JPH04144123A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04144123A JPH04144123A JP26695890A JP26695890A JPH04144123A JP H04144123 A JPH04144123 A JP H04144123A JP 26695890 A JP26695890 A JP 26695890A JP 26695890 A JP26695890 A JP 26695890A JP H04144123 A JPH04144123 A JP H04144123A
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に係わり、特に、絶縁
性非晶質材料上に半導体素子を形成する製造方法に関す
る。
性非晶質材料上に半導体素子を形成する製造方法に関す
る。
［従来の技術］
ガラス、石英等の絶縁性非晶質基板や、５ｉ０２等の絶
縁性非晶質層上に、高性能な半導体装置を形成する試み
が成されている。
縁性非晶質層上に、高性能な半導体装置を形成する試み
が成されている。
近年、大型で高解像度の液晶表示パネルや、１速で高解
像度の密着型イメージセンサや三次元ＩＣ等へのニーズ
が高まるにつれて、上述のような絶縁性非晶質材料上の
高性能な半導体素子の実現が待望されている。
像度の密着型イメージセンサや三次元ＩＣ等へのニーズ
が高まるにつれて、上述のような絶縁性非晶質材料上の
高性能な半導体素子の実現が待望されている。
絶縁性非晶質材料上に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形
成する場合を例にとると、 （１）プラズマＣＶＤ法等
で形成した非晶質シリコンを素子材としたＴＰＴ、 （
２）ＣＶＤ法等で形成した多結晶シリコンを素子材とし
たＴＰＴ、 （３）溶融再結晶化法等で形成した単結晶
シリコンを素子材としたＴＰＴ等が検討されている。
成する場合を例にとると、 （１）プラズマＣＶＤ法等
で形成した非晶質シリコンを素子材としたＴＰＴ、 （
２）ＣＶＤ法等で形成した多結晶シリコンを素子材とし
たＴＰＴ、 （３）溶融再結晶化法等で形成した単結晶
シリコンを素子材としたＴＰＴ等が検討されている。
ところが、これらのＴＦＴのうち非晶質シリコンもしく
は多結晶シリコンを素子材としたＴＰＴは、単結晶シリ
コンを素子材とした場合に比べてＴＰＴの電界効果移動
度が大幅に低く（非晶質シリコンＴＦＴ ＜ １ｃ
ｍ２／Ｖ−ｓｅｃ 、 多結晶シリコンＴＦＴ
−１０ｃｍ２／Ｖ−ｓｅｃ）、高性能なＴＰＴの実現は
困難であった。
は多結晶シリコンを素子材としたＴＰＴは、単結晶シリ
コンを素子材とした場合に比べてＴＰＴの電界効果移動
度が大幅に低く（非晶質シリコンＴＦＴ ＜ １ｃ
ｍ２／Ｖ−ｓｅｃ 、 多結晶シリコンＴＦＴ
−１０ｃｍ２／Ｖ−ｓｅｃ）、高性能なＴＰＴの実現は
困難であった。
一方、レーザビーム等による溶融再結晶化法は、未だに
十分に完成した技術とは言えず、また、液晶表示パネル
の様に、大面積に素子を形成する必要がある場合には技
術的困難が特に大きい。
十分に完成した技術とは言えず、また、液晶表示パネル
の様に、大面積に素子を形成する必要がある場合には技
術的困難が特に大きい。
そこで、絶縁性非晶質材料上に高性能な半導体素子を形
成する簡便かつ実用的な方法として、大粒径の多結晶シ
リコンを低温で固相成長させる方法が注目され、研究が
進められている。 （ＴｈｉｎＳｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ
１００ （１９８３） ｐ、２２７ 、 ＪＪＡＰ
Ｖｏｌ、２５ Ｎ。
成する簡便かつ実用的な方法として、大粒径の多結晶シ
リコンを低温で固相成長させる方法が注目され、研究が
進められている。 （ＴｈｉｎＳｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ
１００ （１９８３） ｐ、２２７ 、 ＪＪＡＰ
Ｖｏｌ、２５ Ｎ。
、２ （１９８６） ｐ、Ｌ１２１）
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の固相成長法では、 （１）５５０°Ｃ〜
６５０℃程度のアニールを数時間〜数十時間行う必要が
あるため、基板としてコーニング社の７０５９等の安価
の基板を用いることができない。
６５０℃程度のアニールを数時間〜数十時間行う必要が
あるため、基板としてコーニング社の７０５９等の安価
の基板を用いることができない。
（２）５５０℃〜６５０℃程度の固相成長アニルを行っ
ただけでは、多結晶シリコンの結晶化率等の結晶性を十
分に向上させることができず、ＴＦＴの電界効果移動度
が１００ｃｍ２／Ｖ−ｓを上回る高性能なＴＰＴを形成
することが困難である等の問題があった。そこで、本発
明はより簡便がっ実用的な方法で、結晶性の高い多結晶
シリコンを低温で再現性良く形成し、高性能な半導体素
子を低温形成する方法を提供するものである。
ただけでは、多結晶シリコンの結晶化率等の結晶性を十
分に向上させることができず、ＴＦＴの電界効果移動度
が１００ｃｍ２／Ｖ−ｓを上回る高性能なＴＰＴを形成
することが困難である等の問題があった。そこで、本発
明はより簡便がっ実用的な方法で、結晶性の高い多結晶
シリコンを低温で再現性良く形成し、高性能な半導体素
子を低温形成する方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、
１）絶縁性非晶質材料上にシリコンを主体とする多結晶
半導体層を、弗素、塩素の内の少なくとも一方の元素を
含むガスを少なくとも用い、前記ガスをプラズマ状に励
起分解し、成膜する工程を少なくとも有することを特徴
とする。
半導体層を、弗素、塩素の内の少なくとも一方の元素を
含むガスを少なくとも用い、前記ガスをプラズマ状に励
起分解し、成膜する工程を少なくとも有することを特徴
とする。
２）前記絶縁性非晶質材料が歪点６００″Ｃ以下のガラ
ス基板であることを特徴とする。
ス基板であることを特徴とする。
３）前記工程の基板温度が３００’Ｃ〜４５０’Ｃであ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
４）前記工程の基板温度が４５０’Ｃ〜６００’Ｃであ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
５）前記多結晶半導体層の膜厚が５０Ａ〜２５０人であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
６）前記多結晶半導体層の少なくとも一部が、絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタのチャンネル領域を成すこと
を特徴とする。
ト型電界効果トランジスタのチャンネル領域を成すこと
を特徴とする。
７）前記多結晶半導体層の結晶化率が９８％以上である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
８）前記多結晶半導体層の結晶化率が９９．５％以上で
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
〔実施例］
第１図は、本発明の実施例における半導体装置の製造工
程図の一例である。尚、第１図では半導体素子として薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成する場合を例としてい
る。
程図の一例である。尚、第１図では半導体素子として薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成する場合を例としてい
る。
第１図において、 （ａ）は、ガラス、石英等の絶縁性
非晶質基板、もしくは５ｉ０２等の絶縁付非晶質材料層
等の絶縁性非晶質材料１０１上に多結晶シリコン層１０
２を形成する工程である。多結晶シリコン層の形成方法
としては、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度
３００’Ｃ〜４５０’Ｃ程度の低温で多結晶シリコンを
膜厚５０Ａ−１５００Ａ程度成膜する方法がある。ＰＣ
ＶＤ法では、通常、反応ガスとして、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ４）やジシラン（Ｓ１２Ｈ６）等を用いるが、この様
な反応ガスを用いた場合、３００℃〜４５０℃程度の基
板温度では、非晶質シリコンかせいぜい微結晶シリコン
が成膜されるだけであり、高品質な多結晶シリコンを成
膜することは困難である。しかし、反応ガスとして、上
述の５ｉＨｎ、Ｓｉ２Ｈ６等に加えて、弗素（Ｆ）、塩
素（ｃｌ）等の元素を含む反応ガスを適量混合すること
で、高品質な多結晶シリコン膜を低温形成できる。成膜
条件の一例を以下に示す。反応ガスとして、モノシラン
（ＳｉＨＪ）、ジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）
、Ｆ２を用い、混合比を例えば、５ｉＨｉ： ５ｉＨ
２Ｃ１２＝１： ２０〜１： ２００程度、 ５ｉＨ
−： Ｈ２＝１： １００〜１： １０００程度
に設定し、基板温度を３００ ”Ｃ〜４５０℃程度に保
持し、ｒｆパワーを印加し、反応ガスを分解し多結晶シ
リコンを成膜する。膜厚に関しては、多結晶シリコン層
を薄膜化すると、オフ電流が減少し、Ｖｔｈ ｌきい値
電圧）が減少する現象が知られている。従って、多結晶
シリコン層の膜厚は５００Å以下が望ましく、５０Ａ〜
２５０人程度が特に望ましい、従って、この様な薄膜で
かつ高品質な多結晶シリコンを形成することが特に重要
となる。基板温度が３００°Ｃ以下の場合は、上述の様
な薄膜では、結晶化率が低く、＜２２０＞配向性も見ら
れないが、基板温度を４００℃〜４５０℃程度にすると
５０Ａ〜２５０Ａ程度の薄膜でも、結晶化率９８％以上
で〈２２０〉に配向した高品質な多結晶シリコンを成膜
することができる。この様に、本発明によれば、基板温
度が４５０℃程度以下の低温で高品質の多結晶シリコン
膜を形成できるため、コーニング社の７０５９（歪点５
９３°Ｃ）等の安価なガラス基板上に高性能なｐｏｌｙ
−５ｉＴＦＴを形成することができる。尚、本実施例で
は反応ガスとして、５ｉＨ２Ｃ１２を用いる場合を示し
たが、これに限定されるものではない。例えば５ＬＣＩ
４．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１３、Ｃ１２，５ｉＦｎ
、ＳｉＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ３Ｆ、５ｉ２Ｆａ
、Ｆ２、ＨＣｌ等のＦ（弗素）もしくはＣ１（塩素）の
うちの少なくとも一方の元素を含むエツチング性を有す
る反応ガスとＳｉＨ４、Ｓｉ−！Ｈ８、Ｓｉ〕Ｈａ等の
反応ガスを適量混合し、水素ガスで十分希釈することで
、高品質な多結晶シリコンを低温で成膜することができ
る。
非晶質基板、もしくは５ｉ０２等の絶縁付非晶質材料層
等の絶縁性非晶質材料１０１上に多結晶シリコン層１０
２を形成する工程である。多結晶シリコン層の形成方法
としては、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度
３００’Ｃ〜４５０’Ｃ程度の低温で多結晶シリコンを
膜厚５０Ａ−１５００Ａ程度成膜する方法がある。ＰＣ
ＶＤ法では、通常、反応ガスとして、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ４）やジシラン（Ｓ１２Ｈ６）等を用いるが、この様
な反応ガスを用いた場合、３００℃〜４５０℃程度の基
板温度では、非晶質シリコンかせいぜい微結晶シリコン
が成膜されるだけであり、高品質な多結晶シリコンを成
膜することは困難である。しかし、反応ガスとして、上
述の５ｉＨｎ、Ｓｉ２Ｈ６等に加えて、弗素（Ｆ）、塩
素（ｃｌ）等の元素を含む反応ガスを適量混合すること
で、高品質な多結晶シリコン膜を低温形成できる。成膜
条件の一例を以下に示す。反応ガスとして、モノシラン
（ＳｉＨＪ）、ジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）
、Ｆ２を用い、混合比を例えば、５ｉＨｉ： ５ｉＨ
２Ｃ１２＝１： ２０〜１： ２００程度、 ５ｉＨ
−： Ｈ２＝１： １００〜１： １０００程度
に設定し、基板温度を３００ ”Ｃ〜４５０℃程度に保
持し、ｒｆパワーを印加し、反応ガスを分解し多結晶シ
リコンを成膜する。膜厚に関しては、多結晶シリコン層
を薄膜化すると、オフ電流が減少し、Ｖｔｈ ｌきい値
電圧）が減少する現象が知られている。従って、多結晶
シリコン層の膜厚は５００Å以下が望ましく、５０Ａ〜
２５０人程度が特に望ましい、従って、この様な薄膜で
かつ高品質な多結晶シリコンを形成することが特に重要
となる。基板温度が３００°Ｃ以下の場合は、上述の様
な薄膜では、結晶化率が低く、＜２２０＞配向性も見ら
れないが、基板温度を４００℃〜４５０℃程度にすると
５０Ａ〜２５０Ａ程度の薄膜でも、結晶化率９８％以上
で〈２２０〉に配向した高品質な多結晶シリコンを成膜
することができる。この様に、本発明によれば、基板温
度が４５０℃程度以下の低温で高品質の多結晶シリコン
膜を形成できるため、コーニング社の７０５９（歪点５
９３°Ｃ）等の安価なガラス基板上に高性能なｐｏｌｙ
−５ｉＴＦＴを形成することができる。尚、本実施例で
は反応ガスとして、５ｉＨ２Ｃ１２を用いる場合を示し
たが、これに限定されるものではない。例えば５ＬＣＩ
４．５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣ１３、Ｃ１２，５ｉＦｎ
、ＳｉＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ３Ｆ、５ｉ２Ｆａ
、Ｆ２、ＨＣｌ等のＦ（弗素）もしくはＣ１（塩素）の
うちの少なくとも一方の元素を含むエツチング性を有す
る反応ガスとＳｉＨ４、Ｓｉ−！Ｈ８、Ｓｉ〕Ｈａ等の
反応ガスを適量混合し、水素ガスで十分希釈することで
、高品質な多結晶シリコンを低温で成膜することができ
る。
（ｂ）は、ゲート絶縁膜１０３を形成する工程である。
ゲート絶縁膜の形成方法としては、熱酸化法で８００°
Ｃ〜１２００℃程度の高温で形成する方法（高温プロセ
ス）と、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＰＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、７．、バッタ法等で４５０℃〜６５
０℃程度以下の低温で形成する方法（低温プロセス）が
ある、当然のことながら、基板としてガラスを用いた場
合は、ガラス基板の種類に応じて、プロセスの最高温度
を４５０°Ｃ〜６５０℃程度以下にしなければならない
。
Ｃ〜１２００℃程度の高温で形成する方法（高温プロセ
ス）と、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＰＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、７．、バッタ法等で４５０℃〜６５
０℃程度以下の低温で形成する方法（低温プロセス）が
ある、当然のことながら、基板としてガラスを用いた場
合は、ガラス基板の種類に応じて、プロセスの最高温度
を４５０°Ｃ〜６５０℃程度以下にしなければならない
。
（ｃ）は、半導体素子を形成する工程である。図におい
て、１０３はゲート絶縁膜、１０４はゲート電極、１０
５はソース・ドレイン領域、１０６は層間絶縁膜、１０
７はコンタクト穴、１０８は配線を示す。ＴＰＴ形成法
の一例としては、ゲート電極を形成後、ソース・ドレイ
ン領域をイオン注入法、プラズマドーピング法、イオン
シャワードーピング法等で形成し、層間絶縁膜をＣＶＤ
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等で形成する。続い
て、結晶粒界に存在する欠陥を低減する目的で、水素ガ
スもしくはアンモニアガス等を少なくとも含む気体のプ
ラズマ雰囲気にさらし、該層間絶縁膜にコンタクト穴を
開け、配線を形成することでＴＰＴが形成される。基板
としてコーニング社の７０５９等の安価なガラスを用い
た場合のソース・ドレイン領域の形成方法は、イオン注
入法やイオンシャワードーピング法等でボロン、リン等
の不純物を打ち込んだ後、エキシマレーザ−等を用いた
レーザーアニール法で不純物を活性化する方法や、ドー
ピングガスをレーザーで分解し熱拡散させるレーザドー
ピング法が有効である。特に、レーザーアニール法では
、打ち込まれた不純物を活性化することを目的とするた
め、多結晶シリコン層を必ずしも溶融再結晶化する必要
はない。従って、レーザーパワー密度をそれほど大きく
する必要もなく、エキシマレーザ−等の短波長レーザー
を用い、基板と多結晶シリコン層との間に窒化シリコン
層等のバッファ層を挟む等の対策を行えば、ガラス基板
表面近傍の温度を４５０°Ｃ程度以下に保ちながら不純
物を活性化することができる。
て、１０３はゲート絶縁膜、１０４はゲート電極、１０
５はソース・ドレイン領域、１０６は層間絶縁膜、１０
７はコンタクト穴、１０８は配線を示す。ＴＰＴ形成法
の一例としては、ゲート電極を形成後、ソース・ドレイ
ン領域をイオン注入法、プラズマドーピング法、イオン
シャワードーピング法等で形成し、層間絶縁膜をＣＶＤ
法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等で形成する。続い
て、結晶粒界に存在する欠陥を低減する目的で、水素ガ
スもしくはアンモニアガス等を少なくとも含む気体のプ
ラズマ雰囲気にさらし、該層間絶縁膜にコンタクト穴を
開け、配線を形成することでＴＰＴが形成される。基板
としてコーニング社の７０５９等の安価なガラスを用い
た場合のソース・ドレイン領域の形成方法は、イオン注
入法やイオンシャワードーピング法等でボロン、リン等
の不純物を打ち込んだ後、エキシマレーザ−等を用いた
レーザーアニール法で不純物を活性化する方法や、ドー
ピングガスをレーザーで分解し熱拡散させるレーザドー
ピング法が有効である。特に、レーザーアニール法では
、打ち込まれた不純物を活性化することを目的とするた
め、多結晶シリコン層を必ずしも溶融再結晶化する必要
はない。従って、レーザーパワー密度をそれほど大きく
する必要もなく、エキシマレーザ−等の短波長レーザー
を用い、基板と多結晶シリコン層との間に窒化シリコン
層等のバッファ層を挟む等の対策を行えば、ガラス基板
表面近傍の温度を４５０°Ｃ程度以下に保ちながら不純
物を活性化することができる。
第２図は、本発明の実施例における半導体装置の製造工
程図の別の一例である。
程図の別の一例である。
第２図において、 （ａ）は、ガラス、石英等の絶縁性
非晶質基板、もしくは５ｉＱ２等の絶縁性非晶質材料層
等の絶縁性非晶質材料２０１上にソース・ドレイン領域
を成す不純物をドープした多結晶シリコン層２０２を形
成し、所定の形状にパターン形成する工程である。多結
晶シリコン層の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法（
ＰＣＶＤ法）で基板温度３００°Ｃ〜４５０°Ｃ程度の
低温で多結晶シリコンをＭ厚５００Ａ〜３５００Ａ程度
成膜する方法がある。以下に、成膜条件の一例を示す。
非晶質基板、もしくは５ｉＱ２等の絶縁性非晶質材料層
等の絶縁性非晶質材料２０１上にソース・ドレイン領域
を成す不純物をドープした多結晶シリコン層２０２を形
成し、所定の形状にパターン形成する工程である。多結
晶シリコン層の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法（
ＰＣＶＤ法）で基板温度３００°Ｃ〜４５０°Ｃ程度の
低温で多結晶シリコンをＭ厚５００Ａ〜３５００Ａ程度
成膜する方法がある。以下に、成膜条件の一例を示す。
反応ガスどして、モノシラン（ＳｉＨ，）、ジクロルシ
ラン（ＳｉＨ２Ｃ１２）、Ｆ２を用い、混合比を例えば
、 ５ｉＨ＝： ５ｉＨ２Ｃ１２＝１： ２０〜１
： ２００程度、 ＳｉＨ４： Ｈ２＝１： １
００〜１： １０００程度に設定し、ドーピングガス
として、ジボラン（Ｂ ２ Ｈｓ ）またはホスフィン
（Ｐ Ｆ３）、アルシン（ＡＳＨ３）等を用い、例えば
、ＳｉＨ４：Ｂ２Ｈｅ＝１： ｏ、００２〜１：０．
０４程度の混合比で混合する。基板温度を３００°Ｃ〜
４５０℃程度に保持し、ｒｆパワーを印加し反応ガスを
分解し、不純物をドープした低抵抗多結晶シリコンを成
膜する。この様にして形成された多結晶シリコンのシー
ト抵抗は２０００人の膜厚で３０〜５０Ω／口であり、
低抵抗な多結晶シリコンを低温で成膜することができた
。尚、多結晶シリコンの形成方法はこれに限定されるも
のではない。
ラン（ＳｉＨ２Ｃ１２）、Ｆ２を用い、混合比を例えば
、 ５ｉＨ＝： ５ｉＨ２Ｃ１２＝１： ２０〜１
： ２００程度、 ＳｉＨ４： Ｈ２＝１： １
００〜１： １０００程度に設定し、ドーピングガス
として、ジボラン（Ｂ ２ Ｈｓ ）またはホスフィン
（Ｐ Ｆ３）、アルシン（ＡＳＨ３）等を用い、例えば
、ＳｉＨ４：Ｂ２Ｈｅ＝１： ｏ、００２〜１：０．
０４程度の混合比で混合する。基板温度を３００°Ｃ〜
４５０℃程度に保持し、ｒｆパワーを印加し反応ガスを
分解し、不純物をドープした低抵抗多結晶シリコンを成
膜する。この様にして形成された多結晶シリコンのシー
ト抵抗は２０００人の膜厚で３０〜５０Ω／口であり、
低抵抗な多結晶シリコンを低温で成膜することができた
。尚、多結晶シリコンの形成方法はこれに限定されるも
のではない。
（ｂ）は、チャンネル領域を成す多結晶シリコン層２０
３を形成する工程である。多結晶シリコン層の形成方法
としては、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度
３００℃〜４５０℃程度の低温で多結晶シリコンを膜厚
５０Å〜１５００人程度成膜する方法が有効である。成
膜条件の一例を以下に示す。反応ガスとして、５ＩＨ４
、ジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）、Ｆ２を用い
、混合比を例えば、ＳｉＨ４： ５ｉＨ２Ｃ１２＝１：
２０〜１： ２００程度、 ＳｉＨ＊： Ｈ２＝１
： １００〜］： １０００程度に設定し、基板温
度を３００°Ｃ〜４５０°Ｃ程度に保持し、ｒｆパワー
を印加し、反応ガスを分解し多結晶シリコンを成膜する
。膜厚に関しては、多結晶シリコン層を薄膜化すると、
オフ電流が減少し、Ｖｔｈ ｌきい値電圧）が減少する
現象が知られている。従って、多結晶シリコン層の膜厚
は５００Å以下が望ましく、５０Å〜２５０人程度が特
に望ましい。従って、この様な薄膜でかつ高品質な多結
晶シリコンを形成することが特に重要となる。基板温度
が３００℃以下の場合は、上述の様な薄膜では、結晶化
率が低く、＜２２０＞配向性も見られないが、基板温度
を４００°Ｃ〜４５０℃程度にすると５０Ａ〜２５０Ａ
程度の薄膜でも、結晶化率９８％以上で＜２２０＞に配
向した高品質な多結晶シリコンを成膜することができる
。この様に、本発明によれば、基板温度が４５０℃程度
以下の低温で高品質の多結晶シリコン膜を形成できるた
め、コーニング社の７０５９等の安価なガラス基板上に
高性能なｐｏｌｙ−３ｉＴＦＴを形成することができる
。尚、本実施例では反応ガスとして、５ｉＨ２Ｃ１２を
用いる場合を示したが、これに限定されるものではない
。例えばｓ １ｃ １４、Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２，５ｉＨ
Ｃ１３、Ｃ１２、Ｓ ｉ Ｆａ、Ｓ ｉ ＨＦ３、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２、ＳｉＨ３Ｆ、５１２Ｆ６、Ｆ２、ＨＣＩ等の
Ｆ（弗素）もしくはＣ１（塩素）のうちの少なくとも一
方の元素を含むエツチング性を有する反応ガスとＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉａＨｓ等の反応ガスを適量混合す
ることで、高品質な多結晶シリコンを低温で成膜するこ
とができる。
３を形成する工程である。多結晶シリコン層の形成方法
としては、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度
３００℃〜４５０℃程度の低温で多結晶シリコンを膜厚
５０Å〜１５００人程度成膜する方法が有効である。成
膜条件の一例を以下に示す。反応ガスとして、５ＩＨ４
、ジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）、Ｆ２を用い
、混合比を例えば、ＳｉＨ４： ５ｉＨ２Ｃ１２＝１：
２０〜１： ２００程度、 ＳｉＨ＊： Ｈ２＝１
： １００〜］： １０００程度に設定し、基板温
度を３００°Ｃ〜４５０°Ｃ程度に保持し、ｒｆパワー
を印加し、反応ガスを分解し多結晶シリコンを成膜する
。膜厚に関しては、多結晶シリコン層を薄膜化すると、
オフ電流が減少し、Ｖｔｈ ｌきい値電圧）が減少する
現象が知られている。従って、多結晶シリコン層の膜厚
は５００Å以下が望ましく、５０Å〜２５０人程度が特
に望ましい。従って、この様な薄膜でかつ高品質な多結
晶シリコンを形成することが特に重要となる。基板温度
が３００℃以下の場合は、上述の様な薄膜では、結晶化
率が低く、＜２２０＞配向性も見られないが、基板温度
を４００°Ｃ〜４５０℃程度にすると５０Ａ〜２５０Ａ
程度の薄膜でも、結晶化率９８％以上で＜２２０＞に配
向した高品質な多結晶シリコンを成膜することができる
。この様に、本発明によれば、基板温度が４５０℃程度
以下の低温で高品質の多結晶シリコン膜を形成できるた
め、コーニング社の７０５９等の安価なガラス基板上に
高性能なｐｏｌｙ−３ｉＴＦＴを形成することができる
。尚、本実施例では反応ガスとして、５ｉＨ２Ｃ１２を
用いる場合を示したが、これに限定されるものではない
。例えばｓ １ｃ １４、Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２，５ｉＨ
Ｃ１３、Ｃ１２、Ｓ ｉ Ｆａ、Ｓ ｉ ＨＦ３、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２、ＳｉＨ３Ｆ、５１２Ｆ６、Ｆ２、ＨＣＩ等の
Ｆ（弗素）もしくはＣ１（塩素）のうちの少なくとも一
方の元素を含むエツチング性を有する反応ガスとＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉａＨｓ等の反応ガスを適量混合す
ることで、高品質な多結晶シリコンを低温で成膜するこ
とができる。
（ｃ）は、ゲート絶縁膜２０４を形成する工程である。
ゲート絶縁膜の形成方法としては、熱酸化法で９００°
Ｃ〜１２００°Ｃ程度の高温で形成する方法（高温プロ
セス）と、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＰＣ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法、スパッタ法等で６５０°Ｃ程度以
下の低温で形成する方法（低温プロセス）がある、当然
のことながら、基板としてガラスを用いた場合は、低温
プロセスを採用しなければならない。
Ｃ〜１２００°Ｃ程度の高温で形成する方法（高温プロ
セス）と、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＰＣ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法、スパッタ法等で６５０°Ｃ程度以
下の低温で形成する方法（低温プロセス）がある、当然
のことながら、基板としてガラスを用いた場合は、低温
プロセスを採用しなければならない。
（ｄ）は、半導体素子を形成する工程である。２０２は
ソース・ドレイン領域、２０３はチャンネル領域を成す
多結晶シリコン層、２０４はゲート絶縁膜、２０５はゲ
ート電極、２０６は層間絶縁膜、２０７はコンタクト穴
、２０８は配線を示す、ＴＰＴ形成形成−例としては、
ゲート電極をＬＰＣＶＤ法等で多結晶シリコンを素子材
として形成後、層間絶縁膜をＣＶＤ法、スパッタ法、プ
ラズマＣＶＤ法等で形成し、続いて水素化を行う。さら
に、該層間絶縁膜にコンタクト穴を開け、配線を形成す
ることでＴＰＴが形成される。
ソース・ドレイン領域、２０３はチャンネル領域を成す
多結晶シリコン層、２０４はゲート絶縁膜、２０５はゲ
ート電極、２０６は層間絶縁膜、２０７はコンタクト穴
、２０８は配線を示す、ＴＰＴ形成形成−例としては、
ゲート電極をＬＰＣＶＤ法等で多結晶シリコンを素子材
として形成後、層間絶縁膜をＣＶＤ法、スパッタ法、プ
ラズマＣＶＤ法等で形成し、続いて水素化を行う。さら
に、該層間絶縁膜にコンタクト穴を開け、配線を形成す
ることでＴＰＴが形成される。
第３図は、本発明の実施例における半導体装置の製造工
程図の別の一例である。尚、第３図では３次元トランジ
スタへの簡里な応用例（スタックド型ＣＭＯ３）を示す
。
程図の別の一例である。尚、第３図では３次元トランジ
スタへの簡里な応用例（スタックド型ＣＭＯ３）を示す
。
第３図において、 （ａ）は、シリコン基板３０１にｐ
−ｗｅｌｌ領域３０２を形成し、ＬＯＧＯ５酸化法で素
子分離領域３０３を形成する工程である。
−ｗｅｌｌ領域３０２を形成し、ＬＯＧＯ５酸化法で素
子分離領域３０３を形成する工程である。
（ｂ）は、ゲート絶縁膜３０４を形成後、ゲート電極３
０５をｐｏｌｙ−３ｉ等を素子材とし形成後、所定の形
状にパターン形成し、ソース・ドレイン領域を成すｎ゛
拡散層３０６を形成する工程である。
０５をｐｏｌｙ−３ｉ等を素子材とし形成後、所定の形
状にパターン形成し、ソース・ドレイン領域を成すｎ゛
拡散層３０６を形成する工程である。
（ｃ）は、ゲート絶縁膜を成す絶縁層３０７を形成し、
コンタクトホールを開け、多結晶シリコン層３０８を形
成する工程である。多結晶シリコン層の形成方法として
は、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度３００
”Ｃ〜４５０℃程度の低温で多結晶シリコンを膜厚５０
Ａ〜１５００Ａ程度成膜する方法が有効である。反応ガ
スとして、５ｉＨａ、Ｓｉ ２ Ｈｓ等に加えて、弗素
（Ｆ）、塩素（Ｃ１）等の元素を含む反応ガスを適量混
合することで、高品質な多結晶シリコン膜を低番形成で
きる。成膜条件の一例を以下に示す。反応ガスとして、
ＳｉＨ４、ジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）、Ｆ
２を用い、混合比を例えば、Ｓ Ｉ Ｈａ： Ｓ ｉ
Ｈ２Ｃ１２＝ １：２０〜１： ２００程度、 Ｓ
ｉ ＨＡ： Ｈ２＝ １ ： １００〜１：
１０００程度に設定し、基板温度を３００℃〜４５０”
Ｃ程度に保持し、ｒｆパワーを印加し、反応ガスを分解
し多結晶シリコンを成膜する。膜厚に関しては、多結晶
シリコン層を薄膜化すると、オフ電流が減少し、Ｖｔｈ
ｌきい値電圧）が減少する現象が知られている。従っ
て、多結晶シリコン層の膜厚は５００Å以下が望ましく
、５０Ａ〜２５０Ａ程度が特に望ましい。従って、この
様な薄膜でかつ高品質な多結晶シリコンを形成すること
が特に重要となる。基板温度が３００℃以下の場合は、
結晶化率が低く、＜２２０＞配向性も見られないが、基
板温度を４００°Ｃ〜４５０℃程度にすると５０Ａ〜２
５０Ａ程度の薄膜でも、結晶化率９８％以上で＜２２０
＞に配向した高品質な多結晶シリコンを成膜することが
できる。
コンタクトホールを開け、多結晶シリコン層３０８を形
成する工程である。多結晶シリコン層の形成方法として
は、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度３００
”Ｃ〜４５０℃程度の低温で多結晶シリコンを膜厚５０
Ａ〜１５００Ａ程度成膜する方法が有効である。反応ガ
スとして、５ｉＨａ、Ｓｉ ２ Ｈｓ等に加えて、弗素
（Ｆ）、塩素（Ｃ１）等の元素を含む反応ガスを適量混
合することで、高品質な多結晶シリコン膜を低番形成で
きる。成膜条件の一例を以下に示す。反応ガスとして、
ＳｉＨ４、ジクロルシラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）、Ｆ
２を用い、混合比を例えば、Ｓ Ｉ Ｈａ： Ｓ ｉ
Ｈ２Ｃ１２＝ １：２０〜１： ２００程度、 Ｓ
ｉ ＨＡ： Ｈ２＝ １ ： １００〜１：
１０００程度に設定し、基板温度を３００℃〜４５０”
Ｃ程度に保持し、ｒｆパワーを印加し、反応ガスを分解
し多結晶シリコンを成膜する。膜厚に関しては、多結晶
シリコン層を薄膜化すると、オフ電流が減少し、Ｖｔｈ
ｌきい値電圧）が減少する現象が知られている。従っ
て、多結晶シリコン層の膜厚は５００Å以下が望ましく
、５０Ａ〜２５０Ａ程度が特に望ましい。従って、この
様な薄膜でかつ高品質な多結晶シリコンを形成すること
が特に重要となる。基板温度が３００℃以下の場合は、
結晶化率が低く、＜２２０＞配向性も見られないが、基
板温度を４００°Ｃ〜４５０℃程度にすると５０Ａ〜２
５０Ａ程度の薄膜でも、結晶化率９８％以上で＜２２０
＞に配向した高品質な多結晶シリコンを成膜することが
できる。
尚、第１図及び第２図に示した例では、基板として低融
点ガラスを用いた場合を示したため、４５０°Ｃ以上に
加熱することは困難であったが、本実施例ではプロセス
温度の上限を上げることができる。結晶化率を上げると
いう点では、基板温度は４５０℃〜６００℃程度で成膜
した膜のほうがさらに良好で、９９．５％以上の結晶化
率を達成でき、ＴＰＴのオン電流の増大及びオフ電流の
低減に有効である。この様に、本発明によれば、低温で
高品質の多結晶シリコン膜を形成できるため、本実施例
に示したスタックドｘｃＭｏｓを始め、高性能な３次元
ＩＣを低温で製造することができる。尚、本実施例では
反応ガスとして、Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２を用いる場合を示
したが、これに限定されるもノテはない。例えば５ｉＣ
１−１ＳｉＨ２Ｃ１ｚ、５ｉＨＣ１３、Ｃ１２、ＳｉＦ
４、Ｓ ｉ ＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２、Ｓ ｉ Ｈ３Ｐ、
Ｓ １２Ｆｓ、Ｆ２、ＨＣＩ等１７）Ｆ（弗素）も
しくはＣ１（塩素）のうちの少なくとも一方の元素を含
むエツチング性を有する反応ガスと５ｉＨａ、５ｉ２Ｈ
ｅ、５ｉ３Ｈｓ等の反応ガスを適量混合することで、高
品質な多結晶シリコンを低温で成膜することができる。
点ガラスを用いた場合を示したため、４５０°Ｃ以上に
加熱することは困難であったが、本実施例ではプロセス
温度の上限を上げることができる。結晶化率を上げると
いう点では、基板温度は４５０℃〜６００℃程度で成膜
した膜のほうがさらに良好で、９９．５％以上の結晶化
率を達成でき、ＴＰＴのオン電流の増大及びオフ電流の
低減に有効である。この様に、本発明によれば、低温で
高品質の多結晶シリコン膜を形成できるため、本実施例
に示したスタックドｘｃＭｏｓを始め、高性能な３次元
ＩＣを低温で製造することができる。尚、本実施例では
反応ガスとして、Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２を用いる場合を示
したが、これに限定されるもノテはない。例えば５ｉＣ
１−１ＳｉＨ２Ｃ１ｚ、５ｉＨＣ１３、Ｃ１２、ＳｉＦ
４、Ｓ ｉ ＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２、Ｓ ｉ Ｈ３Ｐ、
Ｓ １２Ｆｓ、Ｆ２、ＨＣＩ等１７）Ｆ（弗素）も
しくはＣ１（塩素）のうちの少なくとも一方の元素を含
むエツチング性を有する反応ガスと５ｉＨａ、５ｉ２Ｈ
ｅ、５ｉ３Ｈｓ等の反応ガスを適量混合することで、高
品質な多結晶シリコンを低温で成膜することができる。
（ｄ）は、ｐｏｌｙ−３ｉ層にソース・ドレイン領域を
成すｐ゛拡散層３１０を形成する工程である。
成すｐ゛拡散層３１０を形成する工程である。
ｐ°拡散層３１０の形成方法としては、 （１）イオン
インプラ法等で不純物を打ちこんだ後、７００”Ｃ〜９
００℃程度のアニールを３０分〜数時間行うか、レーザ
ーアニール、ランプアニール等で短時間の高温熱処理を
行い不純物の活性化する方法（第３図（ｄ））、 （２
）プラズマＣＶＤ法で低抵抗多結晶シリコンを低温成長
する方法（第４図）等がある。以下、 （２）の方法の
一例を示す。チャンネル領域を成す多結晶シリコン層３
０８を成膜する前に、ソース・ドレイン領域を成す不純
物をドープした多結晶シリコン層３０９をプラズマＣＶ
Ｄ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度３００°Ｃ〜４５０°Ｃ
程度の低温で成膜し、所定の形状にパターン形成する。
インプラ法等で不純物を打ちこんだ後、７００”Ｃ〜９
００℃程度のアニールを３０分〜数時間行うか、レーザ
ーアニール、ランプアニール等で短時間の高温熱処理を
行い不純物の活性化する方法（第３図（ｄ））、 （２
）プラズマＣＶＤ法で低抵抗多結晶シリコンを低温成長
する方法（第４図）等がある。以下、 （２）の方法の
一例を示す。チャンネル領域を成す多結晶シリコン層３
０８を成膜する前に、ソース・ドレイン領域を成す不純
物をドープした多結晶シリコン層３０９をプラズマＣＶ
Ｄ法（ＰＣＶＤ法）で基板温度３００°Ｃ〜４５０°Ｃ
程度の低温で成膜し、所定の形状にパターン形成する。
続いて、多結晶シリコン層３０８を工程（Ｃ）で説明し
た方法で成膜し、所定の形状にパターン形成する。不純
物をドープした多結晶シリコン層３０９の成膜条件の一
例を以下に示す。反応ガスとして、５ｘＨａ、ジクロル
シラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）、Ｈ２を用い、混合比を
例えば、Ｓ ｉ ＨＪ： Ｓ Ｉ Ｈ２Ｃ１２＝１：
２０〜１： ２００程度、 Ｓ ｉ Ｈ４：
Ｈ２＝ １＝１００〜１： １０００程度に設定し、
ドーピングガスとして、ジボラン（Ｂ ２ Ｈｓ ）等
を用い、倒えば、 Ｓ ｉ Ｈ４： Ｂ２Ｈ６＝ １
： Ｏ，ＯＯ２〜１： ０゜０４程度の混合比で混
合する。基板温度を３００°Ｃ〜４５０℃程度に保持し
、ｒｆパワーを印加し反応ガスを分解し、不純物をドー
プした低抵抗多結晶シリコンを成膜する。ただし、多結
晶シリコンの形成方法はこれに限定されるものではない
。
た方法で成膜し、所定の形状にパターン形成する。不純
物をドープした多結晶シリコン層３０９の成膜条件の一
例を以下に示す。反応ガスとして、５ｘＨａ、ジクロル
シラン（Ｓ ｉ Ｈ２Ｃ１２）、Ｈ２を用い、混合比を
例えば、Ｓ ｉ ＨＪ： Ｓ Ｉ Ｈ２Ｃ１２＝１：
２０〜１： ２００程度、 Ｓ ｉ Ｈ４：
Ｈ２＝ １＝１００〜１： １０００程度に設定し、
ドーピングガスとして、ジボラン（Ｂ ２ Ｈｓ ）等
を用い、倒えば、 Ｓ ｉ Ｈ４： Ｂ２Ｈ６＝ １
： Ｏ，ＯＯ２〜１： ０゜０４程度の混合比で混
合する。基板温度を３００°Ｃ〜４５０℃程度に保持し
、ｒｆパワーを印加し反応ガスを分解し、不純物をドー
プした低抵抗多結晶シリコンを成膜する。ただし、多結
晶シリコンの形成方法はこれに限定されるものではない
。
本発明に基づく半導体装置の製造方法を用い、低温プロ
セスで形成した多結晶シリコンＴＰＴ （Ｎチャンネル
）の電界効果移動度は２，１５０〜２００ｃｍ２／Ｖ−
ｓｅｅ程度であり、高性能なｐ。
セスで形成した多結晶シリコンＴＰＴ （Ｎチャンネル
）の電界効果移動度は２，１５０〜２００ｃｍ２／Ｖ−
ｓｅｅ程度であり、高性能なｐ。
１ｙ−３ｉＴＦＴを低温で形成することができた。
又、本発明は前述の通り低温プロセスに用いた場合、そ
の効果が最も大きいが、高温プロセスに用いた場合も有
効である。例えば、未結晶化領域の多い多結晶シリコン
を熱酸化すると、結晶領域に比べて酸化速度が大きい未
結晶化領域が先に酸化される。その結果、結晶粒界に沿
って酸化膜が形成され、移動度が低下するという現象を
生ずることがあった。しかし、本発明によれば、結晶化
率の高く、高配向の多結晶シリコン膜を成膜できるため
、前述の結晶粒界部に沿った酸化を抑えることができ、
その効果は極めて大きい。
の効果が最も大きいが、高温プロセスに用いた場合も有
効である。例えば、未結晶化領域の多い多結晶シリコン
を熱酸化すると、結晶領域に比べて酸化速度が大きい未
結晶化領域が先に酸化される。その結果、結晶粒界に沿
って酸化膜が形成され、移動度が低下するという現象を
生ずることがあった。しかし、本発明によれば、結晶化
率の高く、高配向の多結晶シリコン膜を成膜できるため
、前述の結晶粒界部に沿った酸化を抑えることができ、
その効果は極めて大きい。
又、チャンネル領域に不純物をドーピングして、ｖｔｈ
（しきい値電圧）を制御する手段も極めて有効である
。固相成長法で形成した多結晶シリコンＴＰＴでは、Ｎ
チャンネルトランジスタがデプレッション方向にｖｔｈ
がシフトし、Ｐチャンネルトランジスタがエンハンスメ
ント方向にシフトする傾向がある。又、上記ＴＰＴを水
素化した場合、その傾向がより顕著になる。そこで、チ
ャンネル領域に１０１５〜１０１ｇ／ｃｍ３程度の不純
物をドープすると、ｖｔｈのシフトを抑えることができ
る。例えば、第１図において、ゲート電極を形成する前
に、イオン注入法等でＢ（ボロン）等の不純物を１０′
１〜１０′１／Ｃｍ２程度のドーズ量で打ち込む等の方
法がある。特に、ドーズ量が前述の値程度であれば、Ｐ
チャンネルトランジスタ、Ｎチャンネルトランジスタ共
オフ電流が最小になるように、ｖｔｈを制御することが
できる。従って、ＣＭＯ３型のＴＰＴ素子を形成する場
合においてもＰｃｈ、Ｎｃｈを選択的にチャンネルドー
プせずに、全面を同一の工程でチャンネルドープするこ
ともできる。
（しきい値電圧）を制御する手段も極めて有効である
。固相成長法で形成した多結晶シリコンＴＰＴでは、Ｎ
チャンネルトランジスタがデプレッション方向にｖｔｈ
がシフトし、Ｐチャンネルトランジスタがエンハンスメ
ント方向にシフトする傾向がある。又、上記ＴＰＴを水
素化した場合、その傾向がより顕著になる。そこで、チ
ャンネル領域に１０１５〜１０１ｇ／ｃｍ３程度の不純
物をドープすると、ｖｔｈのシフトを抑えることができ
る。例えば、第１図において、ゲート電極を形成する前
に、イオン注入法等でＢ（ボロン）等の不純物を１０′
１〜１０′１／Ｃｍ２程度のドーズ量で打ち込む等の方
法がある。特に、ドーズ量が前述の値程度であれば、Ｐ
チャンネルトランジスタ、Ｎチャンネルトランジスタ共
オフ電流が最小になるように、ｖｔｈを制御することが
できる。従って、ＣＭＯ３型のＴＰＴ素子を形成する場
合においてもＰｃｈ、Ｎｃｈを選択的にチャンネルドー
プせずに、全面を同一の工程でチャンネルドープするこ
ともできる。
尚、本発明は、第１図の実施例に示したＴＰＴ以外にも
、絶縁ゲート型半導体素子全般に応用できるほか、バイ
ポーラトランジスタ、静電誘導型トランジスタ、太陽電
池・光センサをはじめとする充電変換素子等の半導体素
子を多結晶半導体を素子材として形成する場合にきわめ
て有効な製造方法となる。
、絶縁ゲート型半導体素子全般に応用できるほか、バイ
ポーラトランジスタ、静電誘導型トランジスタ、太陽電
池・光センサをはじめとする充電変換素子等の半導体素
子を多結晶半導体を素子材として形成する場合にきわめ
て有効な製造方法となる。
［発明の効果コ
以上述べたように、本発明によればより簡便な製造プロ
セスで大粒径で結晶化率の高い多結晶シリコン膜を形成
することが出来る。その結果、絶縁性非晶質材料上に高
性能な半導体素子を形成することが可能となり、大型で
高解像度の液晶表示パネルや高速で高解像度の密着型イ
メージセンサや三次元ＩＣ等を低温で簡便なプロセスで
製造できるようになった。
セスで大粒径で結晶化率の高い多結晶シリコン膜を形成
することが出来る。その結果、絶縁性非晶質材料上に高
性能な半導体素子を形成することが可能となり、大型で
高解像度の液晶表示パネルや高速で高解像度の密着型イ
メージセンサや三次元ＩＣ等を低温で簡便なプロセスで
製造できるようになった。
また、本発明は、第１図の実施例に示したＴＰＴ以外に
も、絶縁ゲート型半導体素子全般に応用できるほか、バ
イポーラトランジスタ、静電誘導型トランジスタ、太陽
電池・光センサをはじめとする充電変換素子等の半導体
素子を多結晶半導体を素子材として形成する場合にきわ
めて有効な製造方法となる。
も、絶縁ゲート型半導体素子全般に応用できるほか、バ
イポーラトランジスタ、静電誘導型トランジスタ、太陽
電池・光センサをはじめとする充電変換素子等の半導体
素子を多結晶半導体を素子材として形成する場合にきわ
めて有効な製造方法となる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例における半導体
装置の製造工程図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）に本発明の実施例における半導体
装置の製造工程図である。 第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における半導体
装置の製造工程図である。 第４区は本発明の実施例における半導体装置の断面図で
ある。 １０１．２０１ １０２．２０３，３０８ ・・・ １０３．２０４，３０４．３０７ １０４．２０５，３０５ ・・・ １０５．２０２ １０６．２０６ 絶縁性非晶質材料 多結晶シリコン層 ・・・ ゲート絶縁膜 ゲート電極 ソース・ドレイン領域 層間絶縁膜 １０７．２０７ １０８．２０８ コンタクト穴 配線 シリコン基板 素子分離領域 以 上 出願人セイコーエプソン株式会社 代理人弁理土鈴木喜三部（化１名） 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 簗１図（ｃ） 第２図（ｂ） 第２図（ｃ） 簗３図（ａ） 藁３図（ｂ） 第３図（ｃ） 第３図（ｄ） 第４図
装置の製造工程図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）に本発明の実施例における半導体
装置の製造工程図である。 第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における半導体
装置の製造工程図である。 第４区は本発明の実施例における半導体装置の断面図で
ある。 １０１．２０１ １０２．２０３，３０８ ・・・ １０３．２０４，３０４．３０７ １０４．２０５，３０５ ・・・ １０５．２０２ １０６．２０６ 絶縁性非晶質材料 多結晶シリコン層 ・・・ ゲート絶縁膜 ゲート電極 ソース・ドレイン領域 層間絶縁膜 １０７．２０７ １０８．２０８ コンタクト穴 配線 シリコン基板 素子分離領域 以 上 出願人セイコーエプソン株式会社 代理人弁理土鈴木喜三部（化１名） 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 簗１図（ｃ） 第２図（ｂ） 第２図（ｃ） 簗３図（ａ） 藁３図（ｂ） 第３図（ｃ） 第３図（ｄ） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁性非晶質材料上にシリコンを主体とする多結晶
半導体層を、弗素、塩素の内の少なくとも一方の元素を
含むガスを少なくとも用い、前記ガスをプラズマ状に励
起分解し、成膜する工程を少なくとも有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２）前記絶縁性非晶質材料が歪点６００℃以下のガラス
基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。 ３）前記工程の基板温度が３００℃〜４５０℃であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装
置の製造方法。 ４）前記工程の基板温度が４５０℃〜６００℃であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ５）前記多結晶半導体層の膜厚が５０Å〜２５０Åであ
ることを特徴とする請求項１〜請求項４記載の半導体装
置の製造方法。 ６）前記多結晶半導体層の少なくとも一部が、絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタのチャンネル領域を成すこと
を特徴とする請求項１〜請求項５記載の半導体装置の製
造方法。 ７）前記多結晶半導体層の結晶化率が９８％以上である
ことを特徴とする請求項１〜請求項６記載の半導体装置
の製造方法。 ８）前記多結晶半導体層の結晶化率が９９．５％以上で
あることを特徴とする請求項４〜請求項６記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26695890A JPH04144123A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26695890A JPH04144123A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144123A true JPH04144123A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17438060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26695890A Pending JPH04144123A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04144123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726084A (en) * | 1993-06-24 | 1998-03-10 | Northern Telecom Limited | Method for forming integrated circuit structure |
| US6514803B1 (en) | 1993-12-22 | 2003-02-04 | Tdk Corporation | Process for making an amorphous silicon thin film semiconductor device |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26695890A patent/JPH04144123A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726084A (en) * | 1993-06-24 | 1998-03-10 | Northern Telecom Limited | Method for forming integrated circuit structure |
| US6514803B1 (en) | 1993-12-22 | 2003-02-04 | Tdk Corporation | Process for making an amorphous silicon thin film semiconductor device |
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