JP2828056B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＯＣ構造を有する半導体装置の
断面図を図１０（ａ）に、平面図を図１０（ｂ）に示
す。本構造は、大容量かつ多機能の大型の半導体素子
（以下、チップという）をパッケージ内に収納するのに
有効である。図１０に示すように、半導体装置用リード
フレーム（以下、リードフレームという）１の内部リー
ド１ａの下面にチップ２がその回路形成面が絶縁テープ
６側となるように絶縁テープ６により接着固着されてい
る。そして、チップ２上の電極３（以下、パッドとい
う）と内部リード１ａとは、金線８（以下、ワイヤーと
いう）を用いてワイヤーボンディング方式により電気的
に接続されている。７は、チップ２を気密封止している
封止樹脂である。
【０００３】この従来のＬＯＣ構造において、ワイヤー
８の結線形状（以下、ループ形状という）は図１０
（ａ）のように、内部リード１ａの高さ位置を上方に越
えた高さを有するものであって、その高さは、数十から
数百十μｍとなっており、半導体装置の薄型化の要求に
対する妨げとなっている。
【０００４】また図１１に、例えば特開平２−２４６１
２５号公報に開示された従来のＬＯＣ構造を有する半導
体装置の内部構造の斜視図を示す。図１１において、封
止樹脂１２により封止された大型のチップ１１の回路形
成面上の中央には、電源パッドおよび接地パッドおよび
信号パッドを含むパッド１３が長手方向に沿って一列に
配置されている。
【０００５】電源パッドおよび接地パッドは、電気ノイ
ズ改善のため複数設けられている。チップ１１上には、
複数のリード１４が引き回され、リード１４と所定のパ
ッド１３がワイヤーによりそれぞれ電気的に接続されて
いる。
【０００６】チップ１１の長手方向の両端にそれぞれ設
けられたリード１６は、互いに接続された構造となって
いる（以下、共通リードという）。この共通リード１６
は、複数の箇所でパッド１３が接続される電源リード，
接地リードとして使用される。ここで、複数のリード１
４のうち信号リード１４と信号パッド１３とは、共通リ
ード１６を跨いでワイヤーにより電気的に接続される。
【０００７】また図１２にＴＡＢテープを用いた半導体
装置の断面図を示す。本構造は、ＴＡＢリード４を保持
するＴＡＢテープ５の下面にチップ２が固着され、ＴＡ
Ｂリード４の一端とチップ２のパッド３が電気的に接続
され、ＴＡＢリード４の他端は、封止樹脂７から突出し
て外部まで延出している。
【０００８】また特開平５−８２５８５号公報には、Ｔ
ＡＢテープ，ＴＡＢリードを使用した半導体装置が開示
されている。このものにおいては、パッドとＴＡＢリー
ドとを接続する方式を採用し、かつ複数個の電源パッド
および接地パッドとＴＡＢリードとの接続を可能として
いる。これにより半導体素子の電気的特性の向上が図ら
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示された従来
のＬＯＣ構造の半導体装置は、ワイヤー８を用いてリー
ド１ａとパッド３とを接続しているが、その製造方法の
制約上、ワイヤー８のループ高さの確保が必要である。
従って、近年の半導体装置の薄型化の要求に対し更なる
薄型化を実現することは非常に困難となっていた。
【００１０】また図１１に示された従来のＬＯＣ構造の
半導体装置は、半導体装置の高集積化，高機能化のため
電源ノイズの低減等電気的特性の向上を目的とした複数
の電源パッド１３および接地パッド１３と電源リード１
６，接地リード１６との接続が不可欠ではあるが、他の
信号パッド１３とリード１４との接続は、共通リード１
６を跨いでワイヤー８により接続される必要があるた
め、そのワイヤー８と共通リード１６が接触しないよう
にループ高さを必然的に高くする必要があり、半導体装
置を薄型化できないという問題があった。
【００１１】また半導体装置の製造コスト低減を目的と
して、同一チップを使用して異なる機能を有する製品を
作るため、その切り替えを作動させるためのパッドが少
なくとも一つ以上チップ上に配置されている。これらの
パッドと電源リードあるいは接地リードとの接続の組み
合わせにより、数種の製品への切り替えが可能となって
いる。この製品機能の違いというのは、例えばＤＲＡＭ
を例に挙げると、同時入出力データ数等がある。
【００１２】従来、これらのパッドとリードとの接続
は、ワイヤーボンディングにより行われており、これを
図１３を参照して説明する。仮にタイプＩ機能を有する
製品を作るためには、リード１ｃにパッド３ｂとパッド
３ｃを接続する必要があるとする。
【００１３】また同じチップを用いてタイプＩＩ機能を
有する製品を作るためには、リード１ｃにパッド３ａと
パッド３ｄを接続する必要があるとすると、この場合リ
ード１ｃとパッド３ｄとを接続するワイヤー８がリード
１ｃの隣のリード１ｄ上を通過することになり、リード
１ｄとワイヤー８が接触する可能性があるため、ワイヤ
ーにより接続することが不可能となる。
【００１４】従って、タイプＩ，タイプＩＩの製品を製
造するためには、そのパッド配置，ワイヤーボンディン
グを考慮したそれぞれ別のリードフレームを準備する必
要があり、同一チップでありながら数種のリードフレー
ムを準備することとなり、リードフレームの共用化の妨
げとなっている。
【００１５】また図１２に示された薄型化を実現したＴ
ＡＢテープ５，ＴＡＢリード４を使用した半導体装置に
おいては、パッケージ外部に導出されたＴＡＢリード４
が数十μｍ程度の金属箔であるために容易に変形し、製
造工程中あるいは基盤実装時の取り扱いについては困難
を極めるものであった。
【００１６】本発明の目的は、上記のような問題点を解
消するためになされたものであって、ＬＯＣ構造を有す
る半導体装置において、内部リードとチップ電極との電
気的接続をＴＡＢ方式により行うことにより、薄型化を
実現する半導体装置及びその製造方法を提供することに
ある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、半導体装置用リードフ
レームと、ＴＡＢリードと、絶縁性ＴＡＢテープとを有
するＬＯＣ構造の半導体装置であって、半導体装置用リ
ードフレームは、複数のリードを有し、該リードの一面
側に半導体素子を絶縁テープにより定着させたものであ
り、複数のリードは、半導体素子の電極に対応して配置
されており、ＴＡＢリードは、前記半導体装置用リード
フレームのリードと前記半導体素子上の電極を電気的に
接続するものであり、絶縁性ＴＡＢテープは、電気絶縁
特性を有し、前記半導体素子の電極群を取り囲んで前記
半導体装置用リードフレームのリードの他面側に定着さ
れ、前記複数のＴＡＢリードを相互間を離間させて保持
するものであることを特徴とする半導体装置。
【００１８】前記半導体装置用リードフレームは、電源
電圧或いは接地電圧に保持される少なくとも一本の共通
リードを有しており、該共通リード上に前記絶縁性ＴＡ
Ｂテープを定着し、前記ＴＡＢリードにより半導体素子
上の電極とリードとを電気的に接続したものである。
【００１９】前記絶縁性ＴＡＢテープは、任意のＴＡＢ
リードとリードとの接続を可能とするスリットが設けら
れ、半導体素子の機能に合わせて任意の半導体素子上の
電極と任意のリードの接続をスリットを通して行なうよ
うにしたものである。
【００２０】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、素子搭載工程と、ＴＡＢテープ貼付工程と、接続工
程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法であっ
て、素子搭載工程は、半導体装置用リードフレームの複
数のリードの一面側に半導体素子を絶縁テープにより定
着させる処理であり、ＴＡＢテープ貼付工程は、電気絶
縁特性を有する絶縁性ＴＡＢテープを、前記半導体素子
の電極群を取り囲んで前記半導体装置用リードフレーム
のリードの他面側に定着させる処理であり、接続工程
は、 前記絶縁性ＴＡＢテープに相互間が電気的に絶縁
されて保持されたＴＡＢリードを用いて、前記半導体装
置用リードフレームのリードと前記半導体素子上の電極
を電気的に接続する処理である。
【００２１】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、素子搭載工程と、ＴＡＢテープ貼付工程と、接続工
程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法であっ
て、素子搭載工程は、半導体装置用リードフレームの複
数のリードの一面側に半導体素子を絶縁テープにより定
着させる処理であり、ＴＡＢテープ貼付工程は、電気絶
縁特性を有する絶縁性ＴＡＢテープを、前記半導体素子
の電極群を取り囲んで前記半導体装置用リードフレーム
のリードの他面側に定着させる処理であり、前記絶縁性
ＴＡＢテープは、任意のＴＡＢリードとリードとの接続
を可能とするスリットを有しており、接続工程は、 前
記絶縁性ＴＡＢテープに相互間が電気的に絶縁されて保
持されたＴＡＢリードを用い、半導体素子の機能に合わ
せて任意の半導体素子上の電極と任意のリードの接続を
スリットを通して行なう処理である。
【００２２】
【作用】本発明によれば、ＴＡＢリードによりチップ上
のパッドとリードとが電気的に接続されるため、前記リ
ード上のＴＡＢ接続に必要な厚さは、ＴＡＢリードとＴ
ＡＢテープの厚さ数十μｍと薄く抑えられ、リード上の
樹脂厚を薄くすることができ、より薄型の半導体装置を
得ることができる。
【００２３】また電気的特性を向上させる複数の電源パ
ッド及び接地パッドとリードとをＴＡＢリードにより共
通リードに電気的に接続し、かつ信号パッドと信号リー
ドとを接続するＴＡＢリードは、絶縁性ＴＡＢテープを
介して共通リードを跨ぎ、共通リードとが電気的な接触
を発生させないように電気的に接続でき、更にリード上
の厚さをＴＡＢリードとＴＡＢテープの厚さが数十μｍ
と薄く抑え、より優れた電気的特性を有する、より薄型
の半導体装置を得ることができる。
【００２４】さらにＴＡＢテープ上のＴＡＢリードの配
線を製品の機能切り替えの仕様を考慮して施しておけ
ば、その製品の機能の切り替えに応じて任意のパッドと
任意のリードとの電気的接続をＴＡＢリードにより行う
ことができるため、ＴＡＢリード，ＴＡＢテープおよび
リードフレームの共用化が図れる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００２６】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１を示す平面図、図２は、同断面図である。
【００２７】図において、本発明の実施形態１は、リー
ドフレーム１と、ＴＡＢリード４と、絶縁性ＴＡＢテー
プ５とを有している。リードフレーム１は、チップ２を
リード１ａに固着するための絶縁テープ６を裏面に有
し、かつチップ２のパッド３，３・・・に対応するリー
ド１ａ，１ａ・・・を有している。またＴＡＢリード４
は、リード１ａとチップ２のパッド３とを電気的に接続
するようになっている。また絶縁性ＴＡＢテープ５は、
絶縁テープ６が設けられた面と反対側のリード１ａの面
に設けられ、チップ２のパッド３群を取り囲むようにリ
ング状をなし、ＴＡＢリード４同士を互いに接触しない
ように所定の間隔に固定している。
【００２８】リードフレーム１のリード１ａ裏面側に
は、チップ２がその回路形成面が絶縁テープ６側となる
ように絶縁テープ６により接着固着され、リード１ａ表
面側には、ＴＡＢリード４を備えたＴＡＢテープ５が固
着され、ＴＡＢリード４の一端はリード１ａに、他端は
チップ２のパッド３にそれぞれ曲げ加工されて結合さ
れ、リード１ａとパッド３は、ＴＡＢリード４により電
気的に接続されている。
【００２９】また本発明の実施形態１に係る半導体装置
を製造するにあたっては、リードフレーム１の複数のリ
ード１ａの一面側にチップ２を絶縁テープ６により定着
させる処理（素子搭載工程）を行ない、次いで、電気絶
縁特性を有する絶縁性ＴＡＢテープ５をチップ２のパッ
ド３群を取り囲んでリードフレーム１のリード１ａの他
面側に定着させる処理（ＴＡＢテープ貼付工程）を行な
い、次いで、絶縁性ＴＡＢテープ５に相互間が電気的に
絶縁されて保持されたＴＡＢリード４を用いて、リード
フレーム１のリード１ａとチップ２のパッド３群を電気
的に接続する処理（接続工程）を行なう。
【００３０】以上のように実施形態１は、ＬＯＣ構造を
有する半導体装置のリード１ａとチップ２のパッド３と
を電気的に接続する構成に特徴があり、実施形態１によ
れば、リード１ａ上には、ＴＡＢリード４とＴＡＢテー
プ５の厚さ数十μｍ程度の高さを確保するだけでよく、
リード１ａ上に形成される封止樹脂７の樹脂厚を薄くす
ることができ、従来のワイヤーボンディングによる電気
的接続方法よりも薄型の半導体装置を得ることができ
る。
【００３１】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２を示す平面図、図４は、図３のＡ−Ａ’線断面図、図
５は、図３のＢ−Ｂ’線断面図、図６は、図３のＣ−
Ｃ’線断面図である。
【００３２】図において、リード１ａ及び１ｂのうち、
チップ２の長手方向の両端にそれぞれ設けられた共通リ
ード１ｂは、図５及び図６に示すように導通リード１
ｂ’により互いに電気的に接続された構造となってい
る。また共通リード１ｂ及びリード１ａ上には、リング
状の絶縁性ＴＡＢテープ５がチップ２のパッド３群を取
り囲んで固着され、リング状絶縁性ＴＡＢテープ５に
は、リード１ａとチップ２のパッド３とを電気的に接続
するＴＡＢリード４が互いに接触しないように所定間隔
に保たれて固着されている。リング状絶縁性ＴＡＢテー
プ５は、共通リード１ｂ上を横切ってチップ２のパッド
３に接続されるＴＡＢリード４と共通リード１ｂとの接
触を防ぐため、共通リード１ｂの幅より幅が拡大されて
いる。
【００３３】以上のように実施形態２によれば、リード
１ａとチップ２のパッド３との電気的接続は実施形態１
と同様に行う。さらに実施形態２によれば、チップ２の
パッド３に電気的に接続する一部のＴＡＢリード４は、
共通リード１ｂを横切るように配設されているが、その
ＴＡＢリード４と共通リード１ｂの間には、絶縁性ＴＡ
Ｂテープ５が介在され両者間が電気的に絶縁されるた
め、その共通リード１ｂとの間が電気的に絶縁されＴＡ
Ｂリード４によりリード１ａとパッド３とを電気的に接
続することが可能となっている。
【００３４】さらに図において、ＴＡＢリード４との接
続のために、共通リード１ｂの任意の位置に突起を設
け、その突起を電源接続用リードあるいは接地接続用リ
ードとして複数の電源パッドあるいは接地パッドとの間
をＴＡＢリード４を介して電気的接続を行うことが可能
となる。これにより半導体装置の電気的特性を向上させ
ることができ、かつこの実施形態でもリード１ａおよび
リード１ｂ上の樹脂厚さを小さく抑えることができ、薄
型の半導体装置を得ることができる。
【００３５】（実施形態３）次に本発明の実施形態３に
係る半導体装置の平面図を示した図７を参照して説明す
る。基本的な構成要素は実施形態１と同様であるが、リ
ードに固着されたＴＡＢテープ５には、リード１ｃ，１
ｄの先端部にあたる箇所にスリット５ａが設けてあり、
そのスリット５ａを通してＴＡＢリード４とリード１
ｃ，１ｄとを接続するという構成になっている。
【００３６】次に図７に示す接続方法について図８を参
照して説明する。図８（ａ）に示すように、チップ２，
絶縁テープ６を備えたリードフレーム１，ＴＡＢリード
４を備えたＴＡＢテープ５がそれぞれ組み立てられてい
る。ＴＡＢリード４の一端はパッド３上まで延び、パッ
ド３との接続を行うが、他端はスリット５ａを横切り向
かい側のＴＡＢテープ５上まで延出している。
【００３７】次に図８（ｂ）に示すように、ＴＡＢリー
ド４とリード１ｃ，１ｄとを接続する際には上方から接
合治具９をスリット５ａ内に降下させ、ＴＡＢリード４
を接合治具９によりスリット５ａ内に圧下する。その過
程において、ＴＡＢリード４の先端は、ＴＡＢテープ５
から外れてスリット５ａ内に差し込まれ、曲げ加工され
てリード１ｃ，１ｄに接合される。このようにＴＡＢリ
ード４の先端のみが接合治具９の圧下力により容易にス
リット５ａ内に差し込まれ、かつＴＡＢテープ５に固定
されているＴＡＢリード４の中央部は、そのままの状態
が保たれている。
【００３８】さらにＴＡＢテープ５上のＴＡＢリード４
の配線形状を同一チップを使用して異なる機能を有する
製品を製造するにあたって、その切り替えを作動させる
ためのパッドとの接続を考慮し設計しておくことによ
り、同一のリードフレーム，同一のＴＡＢテープを使用
することが可能となる。この様子を図７を用いて説明す
る。仮にタイプＩ機能を有する製品を作るためには、リ
ード１ｃにパッド３ｂとパッド３ｃを接続する必要があ
るとする。
【００３９】この場合、パッド３ｂとパッド３ｃは、そ
れぞれのパッド上まで延出したＴＡＢリード４と接続さ
れ、リード１ｃ上にある他端のＴＡＢリード４は、リー
ド１ｃに上述した製造方法によりスリット５ａを通して
接続される。このとき、残りのパッドは、リード１ｃに
ＴＡＢリード４により接続されない。またタイプＩＩ機
能を有する製品を作るためには、リード１ｃにパッド３
ａとパッド３ｄを接続する必要があるとすると、この場
合に、パッド３ａとパッド３ｄは、それぞれのパッド３
ａ，３ｄ上まで延出したＴＡＢリード４と接続され、リ
ード１ｃ上にある他端のＴＡＢリード４は、リード１ｃ
に上述した製造方法によりスリット５ａを通して接続さ
れる。このとき、残りのパッド上のＴＡＢリード４は、
リード１ｃにＴＡＢリード４により接続されない。
【００４０】またＴＡＢリード４のパターン形状を図９
（ａ）のようにすることにより、パッド３ａとパッド３
ｄとをＴＡＢリード４により接続することが可能とな
り、その接続をリード１ｄを跨いで行なうことができ
る。ＴＡＢリード４のパターン形状を図９（ｂ）のよう
にすることにより、同一リード１ｃからパッド３ｃ或い
はパッド３ｂへの接続も可能となる。
【００４１】従って、本実施形態においても、より薄型
の半導体装置を得ることができるとともに、ＴＡＢテー
プ５上のＴＡＢリード４のパターン形状を種々変えるこ
とにより、任意のパッドから任意のリードへの電気的接
続が可能となる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ード上にＴＡＢリードを有する絶縁性ＴＡＢテープを固
着し、チップのパッドとリードとをＴＡＢリードにより
電気的に接続することにより、リード上のＴＡＢ接続に
必要な厚さは、ＴＡＢリードとＴＡＢテープの厚さ数十
μｍと薄く抑えられ、リード上の樹脂厚を薄くすること
ができ、より薄型の半導体装置を得ることができる。
【００４３】また電気的特性を向上させる複数の電源パ
ッド及び接地パッドとリードとをＴＡＢリードにより共
通リードに電気的に接続し、かつ信号パッドと信号リー
ドとを接続するＴＡＢリードは、絶縁性ＴＡＢテープを
介して共通リードを跨ぎ、共通リードとが電気的な接触
を発生させないように電気的に接続することができ、更
にリード上の厚さをＴＡＢリードとＴＡＢテープの厚さ
が数十μｍと薄く抑え、より優れた電気的特性を有す
る、より薄型の半導体装置を得ることができる。
【００４４】さらにＴＡＢテープ上のＴＡＢリードの配
線を製品の機能切り替えの仕様を考慮して施しておけ
ば、その製品の機能の切り替えに応じて任意のパッドと
任意のリードとの電気的接続をＴＡＢリードにより行う
ことができるため、ＴＡＢリード，ＴＡＢテープおよび
リードフレームの共用化が図れる。
【００４５】またリードとして少なくとも一本の共通リ
ードを有し、該共通リード上にＴＡＢリードを有するＴ
ＡＢテープを固着し、信号パッドと信号リード、および
複数の電源パッド，接地パッドと共通リードである電源
リードあるいは接地リードとをＴＡＢリードにより接続
することにより、前者は共通リードを跨いだ接続が可能
となり、電気的特性に優れ、かつ薄型の半導体装置を得
ることができる。
【００４６】またＴＡＢテープ上のＴＡＢリードパター
ンをチップの配線設計を考慮して行うことにより、任意
のパッドと任意のリードとの電気的な接続が可能とな
り、薄型の半導体装置を得ることができるとともに、同
じリードフレーム，同じＴＡＢテープを使用することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】本発明の実施形態２を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図６】図３のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図７】本発明の実施形態３を示す平面図である。
【図８】本発明の実施形態３の半導体装置の製造方法を
示す概略図であって、（ａ）はＴＡＢリードとリードと
の接続前を示す概略図、（ｂ）はＴＡＢリード４とリー
ド１との接続した状態を示す概略図である。
【図９】本発明の実施形態３のＴＡＢリードのパターン
形状を示す図であって、（ａ）はリードとパッドとを接
続するためのＴＡＢリードのパターン形状を示す平面
図、（ｂ）はパッドとリードとを接続可能としたＴＡＢ
リードのパターン形状を示す平面図である。
【図１０】（Ａ）は従来のＬＯＣ構造を有する半導体装
置の断面図、（ｂ）は従来のＬＯＣ構造を有する半導体
装置の平面図である。
【図１１】従来のＬＯＣ構造を有する半導体装置の内部
構造を示す斜視図である。
【図１２】従来のＴＡＢテープを用いたＬＯＣ構造を有
する半導体装置の断面図である。
【図１３】従来のＬＯＣ構造を有する半導体装置におい
て製品機能の切り替えをワイヤーボンディングにより行
った場合の様子を示す平面図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ リード ２ 半導体素子（チップ） ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ 電極（パッド） ４ ＴＡＢリード ５ 絶縁性ＴＡＢテープ ６ 絶縁テープ ７ 封止樹脂 ８ 金線（ワイヤー） ９ 接合治具

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置用リードフレームと、ＴＡＢ
    リードと、絶縁性ＴＡＢテープとを有するＬＯＣ構造の
    半導体装置であって、 半導体装置用リードフレームは、複数のリードを有し、
    該リードの一面側に半導体素子を絶縁テープにより定着
    させたものであり、複数のリードは、半導体素子の電極
    に対応して配置されており、 ＴＡＢリードは、前記半導体装置用リードフレームのリ
    ードと前記半導体素子上の電極を電気的に接続するもの
    であり、 絶縁性ＴＡＢテープは、電気絶縁特性を有し、前記半導
    体素子の電極群を取り囲んで前記半導体装置用リードフ
    レームのリードの他面側に定着され、前記複数のＴＡＢ
    リードを相互間を離間させて保持するものであることを
    特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】素子搭載工程と、ＴＡＢテープ貼付工程
    と、接続工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方
    法であって、 素子搭載工程は、半導体装置用リードフレームの複数の
    リードの一面側に半導体素子を絶縁テープにより定着さ
    せる処理であり、 ＴＡＢテープ貼付工程は、電気絶縁特性を有する絶縁性
    ＴＡＢテープを、前記半導体素子の電極群を取り囲んで
    前記半導体装置用リードフレームのリードの他面側に定
    着させる処理であり、 接続工程は、 前記絶縁性ＴＡＢテープに相互間が電気
    的に絶縁されて保持されたＴＡＢリードを用いて、前記
    半導体装置用リードフレームのリードと前記半導体素子
    上の電極を電気的に接続する処理であることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記半導体装置用リードフレームは、電
    源電圧或いは接地電圧に保持される少なくとも一本の共
    通リードを有しており、 該共通リード上に前記絶縁性ＴＡＢテープを定着し、前
    記ＴＡＢリードにより半導体素子上の電極とリードとを
    電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の半
    導体装置。
  4. 【請求項４】 前記絶縁性ＴＡＢテープは、任意のＴＡ
    Ｂリードとリードとの接続を可能とするスリットが設け
    られ、半導体素子の機能に合わせて任意の半導体素子上
    の電極と任意のリードの接続をスリットを通して行なう
    ようにしたものであることを特徴とする請求項１に記載
    の半導体装置。
  5. 【請求項５】素子搭載工程と、ＴＡＢテープ貼付工程
    と、接続工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方
    法であって、 素子搭載工程は、半導体装置用リードフレームの複数の
    リードの一面側に半導体素子を絶縁テープにより定着さ
    せる処理であり、 ＴＡＢテープ貼付工程は、電気絶縁特性を有する絶縁性
    ＴＡＢテープを、前記半導体素子の電極群を取り囲んで
    前記半導体装置用リードフレームのリードの他面側に定
    着させる処理であり、 前記絶縁性ＴＡＢテープは、任意のＴＡＢリードとリー
    ドとの接続を可能とするスリットを有しており、 接続工程は、 前記絶縁性ＴＡＢテープに相互間が電気
    的に絶縁されて保持されたＴＡＢリードを用い、半導体
    素子の機能に合わせて任意の半導体素子上の電極と任意
    のリードの接続をスリットを通して行なう処理であるこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
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