JPH0256306B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0256306B2
JPH0256306B2 JP60145934A JP14593485A JPH0256306B2 JP H0256306 B2 JPH0256306 B2 JP H0256306B2 JP 60145934 A JP60145934 A JP 60145934A JP 14593485 A JP14593485 A JP 14593485A JP H0256306 B2 JPH0256306 B2 JP H0256306B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
mixture
dielectric
weight
composition according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60145934A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6121967A (ja
Inventor
Riiroi Tomasu Jiin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPS6121967A publication Critical patent/JPS6121967A/ja
Publication of JPH0256306B2 publication Critical patent/JPH0256306B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/47Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C04B35/497Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
    • C04B35/499Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、誘電体組成物、特に低焼成温度誘電
体組成物に関する。 高い容量効率であること、従つて大きさが小さ
いという理由により、多層セラミツクコンデンサ
ー(MLC)は、セラミツクコンデンサーの最も
広く使用される形態である。これらのセコンデン
サーは、適当な電極のパターンがプリントされて
いるセラミツク誘導体のうすいシートを積み重
ね、共焼成することによつて加工される。電極層
が組立物の各末端において露出されているよう
に、各パターン型層は、隣接層からオフセツトさ
れている。電極パターンの露出された縁は、構造
物のすべての層を電気的に連結する電導性材料で
被覆されており、かくして積層構造内に平行に連
結されたコンデンサーの群を形成する。 MLCの加工のために使用されるセラミツク誘
電体のうすいシートは、普通「グリーンテープ」
(未焼成のテープ)といわれ、有機重合体材料に
よつて結合されている微細な誘電体粒子のうすい
層よりなる。焼成していないグリーンテープは、
重合体、可塑剤中そしてポリプロピレン、マイラ
ー(Mylar) ポリエステルフイルム又はステン
レススチールのような担体上に分散されている誘
電体粒子のスラリを流込み成型し、次に成型スラ
リをドクターブレートに下に通すことによつて成
型フイルムの厚さを調節することによつて製造さ
れる。 多層コンデンサーのために電導体を得る際有用
な金属化は、普通不活性液体媒体中微細な金属粒
子の分散液の形態でこのような粒子をグリーンデ
ープに施用することによりなる。上述した「グリ
ーンテープ」法は、比較的広く使用されている
が、それにもかかわらず本発明の誘電体組成物を
使用してMLCをつくることができる他の操作が
ある。1つの技術は、いわゆる「湿式法」であ
る。1面においては、これは、平らな基質を誘電
体スリツプの落下シートに1回又はそれ以上通し
て誘電体層を形成させることによりなつていてよ
い(ハーレー等、米国特許第3717487号参照)。
「湿式法」を実施する他の1方法は、ある数の誘
電体スリツプのうすい層を基質上にブラシ処理し
て厚い誘電体層を組み立てることである(バー
ン、米国特許第4283753号参照)。 MLCをつくる他の1方法は、誘電体材料のペ
ーストを形成させ、次に誘電体及び金属層を、設
計された構造が完了するまで乾燥工程をはさんで
交互にスクリーンプリンテイングすることよりな
る。次に、誘電体層の上に第2の電極層をプリン
トし、全組立物を共焼成する。 モノリシツク多層コンデンサーは、典型的に
は、酸化雰囲気中1200〜1400℃の温度においてチ
タン酸バリウムベース型処方及び電導性電極材料
を共焼成することによつて製造される。この方法
により、高い誘電率(例えば1000より大きい)を
もつ、耐久性の、よく焼結されたコンデンサーが
得られる。しかし、これらの条件下の焼成は、高
い融点、高温において良好な酸化抵抗、電極の熟
成温度における焼結性、並びに焼結温度における
誘電体と相互作用する傾向をもつ電極材料を必要
とする。これらの要件は、普通電極材料の選択を
貴金属白金及びパラジウムに、或いは白金、パラ
ジウム及び金の合金に限定する。これについては
モノリシツク多層コンデンサーの製造に向けられ
ているJ.L.シエアードに対する米国特許3872360
も参照されたい。 誘電体材料を改変して(1)電極としてベース金属
を使用することができるように、還元雰囲気中で
焼成して後良好な誘電性(高い誘電率及び低い散
逸率)が得られ、そして(又は)(2)銀(これは、
他の貴金属よりかなりコストが低いが、低い融点
(962℃)を有する)を電極形成の際使用すること
ができるように、950℃又はそれより低い温度に
おいて焼結することができるならば、電極のコス
トのかなりの節約を実現することができる。 チタン酸バリウムセラミツクを還元性(例えば
水素)又は不活性(例えばアルゴン、窒素)雰囲
気中で焼成することができるようにそれらを改変
する試みがなされている。常用の空気焼成型組成
物に比して、電気的性質、例えば、誘電率、散逸
率、キヤパシタンスの温度係数等が中間的になる
という点で、このアプローチの使用はいくらか限
定される。その外、不活性又は還元性雰囲気の維
持は、空気中の焼成に比して生産コストが追加さ
れる。このアプローチの例は、ベース金属電極
(例えばNi、Co、Fe)及び修飾チタン酸バリウ
ム(MnO2、Fe2O3、CoO2、CaZrO3)の、不活
性雰囲気中約1300℃で焼成されるコンデンサー
(3欄、33〜34行)を開示するビユーラーの米国
特許第3757177号である。 高温強誘電体相(チタン酸、ジルコン酸等)を
比較的低温において熟成するガラス類と混合する
ことによつて誘電体の熟成温度を低下させるいく
つかの試みがなされている。このアプローチの例
は、マーアーの米国特許第3619220号、バーンの
米国特許第3638084号、マーアーの米国特許第
3682766号及びマーアーの米国特許第3811937号に
示されている。この技術の欠点は、ガラスの希釈
効果がしばしば混合物の誘電率を比較的低くする
ことである。 チタン酸ベース型誘電体の焼結温度を低下させ
る他の1技術は、「焼結助剤」の使用による。チ
タン酸バリウムへの酸化ビスマス又はベントナイ
トの添加は、熟成温度を約1200℃まで低下させる
(ネルソンら、米国特許第2908579号)。ターナウ
アーらの米国特許第2626220号に記載されている
とおり、チタン酸への燐酸の添加によつて1200〜
1290℃の熟成温度を得ることができる。しかし、
これらの場合の各各において、熟成温度の低下
は、共焼成銀電極を使用することができるには充
分でなく、誘電性は損なわれることが多い。 高誘導率(例えば、1000又はそれ以上)及び低
散逸率(例えば、5%、好適には2%より小さ
い)が得られ、かつ空気中低温(例えば、1000℃
以下)において焼結する組成物が必要とされてい
る。このことにより、銀又はパラジウム/銀電極
との共焼成が可能となり、その故に高誘電率多層
コンデンサーのコストを大いに低下させることに
なる。 N.N.クレイニクら(Soviet Physics−Solid
State2、63〜65、1960)は、なかんずく、
PbTiO3及びPbMg0.5W0.5O3の間の固溶体を報告
している。明らかに、0〜80%のPbTiO3をもつ
広い範囲の組成物が研究された(第2図参照)。
多層コンデンサーの製造については示唆されてい
ない。同じ実験室からの第2の論文においては、
G.A.スモレンスキーら(Soviet Physics−Solid
State3、714、1961)は、クライニクらのものを
含む、いくつかの固溶体の研究を報告している。
焼成は、PbO蒸気中で同様に行なわれた。相転移
が論じられている。明らかにこの系列の第3の論
文であるもの、A.I.ザスラフスキーら(Soviet
Physics−Crystallography7、577、1963)におい
て、X線構造研究が報告されている。 ブリクスナーの米国特許第3472777は、2段焼
成法による強誘電体セラミツクデイスクの製造を
開示している。各焼成工程は、空気中800゜〜1200
℃の範囲においておこると教示されている。唯一
の例において、焼成は1050℃においてであつた。
ブリクスナーは、PbMg1/3Ti1/3W1/3O3及びY含
有組成物のような種種の誘電体組成物を開示して
いる。 更に最近、ブチヤードは、Z5U型コンデンサー
中で使用するための低い焼成温度及び6000のよう
な高誘電率を有する誘電体組成物を得る問題解決
へ成功裡に近づいた。これらの置換チタン酸鉛組
成物は、次の式: (SrxPb1-xTiO3a(PbMgrWsO3b(式中、x
=0〜0.3、r=0.45〜0.55、a=0.35〜0.5、s=
0.55〜0.45、b=0.5〜0.65、Σ(r+s)=1そし
てΣ(a+b)=1である) このような材料は、米国特許4048546、4063341
及び4228482(すべてブチヤードに対する)中開示
されている。更に最近、英国特許出願2115400A
は、式PbTi1-x-1MgxWyO3(式中x及びyは、
0.25〜0.35の範囲である)に対応する低焼結温度
を有する非常に似た組成物を開示している。これ
らの材料は、対応する金属酸化物を混合し、この
混合物を700〜750℃において〓焼することによつ
てつくられる。これらの材料は、銀の融点より低
い800〜950℃において焼結される。この英国出願
の組成物のうち若干は、ブチヤードのものと組成
が同一であり、従つて同じ性質を有することが期
待される。 高誘電率を得る際の実質的な進歩にもかかわら
ず、電子工業は、8000のオーダー、それを越える
更に高い誘電率(K)を有し、それにもかかわらず
85/15及び70/30パラジウム/銀電極のような常
用の銀含有電極と共に使用することができる誘電
体組成物が必要であることを予期している。 改良されたテープ誘電体のための電子工業の着
実に次第にきびしくなる要件に鑑みて、本発明
は、8000、更にそれより高い誘電率を有するZ5U
型サービスに適しているチタン酸鉛ベース型誘電
体組成物に関する。 更に詳細には、本発明は、その第1の局面にお
いて本質的に次の成分よりなる微細粒子の混合物
から構成される、低い焼成温度において稠密化さ
れた誘電性物体を形成させるための組成物に関す
る。 (a) 式:(SrxPb1-xTiO3a(PbMgrWsO3b (式中、x=0〜0.3、r=0.45〜0.55、a=
0.45〜0.6、s=0.55〜0.45そしてb=0.55〜
0.4、そしてΣ(r+s)=1並びにΣ(a+b)
=1 に対するモル比の、金属酸化物、金属酸化物プ
レカーサー又はその多元酸化物反応生成物の混
合物95.5〜99.4重量% (b) 本質的に(1)Co、Ni、Cr、Mn及びそれらの
混合物よりなる群から選択される遷移金属の2
元酸化物0.1〜1.0重量%、(2)チタン酸Cd、チタ
ン酸Zn又はそれらの混合物0.25〜1.5重量%、
並びに(3)ジルコン酸Cd、ジルコン酸Zn、すず
酸Cd、すず酸Zn及びそれらの混合物よりなる
群から選択される多元酸化物0.25〜2.0重量%
よりなる金属酸化物又はそのプレカーサーの混
合物4.5〜0.6重量%(実質的にすべての粒子
は、最大寸法が10μmより小さい)。 第2の局面においては、本発明は、揮発性非水
性溶媒中結合剤重合体の溶液中に分散されている
上述した誘電体組成物よりなるテープ注型組成物
に関する。 第3の局面においては、本発明は、スチールベ
ルト又は重合体フイルムのような、可撓性の基質
上に上述した分散液を注型し、そして注型層を加
熱してそれから揮発性溶媒を除去することによる
グリーンテープの形成法に関する。 第4の局面においては、本発明は、交互の層か
らプリントされた電極の縁が積層構造の反対の末
端において露出され、パターン型電極の露出末端
がその上の電導性被膜によつて各々電気的に連結
されるようにオフセツト方式で適当な電極パター
ンがプリントされている、複数の上述したグリー
ンテープ層を積層及び共焼成することによつてつ
くられるコンデンサーに関する。 第5の局面においては、本発明は、有機媒質中
に分散された上述した誘電体組成物よりなるスク
リーン−プリント可能な厚いフイルム組成物に関
する。 A 無機成分 前記の式によつて示唆されるように、本発明
の組成物が焼成される時、(a)の成分が少量の(b)
の遷移金属酸化物及びジルコン酸及びすず酸と
ドープされている実質的に固体の溶液になる。
しかし、焼成の前には、これら組成物は、成分
が受けている〓焼の程度により、別々の酸化物
より、又は2種又はそれ以上の酸化物の固溶液
又は化合物よりなつていてよい。 〓焼は絶対必須ではないが、焼成の際の収縮
を最小にすることができるように、上述した粒
子の混合物の少なくとも大部分を空気中で〓焼
することははるかに好適であることが認められ
る。しかし、〓焼の程度は、特定の応用に、又
焼結された誘電体の形成を行なう焼成の程度に
よる。明らかに、比較的きびしい焼成は、存在
する相の数を減少させる傾向があり、組成物
は、単一の固溶液状態に近ずく。少なくとも(a)
の成分を空気中〓焼することが好適である。適
当な〓焼条件は、1000〜1500〓(513〜816℃)、
そして特に1300〜1500〓(704〜816℃)であ
る。〓焼時間は、少なくとも0.5時間、そして
好適には少なくとも1.0時間であるべきである。
2時間の〓焼時間は適当であることが見出され
ているが、それより長い時間を使用してよい。 成分は、金属酸化物、金属酸化物のプレカー
サー及び(又は)上に示した金属の金属酸化物
の反応生成物の形態であつてよい。用語「金属
酸化物のプレカーサー」とは、〓焼又は焼成の
際金属酸化物に変換される化合物を意味する。
これらは、炭酸塩、水酸化物及び硝酸塩を包含
する。例えば、〓焼の際MgCO3はMgOに変換
され、かくしてMgCO3はMgOのプレカーサー
である。用語「反応生成物」とは、金属酸化物
から生成させることができる金属酸化物の化合
物又は固溶体を意味する。例えば、多元酸化物
PbTiO3は、焼成によつてPbO及びTiO2から生
成されることができる。かくして、Pb及びTi
成分は、別々にPbO及びTiO2としてか、又は
既に生成したPbTiO3として組成物に添加する
ことができる。 一般に、組成物は次の工程によつてつくられ
る: (1) 分散液の湿式ミル処理(混合) (2) 水の除去(乾燥) (3) 造粒 (4) 〓焼 (5) 造粒 (6) 湿式ミル処理(粒子径調節) しかし、これらの工程は、各成分について必
らずしも同じ順序ではない。例えば、遷移金属
酸化物をPbTiO3のような(a)の単一成分(これ
が工程(1)ないし(5)を受ける)とプレミツクスさ
せることが好適であることがある。次にこのプ
レミツクスを(a)の他の成分(これが工程(1)ない
し(6)プラス乾燥及び造粒を受ける)に添加す
る。得られた顆粒化混合物に(b)の成分の残余を
添加し、最終混合物をミル処理、乾燥及び造粒
する。この操作(これは、すべての成分の一層
均一な混合物を得るように設計されている)に
おいては、遷移金属成分は2回〓焼されるが、
多元酸化物は全くされない。どの図式の混合が
使用されても、すべりの成分の全く均一な分布
が必須であり、〓焼を要する程度は、混合物が
焼成される時許容される収縮の程度によつて決
定される。本発明中上に使用された場合、用語
「造粒」とは、振動性のスクリーンを使用して
集塊になつた粒子を分散させることをいう。 更に良好な焼切れ及び焼結特性を得るため
に、誘電体粒子の表面積は少なくとも0.5m2
g、そして好適には5m2/gであることが好適
である。尚一層高い表面積、例えば、10m2/g
又はそれ以上を使用することができるが、それ
らの利点は、ある分散粘度を得るために表面積
の大きい粒子程多くの有機媒質を必要とすると
いう事実に対してバランスされなければならな
い。その外、実質的にすべての粒子は、それら
の最大寸法が10μmより小さくあるべきであ
る。 B グリーンテープ注型溶液 上述したように、本発明の誘電体組成物のグ
リーンテープは、スチールベルト又は重合体フ
イルムのような、可撓性基質上に重合体結合剤
及び揮発性有機溶媒の溶液中誘電体材料の分散
液を注型し、次に注型層を加熱してそれから揮
発性溶媒を除去することによつてつくられる。 セラミツク固体が分散されている有機媒質
は、揮発性有機溶媒、そして随意には、可塑
剤、離型剤、分散剤、剥離剤、防汚剤及び湿潤
剤のような他の溶解されている材料に溶解され
る重合体結合剤よりなる。 より良好な結合効率を得るために、90容量%
のセラミツク固体に対して少くとも5容量%の
重合体結合剤を使用することが好適である。し
かし、80容量%のセラミツク固体中20容量%以
下の重合体結合剤を使用することが更に好適で
ある。これらの限界内では、熱分解によつて除
去されなければならない有機物の量を減少させ
るために、固体に対して最小の可能な量の結合
剤を使用することが望ましい。 過去においては、種々の重合体材料、例え
ば、ポリ(ビニルブチラール)、ポリ(酢酸ビ
ニル)、ポリ(ビニルアルコール)、メチルセル
ロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチル
セルロース、メチルヒドロキシエチルセルロー
スのようなセルロース系重合体、アタクチツク
のポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ(メチ
ルシロキサン)、ポリ(メチルフエニルシロキ
サン)のようなシリコン重合体、ポリスチレ
ン、ブタジエン/スチレン共重合体、ポリスチ
レン、ポリ(ビニルピロリドン)、ポリアミド
類、高分子量ポリエーテル類、酸化エチレン及
び酸化プロピレンの共重合体、ポリアクリルア
ミド類、並びにポリアクリル酸ナトリウム、ポ
リ(アクリル酸低級アルキル)、ポリ(メタク
リル酸低級アルキル)及びアクリル酸及びメタ
クリル酸低級アルキルの種々の共重合体及び多
元重合体のような種々のアクリル系重合体が、
グリーンテープに対する結合剤として用いられ
ている。メタクリル酸エチル及びアクリル酸メ
チルの共重合体及びアクリル酸エチル、メタク
リル酸メチル及びメタクリル酸の3元重合体
が、流込み注型材料に対する結合剤として前に
使用されている。 更に最近、1983年6月7日出願の米国特許出
願SN501978中ウスラは、0〜100重量%のメタ
クリル酸C1〜8アルキル、100〜0重量%のアク
リル酸C1〜8アルキル及び0〜5重量%のエチレ
ン系不飽和カルボン酸又はアミンの配合可能な
多元重合体の混合物である有機結合剤を開示し
ている。重合体は、最小量の結合剤及び最大量
の誘電体固体の使用を可能にするので、本発明
の誘電体組成物の場合それらを使用することが
好適である。この理由から、上に引用したウス
ラの特許出願を参考文献としてここに組み入れ
ておく。 注型溶液の溶媒成分は、重合体の完全な溶液
及び大気圧下比較的低い水準の加熱の施用によ
つて分散液から溶媒が蒸発することができるだ
けの高い揮発性を得るように選択される。その
外、溶媒は、有機媒質中含まれるいずれの他の
添加剤の沸点及び分解点よりも充分低い沸点を
有しなければならない。かくして、150℃より
低い大気圧沸点を有する溶媒が、最も頻繁に使
用される。このような溶媒は、ベンゼン、アセ
トン、キシレン、メタノール、エタノール、メ
チルエチルケトン、1,1,1−トリクロロエ
タン、テトラクロロエチレン、酢酸アミル、ペ
ンタンジオール−1,3−モノイソ酪酸2,
2,4−トリエチル、トルエン及び塩化メチレ
ンを包含する。 しばしば、有機媒質は、結合剤重合体に比し
て少量の、可塑剤も含み、これは、結合剤重合
体のガラス転移温度(Tg)を低下させるのに
役立つ。しかし、このような材料の使用は、有
機材料から注型されたフイルムを焼成する時、
除去しなければならない有機材料の量を減少さ
せるため、最小にされるべきである。勿論、可
塑剤の選択は、第1に、改変されなければなら
ない重合体によつて決定される。種々の結合剤
系中で使用されている可塑剤の中には、フタル
酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸オク
チル、フタル酸ブチルベンジル、燐酸アルキル
類、ポリアルキレングリコール類、グリセロー
ル、ポリ(酸化エチレン)類、ヒドロキシエチ
ル化アルキルフエノール、ジアルキルジチオホ
スフエート及びポリ(イソブチレン)がある。
勿論、フタル酸ブチルベンジルは、それが比較
的低濃度において有効に使用することができる
ので、アクリル系重合体系中で最もしばしば使
用される。 C 厚膜ペースト しばしば、スクリーンプリンテイングのよう
な技術によつて厚膜ペーストとして本発明の組
成物を施用することが望ましいことがある。分
散液を厚膜ペーストとして施用するべき時に
は、適当なレオロジー調節及び低揮発性溶媒を
用いて常用の厚膜有機媒質を使用することがで
きる。この際には、組成物は、それらがスクリ
ーンを容易に通ることができるように、適当な
粘度を有さなければならない。その外、それら
は、それらがスクリーンされて後早く硬化し、
それによつて良好な分解を得るために、チクソ
トロピツクであるべきである。レオロジーの性
質が第1に重要なものであるが、有機媒質は
又、固体及び溶媒の適当なぬれ、良好な乾燥速
度、あらい取扱いに耐えるだけの乾燥フイルル
ム強度及び良好な焼成性を与えるように処方さ
れるのが好適である。 これらの規準のすべてに鑑みて、有機媒質と
して広範囲の不活性液体を使用することができ
る。大抵の厚膜組成物に対する有機媒質は、典
型的には溶媒中樹脂の溶液、しばしば樹脂及び
チクソトロピー剤を共に含有する溶媒溶液であ
る。溶媒は、通常130〜350℃の範囲内の沸点を
有する。 この目的に特に適当な樹脂は、低級アルコー
ルのポリメタクリレート類及びエチレングリコ
ールモノアセテートのモノブチルエーテルであ
る。 厚膜での適用のために最も広く使用される溶
媒は、ケロセン、フタル酸ジブチル、ブチルカ
ルビトール、ブチルカルビトールアセテート、
ヘキシレングリコール及び高沸点アルコール類
及びアルコールエステル類のような他の溶媒と
共に、アルフアー又はベーターテルピネオール
又はそれらの混合物のようなテルペン類であ
る。これら及び他の溶媒の種々の組合せを処方
して、各々の適用における所望の粘度及び揮発
性要件を得る。 普通使用されるチクソトロピー剤の中には、
水素添加ヒマシ油及びそれらの誘導体がある。
勿論、いずれの懸濁液にも固有である剪断減粘
性と組み合わせた溶媒/樹脂の性質がそれだけ
でこの点で適当であることがあるので、チクソ
トロピー剤を組み入れることは常には必要では
ない。 分散液中有機媒質対無機固体の比は、かなり
変ることができ、分散剤が施用されるべき方式
及び使用される有機媒質の種類によつている。
普通、良好な適用範囲を達成するためには、分
散液は、相補的に重量で60〜90%の固体及び40
〜10%の有機媒質を含有する。このような分散
液は、通常半固体の粘稠性のものであり、普通
「ペースト」といわれる。 ペーストは、3ロール型ミル上製造されるの
が便利である。ペーストの粘度は、典型的に
は、低、中及び高剪断速度においてブルツクフ
イールド粘度計上室温において測定される時次
の範囲内にある:剪断速度(秒-1 粘度(Pa.s) 0.2 100〜5000 − 300〜2000 好適 600〜1500 最も好適 4 40〜400 − 100〜250 好適 140〜200 最も好適 384 7〜40 − 10〜25 好適 12〜28 最も好適 利用される有機媒質(媒体)の量及び型は、
主に、最終の所望の処方粘度及びプリント厚さ
によつている。 D キヤパシテイー処理 上述したように、多くの多層コンデンサー
は、グリーンテープである誘電体基質上所望の
パターンの電極金属化についてプリントするこ
とによつて加工される。プリント型誘電体基質
は、積み重ねられ、積層され、そして切断され
て所望のコンデンサー構造物を形成する。グリ
ーン誘電体材料は、次に焼成されて電極材料か
ら有機媒質、並びに誘電体材料から有機結合剤
の除去が行なわれる。これらの材料の除去は、
焼成操作の間蒸発及び熱分解によつて実施され
る。若干の場合には、焼成の前に予備乾燥も挿
入することが望ましいことがある。未焼成のグ
リーンテープの厚さは、典型的には約1.2〜1.3
ミルであり、焼成すると厚さは、約0.9〜1.0ミ
ルとなる。 上述したコンデンサー組立物を焼成する時、
組立物をゆつくり100〜550℃に加熱する第1工
程(これは、積層型組立物に対する傷害なしに
有機材料のすべてを除去するのに有効である)
を用いることが好適である。典型的には、この
有機焼切り期間は、有機物の除去を確実にする
ように18〜24時間である。これが完了した時、
次に組立物を比較的早く所望の焼結温度まで加
熱する。 所望の焼結温度は、誘電体材料の物理的及び
化学的特性によつて決定される。通常焼結温度
は、誘電体材料の最大の緻密化を得るように選
択される。本発明の誘電体組成物の場合には、
この温度は、900〜1050℃の範囲である。しか
し、最大緻密化は常には必要ではないことがコ
ンデンサー加工技術熟練者によつて認められ
る。従つて、用語「焼結温度」は、特定のコン
デンサーの応用のために所望される程度の誘電
体材料の緻密化を得る温度(並びに時間の量も
含まれる意味)をいう。焼結時間も、誘電体組
成物によつて変るが、通常この焼結温度におい
て2時間程度の時間が好適である。 焼結が完了すると、外温まで冷却する速度
は、熱シヨツクに対する成分の抵抗に応じて注
意深くコントロールされる。 あるコンデンサーが正しく機能するのに関係
する次の性質が、実施例中挙げられている。 E キヤパシタンス キヤパシタンスは、数学的にC=KAN割る
t(ただしKは誘電率、Aは電極の面積の重な
りに等しく、Nは誘電体層の数であり、そして
tは誘電体層の厚さである)と表わされる、材
料が電荷を蓄積する能力の尺度である。 キヤパシタンスの単位は、フアラド又はミク
ロフアラド(10-6フアラド)、ナノフアラド
(10-9フアラド)又はピクロフアラド(10-12
アラド)のようなその分数である。 F 散逸率 散逸率(DF)は、電圧及び電流の間の相差
異の尺度である。完全なコンデンサーにおいて
は、相差異は90゜である。しかし、実際の誘電
体系においては、もれ及び衰退損失のために量
σだけ90゜より小さい。特に、DFは角σの正接
である。 G 絶縁抵抗 絶縁抵抗(IR)は、DC電流中もれに抵抗す
る荷電コンデンサーの能力の尺度である。絶縁
抵抗は、キヤパシタンスと無関係にいずれのあ
る誘電体系についても一定である。 次に実施例及び比較表示は、本発明の利点を例
示するために示される。実施例及び明細書及び特
許請求の範囲中他のところにおいて、例示しない
かぎり、すべての部、百分率、割合等は重量によ
る。 実施例 例 1〜5 次の順序の処理工程により、a対bの比が
0.40/0.60及び0.50/0.50である2種の量の低焼
成誘電体組成物をつくつた。 (1) 湿式ミル処理 (2) 乾燥 (3) 造粒 (4) 〓焼 (5) 造粒 (6) 樹脂ミル処理 用語「樹脂ミル処理」とは、水の代りに有機分
散媒質を使用して実施されるミル処理をいう。有
機媒質は、有機溶媒中結合剤重合体の溶液であ
る。 適当な割合の2種の上述した材料をブレンドす
ることによつて、中間のa/b比を有する、更に
3種の量の誘電体組成物を製造した。次に、得ら
れた5種の組成物を上述した方式で使用してグリ
ーンテープを形成させ、次にこれを使用して、使
用される誘電体材料のみが異なる多層コンデンサ
ーを加工した。それらから形成されたコンデンサ
ーの性質を下の表1に示す:
【表】 前記のデータは、試験された性質のすべてに対
して実質的な効果が得られたことを示す。a/b
比の増大と共に、キユリーピークは高温の方に移
るので、室温におけるK及びDFの値は、驚くこ
とではないが、増大する。これらのデータは、本
発明によつて非常に高い潜在性室温K値を得るこ
とができることを示す。 例 6〜8 ZnTiO3の量が0及び1.0重量%である2種の量
の低焼成誘電体組成物を製造した。 第1に、55%の水中成分をボールミル処理する
ことにより、MnO2、CoO及びPbTiO3のプレ混
合物を製造した。ボールミル処理した混合物は、
次に450℃において12時間乾燥し、40メツシユの
スクリーンを通して造粒し、1350℃において2時
間〓焼し、次に再び1回造粒した。次に次の順序
によつて残余の成分を製造した: (1) 湿式ミル処理 (2) 乾燥 (3) 造粒 (4) 〓焼 (5) 造粒 (6) 樹脂ミル処理 ZnTiO3を含有及び含有しない混合物を製造し、
その1部をブレンドして中間量のZnTiO3を有す
る混合物を形成させた。 次に、アクリル系重合体溶液中組成物固体のミ
ル処理した分散液を使用してグリーンテープを成
型し、これから上述した方式で多層コンデンサー
を製造した。これらから形成されたコンデンサー
の電気的性質を下の表2に示す。
【表】 表2中のデータは、全く少量のZnTiO3の添加
が、少なくとも50℃だけ誘電体組成物の焼結温度
を低下させるので有効であつたことを示す。 例 9〜16 本発明の組成物に種々の量及び種類のドーピン
グ剤を添加して1連の8種の組成物を製造し、焼
成された誘電体の性質、特に散逸率(DF)に対
するそれらの効果を観察した。 例9〜11及び16の場合には、〓焼操作に続いて
SrTiO3及び(又は)ZnTiO3を混合物に添加した
ことの外は、次の順序の工程によつて組成物を製
造した。 (1) 湿式ミル処理 (2) 乾燥 (3) 造粒 (4) 〓焼 (5) 造粒 (6) 樹脂ミル処理 次に、アクリル系重合体の溶液中組成物固体の
樹脂ミル処理分散液を使用してグリーンテープを
注型し、これから上述した方式で多層コンデンサ
ーを製造した。これらから形成されたコンデンサ
ーの電気的性質を下の表3に示す。
【表】
【表】 いて
例9及び10を比較すると、CoO及びMnO2が、
共同してDFを低下させるのに有効であることが
示される。同様に、CoO単独の添加(例14)の結
果、全く低いDF値が生じた。例11〜13は、
MnO2、CeO2及びNiOの添加が、各々DFを低下
させるのに有効であることを示す。しかし、例15
を対照例16と比較すると、Fe2O3がDFを低下さ
せず、上昇させたことが示される。 例 17〜20 2種の対の組成物を製造して、寿命の実績に対
するCdSnO3添加の効果を観察した。SrTiO3を用
いて出発し、ZnTiO3及びCdSnO3は、工程(4)の
〓焼生成物に添加されたことの外は、次の順序の
工程によつて組成物を製造した: (1) 湿式ミル処理 (2) 乾燥 (3) 造粒 (4) 〓焼 (5) 造粒 (6) 樹脂ミル処理 (7) 乾燥 (8) 造粒 (9) 樹脂ミル処理 次に、アクリル系重合体の溶液中組成物固体の
樹脂ミル処理分散液を使用してグリーンテープを
注型し、これから上述した方式で多層コンデンサ
ーを製造した。これらから形成されたコンデンサ
ーの電気的性質を下の表4に示す:
【表】
【表】 前記の寿命試験のデータは、CdZnO3が、コン
デンサー欠落の数を実質的に減少させることによ
つて寿命試験の結果を改良するのに有効であつた
ことを示す。 例 21〜30 更に2種の系列の組成物を製造し、それらにお
いて焼成誘電体の性質に対する種々のドープ剤濃
度の効果を観察した。第1の系列(例21〜25)に
おいては、MnO2の量を0.1から0.5まで上げ、第
2の系列(例26〜30)においては、CoOの量を
0.1から0.5まで上げた。両系列の組成物共、例9
〜16と同様にして製造、評価した。これらからつ
くられたMLCの性質を下の表5に示す:
【表】
【表】 例 31〜39 尚更に1連の9種の組成物を製造し、それらに
おいてはWO3、MgCO3、PbO及びTiO2の量の多
少の変更を行なつた。特に、上記の4成分の各々
が過剰又は不足で存在している2種の組成物を製
造した。組成物の各々及び対照を使用し、996℃
及び1024℃の焼成温度を使用して上述した方式で
MLCを製造した。誘電体組成及びこれらからつ
くられたMLCの性質を下の表6に示す。
【表】
【表】
【表】 上のデータは、少量の金属酸化物が、ベース材
料系のDF特性を低下させるのにきわめて有益な
効果を有することができることを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (a) 式:(PbTiO3a(PbMgrWsO3b 〔式中、r=0.45〜0.55、a=0.45〜0.6、s=
    0.55〜0.45、b=0.55〜0.4そしてΣ(r+s)=
    1およびΣ(a+b)=1である〕 に対応するモル比の、金属酸化物、金属酸化物
    プレカーサー又はその多元酸化物反応生成物の
    混合物95.5〜99.4重量%、および (b) (1)Co、Ni、Cr、Mn及びそれらの混合物よ
    りなる群から選択される遷移金属の2元酸化物
    0.1〜1.0重量%、(2)チタン酸Cd、チタン酸Zn又
    はそれらの混合物0.25〜1.5重量%、および(3)
    ジルコン酸Cd、ジルコン酸Zn、すず酸Cd、す
    ず酸Zn及びそれらの混合物よりなる群から選
    択される多元酸化物0.25〜2.0重量%より本質
    的になる金属酸化物又はそのプレカーサーの混
    合物4.5〜0.6重量% より本質的になる微細粒子の混合物から構成され
    そして実質的にすべての粒子は最大寸法が10μm
    より小さく且つ少なくとも0.5m2/gの表面積を
    有する、低い焼成温度で高密度化誘電体を形成す
    るための組成物。 2 成分の主要部分が〓焼されている特許請求の
    範囲第1項記載の組成物。 3 (a)成分が空気中で〓焼されている特許請求の
    範囲第2項記載の組成物。 4 aが0.5〜0.55であり、bが0.5〜0.45である
    特許請求の範囲第1項記載の組成物。 5 成分(b)のチタン酸塩(2)がZnTiO3である特許
    請求の範囲第1項記載の組成物。 6 成分(b)の多元酸化物(3)がCdSnO3である特許
    請求の範囲第1項記載の組成物。 7 (b)の2元金属酸化物がMnO2及びCoO各0.05
    〜0.5重量%である特許請求の範囲第1項記載の
    組成物。 8 空気中900〜1050℃で焼成して粒子の焼結及
    び混合物の稠密化を行なう、特許請求の範囲第1
    項記載の組成物より本質的になる誘電体組成物。 9 微細固体の混合物が有機溶媒中に溶解された
    重合体結合剤よりなる有機媒質中に分散されてい
    る特許請求の範囲第1項記載の組成物。 10 有機溶媒が揮発性非水性溶媒であり、そし
    て分散液が成型可能な粘稠性をもつ特許請求の範
    囲第9項記載の組成物。 11 有機溶媒が130〜350℃の沸点を有する溶媒
    中に溶解された樹脂及びチクソトロピー剤よりな
    る溶液であり、そして分散液がスクリーン印刷に
    適しているペースト粘稠性をもつ特許請求の範囲
    第9項記載の組成物。 12 分散液をキヤステイングして層にし、それ
    から揮発性溶媒を除去しそして誘電性グリーンテ
    ープを形成する、特許請求の範囲第10項記載の
    組成物。 13 (a) 式:(SrxPb1-xTiO3a(PbMgrWsO3
    b 〔式中、x<0.3、r=0.45〜0.55、a=0.45〜
    0.6、s=0.55〜0.45、b=0.55〜0.4そしてΣ
    (r+s)=1およびΣ(a+b)=1である〕 に対応するモル比の、金属酸化物、金属酸化物
    プレカーサー又はその多元酸化物反応生成物の
    混合物95.5〜99.4重量%、および (b) (1)Co、Ni、Cr、Mn及びそれらの混合物よ
    りなる群から選択される遷移金属の2元酸化物
    0.1〜1.0重量%、(2)チタン酸Cd、チタン酸Zn又
    はそれらの混合物0.25〜1.5重量%、および(3)
    ジルコン酸Cd、ジルコン酸Zn、すず酸Cd、す
    ず酸Zn及びそれらの混合物よりなる群から選
    択される多元酸化物0.25〜2.0重量%より本質
    的になる金属酸化物又はそのプレカーサーの混
    合物4.5〜0.6重量% り本質的になる微細粒子の混合物から構成されそ
    して実質的にすべての粒子は最大寸法が10μmよ
    り小さく且つ少なくとも0.5m2/gの表面積を有
    する、低い焼成温度で高密度化誘電体を形成する
    ための組成物。 14 成分の主要部分が〓焼されている特許請求
    の範囲第13項記載の組成物。 15 (a)成分が空気中で〓焼されている特許請求
    の範囲第14項記載の組成物。 16 aが0.5〜0.55であり、bが0.5〜0.45であ
    る特許請求の範囲第13項記載の組成物。 17 成分(b)のチタン酸塩(2)がZnTiO3である特
    許請求の範囲第13項記載の組成物。 18 成分(b)の多元酸化物(3)がCdSnO3である特
    許請求の範囲第13項記載の組成物。 19 (b)の2元金属酸化物がMnO2及びCoO各
    0.05〜0.5重量%である特許請求の範囲第13項
    記載の組成物。 20 次に示された重量割合の金属酸化物から形
    成される特許請求の範囲第13項記載の組成物。 PbO 60.6 MgCO3 6.5 TiO2 11.0 WO3 15.7 SrTiO3 3.25 MnO2 0.07 CoO 0.22 PbTiO3 1.2 ZnTiO3 0.5 CdSnO3 1.0 21 空気中900〜1050℃で焼成して粒子の焼結
    及び混合物の稠密化を行なう、特許請求の範囲第
    13項記載の組成物より本質的になる誘電体組成
    物。 22 微細固体の混合物が有機溶媒中に溶解され
    た重合体結合剤よりなる有機媒質中に分散されて
    いる特許請求の範囲第13項記載の組成物。 23 有機溶媒が揮発性非水性溶媒であり、そし
    て分散液が成型可能な粘稠性をもつ特許請求の範
    囲第22項記載の組成物。 24 有機溶媒が130〜350℃の沸点を有する溶媒
    中に溶解された樹脂及びチクソトロピー剤よりな
    る溶液であり、そして分散液がスクリーン印刷に
    適しているペースト粘稠性をもつ特許請求の範囲
    第22項記載の組成物。 25 分散液をキヤステイングして層にし、それ
    から揮発性溶媒を除去しそして誘電性グリーンテ
    ープを形成する、特許請求の範囲第23項記載の
    組成物。
JP60145934A 1984-07-05 1985-07-04 誘電体組成物 Granted JPS6121967A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62814684A 1984-07-05 1984-07-05
US628146 1984-07-05
US06/713,099 US4582814A (en) 1984-07-05 1985-03-18 Dielectric compositions
US713099 1985-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6121967A JPS6121967A (ja) 1986-01-30
JPH0256306B2 true JPH0256306B2 (ja) 1990-11-29

Family

ID=27090631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60145934A Granted JPS6121967A (ja) 1984-07-05 1985-07-04 誘電体組成物

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4582814A (ja)
EP (1) EP0170089B1 (ja)
JP (1) JPS6121967A (ja)
KR (1) KR900001478B1 (ja)
CA (1) CA1249433A (ja)
DE (1) DE3561548D1 (ja)
DK (1) DK162351C (ja)
GR (1) GR851652B (ja)
IE (1) IE56770B1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63170261A (ja) * 1984-07-05 1988-07-14 イ−・アイ・デユポン・ド・ネモア−ス・アンド・コンパニ− モノリシックコンデンサーの製法
US4640905A (en) * 1985-05-01 1987-02-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric compositions
JPH0651572B2 (ja) * 1985-11-25 1994-07-06 三菱マテリアル株式会社 高誘電体粉末の製造方法
US4908338A (en) * 1986-12-29 1990-03-13 Sprague Electric Company Dried emulsion ceramic process
US4988468A (en) * 1987-01-08 1991-01-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing non-reducible dielectric ceramic composition
US5001014A (en) * 1988-05-23 1991-03-19 General Electric Company Ferrite body containing metallization
US5000909A (en) * 1988-05-23 1991-03-19 General Electric Company Ferrite body containing metallization
JP2733667B2 (ja) * 1988-07-14 1998-03-30 ティーディーケイ株式会社 半導体磁器組成物
US4959262A (en) * 1988-08-31 1990-09-25 General Electric Company Zinc oxide varistor structure
JPH0817054B2 (ja) * 1989-02-23 1996-02-21 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物
US5011803A (en) * 1990-01-10 1991-04-30 Kemet Electronics Corporation Lead magnesium niobate ceramic dielectrics having low sintering temperatures
US5079200A (en) * 1990-08-23 1992-01-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Detector material for uncooled thermal imaging devices
FR2674243B1 (fr) * 1991-03-18 1994-02-25 Tekelec Airtonic Composition ceramique pour resonateur dielectrique et procede de fabrication de cette composition.
US5203936A (en) * 1991-12-16 1993-04-20 W. R. Grace & Co.-Conn. Clean burning green ceramic tape cast system using polyisobutylene binder
JPH069062U (ja) * 1993-04-27 1994-02-04 能美防災株式会社 火災感知器
SG45241A1 (en) * 1993-06-30 1998-01-16 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic composition
JP2692667B2 (ja) * 1995-02-20 1997-12-17 日本電気株式会社 誘電体磁器組成物
KR0162876B1 (ko) * 1996-09-11 1998-11-16 박원훈 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물
US6309993B1 (en) * 1999-04-28 2001-10-30 National Science Council Of Republic Of China Low-fire microwave dielectric compositions
DE10151231C2 (de) * 2001-10-17 2003-08-21 Maweva Holding Ag Ltd Mettlen Küchenmaschine zum Zubereiten von Lebensmitteln
WO2005085154A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Ube Industries, Ltd. 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器
US8734713B2 (en) * 2009-07-03 2014-05-27 Universiti Putra Malaysia Energy storage ceramic dielectric component and method thereof

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2626220A (en) * 1947-05-20 1953-01-20 Thurnauer Hans Insulating materials
US2908579A (en) * 1955-06-23 1959-10-13 American Lava Corp Barium titanate insulators
US3068177A (en) * 1958-09-15 1962-12-11 Brush Crystal Company Ltd Ferroelectric ceramic materials
US3811937A (en) * 1967-03-27 1974-05-21 Sprague Electric Co Low temperature fired electrical components and method of making same
US3682766A (en) * 1967-03-27 1972-08-08 Sprague Electric Co Low temperature fired rare earth titanate ceramic body and method of making same
US3472777A (en) * 1967-07-28 1969-10-14 Du Pont Ferroelectric ceramic compositions
US3619220A (en) * 1968-09-26 1971-11-09 Sprague Electric Co Low temperature fired, glass bonded, dielectric ceramic body and method
US3638084A (en) * 1970-05-14 1972-01-25 Sprague Electric Co Energy storage capacitor
US3717487A (en) * 1970-06-17 1973-02-20 Sprague Electric Co Ceramic slip composition
US3872360A (en) * 1973-01-08 1975-03-18 Du Pont Capacitors with nickel containing electrodes
US3757177A (en) * 1973-01-15 1973-09-04 Johanson Mfg Monolithic base metal electrode capacitor
US4104698A (en) * 1973-11-15 1978-08-01 Sumitomo Durez Company, Ltd. Wax compositions for flame retardant electrical insulation coatings
US4048546A (en) * 1975-07-09 1977-09-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric powder compositions
US4063341A (en) * 1975-07-09 1977-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making multilayer capacitors
US4228482A (en) * 1976-07-07 1980-10-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Multilayer ceramic capacitors
JPS6022835B2 (ja) * 1978-08-17 1985-06-04 株式会社村田製作所 圧電性磁器の製造方法
US4219866A (en) * 1979-01-12 1980-08-26 Sprague Electric Company Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3
US4283753A (en) * 1979-09-28 1981-08-11 Sprague Electric Company Low firing monolithic ceramic capacitor with high dielectric constant
JPS6031797B2 (ja) * 1980-07-24 1985-07-24 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物
DE3206502A1 (de) * 1982-02-24 1983-09-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Dielektrikum auf der basis von bleititanaten sowie verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0170089B1 (en) 1988-02-03
KR900001478B1 (ko) 1990-03-12
DK162351B (da) 1991-10-14
KR860001456A (ko) 1986-02-26
US4582814A (en) 1986-04-15
DK306985A (da) 1986-01-06
GR851652B (ja) 1985-11-26
IE56770B1 (en) 1991-12-04
DK162351C (da) 1992-03-09
JPS6121967A (ja) 1986-01-30
IE851671L (en) 1986-01-05
CA1249433A (en) 1989-01-31
DK306985D0 (da) 1985-07-04
DE3561548D1 (en) 1988-03-10
EP0170089A1 (en) 1986-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0170089B1 (en) Dielectric compositions
EP0200200B1 (en) Dielectric compositions
KR100278416B1 (ko) 유전체 세라믹과 그 제조방법, 및 적층 세라믹 전자부품과 그 제조방법
DE3888370T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Mehrschichtkörpers mit inneren Kupferteilen.
US4426356A (en) Method for making capacitors with noble metal electrodes
TWI433184B (zh) 超低溫燒製的x7r與bx陶瓷介電組成物與其製法
US4845062A (en) Low-firing dielectric composition
US7230817B2 (en) Y5V dielectric composition
KR900001479B1 (ko) 유전성 조성물, 유전성 그린테이프 및 축전기
JP2762427B2 (ja) 積層型セラミックチップコンデンサ
JPH0255391B2 (ja)
KR100546993B1 (ko) 유전체 세라믹용 원료 분말의 제조 방법, 유전체 세라믹및 적층 세라믹 커패시터
GB2156334A (en) Dielectric composition
JP3108435B2 (ja) 改善された低温焼成キャパシター誘電体
JP2787746B2 (ja) 積層型セラミックチップコンデンサ
JP2975459B2 (ja) 積層型セラミックチップコンデンサ
JPH0255392B2 (ja)
JPH0323503B2 (ja)
JP2023070182A (ja) ニッケルペーストおよび導体用膜