JPH0290635A - 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリードフレームInfo
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- JPH0290635A JPH0290635A JP24501388A JP24501388A JPH0290635A JP H0290635 A JPH0290635 A JP H0290635A JP 24501388 A JP24501388 A JP 24501388A JP 24501388 A JP24501388 A JP 24501388A JP H0290635 A JPH0290635 A JP H0290635A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- lead
- island
- leads
- semiconductor device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 title 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産￥−１−の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置のリードフレームに関す
る。
る。
従来、この種の半導体装置のリードフレームは、第９図
及び第１０図に示すように、アイランドを持っている１
枚のリードフレームにより構成されており、第１１図（
ａ）、（ｂ）及び第１２図（ａ）、（ｂ）に示すように
各リードは−ｍ構造となっていた。
及び第１０図に示すように、アイランドを持っている１
枚のリードフレームにより構成されており、第１１図（
ａ）、（ｂ）及び第１２図（ａ）、（ｂ）に示すように
各リードは−ｍ構造となっていた。
」一連した従来のリードフレームは、半導体装置がいろ
いろな性能を持つと、ビン数が増えてい・く傾向にあり
、限られた面積のアイランドに半導体装置を収めるには
、リード幅を狭くする必要が出てくる。また、リード幅
を現状通りにしたい場合には、半導体装置の占有面積が
大きくなってしまつ。
いろな性能を持つと、ビン数が増えてい・く傾向にあり
、限られた面積のアイランドに半導体装置を収めるには
、リード幅を狭くする必要が出てくる。また、リード幅
を現状通りにしたい場合には、半導体装置の占有面積が
大きくなってしまつ。
前者の場合、リードが曲がりやすく、かつ折れやすくな
るという問題点がある。また、後者の場合占有面積が大
きくなり４使用される′重子機器の小型化傾向に対応で
きないという問題点があった。
るという問題点がある。また、後者の場合占有面積が大
きくなり４使用される′重子機器の小型化傾向に対応で
きないという問題点があった。
本発明の目的は、リードの変形がなく、電子機器の小型
化に対応できる樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
を提供することにある。
化に対応できる樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置のリードフレームは、半
導体チップの複数のアルミボンディングパッド電極のう
ち所定の電極を前記半導体チップを固着したアイランド
を持っている第１のリードフレームのリードにボンディ
ングし、アイランドの無い第２のリードフレームのリー
ドに前記ボンディングパッド電極のうちの残りのボンデ
ィングパッド電極をボンディングし、２層構造となって
いる。
導体チップの複数のアルミボンディングパッド電極のう
ち所定の電極を前記半導体チップを固着したアイランド
を持っている第１のリードフレームのリードにボンディ
ングし、アイランドの無い第２のリードフレームのリー
ドに前記ボンディングパッド電極のうちの残りのボンデ
ィングパッド電極をボンディングし、２層構造となって
いる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例のアイラ
ンドを持っているリードフレーム及びアイランドの無い
リードフレームの平面図、第２図は第１図（ａ）、（ｂ
）の組み合わせ後の平面図、第３図は第２図のリード先
端のボンディング後の要部拡大斜視図である。
ンドを持っているリードフレーム及びアイランドの無い
リードフレームの平面図、第２図は第１図（ａ）、（ｂ
）の組み合わせ後の平面図、第３図は第２図のリード先
端のボンディング後の要部拡大斜視図である。
第１の実施例は、第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、
アイランド側のリードの先がある方向に折れ曲がった形
状を有するアイランドを持っているリードフレーム１と
リードの先がアイランドを持っているリードフレーム１
とは逆方向に折れ曲がった形状のリードを持ち、かつア
イランドの無いリードフレーム２によって構成される。
アイランド側のリードの先がある方向に折れ曲がった形
状を有するアイランドを持っているリードフレーム１と
リードの先がアイランドを持っているリードフレーム１
とは逆方向に折れ曲がった形状のリードを持ち、かつア
イランドの無いリードフレーム２によって構成される。
第２図は、この２つのリードフレームを組み合わせたも
のであり、第３図に示すように、リード先端間に絶縁物
３をはんで接着させる。ここにおいて、上下とも絶縁さ
れているなめ、それぞれにボンディング線４を接続でき
、従来の２本のリードが二層のリード１本だけで済むこ
とになり、半導体装置全体のリード本数を半減できる。
のであり、第３図に示すように、リード先端間に絶縁物
３をはんで接着させる。ここにおいて、上下とも絶縁さ
れているなめ、それぞれにボンディング線４を接続でき
、従来の２本のリードが二層のリード１本だけで済むこ
とになり、半導体装置全体のリード本数を半減できる。
第４図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例のアイラ
ンドを持っているリードフレーム及びアイランドの無い
リードフレームの平面図、第５図は第４図（ａ）、（ｂ
）の組み合わせ後の平面図、第６図は第５図のリード先
端のボンディング後の要部拡大斜視図である。
ンドを持っているリードフレーム及びアイランドの無い
リードフレームの平面図、第５図は第４図（ａ）、（ｂ
）の組み合わせ後の平面図、第６図は第５図のリード先
端のボンディング後の要部拡大斜視図である。
第２の実施例は、第４図（ａ）、（ｂ）、第５図及び第
６図に示すように、アイランドを持っているリードフレ
ーム１とリードフレーム１よりリード長の短かくアイラ
ンドの無いリードフレーム２を用いた実施例であり、こ
の２つを重ね合わせる。他の構造については第１の実施
例と同様である。
６図に示すように、アイランドを持っているリードフレ
ーム１とリードフレーム１よりリード長の短かくアイラ
ンドの無いリードフレーム２を用いた実施例であり、こ
の２つを重ね合わせる。他の構造については第１の実施
例と同様である。
以上説明したように本発明は、リードフレームを２層構
造とする事により得られる第１の効果は、第１１図（ａ
）、（ｂ）のような従来のリードフレーム構造を持つ半
導体装置と同じ占有面積の半導体装置を作る場合、第７
図（ａ）、（ｂ）に示すようにリード・−輻を細める事
がなく、従って、リードが曲がりに＜＜、折れにくいと
いう点があげられる。
造とする事により得られる第１の効果は、第１１図（ａ
）、（ｂ）のような従来のリードフレーム構造を持つ半
導体装置と同じ占有面積の半導体装置を作る場合、第７
図（ａ）、（ｂ）に示すようにリード・−輻を細める事
がなく、従って、リードが曲がりに＜＜、折れにくいと
いう点があげられる。
又、第２の効果としては第１２図（ａ＞、（ｂ）のよう
な従来の半導体装置と同じリード幅を持つ半導体装置を
作る場合、第８図（ａ）、（ｂ）に示すように占有面積
の縮小が図れる点があげられる。
な従来の半導体装置と同じリード幅を持つ半導体装置を
作る場合、第８図（ａ）、（ｂ）に示すように占有面積
の縮小が図れる点があげられる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例のアイラ
ンドを持っているリードフレーム及びアイランドの無い
リードフレームの平面図、第２図は第１図（ａ）、（ｂ
）の組み合わせ後の平面図、第３図は第２図のリード先
端のボンディング後の要部拡大斜視図、第４図（ａ）、
（ｂ）は本発明の第２の実施例のアイランドを持ってい
るリードフレーム及びアイランドの無いリードフレーム
の平面図、第５図は第４図（ａ）、（ｂ）の組み合わせ
後の平面図、第６図は第５図のリード先端のボンディン
グ後の要部拡大斜視図、第７図（ａ）、（ｂ）は本発明
の実施例の第１の効果を説明する要部平面図及び要部側
面図、第８図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例の第２の
効果を説明する要部平面図及び要部側面図、第９図は従
来のリードフレームの一例の平面図、第１０図は第９図
のリード先端のボンディング後の要部拡大斜視図、第１
１図（ａ）、（ｂ）は従来のリードフレームの一例のボ
ンディング後の要部平面図及び要部側面図、第１２図（
ａ）、（ｂ）は従来のリードフレームの他の例のボンデ
ィング後の要部平面図及び要部側面図である。 １・・・アイランドを持っているリードフレーム、２・
・・アイランドの無いリードフレーム、３・・・絶縁物
、４・・・ボンディング線、５・・・圧こん、６・・・
ベレット、７・・・ボンディングパット電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 第 旧 第δ 父
ンドを持っているリードフレーム及びアイランドの無い
リードフレームの平面図、第２図は第１図（ａ）、（ｂ
）の組み合わせ後の平面図、第３図は第２図のリード先
端のボンディング後の要部拡大斜視図、第４図（ａ）、
（ｂ）は本発明の第２の実施例のアイランドを持ってい
るリードフレーム及びアイランドの無いリードフレーム
の平面図、第５図は第４図（ａ）、（ｂ）の組み合わせ
後の平面図、第６図は第５図のリード先端のボンディン
グ後の要部拡大斜視図、第７図（ａ）、（ｂ）は本発明
の実施例の第１の効果を説明する要部平面図及び要部側
面図、第８図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例の第２の
効果を説明する要部平面図及び要部側面図、第９図は従
来のリードフレームの一例の平面図、第１０図は第９図
のリード先端のボンディング後の要部拡大斜視図、第１
１図（ａ）、（ｂ）は従来のリードフレームの一例のボ
ンディング後の要部平面図及び要部側面図、第１２図（
ａ）、（ｂ）は従来のリードフレームの他の例のボンデ
ィング後の要部平面図及び要部側面図である。 １・・・アイランドを持っているリードフレーム、２・
・・アイランドの無いリードフレーム、３・・・絶縁物
、４・・・ボンディング線、５・・・圧こん、６・・・
ベレット、７・・・ボンディングパット電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 第 旧 第δ 父
Claims (1)
- 半導体チップの複数のアルミボンディングパッド電極の
うち所定の電極を前記半導体チップを固着したアイラン
ドを持っている第１のリードフレームのリードにボンデ
ィングし、アイランドの無い第２のリードフレームのリ
ードに前記ボンディングパッド電極のうちの残りのボン
ディングパッド電極をボンディングし、２層構造とした
事を特徴とする樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24501388A JPH0290635A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24501388A JPH0290635A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290635A true JPH0290635A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17127277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24501388A Pending JPH0290635A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996031906A1 (en) * | 1995-04-05 | 1996-10-10 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24501388A patent/JPH0290635A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996031906A1 (en) * | 1995-04-05 | 1996-10-10 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
| US5864173A (en) * | 1995-04-05 | 1999-01-26 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
| US5994768A (en) * | 1995-04-05 | 1999-11-30 | National Semiconductor Corporation | Multi-layer lead frame |
| US6087204A (en) * | 1995-04-05 | 2000-07-11 | National Semiconductor Corporation | Method of making a multi-layer lead frame |
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