JPH0319122A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。

従来の技術 記録，再生機器の小型化、高性．イ８化の為に記録密度
向上の努力は継続的に行われておシ、最近では強磁性金
属薄膜を磁気記録層として実用化することが待望される
に至っている〔アイイーイーイートラ／ザクシｊンズ　
オン　マグネティクス（ＩＲｊＥＫ　　ＴＲＡＮＳ▲Ｃ
ＴＩＯＮ８　　０Ｎ　ＭＡＧＮｆｆｉ’ｒＩＣＳ）ｖｏ
ｌ，　　ＭＡＧ−２１　．Ｎｏ−３　　．Ｐ，Ｐ．１２
１７〜１２２０（１９８５））。強磁性金属薄膜は材料
としての、姐合わせは多故考えられるが、現実的な可能
性が示されているものは少く、Ｇｏ　−　Ｏｒ等の垂直
磁化膜〔特公昭５８−９１号公報．特開昭６１−１　２
０３３１号公綴〕やｃｏ　−　Ｎｉ　．　Ｇｏ　−　Ｎ
ｉ−０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭４１−１
　９３８９号公報，特開昭５３−４２０１０号公報〕等
で、実用化の目的で最近ではもっぱら、保護潤滑層の開
発が検討の中心となっている。現状ではポリエチレンテ
レフタレートフィノレム等の高分子フィノレム上に直接
あるいは微粒子などの下塗りを１１った後、電子ビーム
蒸着法やスパッタリング法で強磁性金属薄膜を配し，そ
の面に直接溶剤に脂肪酸やバーフノレオロポリエーテノ
レ等の潤滑剤を溶かした溶液を迩布乾燥する法〔特開昭
６７−１　７９９４８号公報，特開昭６１　−１　７８
７１　８号公報〕や、酸化膜を介して潤滑剤を配する〔
特開昭６１　−１　５１　８３０号公報〕ことや，炭素
膜とフロロカーボン系の組み合わせ〔特開昭６１−１　
４２５２５号公報〕等が提案され、磁気ディスクではま
だ炭素膜が厚いとはいうものの一部実用化され、炭素質
についても検討が進み硬度を高めることの有用性〔米国
特許４７１　７６２２号明細・ｊ〕も知られるに至って
いる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら炭素膜を硬質化しダイヤモンドに近づける
ことで耐久性の向上は一般的に認められるものの、下地
の強磁性金属薄膜に異常突起がある時には，かえって１
耐久注が低下することがち９、それを避けるには多量の
潤滑剤を補助的に用いることが必要で、短波長になる程
大きく影響するスペーシ７グロスを増大させてしまうと
いった課櫃があり改善が望まれていた。

本発明は上配した事情に鑑みなされたもので、耐久性と
短波長記録性能を高水準でバランスさせた磁気記録媒体
を提供するものである。

課題を解決するための手段 上配した課極を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜上に配した硬質炭素膜の界崩近傍をグラ
ファイト状にしたものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は上配した楕成によタ、硬質膜が
受ける応力を界面のグラファイト層の変位で分散させ、
異常突起があってもそこで破壊することを防止すること
ができるようになｂ、全体の厚みを薄くしても耐久性を
確保できることになる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

〔実施例１〕 図・は本発明の．，Ｊ！施例の磁気記録媒体の拡大断面
図である。図で１はポリエチレンテレフタレート，ポリ
フェニレンサＩレフテイド，ポリエーテｌレエーテノレ
ケトン，ポリサルフォン，ポリアミドイミド，ポリイミ
ド等の高分子フィルムで必要に応じて微粒子道布，層や
みみず状の塗布層を配したものでもよい。２はＧｏ　，
　Ｇｏ−Ｎｉ　，　Ｇｏ−Ｃｊｒ　，　ｄｏ　−Ｔｉ　
，Ｃｏ−Ｔａ　，　Ｇｏ　−Ｍｏ　　．　ｃｏ　−　ｆ
ｌ　．　Ｃｏ　−Ｒｕ　，　Ｇｏ−Ｃｒ　−ＮｂｅＧｏ
　−Ｎｉ−０　．　Ｃｏ　−Ｎ　，　Ｆｅ　−Ｎ　．　
Ｃｏ　−Ｎｉ　−Ｆｅ−Ｈ等の強磁性金属薄膜で、鑞子
ビーム蒸着法，スパッタリング法等によｂ形成されるも
ので必要に応じてｓ＝　，　Ｇｅ　，　ｒｉ　，　ｃｒ
等の下地層やパーマロイ等の軟磁性眉を介して配しても
よい。３は硬質炭素模でヌープ硬，定で２２００（〜／
一）以上の高硬度を保有したダイアモンド状又はダイア
モンド薄膜を含むもので、４は界面厄誇をグラファイト
状炭素で構成したものであり、実際の厚み換算で２０人
から６０人の範囲でよく、かかる構戒を得るには円筒キ
ャンに沿わせて強磁性金屑薄ｔａを移動させながらスパ
ッタリング法の場合はターゲットを２枚低接して配置し
、グラファイト状の炭素膜が形成される条件とダイヤモ
ンド状硬質炭素膜が形或される条件とを設定し厚み方向
に制御することで得られ、他の方法も類似のや９方でよ
い。

６は潤滑剤で脂肪酸．バーフ〃オロ・カルボン酸．パー
７ルオロボリエーテ〃等で市販のものは勿論分子設計に
基づいてひとつの潤滑剤の性能を改善した合戊品でもよ
い。以下、更に具体的に本発明の実施列について比較例
との対比で説明する。

厚み１０μ扉のポリイミドフィルム上に、直径２　０　
０　７’−のＣｒ　２０，　　微粒子を１０ケ／（μｒ
ｎ）２配し、その上にひとつは直径１扉の円筒キャンに
沿ｂせて、設素分圧６　Ｘ　１　０−”　（　Ｔｏｒｒ
）　，最小入射角２０変でＧｏ　−Ｎｉ　（　Ｇｏ　，
　８　０　ｗｔ（Ｘ）を０．１５μｍ電子ビーム蒸着し
，もう一方は、直径５００１１の円筒キャン（キャン温
度１ａｏ”ｃ）に沿わせてＧｏ　−Ｏｒ　（　Ｃｏ　：
　７８ｗｔ％　　）をターゲ７｝にシテ１　３．５６　
（ＭＨｚ）．　１．９　（ｋｗ）　．▲ｒｏ．０４（Ｔ
Ｏｒｒ　）で０．２μｍのｃｏ　−　ｃｒ垂直磁化模を
形或した。

夫々に、グラファイトをターゲットにして真空槽を２室
に分けて、一方は▲ｒのみ、一方は▲ｒ−｝−Ｈ２の放
電ガスでスパッタリングを行えるようにして、炭素膜を
厚み方向に制御して製造し、更にその上にｒ１４滑剤を
塗布し、バックコート層を０．４μ扉配してから８ミリ
幅の磁気テープを準備した。一方比較例は、硬質炭素膜
とグラ７アイト状炭素膜を夫々配した以外は同じ構戒の
ものを用いた。夫々のテーブを改造した８ミリビデオデ
ッキによｂ１記録波長０．５μ扉を記録再生し、耐久注
を比較した。テープの条件と評価結果について第１表に
まとめて示した。

（以下余白） 第１表ようわかるように本発明品はスチル特性を任意の
１０ケ所で評価した最小のスチＭ寿命（出力が３　ｄＢ
低下するまでの時間で示した）が殆んど条件によらず安
定しているのに対し比較例はバラツキが大きく最小値は
低い直が示されている。

以上から本発明品の信頼・注は良好であう，特にスベー
シング損失が大きくなっていないことから高密度記録に
適することがわかる。

〔実施ｆｌＩ２） 課題を解決するための別の手段は、強磁性金属薄ｊ漢上
に配した炭化物薄膜の界面近傍がグラファイト状である
ようにじたものである。本発明の磁気記碌媒体は上配し
た構或によシ炭化物薄膜の硬さで受ける応力が界面低傍
のグラファイト部分の微小変位で均一分散し、局部破壊
を受けないようになク、全体の炭化物薄膜厚みを小さく
しても耐久注を確保できる。

本発明は実施例１と共通構戊要素の部分が殆んどである
が、強磁性金属薄膜上にグラ７アイト層が配され連続し
て炭化物薄膜が溝或されるところが特徴的である。炭化
物薄膜としてはＯｒ，Ｃ２・ＨｆＣ　，　Ｍｏ２Ｃ　．
　ＮｂＣ　，　ＴａＣ　．　Ｔｉｅ　．　ＷＣ　，　Ｖ
Ｃ　，ＺｒＣ　，　ＢＣ等が適している。グラファイト
をターゲットにしてスパッタリングするゾーンを２ケ所
連続して配し、壕ず▲ｒでスパッタリングし、次に、Ｔ
ｉｃｌ４　　と▲ｒの混合ガスで放電させて反応性スパ
ッタリングする方法や、グラファイトと金属を夫々ター
ゲットとして▲ｒでスパッタリングし、次にＣＨ４＋▲
ｒガスで放電させスパッタリングする等の方法を適宜工
夫すればよい。

以下、更に具体的に本発明の−Ｊ！施例を比綬例との対
比で説明する。

厚み９μ扉の芳香族ポリアミドフィ１レム上に直径１０
０人のＳｉｎ，微粒子を４０ケ／（μｍ）２配し、その
上に円筒キャン（直径５　０　ＬＭ・キャン温度１ｓｏ
’ｃ）に沿わせて、ひとつはＧｏ−Ｎｉ（　ｃｏ　：　
ｇｏ　ｗｔＸ）を４　Ｘ　１　０−５（　Ｔｏｒｒ　）
の酸素中で最小入射角２６度で０２μｍ電子ビーム蒸着
し、もう一方はＦｅを５　Ｘ　１０−５（Ｔｏｒｒ）の
ＮＨ，中で１　３．５　ｅ　（　ＭＨｚ）　　の高周波
イオンブレーテイング（最小入射角６６度）し、０．１
６μｍのＦａ−Ｎ膜を形或した。夫々にグラファイト層
を介し連続的に炭化物薄模を構成した保護膜を配し、潤
滑剤としてフオンプリンＺ−２　５を０．６　（　ｍｇ
ｌ　ｒｌ　）配し、０．６μｍのパックコート層を配し
、８ミリ福の磁気テープにした。夫々を７１イバンド８
ミリピデ，ｔ（ノー−ａ製ＫＶ−８９００）でＰＣＭ−
１１−７一率を比較した。テープの条件と評価結果を第
２表レて示した。

（以下余白） 発明の効果 以上のように本発明によれば、１耐久注と電気特性の凝
れた磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実樒例の磁気記婦媒体の拡大断面図である
。 １・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・強磁性金
属薄膜、３・・・・・硬質炭素膜、４・・・・・・グラ
ファイト状炭素。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性金属薄膜上に配した硬質炭素膜の界面近傍
   がグラフアイト状であることを特徴とする磁気記録媒体
   。
2. （２）強磁性金属薄膜上に配した炭化物薄膜の界面近傍
   がグラフアイト状であることを特徴とする磁気記録媒体
   。