度で数十時間アニールして再
結晶化を行い石英基板上に大粒径のポリシリコン１１１
４を形成する。このときに形成されたポリシリコン膜は
注入方向に対して１１０面が優先的に配向している。次
に第１図（Ｃ）に示すようにポリシリコン１４上にゲー
ト酸化膜７、そしてポリシリコンゲート電極６を形威し
てリンイオン注入によってソース・ドレイン領域を形成
する。シリコンにイオン注入する場合１１０面に垂直の
注入角で行うとイオンチャンネリングが起きて注入イオ
ンがポリシリコン膜を貫通して石英基板に数多く分布し
てソース・ドレインの不純物にならない。そこで、本実
施例ではリンイオン注入を第ｌ図（ａ）のシリコンイオ
ン注入とは注入角を５度以上変えて行う。最後に第１図
（ｄ）に示すように層間絶縁膜９アルミ配線８を形成し
てポリシリコン薄膜トランジスタを作製する。
方法の製造工程図である。はじめに石英基板３に減圧Ｃ
ＶＤ法を用いてポリシリコン膜を１５０ナノメータの厚
さで堆積する。次に第１図（ａ）のようにｌ００〜１５
０キロエレクトロンボルトの注入エネルギー、２ ｘ
１ ０”／ｃｊの注入量でシリコンイオン１をポリシリ
コン膜に注入してアモルファス化する。以上のようにし
て形成したアモルファスシリコン４を島状にパターン化
して、電気炉で摂氏６００度で数十時間アニールして再
結晶化を行い石英基板上に大粒径のポリシリコン１１１
４を形成する。このときに形成されたポリシリコン膜は
注入方向に対して１１０面が優先的に配向している。次
に第１図（Ｃ）に示すようにポリシリコン１４上にゲー
ト酸化膜７、そしてポリシリコンゲート電極６を形威し
てリンイオン注入によってソース・ドレイン領域を形成
する。シリコンにイオン注入する場合１１０面に垂直の
注入角で行うとイオンチャンネリングが起きて注入イオ
ンがポリシリコン膜を貫通して石英基板に数多く分布し
てソース・ドレインの不純物にならない。そこで、本実
施例ではリンイオン注入を第ｌ図（ａ）のシリコンイオ
ン注入とは注入角を５度以上変えて行う。最後に第１図
（ｄ）に示すように層間絶縁膜９アルミ配線８を形成し
てポリシリコン薄膜トランジスタを作製する。
本実施例ではドレイン領域にリンイオンを注入したがｎ
形またはｐ形の不純物になるものであれば河でもよく例
えばボロン，アンチモン，砒素，７ツ化ボロンでもよい
。
形またはｐ形の不純物になるものであれば河でもよく例
えばボロン，アンチモン，砒素，７ツ化ボロンでもよい
。
発明の効果
以上のように本発明はイオンチャンネリングを抑制する
ためにチャンネリングを起こしやすい注入角から離して
ソース・ドレイン領域形成のためのイオン注入を行うこ
とによって注入イオンがポリシリコン膜に分布するので
少ないイオン注入量でソース・ドレイン領域を形成でき
，その実用的効果は大なるものがある。
ためにチャンネリングを起こしやすい注入角から離して
ソース・ドレイン領域形成のためのイオン注入を行うこ
とによって注入イオンがポリシリコン膜に分布するので
少ないイオン注入量でソース・ドレイン領域を形成でき
，その実用的効果は大なるものがある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例の薄膜トランジ
スタの製造方法の製作工程図である。 １・・・・・・シリコンイオン注入、２・・・・・・ア
モルファスシリコン、３・・・・・・石英基板、４・・
・・・・再結晶化シリコン、５・・・・・・リンイオン
注入、６・・・・・・ゲート電極、７・・・・・・ゲー
ト酸化膜、８・・・・・・アルミ配線、９・・・・・・
層間絶縁膜。
スタの製造方法の製作工程図である。 １・・・・・・シリコンイオン注入、２・・・・・・ア
モルファスシリコン、３・・・・・・石英基板、４・・
・・・・再結晶化シリコン、５・・・・・・リンイオン
注入、６・・・・・・ゲート電極、７・・・・・・ゲー
ト酸化膜、８・・・・・・アルミ配線、９・・・・・・
層間絶縁膜。
Claims (1)
- 絶縁基板上の配向性を持つ多結晶半導体膜に形成した薄
膜トランジスタの製造方法においてソース・ドレイン領
域形成のためのイオン注入をイオンチャンネリング方向
より５度以上離れた注入角度で行うことを特徴とする薄
膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538489A JPH0320084A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15538489A JPH0320084A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320084A true JPH0320084A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15604772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15538489A Pending JPH0320084A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320084A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6017783A (en) * | 1991-05-16 | 2000-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device using an insulated gate electrode as a mask |
| US6331723B1 (en) | 1991-08-26 | 2001-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device having at least two transistors having LDD region in one pixel |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6288365A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JPS62154622A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62293773A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63307776A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置とその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15538489A patent/JPH0320084A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6288365A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JPS62154622A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62293773A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63307776A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置とその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6017783A (en) * | 1991-05-16 | 2000-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device using an insulated gate electrode as a mask |
| US6555843B1 (en) | 1991-05-16 | 2003-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US6331723B1 (en) | 1991-08-26 | 2001-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device having at least two transistors having LDD region in one pixel |
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