JPH0258886A - 混成集積回路基板 - Google Patents
混成集積回路基板Info
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- JPH0258886A JPH0258886A JP21121888A JP21121888A JPH0258886A JP H0258886 A JPH0258886 A JP H0258886A JP 21121888 A JP21121888 A JP 21121888A JP 21121888 A JP21121888 A JP 21121888A JP H0258886 A JPH0258886 A JP H0258886A
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- Japan
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- insulating film
- substrate
- integrated circuit
- hybrid integrated
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路基板に関し、特に表面に酸化膜を
具備するアルミニウムやホウロウ（鉄）等の基板の、絶
縁耐電圧を高めて基板上に形成される電子回路の安定度
や信頼度を高めることにある。
具備するアルミニウムやホウロウ（鉄）等の基板の、絶
縁耐電圧を高めて基板上に形成される電子回路の安定度
や信頼度を高めることにある。
従来、この種の混成集積回路基板は、例えば第２図に模
式的断面を含む斜視図を示すように、母体となるべき金
属基体１０表面（裏面及び所望により側面をも含む）に
酸化膜、窒化膜等の絶縁膜２を具備するものである。本
混成集積回路基板上には印刷法、スパッタリング・蒸着
法、メツ七法等により複数の電子回路が形成される。こ
の基板は、しかる後に例えば第２図に破線３で切断線を
示すようにレーザスクライブ法、ダイサー法等により、
個別の電子回路を供するように所望の形状の個別基板に
切断される。第３図は、例えば第２図に示す“ａ′の位
置の切断基板の拡大図を示し、図において、ｂで示す基
板側面は切断後の面を示し、Ｃで示す基板側面は未切断
の基板側面を示す。
式的断面を含む斜視図を示すように、母体となるべき金
属基体１０表面（裏面及び所望により側面をも含む）に
酸化膜、窒化膜等の絶縁膜２を具備するものである。本
混成集積回路基板上には印刷法、スパッタリング・蒸着
法、メツ七法等により複数の電子回路が形成される。こ
の基板は、しかる後に例えば第２図に破線３で切断線を
示すようにレーザスクライブ法、ダイサー法等により、
個別の電子回路を供するように所望の形状の個別基板に
切断される。第３図は、例えば第２図に示す“ａ′の位
置の切断基板の拡大図を示し、図において、ｂで示す基
板側面は切断後の面を示し、Ｃで示す基板側面は未切断
の基板側面を示す。
上述した従来の混成集積回路基板は、単一の母基板上に
複数個の電子回路を形成した後に個別の電子回路に分割
する構造となっているために、基板切断面においては金
属基体１が露出しているという欠点がある。
複数個の電子回路を形成した後に個別の電子回路に分割
する構造となっているために、基板切断面においては金
属基体１が露出しているという欠点がある。
このために、高湿度の雰囲気中で、電子回路が動作して
いる環境条件においては、例えば第３図に示す絶縁膜２
上の互いに独立した導電体４と５とは、金属基体１への
漏れ電流を通して互いに電気的に接続されるという事故
を生じる。この漏れ電流接続を第３図に一々’ｖ”’ｉ
−−−のシンボルで示す。
いる環境条件においては、例えば第３図に示す絶縁膜２
上の互いに独立した導電体４と５とは、金属基体１への
漏れ電流を通して互いに電気的に接続されるという事故
を生じる。この漏れ電流接続を第３図に一々’ｖ”’ｉ
−−−のシンボルで示す。
あるいはまたこれらの導電体と金属基体１との間の絶縁
耐電圧が空気中放電を通して著しく低下するという欠点
を有するものである。
耐電圧が空気中放電を通して著しく低下するという欠点
を有するものである。
上述した従来の発明に対し、本発明は単一の母基板を分
割した後の個別基板切断面を第２の絶縁膜で被覆すると
いう相違点を有する。
割した後の個別基板切断面を第２の絶縁膜で被覆すると
いう相違点を有する。
本発明の混成集積回路基板は、分割された母基板の切断
面が第２の絶縁膜、好ましくは印刷法。
面が第２の絶縁膜、好ましくは印刷法。
貼付法、浸漬法、焼付法で形成された絶縁膜を有するも
のであり、この絶縁膜の形成によって電子回路の絶縁耐
電圧を高めるものである。
のであり、この絶縁膜の形成によって電子回路の絶縁耐
電圧を高めるものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明に用いる混成集積回路基板の、個片に
切断された個別基板の模式的斜視図を示すものである。
切断された個別基板の模式的斜視図を示すものである。
第１図に示す基板個片は、例えば第２図にｄで示す領域
の切断によって得られたものであり、金属基体１は厚さ
２柵のアルミニウムであり、絶縁膜２は金属基体１の陽
極酸化法によって得られた厚さ１ミクロンの酸化アルミ
ニウムである。本個別基板は絶縁膜２を具備する基体１
上に所望の電子回路導体が形成された後にあるいは形成
前に個別基板に分割され、少なくともその切断面を被覆
する形状に、切断面は第２の絶縁膜６によって被覆され
る。この絶縁膜６は例えば印刷法による厚み３０ミクロ
ンの半田レジストとすることができる。
の切断によって得られたものであり、金属基体１は厚さ
２柵のアルミニウムであり、絶縁膜２は金属基体１の陽
極酸化法によって得られた厚さ１ミクロンの酸化アルミ
ニウムである。本個別基板は絶縁膜２を具備する基体１
上に所望の電子回路導体が形成された後にあるいは形成
前に個別基板に分割され、少なくともその切断面を被覆
する形状に、切断面は第２の絶縁膜６によって被覆され
る。この絶縁膜６は例えば印刷法による厚み３０ミクロ
ンの半田レジストとすることができる。
本発明の実施例においては母基板の切断面金てを第２の
絶縁膜で被覆したが、本発明が上記した効果を呈する以
上、第２の絶縁膜は所望とする領域にのみ部分的に設け
てもよいことは勿論であり、金属基体１の材質はアルミ
ニウムのみならず、鉄や銅等をも使用することができ、
絶縁膜の材質製法も特に制限を受けるべきものではなく
、印刷法、スプレー法、ＣＶＤ法等による有機物及び無
機物の絶縁膜とすることができる。また本混成集積回路
基板は、厚膜や薄膜を用いる混成集積回路基板のみなら
ず、例えば特願昭６２−１２５２１２号にある如くサー
マルヘッド等の他のデバイスへも応用することができる
。
絶縁膜で被覆したが、本発明が上記した効果を呈する以
上、第２の絶縁膜は所望とする領域にのみ部分的に設け
てもよいことは勿論であり、金属基体１の材質はアルミ
ニウムのみならず、鉄や銅等をも使用することができ、
絶縁膜の材質製法も特に制限を受けるべきものではなく
、印刷法、スプレー法、ＣＶＤ法等による有機物及び無
機物の絶縁膜とすることができる。また本混成集積回路
基板は、厚膜や薄膜を用いる混成集積回路基板のみなら
ず、例えば特願昭６２−１２５２１２号にある如くサー
マルヘッド等の他のデバイスへも応用することができる
。
以上説明したように本発明は、個片に分割された基板の
切断面を第二の絶縁膜で被覆することにより、基板上に
形成された電子回路を環境の影響を少なくして安定に動
作させる効果がある。即ち、例えば第１図に示す間隙１
ｍｍで隣接した導電体４及び５を高湿度の環境下に保管
した場合、第３図に示す従来例においては、両溝電体間
の絶縁抵抗が僅か１０にΩ程度に低下するのに較べて、
本発明の実施例においては１００ＭΩ程度と絶縁抵抗を
１０００倍程度の値に保つことができるものである。ま
た本発明の実施によって基体１は環境による腐蝕現象か
らも保護される。
切断面を第二の絶縁膜で被覆することにより、基板上に
形成された電子回路を環境の影響を少なくして安定に動
作させる効果がある。即ち、例えば第１図に示す間隙１
ｍｍで隣接した導電体４及び５を高湿度の環境下に保管
した場合、第３図に示す従来例においては、両溝電体間
の絶縁抵抗が僅か１０にΩ程度に低下するのに較べて、
本発明の実施例においては１００ＭΩ程度と絶縁抵抗を
１０００倍程度の値に保つことができるものである。ま
た本発明の実施によって基体１は環境による腐蝕現象か
らも保護される。
第１図は本発明の混成集積回路基板の模式的斜視図、第
２図は模式的断面を含む母体となるべき基板、第３図は
個片に切断された従来の混成集積回路基板のうち、第２
図に示す′ａ′の位置の基板の拡大図である。 １・・・・・・金属基体、２．・・・・・・絶縁膜、４
，５・・・・・・導電体、６・・・・・・第２の絶縁膜
。 代理人 弁理士 内 原 晋
２図は模式的断面を含む母体となるべき基板、第３図は
個片に切断された従来の混成集積回路基板のうち、第２
図に示す′ａ′の位置の基板の拡大図である。 １・・・・・・金属基体、２．・・・・・・絶縁膜、４
，５・・・・・・導電体、６・・・・・・第２の絶縁膜
。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 絶縁膜を表面に具備する金属基体を母基板とする混成集
積回路基板において、個片に切断された前記混成集積回
路基板の切断面が他の絶縁膜で被覆されていることを特
徴とする混成集積回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21121888A JPH0258886A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 混成集積回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21121888A JPH0258886A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 混成集積回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258886A true JPH0258886A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16602252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21121888A Pending JPH0258886A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 混成集積回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258886A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194927A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Casio Comput Co Ltd | 回路基板装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP21121888A patent/JPH0258886A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194927A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Casio Comput Co Ltd | 回路基板装置の製造方法 |
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