DK162351B - Praeparat til dannelse af et dielektrisk materiale, det heraf dannede materiale, dielektrisk ubraendt baand og fremgangsmaade til dannelse af en monolitisk kondensator ud fra baandet - Google Patents
Praeparat til dannelse af et dielektrisk materiale, det heraf dannede materiale, dielektrisk ubraendt baand og fremgangsmaade til dannelse af en monolitisk kondensator ud fra baandet Download PDFInfo
- Publication number
- DK162351B DK162351B DK306985A DK306985A DK162351B DK 162351 B DK162351 B DK 162351B DK 306985 A DK306985 A DK 306985A DK 306985 A DK306985 A DK 306985A DK 162351 B DK162351 B DK 162351B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- dielectric
- composition according
- unburned
- weight
- mixture
- Prior art date
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 88
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 35
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 15
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 13
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 claims description 12
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 claims description 4
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 claims description 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910000003 Lead carbonate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 17
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 13
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 13
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910003122 ZnTiO3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004607 CdSnO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical class [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N (R)-(+)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017356 Fe2C Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100321817 Human parvovirus B19 (strain HV) 7.5K gene Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010062 TiCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002519 antifouling agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N beta-terpineol Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- UHZZMRAGKVHANO-UHFFFAOYSA-M chlormequat chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CCCl UHZZMRAGKVHANO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- UCVPKAZCQPRWAY-UHFFFAOYSA-N dibenzyl benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)OCC=2C=CC=CC=2)C=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 UCVPKAZCQPRWAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021190 leftovers Nutrition 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
DK 162351 B
Den foreliggende opfindelse angår et præparat til dannelse af et dielektrisk materiale, det heraf dannede materiale, dielektrisk ubrændt bånd og en fremgangsmåde til dannelse af en monolitisk kondensator ud fra båndet.
5 På grund af deres høje volumetriske effektivitet og dermed deres ringe størrelse er flerlags keramiske kondensatorer (MLC) den mest udbredt anvendte form for keramiske kondensatorer. Disse kondensatorer fremstilles ved stabling og samlet brænding af tynde ark af keramisk di-10 elektrisk materiale, hvorpå der er trykt et passende elektrodemønster. Hvert lag med et mønster er forskudt fra de tilstødende lag på en sådan måde, at elektrodelagene er frilagt skiftevis ved hver ende af den samlede struktur. De frilagte kanter af elektrodemønsteret er overtruk-15 ket med et ledende materiale, som forbinder alle lagene i strukturen elektrisk og således danner en gruppe af parallelt forbundne kondensatorer i den laminerede struktur. Kondensatorer af denne type betegnes ofte monolitiske kondensatorer.
20 De tynde ark af keramisk dielektrisk materiale, der anvendes til fremstilling af flerlags keramiske kondensatorer betegnes almindeligvis "green tapes" (ubrændte bånd) og omfatter et tyndt lag af findelte dielektriske partikler, der er bundet sammen af et organisk polymert 25 materiale. Ubrændte "green tapes" fremstilles ved slik-kerstøbning af en opslæmning af de dielektriske partikler dispergeret i en opløsning af polymer, plasticerings-middel på et bæremateriale, såsom polypropylen, "Mylar® "--polyesterfolie eller rustfrit stål, hvorefter tykkelsen 30 af den udstøbte film indstilles ved at føre den udstøbte opslæmning under en rakel.
Metalliseringer, som er anvendelige til fremstilling af ledere til flerlags kondensatorer, omfatter normalt findelte metalpartikler påført på "green tape" i 35 form af en dispersion af sådanne partikler i en indifferent flydende bærer. Selv om den ovenfor beskrevne •t.
DK 162351 B
2 "green tape"-proces er mest udbredt anvendt, er der også andre procedurer, hvorved dielektriske præparater i-følge opfindelsen kan anvendes til fremstilling af flerlags keramiske kondensatorer. Én metode er den såkaldte 5 vådproces. I ét aspekt kan denne proces involvere passage af et fladt underlag gennem en faldende film af dielektrisk slikker en eller flere gange til opbygning af et dielektrisk lag, jf. US patentskrift nr. 3.717.487.
En anden måde at gennemføre vådprocessen på er at påføre 10 et antal tynde lag af dielektrisk slikker på et underlag ved hjælp af en pensel og derved opbygge et tykt dielektrisk lag, jf. US patentskrift nr. 4.283.753.
En anden metode til fremstilling af fle-rlags keramiske kondensatorer involverer dannelse af en pasta 15 af det dielektriske materiale og derefter skiftevis skabelontrykke dielektriske lag og metallag med mellemliggende tørringstrin, indtil den ønskede struktur er komplet. Et andet elektrodelag trykkes derefter oven på de(t) dielektriske lag, og hele den samlede struktur brændes.
20 Monolitiske flerlags kondensatorer fremstilles typisk ved samlet brænding af bariumtitanatbaserede præparater og ledende elektrodematerialer i oxiderende atmosfære ved temperaturer på 1200-1400°C. Denne proces giver holdbare, godt sintrede kondensatorer med en høj 25 dielektricitetskonstant, f.eks. over 1000. Imidlertid kræver brænding under disse betingelser et elektrodemateriale, der har et .højt smeltepunkt, en god oxida-tionsbestandighed ved forhøjede temperaturer, kan sintres ved det dielektriske materiales modningstemperatur og 30 har en minimal tilbøjelighed til vekselvirkning med det dielektriske materiale ved sintringstemperaturen. Disse krav begrænser normalt udvalget af elektrodematerialer til ædelmetallerne platin og palladium eller til legeringer af platin, palladium og guld, jf. også US patent-35 skrift nr. 3.872.360, som angår fremstilling af monolitiske flerlags kondensatorer.
3
DK 162351 B
Der kunne opnås væsentlige besparelser med hensyn til elektrodeomkostningerne, hvis dielektriske materialer kunne modificeres til, at de 1) giver gode dielektriske egenskaber (høj dielektricitetskonstant og lav 5 tabsfaktor) efter brænding i reducerende atmosfære, således at der kan anvendes basismetaller som elektroder, og/-eller 2) sintrer ved temperaturer på 950°C eller lavere, således at sølv, der er betydelig mindre kostbart end de andre ædelmetaller, men har et lavere smeltepunkt (962°C), 10 kan anvendes til dannelse af elektroder.
Det er blevet forsøgt at modificere bariumti-tanatbaserede keramiske materialer således, at de kan brændes i reducerende atmosfære (f.eks. hydrogen) eller indifferent atmosfære (f.eks. argon eller nitrogen). Dis-15 se forsøg har haft begrænset succes, idet de elektriske egenskaber, f.eks. dielektricitetskonstanten, tabsfaktoren, kapacitetens temperaturkoefficient etc., forringes i sammenligning med egenskaberne af konventionelle luft-brændte præparater. Desuden medfører opretholdelsen 20 af en indifferent eller reducerende atmosfære yderligere produktionsomkostninger i sammenligning med brænding i luft. Et eksempel på denne måde at gå frem på er beskrevet i US patentskrift nr. 3.757.177, der omhandler kondensatorer af basismetalelektroder (f.eks. Ni, Co, Fe) 25 og modificeret bariumtitanat (MnC^/ Fe20^f CoC^/ CaZrOg), der brændes i en indifferent atmosfære ved ca. 1300°C (spalte 3, linie 33-34).
Der er blevet gjort flere forsøg på at nedsætte modningstemperaturen af dielektriske materialer ved at 30 blande faser, der er ferroelektriske ved høj temperatur (titanater, zirconater etc.), med glasser, der modnes ved relativt lav temperatur. Denne måde -at gå frem på er f.eks. beskrevet i US patentskrift nr. 3.619.220, 3.638.084, 3.682.766 og 3.811.937. Ulempen ved denne 35 teknik er, at glassets fortyndende effekt ofte bevirker, j at blandingens dielektricitetskonstant bliver relativt j lav.
DK 162351 B
O
4
En anden metode til nedsættelse af sintringstemperaturen af titanat-baserede dielektriske materialer er anvendelsen af "sintringshjælpemidler". Tilsætninger af bismuthoxid eller bentonit til bariumtitanat nedsætter
5 O
modningstemperaturen til ca. 1200 C, jf. US-patentskrift nr. 2.908.579. Modningstemperaturer på 1200-1290°C kan opnås ved tilsætning af phosphater til titanater som beskrevet i US patentskrift nr. 2.626.220. Imidlertid er nedsættelsen af modningstemperaturen i begge disse til-10 fælde ikke tilstrækkelig til at tillade anvendelse af sølvelektroder, der brændes samtidig, og de dielektriske egenskaber er ofte forringede...
Der har foreligget et behov for et præparat, der giver en høj dielektricitetskonstant (f.eks. 1000 eller 15 højere) og en lav tabsfaktor (f.eks. mindre end 5%, fortrinsvis mindre end 2%) og sintrer i luft ved lave temperaturer (f.eks. mindre end 1000°C eller lavere). Dette ville muliggøre samtidig brænding med sølv- eller palla- dium/sølv-elektroder og således i stort omfang nedsætte 20 „ prisen pa flerlags kondensatorer med høj dielektricitets-konstant.
N.N. Krainik et al., Soviet Physics - Solid State 2, 63-65 (1960), beskriver faste opløsninger af bl.a.
PbTiO^ og PbMgg ^Wg 5Ο3· Tilsyneladende er et stort ud-25 valg af blandinger med 0-80% PbTiOg blevet undersøgt, jf. fig. 2. Der gives ingen anvisninger på fremstillingen af flerlags kondensatorer. I en anden artikel fra det samme laboratorie, G.A. Smolenskii et al., Soviet Physics - Solid State 3, 714 (1961), beskrives undersøgelser af 30 visse faste opløsninger, herunder de af Krainik et al. undersøgte opløsninger, hvor brændingen på lignende måde gennemføres i en atmosfære af PbO-damp. I artiklen diskuteres faseomdannelser. I en artikel, der tilsyneladende er den tredie i denne række, A.I. Zaslavskii et al.,
Soviet Physics - Crystallography 7, 577 (1963), rapporteres røntgen-strukturundersøgelser.
35
DK 162351 B
5
O
I US patentskrift nr. 3.472.777 beskrives fremstilling af ferroelektriske keramiske skiver ved en totrins brændingsproces. Det angives, at begge brændingstrin gennemføres i luft ved temperaturer i området 800-5 -1200°C. I det eneste foreliggende eksempel gennemføres brændingen ved 1050°C. I patentskriftet beskrives forskellige dielektriske materialer, såsom PbMg^y^Ti-iy 2^/3^3 og Y-holdige materialer.
For nylig er der ifølge US patentskrift nr. 4.048.546, 10 4.063.341 og 4.228.482 tilvejebragt en ganske vellykket løsning på problemet med dielektriske præparater, der har lav brændingstemperatur og dielektricitetskonstanter så høje som 6000 til anvendelse i kondensatorer af Z5U-ty-pen. Disse præparater af substitueret blytitanat har form-15 len: 'W^’aWrVi’b hvori x = 0-0,3, a - 0,35-0,5, r = 0,45-0,55, s = 0,55--0,45, og b = 0,5-0,65, (r + s) = 1, og (a + b) = 1.
20 For nylig er der i GB patentansøgning nr.
2.115.400A beskrevet ganske lignende præparater, der har lave sintringstemperaturer og har formlen PbTi, Mg W O,, hvori x og y har værdier i området 0,25-0,35. Disse materialer fremstilles ved at blande de tilsvarende metal-25 oxider og calcinere blandingen ved 700-750°C. Materialer ne sintres ved 800-950°C, hvilket er under smeltepunktet af sølv. Nogle af præparaterne ifølge GB ansøgningen har samme sammensætning som præparater ifølge de ovennævnte tre US patentskrifter og forventes derfor at have on de samme egenskaber.
Til trods for de væsentlige fremskridt, der er opnået med hensyn til højere dielektricitetskonstanter, kan der inden for elektronikindustrien forudses et behov for dielektriske materialer, der har endnu højere 35 dielektricitetskonstanter (K) af størrelsesordenen 8000 eller endnu højere og alligevel stadig kan anvendes sam- 6
DK 162351 B
men med konventionelle sølvholdige elektroder, såsom elektroder af palladium og sølv i forholdet 85/15 og 70/30.
På baggrund af elektronikindustriens stadig mere 5 strenge krav til forbedrede dielektriske materialer i båndform angår opfindelsen blytitanat-baserede dielektriske præparater, der er egnede til Z5U-type-brug og har mulighed for at opnå dielektricitetskonstanter på 8000 og endnu højere.
10 Nærmere bestemt angår opfindelsen i et første aspekt et præparat til dannelse af et tæt dielektrisk legeme ved lave brændingstemperaturer og omfattende en blanding af findelte partikler, der er ejendommelig ved, at partiklerne i det væsentlige består af: 15 a) 95,5-99,4 vægt-% af en blanding af metaloxider, metaloxid-forløbere eller polynære oxidreaktionsprodukter deraf i molære forhald svarende til formlen 20 hvori x = 0-0,3, a = 0,45-0,6, r = 0,45-0,55, s = 0,55--0,45, og b = 1,55-0,4, og (r + s) = 1, og (a + b) = 1, og b) 4,5-0,6 vægt-% af en blanding af metaloxider eller for-25 løbere derfor, der i det væsentlige består af 1) 0,1-1,0 vægt-% af et binært oxid af et overgangsmetal valgt blandt Co, Ni, Cr, Mn og blandinger deraf, 2) 0,25-1,5 vægt-%
Cd-titanat, Zn-titanat eller blandinger deraf, og 3) 0,25--2,0 vægt-% af et polynært oxid valgt blandt Cd-zirconat, 30 Zn-zirconat, Cd-stannat, Zn-stannat og blandinger deraf, idet i det væsentlige alle partikler er mindre end 10^,um i den største dimension.
I et andet aspekt angår opfindelsen et dielektrisk materiale, som er ejendommeligt ved, at det i det væsentlige 35 består af et præparat ifølge opfindelsen, der er blevet brændt i luft ved 900-1050°C til sintring af partiklerne og 7
DK 162351 B
fortætning af blandingen.
I et tredie aspekt angår opfindelsen et dieelektrisk ubrændt bånd, som er ejendommeligt ved, at det omfatter et lag af præparatet ifølge opfindelsen, hvorfra det flygtige 5 opløsningsmiddel er blevet fjernet.
I et fjerde aspekt angår opfindelsen en fremgangsmåde til dannelse af en monolitisk kondensator, hvilken fremgangsmåde er ejendommelig ved, at den omfatter følgende række af trin: 10 1) påføring af et lag af ledende elektrodemateriale disper- geret i organisk medium på hvert af en flerhed af lag af ubrændt bånd ifølge opfindelsen.
2) laminering af en flerhed af elektrodebelagte ubrændte bånd til dannelse af en samling af alternerende lag af u- 15 brændt bånd og elektrodemateriale, og 3) brænding af samlingen dannet i trin 2) ved 900-1050°C til fjernelse af det organiske medium og den organiske binder derfra og til sintring af det ledende elektrode-materiale og det dielektriske materiale.
20 A. Uorganisk komponent.
Som antydet ved den ovenfor anførte formel bliver præparaterne ifølge opfindelsen, når de er brændt, i det væsentlige faste opløsninger, hvori forbindelserne 25 fra a) er dopet med meget små mængder af overgangsmetaloxid (er) og zirconater og stannater af b). Imidlertid kan præparaterne før brænding være udgjort af de særskilte oxider eller af faste opløsninger eller forbindelser af to eller flere oxider, afhængigt af den 30 grad af calcinering, som bestanddelene kan have været udsat for.
Selv om calcinering ikke er absolut afgørende, vil det forstås, at det er meget foretrukket, at i det mindste størstedelen af den ovenfor beskrevne blanding 35 af partikler calcineres i luft, således at krympningen ved brænding kan minimeres. Graden af calcinering vil dog i stort omfang afhænge af den påtænkte anvendelse
O
DK 162351 B
8 og de brændingsbetingelser, der anvendes for at bevirke dannelse af sintrede dielektriske legemer. Naturligvis vil en mere kraftig brænding virke i retning af at nedsætte antallet af tilstedeværende faser, og materialet 5 vil nærme sig en tilstand af en enkelt fast opløsning.
Det foretrækkes, at i det mindste komponenterne a) cal-
cineres i luft. Egnede calcineringsbetingelser 538-816°C
(1000-1500°F) og især 704-816°C (1300-1500¾. Cal- cineringstiden bør være mindst 0,5 timer og fortrinsvis 10 mindst 1,0 timer. En calcineringstid på 2 timer har vist sig at være passende, omend længere tider kan anvendes.
Komponenterne behøver ikke at blive calcineret sammen? de kan også calcineres separat.
Præparaterne kan have' form af metaloxiderne, 15 forløbere for metaloxiderne og/eller reaktionsprodukter af metaloxiderne af de ovenfor anførte metaller. Med udtrykket "forløbere for metaloxider" menes forbindelser, der ved calcinering eller brænding omdannes til metaloxider. Disse omfatter carbonater, hydroxider og nitra- 20 ter. For eksempel omdannes MgCO^ til MgO ved calcinering, og MgCO^ er således en forløber for MgO. Med udtrykket "reaktionsprodukt" menes en forbindelse eller fast opløsning af metaloxidet, der kan dannes ud fra metaloxiderne.
For eksempel kan det polynære oxid PbTiO., dannes ud fra 25 ^
PbO og T1O2 ved brænding. Pb- og Ti-komponenten kan således sættes til præparatet hver for sig som PbO og T1O2 eller som allerede dannet PbTiO^.
Generelt fremstilles præparaterne ved hjælp af følgende trin: 30 1) vådformaling af dispersionen (blanding) 2) fjernelse af vandet (tørring) 3) granulering 4) calcinering 5) granulering 35 6) vådformaling (partikelstørrelsesindstilling)
DK 162351 B
9
O
Disse trin gennemføres imidlertid ikke nødvendigvis i samme rækkefølge for hver komponent. Det kan f.eks. være foretrukket at for-blande overgangsmetaloxidet med en enkelt komponent af a), såsom PbTiO_, der undergår trin 5 ^ 1) til 5). Denne forblanding sættes derefter til de andre komponenter af a), der undergår trin 1) til 6) plus tørring og granulering. Til de fremkomne granulerede blandinger sættes resten af komponenterne af b), og den færdige blanding formales, tørres og granuleres. Ved denne 10 procedure, der er udformet til at give en mere ensartet blanding af alle komponenter, calcineres overgangsmetal-komponenterne to gange, men de polynære oxider calcineres slet ikke. Hvilket blandingsskema der end anvendes, er en ganske ensartet fordeling af alle komponenterne væsent- 15 lig, og det omfang, hvori calcinering er nødvendig, vil være bestemt af den tilladelige grad af krympning, når blandingen brændes. Som anvendt ovenfor refererer udtrykket "granulering" til anvendelsen af vibrerende sigter til brydning af agglomererede partikler. Dette sker sæd- 20 vanligvis lige før calcineringen.
Til opnåelse af endnu bedre brændings- og sintringsegenskaber foretrækkes det, at overfladearealet af de dielektriske partikler er mindst 0,5 m /g og fortrins-2 vis mindst 5 m /g. Endnu højere partikeloverfladearealer 25 2 kan anvendes, f.eks. 10 m /g eller højere, men fordelen ved disse må afvejes efter den kendsgerning, at partikler med højere overfladeareal kræver mere organisk medium til opnåelse af en given dispersionsviskositet. Desuden bør i det væsentlige alle partikler være mindre end 30 lOyUm i deres største dimension.
B. Støbeopløsning til dannelse af ubrændt bånd.
Som ovenfor nævnt fremstilles ubrændte bånd af det dielektriske præparat ifølge opfindelsen ved udstøb-35 ning af en dispersion af det dielektriske materiale i en opløsning af polymer binder og flygtigt organisk op- s 10
DK 162351 B
o løsningsmiddel på et fleksibelt underlag, såsom et stålbånd eller en polymerfolie, og efterfølgende opvarmning af det udstøbte lag til fjernelse af det flygtige opløsningsmiddel .
5 Det organiske medium, hvori de faste keramiske bestanddele er dispergeret, består af den polymere binder, som er opløst i et flygtigt organisk opløsningsmiddel, og eventuelt andre opløste materialer, såsom plas-ticeringsmidler, slipmidler, dispergeringsmidler, af— 10 stripningsmidler, anti-forureningsmidler og befugtnings-midler.
Til opnåelse af en bedre bindingseffektivitet foretrækkes det at anvende'mindst 5 vol. -%' polymer-binder til 95 vol.-% faste keramiske bestanddele. Det foretræk-15 kes imidlertid også at anvende højest 20 vol.-% binder i 80 vol.-% faste keramiske bestanddele. Inden for disse grænser er det ønskeligt at anvende den mindst mulige mængde binder i forhold til de faste stoffer for at reducere den mængde organisk materiale, der skal fjernes . ved pyrolyse.
Det er kendt at anvende forskellige polymere materialer som bindere i ubrændte bånd, f.eks. polyvinyl-butyral, polyvinylacetat, polyvinylalkohol, cellulosepolymere, såsom methylcellulose, ethylcellulose, hydroxy-25 ethylcellulose, methylhydroxyethylcellulose, ataktisk polypropylen, polyethylen, siliciumpolymere, såsom poly-methylsiloxan, polymethylphenylsiloxan, polystyren, butadien/styren-copolymere, polystyren, polyvinylpyrro-lidon, polyamider, højmolekylære polyethere, copolymere 30 af ethylenoxid og propylenoxid, polyacrylamider og forskellige acrylpolymere, såsom natriumpolyacrylat, poly--(lavere alkyl-acrylater), poly-(lavere alkyl-methacry-later) og forskellige copolymere og multipolymere af lavere alkylacrylater og -methacrylater. Det er kendt 35 at anvende copolymere af ethylmethacrylat og methylacry-lat og terpolymere af ethylacrylat, methylmethacrylat og methacrylsyre som bindere til glidestøbematerialer.
11
DK 162351 B
En organisk binder, som er en blanding af forenelige multipolymere af 0-100 vægt-% C^g-alkylmethacrylat, 100-0 vægt-% C-j^g-alkylacrylat og 0-5 vægt-% ethylenisk umættet carboxylsyre eller amin, hvor polymerene tillader anvendelse 5 af minimale mængder af binder og maksimale mængder af dielektriske faste stoffer, er foretrukket i det dielektriske præparat ifølge opfindelsen.
Opløsningsmiddelkomponenten af støbeopløsningen vælges således, at der fås en fuldstændig opløsning af 10 polymeren og en tilstrækkelig høj flygtighed til, at opløsningsmidlet kan afdampes fra dispersionen ved anvendelse af en relativt ringe opvarmning ved atmosfæretryk. Desuden skal opløsningsmidlet koge et godt stykke under kogepunktet og sønderdelingstemperaturen af even-15 tuelle andre tilsætninger, der findes i det organiske medium. Der anvendes således hyppigst opløsningsmidler, der har kogepunkter ved atmosfæretryk på under 150°C. Sådanne opløsningsmidler omfatter benzen, acetone, xylen, methanol, ethanol, methylethylketon, 1,1,1-trichlorethan, 20 tetrachlorethylen, amylacetat, 2,2,4-triethyl-l,3-pen-tandiol-monoisobutyrat, toluen og methylenchlorid.
Det organiske medium vil hyppigt også indeholde en lille mængde, i forhold til binderpolymeren, af et plasticeringsmiddel, der tjener til at nedsætte glas-25 overgangstemperaturen (Tg) af binderpolymeren. Imidlertid bør anvendelsen af sådanne materialer minimeres for at reducere mængden af organiske materialer, der skal fjernes, når de deraf udstøbte film brændes. Valget af plasticeringsmidler bestemmes naturligvis primært af den 30 polymer, der skal modificeres. Blandt plasticeringsmidler, som er blevet anvendt i forskellige bindersystemer, er diethylphthalat, dibutylphthalat, octylphthalat, butyl-benzylphthalat, alkylphosphater, polyalkylenglycoler, glycerol, polyethylenoxider, hydroxyethyleret alkylphenol, dialk-35 yldithiophosphonat og polyisobutylen. Blandt disse er butyl-
O
DK 162351 B
12 benzylphthalat mest hyppigt anvendt i acrylpolymersyste-mer, fordi det kan anvendes effektivt i relativt små koncentrationer.
5 C. Tykfilmpasta..
Det kan ofte være ønsket at påføre præparaterne ifølge opfindelsen som en tykfilmpasta ved sådanne metoder som skabelontrykning. Når dispersionen skal påføres som en tykfilmpasta, kan konventionelle organiske medier 10 til tykfilm anvendes med passende rheologiske justeringer og anvendelse af opløsningsmidler med lavere flygtighed. I dette tilfælde skal præparaterne have en passende viskositet, således at de kan passeres let gennem skærmen. Desuden bør de være tiksotrope, således at de stiv-15 ner hurtigt efter at være blevet påført og derved giver en god skarphed. Selv om de rheologiske. egenskaber er af primær betydning, formuleres det organiske medium fortrinsvis også således, at der fås en passende befugtelig-hed af de faste stoffer og underlaget, en god tørrings- 20 hastighed og en tilstrækkelig styrke af den tørrede film til, at den kan modstå hårdhændet håndtering, og gode brændingsegenskaber. Et tilfredsstillende udseende af det brændte præparat er også vigtigt.
På grundlag af alle disse kriterier kan der an- Λβ vendes et bredt udvalg af indifferente væsker som organisk medium. Det organiske medium til de fleste tykfilm-præparater er typisk en opløsning af harpiks i et opløsningsmiddel og hyppigt en opløsningsmiddel-opløsning, der både indeholder harpiks og tiksotropt middel. Opløsnings-30 midlet koger sædvanligvis i området 130-350°C.
Særlig egnede harpikser til dette formål er polymethacrylater af lavere alkoholer og monobutyletheren af ethylenglycolmonoacetat.
De mest udbredt anvendte opløsningsmidler til 35 tykfilm-formål er terpener, såsom alfa- eller beta-ter- pineol eller blandinger deraf med andre opløsningsmidler,
DK 162351 B
13
O
såsom petroleum, dibutylphthalat, butyl-"Carbitol", butyl--"Carbitol"-acetat, hexylenglycol og højtkogende alkoholer og alkoholestere. Forskellige kombinationer af disse og andre opløsningsmidler formuleres til opnåelse af den 5 ønskede viskositet og flygtighed til hver enkelt anvendelse .
Blandt tiksotrope midler, som er almindeligt anvendte, er hydrogeneret ricinusolie og derivater deraf.
Det er naturligvis ikke altid nødvendigt at inkorporere et tiksotropt middel, idet opløsningsmiddel/harpiks-egen- skaberne koblet med den effekt af forskydnings-fortynding, der forekommer i enhver suspension, kan være tilstrækkelig i denne henseende. Forholdet mellem organisk medium og uorganiske faste stoffer i dispersionerne kan variere 15 betydeligt og afhænger af den måde, hvorpå dispersionen skal påføres, og arten af anvendt organisk medium. Normalt vil dispersionerne til opnåelse af en god dækning indeholde 60-90 vægt-% faste stoffer og 40-10 vægt-% organisk medium. Sådanne dispersioner har sædvanligvis en 20 halvflydende konsistens og betegnes i almindelighed "pastaer".
Pastaerne fremstilles bekvemt på et trevalset valseværk. Viskositeten af pastaerne ligger typisk inden for de følgende områder, når den måles ved stuetempera-25 tur på Brookfield-viskosimetre ved lave, moderate og høje forskydningshastigheder:
Forskydningshastighed (sek. Viskositet (Pa.s)_ 0,2 100-5000 - 30 300-2000 foretrukket 600-1500 mest foretrukket 4 40-400 - 100-250 foretrukket 140-200 mest foretrukket 35 384 7-40 10-25 foretrukket 12-18 mest foretrukket
O
DK 162351 B
14
Den anvendte mængde og type af organisk medium (bærer) bestemmes hovedsageligt af den ønskede slutviskositet af formuleringen og trykketykkelsen.
5 D. Kondensatorfremstilling.
Som ovenfor beskrevet fremstilles mange multilagskondensatorer ved påtrykning af elektrodemetallisering i det ønskede mønster på et dielektrisk underlag, som er et ubrændt bånd. De trykte dielektriske under-10 lag stables, lamineres og udskæres til dannelse af de· ønskede kondensatorstrukturer. Det ubrændte dielektriske materiale brændes derefter til fjernelse af det organiske medium fra elektrodematerialet og „af den organiske binder fra det dielektriske materiale. Fjernelsen af disse 15 materialer gennemføres ved en kombination af afdampning og termisk sønderdeling under brændingsprocessen. I nogle tilfælde kan det også være ønskeligt at indskyde et forudgående tørringstrin før brændingen. Tykkelsen af det ubrændte bånd er typisk ca. 30-33 ,um, og efter bræn- ΡΠ ' dingen bliver tykkelsen ca. 23-25^ιιια.
Ved brændingen af de ovenfor beskrevne kondensator-samlinger foretrækkes det at anvende et første brændingstrin, hvor samlingen opvarmes langsomt til 100--550°C, hvilket vil være virksomt til fjernelse af alt 25 det organiske materiale uden skade på den laminerede samling. Tidsrummet til udbrænding af organisk materiale er typisk 18-24 timer for at sikre fuldstændig fjernelse af organisk materiale. Når dette trin er gennemført, opvarmes samlingen derefter mere hurtigt til den ΟΛ ønskede sintringstemperatur.
Den ønskede sintringstemperatur bestemmes af de fysiske og kemiske egenskaber af det dielektriske materiale. I almindelighed vælges sintringstemperaturen således, at der fås en maksimal fortætning af det dielek-35 triske materiale. For de dielektriske præparater ifølge opfindelsen vil temperaturen ligge i området fra 900 15
DK 162351 B
til 1050°C. Det vil dog forstås af en fagmand, at en maksimal fortætning ikke altid er nødvendig. Derfor refererer udtrykket "sintringstemperatur" til den temperatur (og implicit også det tidsrum), hvorved der opnås den ønskede 5 grad af fortætning af det dielektriske materiale til den tilsigtede kondensatoranvendelse. Sintringstiderne varierer også med det dielektriske præparat, men i almindelighed foretrækkes et tidsrum af størrelsesordenen 2 timer ved sintringstemperaturen.
10 Efter afsluttet sintring kontrolleres hastighe den af afkølingen til omgivelsestemperatur omhyggeligt i overensstemmelse med komponenternes bestandighed mod bratte termiske påvirkninger.
De følgende egenskaber, som er relevante for ev-15 nen af en given kondensator til at fungere på passende måde, henvises der til i eksemplerne.
E. Kapacitet.
Kapaciteten er et mål for et materiales evne til 20 at oplagre en elektrisk ladning. Udtrykt matematisk er kapaciteten C = KANe0/t, hvor K er dielektricitetskonstanten, A er elektrodernes overlapningsareal i m2, N er antallet af dielektriske lag, t er tykkelsen af de(t) dielektriske lag i m, og eQ = 8,85 x 10“12 F/m.
25 Enhederne for kapaciteten C er farad eller brøk- _ C.
dele deraf, såsom mikrofarad (10 farad), nanofarad (10 9 farad) eller picofarad (10-12 farad).
F. Tabsfaktor.
30 Tabsfaktoren (DF) er et mål for faseforskellen mellem spænding og strøm. I en perfekt kondensator vil faseforskellen være 90°. I praktiske dielektriske systemer er denne faseforskel imidlertid en mængde C mindre end 90° på grund af krybestrøm og relaksationstab. Nær-35 mere bestemt er DF tangens til vinklen 6.
O
DK 162351 B
16 G. Isolationsmodstand.
Isolationsmodstanden (IR) er et mål for evnen af en opladet kondensator til at modstå krybestrøm under pålægning af en jævnstrøm. Isolationsmodstanden er en kon-5 stant for et hvilket som helst dielektrisk materiale uafhængigt af kapaciteten.
I de følgende eksempler og sammenligningseksempler illustreres fordelene ved den foreliggende opfindelse. I eksemplerne og andetsteds i beskrivelsen og kra- 10 vene er alle dele, procent, forhold etc. pa vægtbasis, medmindre der er angivet andet.
EKSEMPLER.
Eksempel 1-5.
15
Der fremstilles to portioner af dielektriske materialer til brænding ved lav temperatur, hvori forholdet mellem a og b er 0,40/0,60 og 0,50/0,50, ved den følgende række af procestrin: 1) vådformaling 20 2) tørring 3) granulering 4) calcinering 5) granulering 6) harpiks-formaling 25
Udtrykket "harpiks-formaling" refererer til formaling, som gennemføres under anvendelse af et organisk dispersionsmedium i stedet for vand. Det organiske medium er en opløsning af binderpolymeren i organisk opløsningsmiddel.
Tre yderligere portioner af dielektrisk præparat 30 med mellemliggende a/b-forhold fremstilles ved at blande passende portioner af de to ovenfor beskrevne materialer.
De fem fremstillede præparater anvendes derefter på den ovenfor beskrevne måde til dannelse af ubrændte bånd, som anvendes til fremstilling af flerlagskondensatorer, der 35 kun adskiller sig fra hinanden ved sammensætningen af det 17
DK 162351 B
anvendte dielektriske materiale. De elektriske egenskaber af kondensatorerne dannet deraf er anført i tabel I nedenfor .
Tabel I
5 VIRKNING AF ÆNDRING AF FORHOLDET
a/b PÅ DE DIELEKTRISKE EGEBSKABER
Eksempel nr. 12345
Dielektrisk præparat (vægt-%) iQ FbO (3,1 (3,4 (3,8 (4,3 (4,7 H3CO3 8,1 7,8 7,5 7,2 (,9
Ti02 9,1 9,8 10,4 11,0 11,( HO3 19,7 19,0 18,3 17,5 16,8 15 (mol-%)
PbTl03 38,6 41,0 43,5 45,9 48,3
Fb(HsU)03 57,7 55,4 53,0 50,7 48,3
HftO 3,7 3,6 3,5 3,4 3,4
Brændings-
O Π J
temperatur, *c 1038 1038 1038 1038 1038
Dielektriske egenskaber efter brænding K ved 25°C 5437 6140 7004 7610 5790 TCC, % Ac, 10*C 44,0 4*2,8 -10,9 -16,4 -25,5 25 35*C -4,6 -2,8 4*2,0 4*15,5 4*31,9 50* C -13,0 -9,9 -4,1 4*24,7 4*71,3 85*C -30,2 -23,7 -24,1 4*12,7 +131,3<i> 3Q % 0F (0,04 V^um) 1,07 1,74 5,36 6,91 4,90 x 11111 • 0,40 0,425 0,45 0,475 0,50 b 0,60 0,575 0,55 0,525 0,50 35 i1) Baseret på K25°c TCC85°c/ potentiel K er 13.000.
*) TCC betyder her og i de følgende tabeller kapacitetstemperaturkoefficient .
O
DK 162351 B
18
De ovenfor anførte data viser, at der opnås en væsentlig effekt på alle de afprøvede egenskaber. Idet Curie-toppen forskydes mod højere temperaturer ved forøgelse af a/b-forholdet, er det ikke overraskende, at 5 værdierne af K og DF ved stuetemperatur stiger. Disse resultater viser, at der kan opnås en meget høj potentiel K-værdi ved stuetemperatur ifølge opfindelsen.
Eksempel 6-8.
Der fremstilles to portioner af dielektriske præparater til brænding ved lav temperatur, hvori mængden af ZnTiO^ er 0 og 1,0 vægt-%.
Der fremstilles først en forblanding af MnC^/
CoO og PbTiO-j ved kuglemølleformaling af disse komponen-15 ^ ter i 55% vand. Den kuglemølleformalede blanding tørres derefter ved 450°C i 12 timer, granuleres gennem en sigte med en maskevidde på 0,42 mm, calcineres ved 1350°C i 2 timer og granuleres derefter endnu en gang. De reste- . rende komponenter fremstilles derefter ved følgende ræk-20 ke af procestrin: 1) vådformaling 2) tørring 3) granulering 4) calcinering 25 5) granulering 6) harpiks-formaling
Der fremstilles blandinger med og uden ZnTiO^, og portioner af disse blandes til dannelse af en blanding med en mellemliggende mængde ZnTiOn.
30 ^
Den formalede dispersion af sammensætningens faste bestanddele i acrylpolymeropløsning anvendes derefter til udstøbning af et ubrændt bånd, ud fra hvilket der fremstilles flerlagskondensatorer på den ovenfor beskrevne måde. De elektriske egenskaber af de deraf dannede 35 kondensatorer er anført i tabel II nedenfor.
O
DK 162351 B
19
Tabel II
VIRKNING AF ZnTiO^“TILSÆTNING AF
BRÆNDINGSTEMPERATUROMRÅDET_
Eksempel nr. 6 7 8 5
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 64,3 63,9 63,6
MgC03 7,1 7,0 7,0
Ti02 11,1 11,1 11,0 W03 17,2 17,2 17,1 10 CoO 0,2 0,2 0,2
MnO 0,1 0,1 0,1
ZnTi03 - 0,5 1,0
Acceptabel sintring ved 1038°C nej ja ja 15 ved 1010°C nej ja ja ved 982°C nej nej ja
Resultaterne i tabel II viser, at tilsætning af ganske små mængder ZnTiO., er virksomme til at sænke sint- 20 0 ringstemperaturen af det dielektriske præparat mindst 50°C.
Eksempel 9-16.
Der fremstilles en serie på 8 præparater, hvor 25 forskellige dopingmidler i forskellige mængder sættes til præparatet ifølge opfindelsen til undersøgelse af deres virkning på de dielektriske egenskaber efter brænding, især tabsfaktoren (DF). Præparaterne fremstilles ved hjælp af den følgende række af trin, bortset fra at 30
SrTi03 og/eller ZnTi03 i eksempel 9-11 og 16 sættes til blandingen efter calcineringsprocessen.
1) vådformaling 2) tørring 3) granulering 35 4) calcinering 5) granulering 6) harpiks-formaling 20
O
DK 162351 B
Den harpiksformalede dispersion af præparatets faste bestanddele i opløsningen af acrylpolymer anvendes til at støbe et ubrændt bånd, hvoraf der fremstilles flerlagskondensatorer på den ovenfor beskrevne måde. De elek- 5 triske egenskaber af kondensatorerne dannet deraf er anført i tabel III nedenfor.
Tabel III
VIRKNING AF TILSÆTNING AF METALOXID-10 DOPING-MIDLER PÅ TABSFAKTOR (DF)
Eksempel nr. 9 10 11 12
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 62,6 62,6 61,6 61,6
MgC03 6,6 6,7 6,6 6,6 15 Ti02 11,5 11,4 11,2 11,2 W03 16,0 16,3 16,0 16,0
CoO 0,2
Mn02 0,1 - 0,2
NiO - - - 20
Ce02 - 0,2
Fe2°3 - - -
SrTi03 - - 4,0 4,0
ZnTiC>3 - - 0,5 0,5
Brændingstemperatur, °C 1024 1024 1024 1024 25
Dielektriske egenskaber efter brænding___ K ved 25°C 9176 8993 6674 6089 % DF (0,04 V^um) 0,63 1,50 0,28 0,99 IR (AF)
30 ved 25°C 30K 21K 2K 3,2K
ved 85°C 9,7K 6,7K 1,4K 2,5K
35 21
O
DK 162351 B
Tabel III (fortsat) VIRKNING AF TILSÆTNING AF METALOXID-DOPING—MIDLER PÅ TABSFAKTOR (DF)
Eksempel nr. 13 14 15 16 5
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 61,6 61,6 61,6 61,7
MgC03 6,6 6,6 6,6 6,6
Ti02 11,2 11,2 11,2 11,2 W0- 16,0 16,0 16,0 16,0
10 J
CoO - 0,2
MnC>2 - -
NiO 0,2 -
CeC>2 - -
Fe2C>3 - - 0,2 15 SrTi03 4,0 4,0 4,0
ZnTiC>3 0,5 0,5 0,5
Brændingstemperatur, °C 1024 1024 1024 1024
Dielektriske egenskaber efter brænding_ 20 K ved 25°C 7878 9182 7670 9187 % DF (0,04 V^um) 1,80 0,76 3,88 2,43 IR (ilF)
ved 25°C 1K 0,3K 0,3K 0,3K
ved 85°C 2,5K 4,2K 0,2K 2,7K
25
En sammenligning af eksempel 9 og 10 viser, at CoO og MnO2 sammen er virksomme til sænkning af DF. Ligeledes medfører tilsætning af CoO alene (eksempel 14) en ganske lav DF-værdi. Eksempel 11-13 viser, at tilsætning 30 af Mn02/ Ce02 °9 NiO hver især er effektivt til sænkning af DF. Imidlertid viser sammenligning af eksempel 15 med kontroleksempel 16, at Fe203 ikke sænker DF, men hæver den.
35 22
O
DK 162351 B
Eksempel 17-20.
Der fremstilles to par af præparater til undersøgelse af virkningen af tilsætning af CdSn03 på levetids-egenskaberne. Præparaterne fremstilles ved følgende 5 række af. trin, bortset fra at der, idet der startes med SrTiO^, sættes ZnTiO^ og CdSnO^ til de calcinerede produkter fra trin 4).
1) vådformaling 2) tørring 10 3) granulering 4) calcinering 5) granulering 6) vådformaling 7) tørring 15 8) granulering 9) harpiks-formaling
Den harpiks-formalede dispersion af præparatets faste bestanddele i opløsningen af acrylpolymer anvendes til udstøbning af et ubrændt bånd, hvoraf der fremstil-20 les flerlagskondensatorer på den ovenfor beskrevne måde.
De elektriske egenskaber af de deraf dannede kondensatorer er anført i tabel IV nedenfor.
25 30 35
O
DK 162351 B
23
Tabel IV
VIRKNING AF CdSn03"TILSÆTNING
PÅ levetidsegenskaber_
Eksempel nr. 17 18 19 20 5 Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 62,0 61,4 62,0 61,4
MgCOg 6,5 6,4 6,5 6,4
Ti02 11,4 11,3 11,4 11,3 W03 15,8 15,6 15,8 15,6 10 CoO 0,2 0,2 0,2 0,2
MnC>2 0,1 0,1 0,1 0,1
SrTiO^ 3,5 3,5 3,5 3,5
ZnTiO^ 0,5 0,5 0,5 0,5
CdSnO-. - 1,0 - 1,0 15 ^
Pulveregenskaber
Partikelstørrelse, ^,um 10% <0,95 <0,92 <0,95 <0,92 50% <1,80 <1,60 <1,80 <1,60 90% <3,45 <2,70 <3,45 <2,70 20
Overfladeareal, m2/g 5,7^6,7^5,7 6,7^
Brændingstemperatur, °C 968 968 968 968
Levetids-test^r % svigt 60 11 26 0 (1) formalet 16 timer 25 (2) formalet 32 timer
(3) ' 48 timer, 100 V, 125°C
De ovenfor anførte resultater af levetids-testen
viser, at CdSnOer virksomt til at forbedre resultater-30 J
ne af levetids-testen ved at reducere antallet af kondensatorsvigt væsentligt.
Eksempel 21-30.
Der fremstilles to yderligere serier af præpara-35 ter, hvori virkningen af at variere koncentrationen af dopingmiddel på de dielektriske egenskaber efter brænding 24
O
DK 162351 B
undersøges. I den første serie (eksempel 21^25) hæves mængden af MnC>2 fra 0,1 til 0,5, og i den anden serie (eksempel 26-30) varieres mængden af CoO fra 0,1 til 0,5. Begge serier af præparater fremstilles og undersøges på sam-5 me måde som i eksempel 9-16. Egenskaberne af flerlagskondensatorerne fremstillet deraf er anført i tabel V nedenfor.
TABEL V
10 VIRKNING AF DOPINGMIDDELKONCENTRATION PÅ
DIELEKTRISKE EGENSKABER EFTER BRÆNDING
Eksempel nr. 21 22 23
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 61,8 61,8 61,6 61,6 61,6 61,6 15 MgC03 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5
Ti02 11,4 11,4 11,4 11,4 11,4 11,4 W03 15,8 15,8 15,8 15,8 15,7 15,7
CoO ------
Mn02 0,1 0,1 0,2 0,2 0,3 0,3 20 SrTi03 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0
ZnTi03 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
CdSn03 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0
Brandingstemperatur, °C 968 996 968 996 968 996
Dielektriske egenskaber 25 efter brænding_ K Ved 25°C 8705 8782 7356 7084 5744 5721 TCC, % A C, 10°C -4,5 -1,6 -3,7 -2,2 -0,9 -5,6 35°C -4,4 -5,4 -1,0 -1,7 2,5 1,2 50°C -15,9 -15,5 -9,0 -7,7 0,8 -1,5 30 85°C -39,0 -39,0 -30,5 -27,6 -20,8 -16,4 % DF (0,04 V^um) 1,90 1,78 0,63 0,59 0,42 0,54 IR (iiF)
25°C 63K 2,8K 15K 2,2K oo 1,6K
o 4K 14K 3K 6,7K oo 2,9K
oO C
35 25
O
DK 162351 B
Tabel V (fortsat)
Eksempel nr. 24 _25 _26_
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 61,6 61,6 61,5 61,5 61,8 61,8 5
MgCO^ 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5
Ti02 11,3 11,3 11,3 11,3 11,4 11,4 W03 15,7 15,7 15,7 15,7 15,8 15,8
CoO 0,1 0,1
MnO 0,4 0,4 0,5 0,5 10 1
SrTi03 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 ;ZnTi03 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
CdSn03 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0
Brændingstemperatur, °C 968 996 968 996 968 996
Dielektriske egenskaber 15 efter brænding_ K ved 25°C 5144 5105 4024 4630 9736 8496 TCC, % Δ<3, 10°C -7,0 -9,9 -8,1 -10,3 -2,9 -4,9 35°C 6,0 3,5 6,9 3,8 -7,1 -5,0 20 50°C 6,3 3,6 8,9 4,3 -19,9 -14,1 85°C -9,3 -11,0 -3,7 -8,1 -41,2 -34,7 % DF (0,04 V/'um) 0,52 0,37 0,70 0,49 1,82 2,48 IR (&F)
25°C 1,3K 0,9K 0,9K 0,6K 83K 3,8K
Oco_ 1,1K 1,3K 0,6K 0,6K 7K oo
8b C
25 30 35 26
O
DK 162351 B
Tabel V (fortsat) -Eksempel nr. _27_ _28_
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 61,6 61,6 61,6 61,6 5 MgC03 6,5 6,5 6,5 6,5
Ti02 11,4 11,4 11,4 11,4 W03 15,8 15,8 15,7 15,7
CoO 0,2 0,2 0,3 0,3
MnC>2 - - - - 10 SrTi03 3,0 3,0 3,0 3,0
ZnTiC>3 0,5 0,5 0,5 0,5
CdSn03 1,0 1,0 1,0 1,0
Brændingstemperatur, °C 968 996 968 996
Dielektriske egenskaber 15 efter brænding___ K ved 25°C 5809 7633 8757 7417 TCC, % AC, 10°C -1,3 -7,0 -0,6 -5,2 35°C -5,8 -3,0 -6,4 -3,5 50°C -18,8 11,5 -18,4 -11,8 20 85°C -39,8 -34,2 -36,9 -31,8 % DF (0,04 V^um) 1,18 2,00 1,08 1,57 IR (ΛΡ)
25°C 5,5K 2,5K 11,9K 2,2K
85oc 12K 3,5K 0,5K 0,4K
25 30 35
O
DK 162351 B
27
Tabel V (fortsat)
Eksempel nr. _29_ _30_
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 61,6 61,6 61,5 61,5 5 MgC03 6,5 6,5 6,5 6,5
Ti02 11,3 11,3 11,3 11,3 W03 15,7 15,7 15,7 15,7
CoO 0,4 0,4 0,5 0,5
MnO„ - 10 7
SrTi03 3,0 3,0 3,0 3,0
ZnTi03 0,5 0,5 0,5 0,5
CdSn03 1,0 1,0 1,0 1,0
Brændingstemperatur, °C 968 996 968 996
Dielektriske egenskaber 15 efter brænding_ K ved 25°C 8222 7697 8067 7383 TCC, % AC, 10°C -1,0 -0,9 -0,5 -1,8 35°C -6,2 -4,6 -5,7 -3,8 20 50°C -17,8 12,8 -17,2 -11,7 85°C -37,6 -32,2 -37,8 -30,8 % DF (0,04 V^um) 0,76 0,96 0,91 1,39 IR (ilF)
25°C 1,9K 0,5K 0,5K 0,2K
85oc 0,1K 0,1K 0,1K 0,1K
25
Eksempel 31-39.
Der fremstilles endnu en serie på 9 præparater, hvori der foretages mindre variationer af indholdet af WC>3, MgC03, PbO og TiC^. Der fremstilles nærmere bestemt 30 to præparater, hvori de fire ovennævnte komponenter er til stede i overskud eller underskud. Hvert af præparaterne og en kontrol anvendes til fremstilling af flerlagskondensatorer på den ovenfor beskrevne måde, idet der anvendes brændingstemperaturer på 996 og 1024°C. De dielek-35 triske præparater og egenskaberne af de deraf fremstillede flerlagskondensatorer er anført i tabel VI nedenfor.
28
O
DK 162351 B
Tabel VI
VIRKNING AF VARIATIONER I SAMMENSÆTNINGEN AF HOVEDKOMPONENTER Eksempel nr. 31 32 5 Dielektrisk præparat (Vægt-%)
PbO 61,4 62,0
MgC03 6,6 6,6
Ti02 11,1 11,1 W03 15,9 15,1 10 TMO* 1,5 1,5
ZnTi03 0,5 0,5
SrTi03 3,0 3,0
Tilstand Kontrol WO^-underskud
Brændingstemperatur, °C 968 1024 996 1024 15 Dielektriske egenskaber efter brænding_ K ved 25°C 8609 9410 10711 8964 % DF (0,04 V^um) 0,66 1,21 0,85 3,07 TCC, %Ac, 20 10°C +8,6 -2,8 -29,1 +1,6 35°C -7,0 -4,4 +10,9 -2,6 50°C -18,4 -17,2 +7,4 -13,1 85°C -44,3 -39,9 -27,1 -40,1 IR tøF)
25°C oo 7,5K 50K 2K
25 85Oc 2,4K 2,7K 6,5K 0,5K
* TMO - Overgangsmetaloxider bestående af 5% Mn02, 15% CoO og 80% PbTi03.
30 35 29
O
DK 162351 B
Tabel VI (fortsat)
Eksempel nr. 33 34
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 60,8 62,2 5 MgCO^ 6,5 5,8
Ti02 11,0 11,1 W03 16,7 15,9 TMO* 1,5 1,5
ZnTiO, 0,5 0,5 10 ^
SrTiO^ 3,0 3,0
Tilstand WO^-overskud MgCO^-underskud
Brændingstemperatur, °C 996 1024 996 1024
Dielektriske egenskaber efter brænding_ 15 K ved 25°C 8747 4131 2745 3292 % DF (0,04 V^um) 1,26 1,80 1,72 2,28 TCC, % &C, 10°C -18,5 -19,0 -53,1 -24,7 35°C -0,6 +25,0 +83,1 +28,3 20 50°C -11,6 +70,7 +62,5 +59,8 85°C -39,0 +41,0 +43,8 +54,7 IR (ilF)
25°C 2,3K 0,8K 1,5K 1,5K
85oc 1,5K 1,6K 1,3K 2K
25 * TMO - Overgangsmetaloxider bestående af 5% Mn02, 15% CoO og 80% PbTiO-j.
30 35 30
O
DK 162351 B
Tabel VI (fortsat)
Eksempel nr. 35 36
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 60,6 60,6 5 MgC03 7,4 6,7
Ti02 11,1 11,4 W03 15,9 16,3 TMO* 1,5 1,5
ZnTi03 0,5 0,5 10 SrTi03 3,0 3,0
Tilstand MgC03~overskud PbO-underskud
Brændingstemperatur, °C 996 1024 996 1024
Dielektriske egenskaber efter brænding_ 15 K ved 25°C 10.306 4304 2843 % DF (0,04 V^um) 1,67 1,55 2,38 TCC, % ΔΟ, 10°C -8,1 -31,3 -14,8 35°C -1,9 +46,3 +16,2 20 50°C -15,2 +84,9 +45,4 85°C -44,5 +41,8 +127,5 IR (OF)
25°C 3K 0,9K 0,9K
85°C IK 1,9K 1,3K
25 * TMO - Overgangsmetaloxider bestående af 5% Mn02, 15% CoO og 80% PbTi03· 30 35 31
O
DK 162351 B
Tabel VI (fortsat)
Eksempel nr. 37 38
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 62,1 62,0 5 MgCO-j 6,4 6,6
Ti02 10,9 10,3 WO^ 15,6 16,3 TMO* 1,5 1,5
ZnTi03 0,5 0,5 10 SrTi03 3,0 3,0
Tilstand PbO-overskud Ti02 -underskud
Brændingstemperatur, °C 996 1024 996 1024
Dielektriske egenskaber efter brænding_ 15 K ved 25°C 7465 8078 5699 6850 % DF (0,04 V^um) 0,74 2,00 0,26 1,00 TCC, % 10°C -0,3 -19,9 +6,6 -0,4 35°C -4,4 +6,3 -7,6 -5,2 _n 50°C -12,8 -1,5 -16,9 -16,4 85°C -34,3 -30,1 -37,1 -39,1 IR (ftF) 25°C 3,3K σ«
©O
85°C 6,4K 6,4K 0¾ 2,8K
25 * TMO - Overgangsmetaloxider bestående af 5% Mn02, 15% CoO og 80% PbTiO-j.
30 35 32
O
DK 162351 B
Tabel VI (fortsat)
Eksempel nr. 39
Dielektrisk præparat (vægt-%)
PbO 60,7 5 MgC03 6,5
Ti02 12,0 W03 15,8 TMO* 1,5
ZnTi03 0,5 10 SrTi03 3,0
Tilstand Ti02~overskud
Brændingstemperatur, °C 996 1024
Dielektriske egenskaber efter brænding_ 15 K ved 25°C 951 1024 % DF (0,04 V^um) 1,22 4,52 TCC, % &C, 10°C -7,4 -5,2 35°C +5,9 +5,0 9n 50°C +15,9 +12,7 85°C +52,0 +33,1 IR (AF)
25°C 0,9K
85°C 2,9K 0,6K
25 ¥ TMO - Overgangsmetaloxider bestående af 5% Mn02, 15% CoO og 80% PbTi03· 30 35 33
O
DK 162351 B
De ovenfor anførte resultater viser, at små mængder af metaloxider kan have en meget gunstig virkning, idet de nedsætter DF-værdierne af det grundlæggende materialesystem.
5 10 15 20 25 30 35
Claims (14)
1. Præparat til dannelse af et tæt dielektrisk legeme ved lave brændingstemperaturer, omfattende en blanding af findelte partikler, kendetegnet ved, at 5 partiklerne i det væsentlige består af: a) 95,5-99,4 vægt-% af en blanding af metaloxider, metaloxid-forløbere eller polynære oxidreaktionsprodukter deraf i molære forhold svarende til formlen 10 <sVWi03>a(PbM9rWs03>b' hvori x = 0-0,3, a =0,45-0,6, r = 0,45-0,55, s = 0,55- -0,45, og b = 1,55-0,4, og (r + s) = 1, og (a + b) = 1, og 15 b) 4,5-0,6 vægt-% af en blanding af metaloxider eller forløbere derfor, der i det væsentlige består af 1) 0,1-1,0 vægt-% af et binært oxid af et overgangsmetal valgt blandt Co, Ni, Cr, Mn og blandinger deraf, 2) 0,25-1,5 vægt-% Cd-titanat, Zn-titanat eller blandinger deraf, og 3) 0,25- 20 -2,0 vægt-% af et polynært oxid valgt blandt Cd-zirconat, Zn-zirconat, Cd-stannat, Zn-stannat og blandinger deraf, idet i det væsentlige alle partikler er mindre end lO^um i den største dimension, og har et overfladeareal på 2 mindst 0,5 m /g. 25
2. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at en større andel af komponenterne er blevet cal-cineret.
3. Præparat ifølge krav 2, kendetegnet ved, at komponenterne a) er blevet calcineret i luft. 30
4. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at a betyder 0,5-0,55, og b betyder 0,5-0,45.
5. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at titanatet 2) i komponent b) er ZnTiO^.
6. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet 35 ved, at det polynære oxid 3) i komponent b) er CdSnO^. O DK 162351 B
7. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet ved, at de binære metaloxider i b) er 0,05-0,5 vægt-% af hver af MnC>2 og CoO.
8. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet 5 ved, at det er dannet ud fra følgende metaloxider i de anførte vægtandele: PbO 60,6 PbC03 MgC03 6,5
9. Præparat ifølge krav 1, kendetegnet 20 ved, at blandingen af findelte faste stoffer er disper- geret i et organisk medium omfattende en polymer binder opløst i et organisk opløsningsmiddel.
10. Præparat ifølge krav 9, kendetegnet ved, at det organiske opløsningsmiddel er et flygtigt ikke- 25 -vandigt opløsningsmiddel, og at dispersionen har en støbelig konsistens.
10 Ti02 11,0 W03 15,7 SrTiC>3 3,25 Mn02 0,07 CoO 0,22
15 PbTi03 1,2 ZnTi03 0,5 CdSn03 1,0
11. Præparat ifølge krav 10, kendetegnet ved, at det organiske opløsningsmiddel er en opløsning omfattende en harpiks og et tiksotropt middel opløst i et 30 opløsningsmiddel med et kogepunkt på 130-350°C, og at dispersionen har en pastakonsistens, der er passende til skabelontrykning.
12. Dielektrisk ubrændt bånd, kendetegnet ved, at det omfatter et lag af præparatet ifølge 35 krav 11, hvorfra det flygtige opløsningsmiddel er blevet fjernet. O DK 162351 B
13, Dielektrisk materiale, kendetegnet ved, at det i det væsentlige består af et præparat ifølge krav 1, der er blevet brændt i luft ved 900-1050°C til sintring af partiklerne og fortætning af blandingen.
14. Fremgangsmåde til dannelse af en monolitisk kondensator, kendetegnet ved, at den omfatter følgende række af trin: 1. påføring af et lag af ledende elektrodemateriale dis-pergeret i organisk medium på hvert af en flerhed af 10 lag af ubrændt bånd ifølge krav 12, 2. laminering af en flerhed af elektrodebelagte ubrændte bånd til dannelse af en samling af alternerende lag af ubrændt bånd og elektrodemateriale, og 3. brænding af samlingen dannet i trin 2) ved 900-1050°C 15 til fjernelse af det organiske medium og den organiske binder derfra og til sintring af det ledende elektrodemateriale og det dielektriske materiale. 20 25 30 35
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US62814684A | 1984-07-05 | 1984-07-05 | |
US62814684 | 1984-07-05 | ||
US06/713,099 US4582814A (en) | 1984-07-05 | 1985-03-18 | Dielectric compositions |
US71309985 | 1985-03-18 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK306985D0 DK306985D0 (da) | 1985-07-04 |
DK306985A DK306985A (da) | 1986-01-06 |
DK162351B true DK162351B (da) | 1991-10-14 |
DK162351C DK162351C (da) | 1992-03-09 |
Family
ID=27090631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK306985A DK162351C (da) | 1984-07-05 | 1985-07-04 | Praeparat til dannelse af et dielektrisk materiale, det heraf dannede materiale, dielektrisk ubraendt baand og fremgangsmaade til dannelse af en monolitisk kondensator ud fra baandet |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4582814A (da) |
EP (1) | EP0170089B1 (da) |
JP (1) | JPS6121967A (da) |
KR (1) | KR900001478B1 (da) |
CA (1) | CA1249433A (da) |
DE (1) | DE3561548D1 (da) |
DK (1) | DK162351C (da) |
GR (1) | GR851652B (da) |
IE (1) | IE56770B1 (da) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63170261A (ja) * | 1984-07-05 | 1988-07-14 | イ−・アイ・デユポン・ド・ネモア−ス・アンド・コンパニ− | モノリシックコンデンサーの製法 |
US4640905A (en) * | 1985-05-01 | 1987-02-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
JPH0651572B2 (ja) * | 1985-11-25 | 1994-07-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高誘電体粉末の製造方法 |
US4908338A (en) * | 1986-12-29 | 1990-03-13 | Sprague Electric Company | Dried emulsion ceramic process |
US4988468A (en) * | 1987-01-08 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing non-reducible dielectric ceramic composition |
US5000909A (en) * | 1988-05-23 | 1991-03-19 | General Electric Company | Ferrite body containing metallization |
US5001014A (en) * | 1988-05-23 | 1991-03-19 | General Electric Company | Ferrite body containing metallization |
JP2733667B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-03-30 | ティーディーケイ株式会社 | 半導体磁器組成物 |
US4959262A (en) * | 1988-08-31 | 1990-09-25 | General Electric Company | Zinc oxide varistor structure |
JPH0817054B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1996-02-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
US5011803A (en) * | 1990-01-10 | 1991-04-30 | Kemet Electronics Corporation | Lead magnesium niobate ceramic dielectrics having low sintering temperatures |
US5079200A (en) * | 1990-08-23 | 1992-01-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Detector material for uncooled thermal imaging devices |
FR2674243B1 (fr) * | 1991-03-18 | 1994-02-25 | Tekelec Airtonic | Composition ceramique pour resonateur dielectrique et procede de fabrication de cette composition. |
US5203936A (en) * | 1991-12-16 | 1993-04-20 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Clean burning green ceramic tape cast system using polyisobutylene binder |
JPH069062U (ja) * | 1993-04-27 | 1994-02-04 | 能美防災株式会社 | 火災感知器 |
SG45241A1 (en) * | 1993-06-30 | 1998-01-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition |
JP2692667B2 (ja) * | 1995-02-20 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
KR0162876B1 (ko) * | 1996-09-11 | 1998-11-16 | 박원훈 | 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물 |
US6309993B1 (en) * | 1999-04-28 | 2001-10-30 | National Science Council Of Republic Of China | Low-fire microwave dielectric compositions |
DE10151231C2 (de) * | 2001-10-17 | 2003-08-21 | Maweva Holding Ag Ltd Mettlen | Küchenmaschine zum Zubereiten von Lebensmitteln |
WO2005085154A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Ube Industries, Ltd. | 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器 |
EP2389677A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-11-30 | Universiti Putra Malaysia (UPM) | Energy storage ceramic dielectric component and method thereof |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2626220A (en) * | 1947-05-20 | 1953-01-20 | Thurnauer Hans | Insulating materials |
US2908579A (en) * | 1955-06-23 | 1959-10-13 | American Lava Corp | Barium titanate insulators |
US3068177A (en) * | 1958-09-15 | 1962-12-11 | Brush Crystal Company Ltd | Ferroelectric ceramic materials |
US3811937A (en) * | 1967-03-27 | 1974-05-21 | Sprague Electric Co | Low temperature fired electrical components and method of making same |
US3682766A (en) * | 1967-03-27 | 1972-08-08 | Sprague Electric Co | Low temperature fired rare earth titanate ceramic body and method of making same |
US3472777A (en) * | 1967-07-28 | 1969-10-14 | Du Pont | Ferroelectric ceramic compositions |
US3619220A (en) * | 1968-09-26 | 1971-11-09 | Sprague Electric Co | Low temperature fired, glass bonded, dielectric ceramic body and method |
US3638084A (en) * | 1970-05-14 | 1972-01-25 | Sprague Electric Co | Energy storage capacitor |
US3717487A (en) * | 1970-06-17 | 1973-02-20 | Sprague Electric Co | Ceramic slip composition |
US3872360A (en) * | 1973-01-08 | 1975-03-18 | Du Pont | Capacitors with nickel containing electrodes |
US3757177A (en) * | 1973-01-15 | 1973-09-04 | Johanson Mfg | Monolithic base metal electrode capacitor |
US4104698A (en) * | 1973-11-15 | 1978-08-01 | Sumitomo Durez Company, Ltd. | Wax compositions for flame retardant electrical insulation coatings |
US4048546A (en) * | 1975-07-09 | 1977-09-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric powder compositions |
US4063341A (en) * | 1975-07-09 | 1977-12-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making multilayer capacitors |
US4228482A (en) * | 1976-07-07 | 1980-10-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer ceramic capacitors |
JPS6022835B2 (ja) * | 1978-08-17 | 1985-06-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電性磁器の製造方法 |
US4219866A (en) * | 1979-01-12 | 1980-08-26 | Sprague Electric Company | Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3 |
US4283753A (en) * | 1979-09-28 | 1981-08-11 | Sprague Electric Company | Low firing monolithic ceramic capacitor with high dielectric constant |
JPS6031797B2 (ja) * | 1980-07-24 | 1985-07-24 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
DE3206502A1 (de) * | 1982-02-24 | 1983-09-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Dielektrikum auf der basis von bleititanaten sowie verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
-
1985
- 1985-03-18 US US06/713,099 patent/US4582814A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-27 CA CA000485653A patent/CA1249433A/en not_active Expired
- 1985-07-03 IE IE1671/85A patent/IE56770B1/xx unknown
- 1985-07-03 EP EP85108257A patent/EP0170089B1/en not_active Expired
- 1985-07-03 DE DE8585108257T patent/DE3561548D1/de not_active Expired
- 1985-07-04 GR GR851652A patent/GR851652B/el unknown
- 1985-07-04 KR KR1019850004795A patent/KR900001478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-07-04 DK DK306985A patent/DK162351C/da not_active IP Right Cessation
- 1985-07-04 JP JP60145934A patent/JPS6121967A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK306985A (da) | 1986-01-06 |
DE3561548D1 (en) | 1988-03-10 |
GR851652B (da) | 1985-11-26 |
CA1249433A (en) | 1989-01-31 |
JPS6121967A (ja) | 1986-01-30 |
KR860001456A (ko) | 1986-02-26 |
JPH0256306B2 (da) | 1990-11-29 |
DK162351C (da) | 1992-03-09 |
EP0170089A1 (en) | 1986-02-05 |
DK306985D0 (da) | 1985-07-04 |
IE56770B1 (en) | 1991-12-04 |
US4582814A (en) | 1986-04-15 |
KR900001478B1 (ko) | 1990-03-12 |
IE851671L (en) | 1986-01-05 |
EP0170089B1 (en) | 1988-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK162351B (da) | Praeparat til dannelse af et dielektrisk materiale, det heraf dannede materiale, dielektrisk ubraendt baand og fremgangsmaade til dannelse af en monolitisk kondensator ud fra baandet | |
EP0200200B1 (en) | Dielectric compositions | |
US4426356A (en) | Method for making capacitors with noble metal electrodes | |
KR100242590B1 (ko) | 유전체 세라믹 및 이것을 이용한 모놀리식 세라믹 전자 부품 | |
JPH0355002B2 (da) | ||
CA1296517C (en) | Low firing dielectric composition | |
JPH113834A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
TW200839815A (en) | Ultra low temperature fired X7R and BX dielectric ceramic composition and method of making | |
CN105693236A (zh) | 低温烧结介电组合物以及由其形成的多层陶瓷电容器 | |
JP3146967B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
JPH0222806A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
DK161173B (da) | Dielektriske materialer til anvendelse paa ubraendte baand, i tykfilmsmaterialer og kondensatorer | |
DE69201858T2 (de) | Kondensatordielektrika mit niedriger brenntemperatur. | |
JPH0255391B2 (da) | ||
KR890004112B1 (ko) | 축전기 전극 조성물 | |
JPH0255392B2 (da) | ||
JPH0294413A (ja) | 積層コンデンサ内部電極用導電性塗料 | |
JP2005179117A (ja) | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 | |
JPH0411964B2 (da) | ||
JPH07326540A (ja) | 積層コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2938671B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH04214070A (ja) | 高誘電率系磁器製造用原料組成物 | |
JPH0323503B2 (da) | ||
JPS63226013A (ja) | 厚膜コンデンサの製造方法 | |
JPS6386316A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PBP | Patent lapsed |