JPH07161908A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH07161908A JPH07161908A JP5309482A JP30948293A JPH07161908A JP H07161908 A JPH07161908 A JP H07161908A JP 5309482 A JP5309482 A JP 5309482A JP 30948293 A JP30948293 A JP 30948293A JP H07161908 A JPH07161908 A JP H07161908A
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- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は役割の異なるリードが交差するリー
ドフレームを使用する半導体装置に関し、ワイヤと他リ
ード等との短絡を回避し、ワイヤの配線の安定性向上を
図ることを目的とする。 【構成】 電極パッド３２a が形成された半導体チップ
３２を搭載したステージフレーム３３と、リードフレー
ム３５と、バスバーフレーム３６とを重ね合わせてマル
チフレーム構造とする。そして、リードフレーム３５の
リード端子３７にバスバーフレーム３６のバスバー３８
の交差部分で立体部３９a を形成して配置すると共に、
該リード端子３７とバスバー３８をボンディングするワ
イヤ４０a，４０b が略同一長となるように配置する構
成とする。
ドフレームを使用する半導体装置に関し、ワイヤと他リ
ード等との短絡を回避し、ワイヤの配線の安定性向上を
図ることを目的とする。 【構成】 電極パッド３２a が形成された半導体チップ
３２を搭載したステージフレーム３３と、リードフレー
ム３５と、バスバーフレーム３６とを重ね合わせてマル
チフレーム構造とする。そして、リードフレーム３５の
リード端子３７にバスバーフレーム３６のバスバー３８
の交差部分で立体部３９a を形成して配置すると共に、
該リード端子３７とバスバー３８をボンディングするワ
イヤ４０a，４０b が略同一長となるように配置する構
成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、役割の異なるリードが
交差するリードフレームを使用する半導体装置に関す
る。
交差するリードフレームを使用する半導体装置に関す
る。
【０００２】近年、半導体装置は信頼性の向上が要求さ
れてきている。特に半導体装置の高集積化に伴って使用
されるリードフレームが微細化してきており、また複数
のリードフレームを使用するマルチフレーム構造のもの
もあり、ワイヤボンディングにおけるワイヤの他リード
との短絡を回避する必要がある。
れてきている。特に半導体装置の高集積化に伴って使用
されるリードフレームが微細化してきており、また複数
のリードフレームを使用するマルチフレーム構造のもの
もあり、ワイヤボンディングにおけるワイヤの他リード
との短絡を回避する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図５に、従来のマルチフレームの半導体
装置の構成図を示す。図５は、半導体装置１１のパッケ
ージング前の状態を示したもので、半導体チップ１２を
搭載したステージフレーム１３と、リード１４a 及びバ
スバー１４b が形成されたリードフレーム１４（後述す
る）とが例えばポイント溶接等で重ね合わされて構成さ
れる。
装置の構成図を示す。図５は、半導体装置１１のパッケ
ージング前の状態を示したもので、半導体チップ１２を
搭載したステージフレーム１３と、リード１４a 及びバ
スバー１４b が形成されたリードフレーム１４（後述す
る）とが例えばポイント溶接等で重ね合わされて構成さ
れる。
【０００４】半導体チップ１２には中央線上に所定数の
電極パッド１２a が形成されており、この電極パッド１
２a とリードフレーム１４のリード１４a 及びバスバー
１４ b との間でワイヤ１５a ，１５b により電気的接続
が行なわれる。すなわち、電極パッド１２a とリード１
４a とがワイヤ１５a で接続され、電極パッド１２aと
バスバー１４b とがワイヤ１５b で接続される（後述す
る）。
電極パッド１２a が形成されており、この電極パッド１
２a とリードフレーム１４のリード１４a 及びバスバー
１４ b との間でワイヤ１５a ，１５b により電気的接続
が行なわれる。すなわち、電極パッド１２a とリード１
４a とがワイヤ１５a で接続され、電極パッド１２aと
バスバー１４b とがワイヤ１５b で接続される（後述す
る）。
【０００５】ここで、図６に、図５のフレーム構造の説
明図を示す。図６（Ａ）はリードフレーム１４を示して
おり、図６（Ｂ）はステージフレームを示している。
明図を示す。図６（Ａ）はリードフレーム１４を示して
おり、図６（Ｂ）はステージフレームを示している。
【０００６】図６（Ａ）に示すリードフレーム１４は、
クレドール２１，２１間にタイバー２２が一体的に架設
され、タイバー２２に内側に延出して所定数のリード１
４aが一体的に形成されると共に、該リード１４a を所
定数の群で内包する環状のバスバー１４b が所定数一体
的に形成されたものである。
クレドール２１，２１間にタイバー２２が一体的に架設
され、タイバー２２に内側に延出して所定数のリード１
４aが一体的に形成されると共に、該リード１４a を所
定数の群で内包する環状のバスバー１４b が所定数一体
的に形成されたものである。
【０００７】また、図６（Ｂ）に示すステージフレーム
１３は、クレドール２３，２３よりサポートバー２
４a ，２４b を介してステージ２５が一体的に形成され
たもので、このステージ２５上に接着剤により半導体チ
ップ１２が搭載されるものである。
１３は、クレドール２３，２３よりサポートバー２
４a ，２４b を介してステージ２５が一体的に形成され
たもので、このステージ２５上に接着剤により半導体チ
ップ１２が搭載されるものである。
【０００８】一方、図７に、図５のワイヤボンディング
の説明図を示す。図７（Ａ）に示すように、ステージ２
５上に半導体チップ１２が搭載され、半導体チップ１２
の上方にリードフレーム１４のリード１４a が配置さ
れ、リード１４a の内側にバスバー１４b が配置されて
いる。そのため、リード１４a と半導体チップ１２の電
極パッド（１２a ）との間を接続するワイヤ１５a はバ
スバー１４b を飛び越えて配線される。
の説明図を示す。図７（Ａ）に示すように、ステージ２
５上に半導体チップ１２が搭載され、半導体チップ１２
の上方にリードフレーム１４のリード１４a が配置さ
れ、リード１４a の内側にバスバー１４b が配置されて
いる。そのため、リード１４a と半導体チップ１２の電
極パッド（１２a ）との間を接続するワイヤ１５a はバ
スバー１４b を飛び越えて配線される。
【０００９】一方、図７（Ｂ）に示すように、バスバー
１４b と半導体チップ１２の電極パッド（１２a ）との
間を接続するワイヤ１５b は間に何も介在されずに配線
される。
１４b と半導体チップ１２の電極パッド（１２a ）との
間を接続するワイヤ１５b は間に何も介在されずに配線
される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
ワイヤボンディングで使用されるワイヤ１５a ，１５b
は、径数十μｍの金線が一般的であり、強度が低く外力
が加えられたときに変形し易い。そのため、図７（Ａ）
に示すようにバスバー１４b を飛び越えた配線では、図
７（Ｃ）に示すようにワイヤ１５a がバスバー１４b に
短絡を生じるという問題がある。
ワイヤボンディングで使用されるワイヤ１５a ，１５b
は、径数十μｍの金線が一般的であり、強度が低く外力
が加えられたときに変形し易い。そのため、図７（Ａ）
に示すようにバスバー１４b を飛び越えた配線では、図
７（Ｃ）に示すようにワイヤ１５a がバスバー１４b に
短絡を生じるという問題がある。
【００１１】また、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、
リード１４a とのワイヤ１５a によるワイヤボンディン
グと、バスバー１４b とのワイヤ１５b によるワイヤボ
ンディングとで２種類の配線が必要であることから、ボ
ンディング性の低下やボンディング時間の増加を招くと
いう問題がある。
リード１４a とのワイヤ１５a によるワイヤボンディン
グと、バスバー１４b とのワイヤ１５b によるワイヤボ
ンディングとで２種類の配線が必要であることから、ボ
ンディング性の低下やボンディング時間の増加を招くと
いう問題がある。
【００１２】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、ワイヤと他リード等との短絡を回避し、ワイヤ
配線の安定性を図る半導体装置を提供することを目的と
する。
もので、ワイヤと他リード等との短絡を回避し、ワイヤ
配線の安定性を図る半導体装置を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、所定数の電
極パッドが形成された半導体チップがステージ上に搭載
され、該半導体チップの周辺に配置された配線端子と該
電極パッドとの間でワイヤにより電気的接続が行われる
半導体装置において、前記配線端子は、所定役割の所定
数のリード群で構成され、異なる役割の互いのリード群
の交差部分で立体的に配置させることにより解決させ
る。
極パッドが形成された半導体チップがステージ上に搭載
され、該半導体チップの周辺に配置された配線端子と該
電極パッドとの間でワイヤにより電気的接続が行われる
半導体装置において、前記配線端子は、所定役割の所定
数のリード群で構成され、異なる役割の互いのリード群
の交差部分で立体的に配置させることにより解決させ
る。
【００１４】そして、前記所定数のリード群における前
記ワイヤを接続する端部が、前記半導体チップの電極パ
ッドとの間で該ワイヤが略同一長さで接続される位置に
配置されて構成される。
記ワイヤを接続する端部が、前記半導体チップの電極パ
ッドとの間で該ワイヤが略同一長さで接続される位置に
配置されて構成される。
【００１５】
【作用】上述のように、所定役割の所定数のリード群で
配線端子が構成され、異なる役割の互いのリード群の交
差部分を立体的に配置させる。これにより、従来のよう
に異なる役割のリード群を平面的に配置することで配線
されるワイヤが他リード群を飛び越える状態を生じてい
たが、立体的に配置することで間に何も介在させずにワ
イヤ配線が可能となり、他リード群との短絡を回避させ
ることが可能となる。
配線端子が構成され、異なる役割の互いのリード群の交
差部分を立体的に配置させる。これにより、従来のよう
に異なる役割のリード群を平面的に配置することで配線
されるワイヤが他リード群を飛び越える状態を生じてい
たが、立体的に配置することで間に何も介在させずにワ
イヤ配線が可能となり、他リード群との短絡を回避させ
ることが可能となる。
【００１６】また、それぞれのリード群のワイヤ接続す
る端部がワイヤが同一長さとなる位置に配置されること
で、該ワイヤの長さ、配線形状が同一となり、ボンディ
ング時間が短縮し、ワイヤ配線の安定性を向上させるこ
とが可能となるものである。
る端部がワイヤが同一長さとなる位置に配置されること
で、該ワイヤの長さ、配線形状が同一となり、ボンディ
ング時間が短縮し、ワイヤ配線の安定性を向上させるこ
とが可能となるものである。
【００１７】
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成部を示す。
図１（Ａ）は半導体装置３１のパッケージング前の状態
における概略斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の
Ａ−Ａ断面の主要部分図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＢ
−Ｂ断面の主要部分図である。
図１（Ａ）は半導体装置３１のパッケージング前の状態
における概略斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の
Ａ−Ａ断面の主要部分図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＢ
−Ｂ断面の主要部分図である。
【００１８】図１（Ａ）〜（Ｃ）において、電極パッド
３２a が形成された半導体チップ３２がステージフレー
ム３３のステージ３４上に搭載されており、信号系リー
ド端子のリード群が一体的に形成された金属フレームで
あるリードフレーム３５と、電源系バスバーのリード群
が一体的に形成された金属フレームであるバスバーフレ
ーム３６とでそれぞれ重合されて構成される（後述す
る）。
３２a が形成された半導体チップ３２がステージフレー
ム３３のステージ３４上に搭載されており、信号系リー
ド端子のリード群が一体的に形成された金属フレームで
あるリードフレーム３５と、電源系バスバーのリード群
が一体的に形成された金属フレームであるバスバーフレ
ーム３６とでそれぞれ重合されて構成される（後述す
る）。
【００１９】すなわち、図１（Ａ）はステージフレーム
３３、リードフレーム３５、及びバスバーフレーム３６
が重ね合わされマルチフレーム（ＭＦ）のＬＯＣ（Lead
OnChip) 構造の半導体装置３１である。
３３、リードフレーム３５、及びバスバーフレーム３６
が重ね合わされマルチフレーム（ＭＦ）のＬＯＣ（Lead
OnChip) 構造の半導体装置３１である。
【００２０】この場合、リードフレーム３５の各リード
端子３７と、バスバーフレーム３６のバスバー３８との
交差部分で、該各リード３７に形成された山型台形状に
折曲された立体部３９a 内に非接触状態でバスバー３８
が位置される立体構造とされる。
端子３７と、バスバーフレーム３６のバスバー３８との
交差部分で、該各リード３７に形成された山型台形状に
折曲された立体部３９a 内に非接触状態でバスバー３８
が位置される立体構造とされる。
【００２１】また、各リード端子３７とバスバー３８の
ワイヤボンディングされる各端部が、ワイヤボンディン
グされるワイヤ配線が略同一長さ（同一形状）となる位
置に配置される。
ワイヤボンディングされる各端部が、ワイヤボンディン
グされるワイヤ配線が略同一長さ（同一形状）となる位
置に配置される。
【００２２】そして、図１（Ｂ）に示すように、半導体
チップ３２の所定の電極パッド３２ a と対応するリード
端子３７が例えば径数十μｍの金のワイヤ４０a により
ワイヤボンディングされて電気的接続が行われる。ま
た、図１（Ｃ）に示すように、バスバー３８と対応する
半導体チップ３２の所定の電極パッド３２a とが例えば
径数十μｍの金のワイヤ４０b によりワイヤボンディン
グされて電気的接続が行われる。
チップ３２の所定の電極パッド３２ a と対応するリード
端子３７が例えば径数十μｍの金のワイヤ４０a により
ワイヤボンディングされて電気的接続が行われる。ま
た、図１（Ｃ）に示すように、バスバー３８と対応する
半導体チップ３２の所定の電極パッド３２a とが例えば
径数十μｍの金のワイヤ４０b によりワイヤボンディン
グされて電気的接続が行われる。
【００２３】すなわち、半導体チップ３２の電極パッド
３２a に対応させて上述のようにリード端子３７とバス
バー３８の端部の配置させていることにより、ワイヤ４
０aとワイヤ４０b との長さは略同一長さになると共
に、略同一の配線形状となる。
３２a に対応させて上述のようにリード端子３７とバス
バー３８の端部の配置させていることにより、ワイヤ４
０aとワイヤ４０b との長さは略同一長さになると共
に、略同一の配線形状となる。
【００２４】ここで、図２に、図１のフレーム構造の説
明図を示す。図２（Ａ）はリードフレームの概略斜視
図、図２（Ｂ）はバスバーフレームの概略斜視図、図２
（Ｃ）はリードフレームとバスバーフレームを重ね合わ
せた概略斜視図である。
明図を示す。図２（Ａ）はリードフレームの概略斜視
図、図２（Ｂ）はバスバーフレームの概略斜視図、図２
（Ｃ）はリードフレームとバスバーフレームを重ね合わ
せた概略斜視図である。
【００２５】図２（Ａ）のリードフレーム３５は、平行
配置されたクレドール４１間に所定間隔でタイバー４２
a ，４２b が架設されるように鉄−ニッケル合金や銅合
金等で一体的に形成され、タイバー４２a ，４２b より
内側方向に所定数のリード端子３７が同一長さで延出さ
れて一体的に形成される。そして、リード端子３７の所
定位置（バスバー３８と交差する位置）を山型台形状に
プレスで折曲加工した立体部３９a がそれぞれ形成され
たものである。
配置されたクレドール４１間に所定間隔でタイバー４２
a ，４２b が架設されるように鉄−ニッケル合金や銅合
金等で一体的に形成され、タイバー４２a ，４２b より
内側方向に所定数のリード端子３７が同一長さで延出さ
れて一体的に形成される。そして、リード端子３７の所
定位置（バスバー３８と交差する位置）を山型台形状に
プレスで折曲加工した立体部３９a がそれぞれ形成され
たものである。
【００２６】また、図２（Ｂ）に示すバスバーフレーム
３６は、平行配置されたクレドール４３間に所定間隔で
タイバー４４a ，４４b が架設されるように銅合金（又
は鉄−ニッケル合金）等で一体的に形成されると共に、
タイバー４４a ，４４b より内側方向に所定数のバスバ
ー３８がリード端子３７と同一長さ及び同一高さになる
ようにシフトされて延出され、一体的に形成される。こ
のバスバー３８は、タイバー４４a ，４４b それぞれで
接続バー３８a ，３８b により一体的に連結される。な
お、上述のようにバスバー３８は、リードフレーム３５
の板厚分上方にシフトされて重ねたときにリード端子３
７と同一平面上に配置されるようにしている。これによ
り、アウタリードの曲げ加工時に長さが不揃いになるの
を防止している。
３６は、平行配置されたクレドール４３間に所定間隔で
タイバー４４a ，４４b が架設されるように銅合金（又
は鉄−ニッケル合金）等で一体的に形成されると共に、
タイバー４４a ，４４b より内側方向に所定数のバスバ
ー３８がリード端子３７と同一長さ及び同一高さになる
ようにシフトされて延出され、一体的に形成される。こ
のバスバー３８は、タイバー４４a ，４４b それぞれで
接続バー３８a ，３８b により一体的に連結される。な
お、上述のようにバスバー３８は、リードフレーム３５
の板厚分上方にシフトされて重ねたときにリード端子３
７と同一平面上に配置されるようにしている。これによ
り、アウタリードの曲げ加工時に長さが不揃いになるの
を防止している。
【００２７】そして、図２（Ｃ）に示すように、リード
フレーム３５とバスバーフレーム３６とを重ね合わせる
と、リード端子３７の立体部３９a とバスバー３８（接
続バー３８a ，３８b ）とで立体構造となり、リード端
子３７の一つの群を仕切るようにバスバー３８のワイヤ
ボンディングを行う端部が位置される。
フレーム３５とバスバーフレーム３６とを重ね合わせる
と、リード端子３７の立体部３９a とバスバー３８（接
続バー３８a ，３８b ）とで立体構造となり、リード端
子３７の一つの群を仕切るようにバスバー３８のワイヤ
ボンディングを行う端部が位置される。
【００２８】続いて、図３に、図１のステージフレーム
の説明図を示す。図３（Ａ）は半導体チップ３２を示し
ており、中心線上に電極パッド３２a が配列されて形成
される。図３（Ｂ）はステージフレーム３３を示したも
ので、平行配置されたクレドール４５に所定間隔でタイ
バー４６a ，４６b が銅合金（又は鉄−ニッケル合金）
等で一体的に形成され、タイバー４６a ，４６b 間で上
下タイバー４５よりサポートバー４７a ，４７b を介し
てステージ３４が一体的に形成されたものである。そし
て、ステージ３４上にダイス付け用の接着剤４８が塗布
され、図３（Ｃ）に示すように半導体チップ３２がダイ
ス付けされる。
の説明図を示す。図３（Ａ）は半導体チップ３２を示し
ており、中心線上に電極パッド３２a が配列されて形成
される。図３（Ｂ）はステージフレーム３３を示したも
ので、平行配置されたクレドール４５に所定間隔でタイ
バー４６a ，４６b が銅合金（又は鉄−ニッケル合金）
等で一体的に形成され、タイバー４６a ，４６b 間で上
下タイバー４５よりサポートバー４７a ，４７b を介し
てステージ３４が一体的に形成されたものである。そし
て、ステージ３４上にダイス付け用の接着剤４８が塗布
され、図３（Ｃ）に示すように半導体チップ３２がダイ
ス付けされる。
【００２９】この図３（Ｃ）のステージフレームに、図
２（Ｃ）に示すリードフレーム３５とバスバーフレーム
３６の重ねられたものが重ね合わされ、所定箇所を例え
ばポイント溶接して、図１（Ａ）のような構造とする。
すなわち、対向するリード端子３７及び対向するバスバ
ー３８（ワイヤボンディングされる端部）で形成される
空間に半導体チップ３２の電極パッド３２a が位置され
て、対応するそれぞれでワイヤボンディングされるもの
である。
２（Ｃ）に示すリードフレーム３５とバスバーフレーム
３６の重ねられたものが重ね合わされ、所定箇所を例え
ばポイント溶接して、図１（Ａ）のような構造とする。
すなわち、対向するリード端子３７及び対向するバスバ
ー３８（ワイヤボンディングされる端部）で形成される
空間に半導体チップ３２の電極パッド３２a が位置され
て、対応するそれぞれでワイヤボンディングされるもの
である。
【００３０】このように、電極パッド３２a とリード端
子３７及びバスバー３８との間でワイヤ４０a ，４０b
で行うボンディングは、これらの間に介在されるものが
なく行うことができ、従来（図７（Ｃ））に示すような
ワイヤ変形による他との短絡を回避することができる。
また、ワイヤ４０a ，４０b は略同一長さであって、略
同一形成で配線することができることから、ボンディン
グ時間が短縮され、ワイヤ配線の安定性を向上させるこ
とができ、ひいては半導体装置３１の信頼性を向上させ
ることができるものである。
子３７及びバスバー３８との間でワイヤ４０a ，４０b
で行うボンディングは、これらの間に介在されるものが
なく行うことができ、従来（図７（Ｃ））に示すような
ワイヤ変形による他との短絡を回避することができる。
また、ワイヤ４０a ，４０b は略同一長さであって、略
同一形成で配線することができることから、ボンディン
グ時間が短縮され、ワイヤ配線の安定性を向上させるこ
とができ、ひいては半導体装置３１の信頼性を向上させ
ることができるものである。
【００３１】次に、図４に、本発明の他の立体構造の説
明図を示す。図４（Ａ）ではリード端子３７にアーチ形
状の立体部３９b を形成する。図４（Ｂ）ではリード端
子３７に山型四角形状の立体部３９c を形成する。
明図を示す。図４（Ａ）ではリード端子３７にアーチ形
状の立体部３９b を形成する。図４（Ｂ）ではリード端
子３７に山型四角形状の立体部３９c を形成する。
【００３２】図４（Ｃ）ではリード端子２７の折曲部分
をハーフエッチングにより薄くしておき、この部分で山
型台形状の立体部３９d を形成する。これによれば、全
体の厚さを薄くすることができるものである。
をハーフエッチングにより薄くしておき、この部分で山
型台形状の立体部３９d を形成する。これによれば、全
体の厚さを薄くすることができるものである。
【００３３】また、図４（Ｄ）ではバスバー３８Ａのリ
ード端子３７との交差部分を例えばハーフエッチングに
より薄く形成するもので、その分リード端子３７の立体
部３９a （３９b ，３９c ）の高さを低くすることがで
き、図４（Ｃ）と同様に全体厚さを薄くすることができ
る。図４（Ｅ）は、図４（Ｃ）と図４（Ｄ）を組み合わ
せたもので、リード端子３７の薄い立体部３９d を形成
すると共にバスバー３８の交差部分を薄く形成してさら
に全体厚さを薄くすることができるものである。
ード端子３７との交差部分を例えばハーフエッチングに
より薄く形成するもので、その分リード端子３７の立体
部３９a （３９b ，３９c ）の高さを低くすることがで
き、図４（Ｃ）と同様に全体厚さを薄くすることができ
る。図４（Ｅ）は、図４（Ｃ）と図４（Ｄ）を組み合わ
せたもので、リード端子３７の薄い立体部３９d を形成
すると共にバスバー３８の交差部分を薄く形成してさら
に全体厚さを薄くすることができるものである。
【００３４】図４（Ｆ）では、バスバー３８（又は３８
Ａ）に対して逆に下方に立体部３９ e （又は３９d ）を
形成する。図４（Ｇ）では、リード端子３７には立体部
を形成せず、バスバー３８（接続バー３８a ）に、該リ
ード端子３７と交差する部分で立体部３８c1〜３８c3を
形成したものである。なお、図４（Ｇ）において、リー
ド端子３７がバスバー３８（接続バー３８a ）の立体部
３８c1〜３８c3を図４（Ｃ）〜（Ｅ）のように薄く形成
してもよい。
Ａ）に対して逆に下方に立体部３９ e （又は３９d ）を
形成する。図４（Ｇ）では、リード端子３７には立体部
を形成せず、バスバー３８（接続バー３８a ）に、該リ
ード端子３７と交差する部分で立体部３８c1〜３８c3を
形成したものである。なお、図４（Ｇ）において、リー
ド端子３７がバスバー３８（接続バー３８a ）の立体部
３８c1〜３８c3を図４（Ｃ）〜（Ｅ）のように薄く形成
してもよい。
【００３５】そして、図４（Ｈ）では、リード端子３７
とバスバー３８（接続バー３８a ）の交差部分で互いに
立体部３８c1，３９a を形成するものである。
とバスバー３８（接続バー３８a ）の交差部分で互いに
立体部３８c1，３９a を形成するものである。
【００３６】なお、図４（Ａ）〜（Ｈ）では立体構造の
例を示したものであって、これに限られるものではな
く、互いに立体交差していればその形状は問わない。
例を示したものであって、これに限られるものではな
く、互いに立体交差していればその形状は問わない。
【００３７】ところで、上記実施例では、マルチフレー
ム構造の半導体装置を例として説明したが、単一の金属
フレームで役割の異なるリード端子等を交差させること
で小型化、高信頼性等を図ることができる場合には、本
発明のように立体構造とすることにより実現することが
できるものである。
ム構造の半導体装置を例として説明したが、単一の金属
フレームで役割の異なるリード端子等を交差させること
で小型化、高信頼性等を図ることができる場合には、本
発明のように立体構造とすることにより実現することが
できるものである。
【００３８】また、上記実施例ではステージフレーム３
３を含めて３枚の金属フレームでマルチフレームを構成
した場合を示したが、金属フレームの数はリード群の役
割に応じて適宜選択されるものである。
３を含めて３枚の金属フレームでマルチフレームを構成
した場合を示したが、金属フレームの数はリード群の役
割に応じて適宜選択されるものである。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、所定役割
の所定数のリード群で配線端子を構成し、異なる役割の
互いのリード群の交差部分を立体的に配置すると共に、
ワイヤ長を略同一になるように配置することにより、ワ
イヤと他リード等との短絡を回避し、ワイヤ配線の安定
性の向上を図ることができ、半導体装置の信頼性を向上
させることができるものである。
の所定数のリード群で配線端子を構成し、異なる役割の
互いのリード群の交差部分を立体的に配置すると共に、
ワイヤ長を略同一になるように配置することにより、ワ
イヤと他リード等との短絡を回避し、ワイヤ配線の安定
性の向上を図ることができ、半導体装置の信頼性を向上
させることができるものである。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１のフレーム構造の説明図である。
【図３】図１のステージフレームの説明図である。
【図４】本発明の他の立体構造の説明図である。
【図５】従来のマルチフレームの半導体装置の構成図で
ある。
ある。
【図６】図５のフレーム構造の説明図である。
【図７】図５のワイヤボンディングの説明図である。
３１ 半導体装置 ３２ 半導体チップ ３２a 電極パッド ３３ ステージフレーム ３４ ステージ ３５ リードフレーム ３６ バスバーフレーム ３７ リード端子 ３８，３８Ａ バスバー ３８a ，３８b 接続バー ３９a 〜３９e 立体部
Claims (5)
- 【請求項１】 所定数の電極パッド（３２a ）が形成さ
れた半導体チップ（３２）がステージ（３４）上に搭載
され、該半導体チップ（３２）の周辺に配置された配線
端子と該電極パッド（３２a ）との間でワイヤ（４
０a ，４０b ）により電気的接続が行われる半導体装置
において、 前記配線端子は、所定役割の所定数のリード群（３７，
３８）で構成され、異なる役割の互いのリード群（３
７，３８）の交差部分で立体的に配置させることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記所定数のリード群（３７，３８）に
おける前記ワイヤ（４０a ，４０b ）を接続する端部
が、前記半導体チップ（３２）の電極パッド（３２a ）
との間でワイヤ（４０a ，４０b ）が略同一長さで接続
される位置に配置されることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項３】 前記配線端子は、信号系リード端子（３
７）のリード群と、電源系バスバー（３８）のリード群
とで構成されることを特徴とする請求項１又は２記載の
半導体装置。 - 【請求項４】 前記所定数のリード群（３７，３８）で
構成される前記配線端子が単一の金属フレームで形成さ
れることを特徴とする請求項１乃至３記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 前記配線端子が前記所定役割のリード群
（３７，３８）ごとの所定数の金属フレーム（３５，３
６）で構成され、前記半導体チップ（３２）を搭載する
前記ステージ（３４）が形成されたステージフレーム
（３３）と、該所定数の金属フレーム（３５，３６）を
重合させる構造とすることを特徴とする請求項１乃至３
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309482A JPH07161908A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309482A JPH07161908A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161908A true JPH07161908A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17993524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5309482A Withdrawn JPH07161908A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161908A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202485A (ja) * | 1997-05-30 | 2006-08-03 | Micron Technology Inc | ２５６Ｍｅｇダイナミックランダムアクセスメモリ |
| CN102214631A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 飞思卡尔半导体公司 | 用于半导体装置的引线框 |
| WO2019021679A1 (ja) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | 日本電産株式会社 | モータ |
-
1993
- 1993-12-09 JP JP5309482A patent/JPH07161908A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202485A (ja) * | 1997-05-30 | 2006-08-03 | Micron Technology Inc | ２５６Ｍｅｇダイナミックランダムアクセスメモリ |
| CN102214631A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 飞思卡尔半导体公司 | 用于半导体装置的引线框 |
| WO2019021679A1 (ja) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | 日本電産株式会社 | モータ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |