JPH025433A - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はバイポーラ・トランジスタの製造方法に係り、
特にベースインサートをエミッタと整列（整合）させる
製造工程における方法に関するものである。本発明の主
目的は、高周波数動作に対してより高速のスイッチング
・スピードを有するバイポーラ・トランジスタを提供す
ることである。

（従来技術とその問題点） 集積回路技法の進歩度は、スピードを増大させることと
サイズを減少させることとによって主として評価されて
いる。バイポーラ技法はいくつかの人手可能な最高速回
路素子を提供しているものの、より高速のスイッチング
周波数を取り扱うことが可能なバイポーラ・トランジス
タが依然として要望されている。関連した目標はより大
きな電流を取り扱うことであるが、これは高周波数にお
ける回路動作上阻害する寄生キャパシタンスを克服する
ためにより大きな電流を必要とすることによるものであ
る。

ベース抵抗はスイッチング遷移を鈍化させるとともに同
等のコレクタ電流を得るために余分な電力を必要とする
ので、高周波数動作を著しく阻害する。ベース抵抗は、
濃くドープされたベース・インサートと、エミッタから
コレクタに対する電流経路との間の薄くドープされた中
間領域に主として存在する。ある程度のベース抵抗は、
ベース対エミッタ間漏れ電流を制限するために必要であ
る。ベース電流が通らなければならない前記中間領域の
長さは、エミッタとベース・インサートとの物理的およ
び電気的アイソレーションを確実にする工程時に使用さ
れる酸化物アイソレーションの幅によって主として決定
される。

上記のような酸化物アイソレーション１２６を有する従
来のバイポーラ・トランジスター００が、第１図に示さ
れている。このバイポーラ・トランジスタは、ｎ形エミ
ッタ１０６　、ｎ形コレクター１−２およびｐ形ベース
１０８を包含しているｎｐｎ形のものである。このベー
スに対する電気的アクセスは、τ 濃くドープされ央いるｐ形１勿質のベース・インサート
１１６を通して行なわれる。このベース・インサート１
１６は、短路を回避するためにエミッタから電気的にア
イソレートされなければならない。

このエミッタの位置は、制作工程時にエミッタ拡散がそ
れを通して生じかつ動作時にエミッタ電流がそれを通し
て流れるエミッタ・コンタクト・ペデスタル１０４によ
って限界を定められる。このエミッタ・コンタクト・ペ
デスタル１０４は、ベース・インサート１２８およびコ
レクタ・コンタクト１３０と共にポリシリコン層中に写
真印刷によって定められる。酸素環境内でこの構造体を
加熱することによって、酸化物アイソレーション１２６
をエミッタ・コンタクト・ペデスタル１０４とベース・
コンタクト１２８との間に形成せしめ、また別の酸化物
アイソレーション１２７をベース・コンタクト１２８と
コレクタ・コンタクト１３０との間に形成せしめる。ベ
ース・インサート１１６はマスクとして動作する酸化物
アイソレーションによって導入さ才（ ヰる。よってベース・インサート・ドーパントの拡１１
に後にも、エミッタｔ０６とベース・インサート１１６
とがアイソレーションされた状態に維持される。

動作時には、エミッタ電流はベース１０８およびコレク
タ・ドリフト領域１１０を通してエミッタからコレクタ
に対して垂直に下方に向かって流れることができる。ベ
ース電流は、エミッタ電流を誘起するべく、薄くドープ
されたベースを通してエミッタ電流経路に向かって少な
くとも距離りだけ流れなければならない。ベース・イン
サート１１６とエミッタ電流経路との間の経路は、薄く
ドープされた（以下、軽ドープ）物質を通して存在する
ので、著しい抵抗を伴っている。横方向拡散は距離りを
アイソレーション酸化物の幅よりも小にすることを可能
ならしめるが、距離りが拡張拡散によって減少されつる
実際上の制限がある。したがって、抵抗距離りはアイソ
レーション酸化物の幅し の関数嬌して制限され、これは結局のところアイソレー
ション酸化物１２６が形成されるアパーチャを定めるた
めに使用される写真印刷工程の分解能によって制限され
る。

（発明の目的） 本発明は、ベース電流がベース・インサートとエミッタ
電流経路との間を横切らなければならない距離を減少せ
しめてベース電流が遭遇する抵抗が減少することを可能
ならしめることに重点をおいている。この距離の減少は
、より高速のスイッチング・スピード、より高い電流利
得、および素子サイズの全体的削減を可能ならしめる。

したがって本発明は、集積回路技術において重要な数種
のキー・パラメータに関する進歩を推進するものである
。

（発明の概要） 本発明においては、側壁スペーサがエミッタ・コンタク
ト・ペデスタル上に形成されている。この側壁スペーサ
は、ベース・インサート用ドーパントに導入のための自
己整合マスクとして働くものである。この側壁スペーサ
の幅に対する下限は、写真印刷の分解能よりむしろ薄膜
の許容差によって制限される。この側壁スペーサの使用
は、ベース・インサートとエミッタとの確実なアイソレ
ーションを可能ならしめると共に、写真印刷によって決
められた酸化物アイソレーションを使用することによっ
て達成可能な経路長に比してベース電流に対する抵抗経
路長を約８０％でけ減少せしめる。

バイポーラ・トランジスタのベースは、ベース・インサ
ートと同時またはこれに続いて形成することができる。

同時にベース形成の場合、ベースの導電性を徐々に浸透
させるために使用されるドーパントは、エミッタ・コン
タクト・ペデスタル内に同時に注入されそしてこのペデ
スタルからベース領域中に拡散される。このベース領域
内のドーパントの濃度は、エミッタ・コンタクト・ペデ
スタルを覆っている物質の肉厚によって制御することが
できる。後続のドープ・ステップは、このベース領域内
にエミッタを形成するために用いられる。ベースの後続
形成に関しては、逆導電性のドーパントがエミッタ・コ
ンタクト・ペデスタルに対しておそい段階で導入される
。異なる拡散速度を使用して分１錐したベースおよびエ
ミッタを定度することができる。

エミッタとベースとの間のアイソレーションを定穣する
ために、写真印刷によって定義されたアイソレーション
酸化物の代りに側壁スペーサの使用は、全体にわたるよ
り小さいトランジスタを提供する。このより小さいトラ
ンジスタは、回路設計者が単位面積あたりのより大きい
機能性を得ることを可能ならしめる。抵抗性ベース電流
経路長の付随的減少は、ベース電流が遭遇する抵抗を最
小限にする。このことは、結局このトランジスタの周波
数および電流処理能力を増大させる。本発明の他の特徴
および利点は、添付、図面に関しての以下の説明によっ
て明らかである。

（実施例） 以下の説明において、３桁の参照番号の最初の数字は説
明する累子が最初に出てくる図面番号を示している。ま
た“ｎ″および”ｐ”はそれぞれ負および正にドープさ
れた半導体領域を示し、また関連した添え字“十″およ
び“−”はそれぞれ、重くａ）および軽ドーピングを示
している本発明に基づくバイポーラ・トランジスタ２０
０が第２図に示されている。この第２図の中心に沿って
上部から下部に向かって、バイポーラ・トランジスタ２
００は、エミッタ・コンタクト２０２、多結晶シリコン
・エミッタ・コンタクト・ペデスタル２０４、エミッタ
２０６、ベース２０８、コレクタ・ドリフト領域２１０
、コレクタ２１２および基板２１４を有している。ベー
ス２０８から放射状に外方に向かって、このバイポーラ
・トランジスタ２００はまた、ベース・インサート２１
６、内側フィールド酸化物２１３、コレク壽・インサー
）２２０、および外側フィールド酸化物２２２を有して
いる。外側フィールド酸化物２２２の直下には、チャネ
ル・ストップ２２４がある。エミッタ・コンタクト・ペ
デスタル２０４の両側杖、側壁スペーサ２２６がある。

残りの表面地形は、ベース・コンタクト２２８とコレク
タ・コンタクト２３０である。

このバイポーラ・トランジスタ２００がオンになると、
ベース電流はベース・コンタクト２２８と、ベース・イ
ンサート２１６と、このベース電流がエミッタ電流と合
流するベース２０８とを横切って流れる。エミッタ電流
経路は一般的にエミッタ２０６から下方に向かい、コレ
クタ２１２に向かって徐々に分散する。トランジスタ・
スイッチング・スピードは、ベース電流が遭遇する抵抗
によって制限を受ける。この抵抗は重ドープ化ベース・
インサー　ト２１６とエミッタ電流経路との間の軽ドー
プ化ベース２０８において最大になる。このことは第２
図に示されているようにベース・インサート２１６とエ
ミッタ２０６との間の距［ｄに相応する。

バイポーラ・トランジスタ２００は第１図の従来技術の
バイポーラ・トランジスタ１００に対応するものである
。第１図の中心に沿って上部から下部に向かって、バイ
ポーラ・トランジスタ１００はエミッタ・コンタクト・
ペデスタル１０４、エミッタ１０６、ベース１０８、コ
レクタ・ドリフト領域１１０、コレクタ１１２および基
板１１４を有している。ベース１０８から放射状に外方
に向かって、バイポーラ・）　１２０　、および外側フ
ィールド酸化物１２２を有している。この外側フィール
ド酸化物１２２の直下には、チャネル・ストップ１２４
がある。残りの表面地形は、ベース・コンタクト１２８
とコレクタ・コンタクト１３０である。しかしながら、
側壁スペーサの代わりにはるかに広いアイソレーション
酸化物１２６がある。このアイソレーション酸化物１２
６のより大きい幅に起因して、ベース電流抵抗経路長り
はバイポーラ・トランジスタ２００のベース電流抵抗経
路長ｄよりも著しく大きくなっている。

バイポーラ・トランジスタ２００の製作は、第３Ａ図〜
第３Ｃ図および第４図に図説されている一通の段階によ
って始まる。同様の諸初期段階が、従来技術のバイポー
ラ・トランジスタ１００の製作にも用いられている。バ
イポーラ・トランジスタ２００は、シリコン・ウェーハ
の形の第３Ａ図に示されているｐ形層板２１４上に製作
される。この基板の表面は、約６５００〜７５００Ａ　
　の厚さの二酸化ケイ素Ｓ　ｉ　Ｏ２の層を形成するべ
く酸化される。この酸化物は、従来方式の半導体写真印
刷を使用してパターン化される。換言すれば、レジスト
がこの酸化物を覆って塗膜され、このレジストが必要な
パターンに露光され、この被露光レジストが酸化物の部
分を覆わないように除去され、この覆われない部分がエ
ッチ除去され、そして残余のレジストが化学処理によっ
て除去される。

重砒素、またはアンチモンのような他のｎ形ドーパント
の注入が、酸化物層が残っている箇所を除いて、基板２
１４に浸透する。砒素の注入前に、約１００　Ａ−の厚
さの極薄酸化物層を、注入による汚染物が基板２１４に
進入することを防止するために露出基板表面に成長させ
る。砒素を究極位置までドライブしてコレクタ２１２を
定義するために熱を使用する。次に、酸化物の薄膜層お
よび厚膜層が基板２１４から除去される。コレクタ２１
２は、約１．０　ミクロン（μｍ）の厚さに成長したシ
リコンのエピタキシャル層３３２によって埋められてい
る。

このエピタキシャル層は、ｎ形ドーパントによって約０
．５Ω・ｃｍの抵抗率に軽ドープされる。この段階は、
コレクタ２１２がｐ形層板２１４と軽ドープ化ｎ形エピ
タキシャル層３３２との間に重ドープ化ｎ形埋込み層と
して形成ささている第３Ａ図の構造体を生じる。

第３Ｂ図は、内側フィールド酸化物２１８および外側フ
ィールド酸化物２２２がそれぞれ形成されることになる
アパーチャ３３４およびアパーチャ３３６を形成するた
めに使用された段階の結果を示している。約２００〜４
００Ａ　　の肉厚の応力解放酸化物層３３８は、エピタ
キシャル層３３２上に成長される。

窒化けい素３４０は、低圧力化学気相デポジツションに
よって応力解放酸化物層３３８上にデポジットされる。

この応力解放酸化物層３３８は、異なる熱膨張係数を有
する窒化けい素３４０とエピタキシャル層３３２との間
の機械的バッファとして働いている。アパーチャ３３４
およびアパーチャ３３６は写真印刷によって定められ、
そしてドライ・エッチにより窒化けい素３４０、応力解
放酸化物層３３８、およびエピタキシャル層３３２の一
部がパターン化される。アパーチャ３３４およびアパー
チャ３３６の形成完了後、応力解放酸化物層３３８およ
び窒化物３４０はバイポーラ・トランジスタ２００のベ
ース／エミッタ領域３４２およびコレクタ・インサート
領域３４４の上に残る。

第３Ｂ図はまた、チャネル・ストップ２２４に使用され
るドーパントを供給するホウ素注入３４６の位置を示し
ている。第３Ｂ図の構造体はシリコンが存在しているす
べての箇所に二酸化けい素の被覆を形成するため酸素環
境内で加熱されるが、窒化けい素上には酸化物は全熱形
成されない。チャネル・ストップのホウ素注入３４６の
位置は写真印刷によって定められ、これらの位置は二酸
化けい素層を通してエピタキシャル層３３２までエッチ
される。当該ウェーハは、ホウ素蒸気を含むオーブン内
に挿入され、このホウ素はエピタキシャル層３３２に浸
透してホウ素拡散無３４６を形成する。次の酸化段階時
に、第２図および第３Ｃ図に示されているように、この
ウェーハはチャネル・ストップ２２４の究極の位置まで
ホウ素を追いやるために加熱される。

第３Ｃ図は、定置にある内側フィールド酸化物２１８お
よび外側フィールド酸化物２２２を示している。チャネ
ル・ストップ２２４を形成するべくホウ素を拡散させる
ために用いられる加熱段階時に、窒化物３４０が存在す
る箇所を除いて酸化物が成長する。ベース／エミッタ領
域３４２を覆っている窒化物３４０は、コレクタ・イン
サート領域３４４を覆う窒化物がエッチ除去されている
間、マスクされる。当該ウェーハはＰＯＣ］３ガスを有
する炉内に投入され、このガスの燐がエピタキシャル層
３３２内に拡散してコレクタ・イン世−ト２２０を定め
、第３Ｃ図の構造体を生じる。この構造体は次にベース
／エミッタ領域３４２を覆っている窒化物３４０を除去
するため高温燐酸内権浸され、これに続いて残余の応用
解放酸化物３３８を除去するため弗化水素酸内に浸され
る。

第４図の構造体は、第３Ｃ図の残余の窒化物３４０およ
び応用解放酸化物３３８が除去されていてかつポリシリ
コン４４８および窒化けい素４５０の各層が当該ウェー
ハを覆って均一に添加されている点で、第３Ｃ図の構造
体と異なっている。本発明のパイ色 ポーラ・トランジスタ２００土製作するための第３Ａ図
〜第３Ｃ図および第４図に表わされている諸段階は、従
来技術のバイポーラ・トランジスター００を製作するた
めに使用されている諸段階に類似している。本発明の好
ましい実施例を製作するための工程は第５Ａ図〜第５Ｄ
図および第６Ａ図〜第６Ｂ図に関連してさらに説明され
ている。そして従来技術による諸段階が比較のため第７
Ａ図および第７ＢＩＤに示されている。

第４図の構造体はマスクされかつプラズマ・リアクタ内
でエッチされ、ポリシリコ・エミッタ・コンタクト・ペ
デスタル２０４および窒化けい素５５２の一時的キャブ
を含む第５Ａ図の構造体を生成する。このプラズマ・リ
アクタのエッチは、フィールド酸化物が露出される時点
、すなわちエッチが停止されるべき時点を示すために使
用可能なレーザ・ビームの反射を使用して監視すること
ができる。

およびシランを有する炉内に置かれる。酸素およびシラ
ンは化学反応をおこして二酸化けい素５５４の均一被覆
を作り第５Ｂ図の構造体を生じる。第５Ｂ図の矢印５５
６は、リアクタ内の平行エッチの方向を示している。二
酸化けい素５５４は、残余の二酸化けい素がエッチ除去
される場合に側壁スペーサ５５８が残置されるような下
向きの方向に均一にエッチされ、第５Ｃ図の構造体を生
じる。

ホウ素は、側壁スペーサ５５８と内側フィールド酸化物
２１８との間のベース・インサート’ｌ域５６０内に注
入される。後続の焼きなおし段階において、このホウ素
は第５Ｄ図のとおり下方向と横方向との両方向に拡散し
てＰ゛ベースインサート２１６を形成する。やがて形成
されるエミッタ２０６からのベース・インサート２１６
の最終的間隔は、このベース・インサート２１６を定め
るドーパントの横方向拡販によってオフセントされる側
壁スペーサ５５８の幅によって決定される。したがって
、最終的なベース電流抵抗経路の長さｄは側壁スペーサ
５５８の肉厚、すなわち、基本的に第５Ｂ図の二酸化け
い素５５４のデボシソジョンの肉厚の関数として精密に
制御される。このことは、完成されたバイポーラ・トラ
ンジスタ２００の高周波能力に対する要点である。

マスキングがないと、ホウ素は全ウェーハ表面上に浸透
する。第５Ｄ図に示されているフィールド酸化物２１８
およびフィールド酸化物２２２内に注入されたホウ素は
不活性であるが、コレクタ・インサート２２０内に注入
されたホウ素は効果のあるｎ＋　ドーピングによって支
配される。これに対して、マスキングはコレクタ・イン
サート２２０がホウ素ドーピングされないように保護す
るために使用することができる。選択的に、コレクタ・
インサート２２０がホウ素ドーピングされないようにこ
れを保護するために使用することができる。この場合も
ホウ素側壁スペーサ５５８に浸透するが、このホウ素は
側壁スペーサ５５８が後に除去される時点で処理される
。

さらにホウ素は窒化けい素キャンプ５５２そしてペデス
タル２０４内に浸透してゆく。ベース・インサート２１
６を形成するための拡散時に、ペデスタル２０４内のホ
ウ素がエピタキシャル層３３２内に拡散してベース２０
８を形成する。この拡散の濃度は窒化物キャップ５５２
の肉厚の関数として印刷され得るが、これはこの窒化物
の肉厚がエミッタ・ペデスタル２０４に対してデポジッ
トされるホウ素の量を制御することによるものでる。こ
のため、軽ドープ化ベース２０８は、重ドープ化ベース
・インサート２１６と同時に形成可能である。

第６Ａ図は、第５Ｄ図の側壁スペーサ５５８の除去が完
了しかつ二酸化けい素の断層６６２の成長が完了した後
の段階を示している。側壁スペーサ５５８は、化学的エ
ッチを用いて除去される。二酸化けい素６６２は、それ
と化学反応を起こす露出シリコンが存在する箇所、すな
わち、ベース・インサート２１６およびコレクタ・イン
サート２２０の上、およびペデスタル２０４の側壁に成
長する。この二酸化けい素６６２の成長時に、ペデスタ
ル２０４は横方向に薄くなり、ベース・インサート２１
６からのその距離をわずかに増大させる。

第６Ｂ図は、エミッタ２０６を導入するものである。第
６Ａ図の窒化物キャップ５５２は、燐酸でペデスタル２
０４を残して化学的にエッチ除去される。

砒素がペデスタル２０４内に注入され、そしてエピタキ
シャル層３３２内に拡散されてエミッタ２０６を形成す
る。ベース・インサート２１６上の′二酸化けい素６６
２の部分は、このベース・インサートをｎ形砒素ドーパ
ントから保護している。

本発明の別の実施例においては、エミッタ・コンタクト
・ペデスタル上のより厚い窒化物キャップが、第５Ｄ図
に関して説明したようにベース・インサートが形成され
るに際して、ホウ素がペデスタルを通して完全に拡散す
ることを防止している。この別の実施例においては、第
５Ｄ図および第６Ａ図に図示されている。構造体に相当
する構造体にｐ形ベース（２０８）がない。窒化物キャ
ップが除去された後に、砒素およびホウ素の両方がエミ
ッタ・コンタクト・ペデスタル内に注入されそして次に
エピタキシャル層内に拡散する。ホウ素はシリコン内で
砒素よりも一層迅速に拡散するので、このホウ素はさら
に拡散してベースとエミッタの同時形成を可能ならしめ
る。この結果としての構造体は、第６Ｂ図に示されてい
る構造体と本質的に同一である。このアプローチの利点
は、ホウ素がコレクタ・インサートから除かれることで
ある。これに反して、前述の実施例で行なわれているよ
うに、ホウ素と砒素の別々の拡散はベース２０８とエミ
ッタ２０６の拡散プロフィルの独立的制御すなわちさら
に精密な制御を可能ならしめる。

第２図のバイポーラ・トランジスタ２００は、下記のと
おり第６Ｂ図の構造体から得られる。第６Ｂ図の二酸化
けい素６６２は、それが完全に除去されるまで等方向性
的にエッチされる。側壁スペーサは、平行化エッチが後
続する二酸化けい素デボジッションを用いて形成される
。チタンのような耐火性金属が、この構造体を覆ってデ
ポジットされる。焼もどされると、このチタンはこのチ
タンがシリコンに接触している箇所にシリサイドを形成
するが、非反応チタンは科学的エッチによって除去する
ことができる。チタン・シリサイドは極インサート上の
接触物質として効果的に機能する。

本発明の方法を用いて達成可能な小さな寸法によって、
ベース・インサート２１６の表面積はコンタクトの形成
に対する理想よりも少なくすることが可能である。した
がって、上記の焼もどし段階の前に、内側フィールド酸
化物２１８および外側フィールド酸化物２２２の各部分
上の写真印刷によって定められたパターン内のチタン上
に非晶質シリコンがデポジットされる。焼もどしおよび
未反応チタンの除去後、ベース・コンタクト２２８とし
て働いているチタン・シリサイドは内側フィールド酸化
物２１８の部分上に広がる。同様に、コレクタ・コンタ
クト２３０のインサートとして働いているチタン・シリ
サイドは、外側フィールド酸化物２３２上に広がる。第
２図で明らかなように、このことはベース・コンタクト
２２８およびコレクタ・コンタクト２３・０のためによ
り広い面積を可能ならしめる。ベース電流およびコレク
タ電流に対する金属接点はこのため、エミッタ電流を担
持する金属接点から一層自由に間隔どり゛することがで
きる。非晶質シリコンのデポジッションは、接点拡大が
必要でない場合には省略することができる。

ベース電流抵抗経路長を減少させる点での本発明の利点
は、第７Ａ図および第７Ｂ図にさらに詳しく示されてい
る従来技術の工程との比較において理解できる。第７Ａ
図は、第４図の製作工程の最終共通段階に従っている。

エミッタ・コンタクト・ペデスタルのみを定めるのでは
なく、写真印刷は内側アイソレーション・アパーチャ７
６４および外側アイソレーション・アパーチャ７６６ヲ
定メるために使用され、これらアパーチャは第７Ｂ図に
示すようにエミッタ・コンタクト・ペデスタル１０４、
ベース・コンタクト１２８、およびコレクタ・コンタク
ト１３０の限界を定める。酸化物アイソレーションがそ
の中に形成されることになる両アパチャ７６４および７
６６の最小幅は、使用される写真印刷工程の分解能によ
って本質的に定められる。

特に、アパーチャ７６４は（第５Ａ図の累子５５２に相
当する）窒化けい素７４０の層をエッチすることによっ
て形成される。このアパーチャ７６４の最小幅は、写真
印刷を使用してレジスト内に定義可能な最小ギャップ・
サイズである。１μｍの写真印刷処理においては、最小
アパーチャ幅は１μｍである。

第７Ｂ図は、酸素を含む炉内で第７Ａｆｆｌの構造体を
加熱することによって露出ポリシリコン上に成長した後
の酸化物アイソレーション１２６および酸化物アイソレ
ーション１２７を示している。酸化物アイソレーション
１２６は、第１図に示すとおり、エミッタ・コンタクト
・ペデスタル１０４トベース・インサート・コンタクト
１２０とを分離している。

この酸化物アイソレーション１２６の幅は、エミッタ・
コンタクト・ペデスタル１０４とベース・コンタクト１
１６との間の距離を決定する。ベース電流の抵抗経路は
、ベース・インサート１１６の領域内のホウ素の横方向
拡散によって、１μｍ以下になり得る。しかしながら、
第１図のように、この距離りが０．７μｍより小である
場合は、ベース・インサート１１６とエミッタ１０６と
の間の所要のアイソレーションを維持することは困難で
ある。第５Ｃ図、第５Ｄ図、第６Ａ図、第６Ｂ図、およ
び第２図の段階に相当する諸段階によって従来技術のバ
イポーラ・トランジスタ１００は第７Ｂ図の構造体から
始まって完成可能である。

本発明と第１図に示した従来技術との対比より明らかな
ように、第７Ａ図は窒化物７４０内のアイソレーション
・アパーチャ７６４に対する写真印刷によって制限され
た最小幅を示している。このことは、つまるところ、ベ
ース電流抵抗経路長りの下限境界を付与するものである
。実際的には、１μｍの工程においては、この経路長は
少なくとも約０．７μｍである。本発明は、第５Ｂ図の
酸化物デポジッション５５４の関数として酸化物アイソ
レーションを定める。このようなデボジッションは、バ
イポーラ・トランジスタ２００で用いられた２００ｎｍ
よりもはるかに小さい寸法で確実に行なうことができる
。したがって、本発明の酸化物アイソレーションは、短
絡を防止するための製作許容公差限界を除いて、プロセ
ス制限を受けない。

本発明は、種々の変形が考えられる。エミッタ・コンタ
クト・ペデスタルの形に至るまでの諸段階またはベース
・インサートの形成に続く諸段階は、種々の異なるシー
ケンスによることができる。さらに、完成デバイスの細
部はすべての実施例において維持される必要はない。た
とえば、コレクタの性質を変えることができる。多くの
点で、段階のシーケンスを変更することができる。たと
えば、ベースはベース・インサートの形成前、形成中、
または形成後に形成可能である。コレクタ・インサート
の形成も、ベース・インサートの形成前、形成中、また
は形成後に行なうことができる。本発明の必須段階は、
連続的である必要はない。側壁スペーサはエミッタ・コ
ンタクト・ペデスタルの形成直後に形成されることを必
要とせず、またベース・インサートは側壁の形成直後に
形成されることを必要としない。ベース・インサートを
定めるために使用された側壁スペーサは、完成されたバ
イポーラ・トランジスタ内に存在しても存在しなくても
構わない。

（発明の効果） 以上の説明文より明らかなように、本発明によれば側壁
スペーサの使用によってベース電流に対する゛抵抗路長
が減少されると共に、ベースインサートとエミッタとの
確実なアイソレーションが実現され、バイポーラトラン
ジスタのスイッチング周波数や電流処理能力を高めるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来技術によって製作したバイポーラトラン
ジスタの断面図、第２図は本発明による方法によって製
作したバイポーラトランジスタの断面図、第３Ａ図、第
３Ｂ図、第３Ｃ図、第４図、第５Ａ図、第５Ｂ図、第５
Ｃ図、第５Ｄ図、第６Ａ図および第６Ｂ図は本発明によ
る製造方法の工程を示した図、第７Ａ図および第７Ｂ図
は第１図のバイポーラトランジスタを製作する従来技術
の製造方法の工程を示した図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）エミッタ領域上にエミッタ・コンタクト・ペデス
   タルを形成すること、前記ペデスタルの側壁に側壁スペ
   ーサの外側ベース・インサート領域中にドーパントを導
   入してベースインサート構造部を定めることを含むバイ
   ポーラトランジスタの製造方法。
2. （２）前記エミッタ・コンタクト・ペデスタル中にドー
   パントが導入され、前記エミッタ領域中に拡散され、前
   記ベースインサート領域中へのドーパントの導入期間中
   にバイポーラトランジスタのベースを定めるようにした
   請求項第１項記載のバイポーラトランジスタの製造方法
   。