JPH022619A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH022619A JPH022619A JP14688588A JP14688588A JPH022619A JP H022619 A JPH022619 A JP H022619A JP 14688588 A JP14688588 A JP 14688588A JP 14688588 A JP14688588 A JP 14688588A JP H022619 A JPH022619 A JP H022619A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に多層配線
における眉間絶縁膜の平坦化法に関するものである。
における眉間絶縁膜の平坦化法に関するものである。
（従来の技術）
半導体デバイスの多層配線平坦化技術として、最近、例
えば月刊セミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ） １９８７−３ Ｐ
３ ６ 〜４ １ に開示されるように様々な手法
が試みられているが、各々には一長一短があり、より高
度な平坦化技術はこれらの平坦化技術を複合することに
より実現される可能性も強い、ここでは、エッチバック
法を用いた眉間絶縁膜の平坦化技術に注目し、第３図を
参照して従来技術を説明すると、第３図（ａｔは、半導
体基板ｌに絶縁膜２を被着させ、その上に第１層メタル
配＆Ｉ ３の形成を完了したところである。
えば月刊セミコンダクタ・ワールド（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ） １９８７−３ Ｐ
３ ６ 〜４ １ に開示されるように様々な手法
が試みられているが、各々には一長一短があり、より高
度な平坦化技術はこれらの平坦化技術を複合することに
より実現される可能性も強い、ここでは、エッチバック
法を用いた眉間絶縁膜の平坦化技術に注目し、第３図を
参照して従来技術を説明すると、第３図（ａｔは、半導
体基板ｌに絶縁膜２を被着させ、その上に第１層メタル
配＆Ｉ ３の形成を完了したところである。
次に、その第１層メタル配線３上を含む絶縁膜２上の全
面に、ＣＶ Ｄ ５ｊＯｚＷＩのような絶縁膜４を第
３図（′ｂ）に示すように充分厚く （例えば配線０．
５／ＩＩ厚に対し約１／ｓ厚に）被着させる。次にその
上に、第３図（ｅ）に示すようにフォトレジストやＳＯ
Ｇ材のような平坦性犠牲Ｍ５を回転塗布し、表面を平坦
とする。その後、平坦性犠牲１１ｉ５と絶縁膜４でほぼ
等しいエツチング速度となるような条件でそれらを、絶
縁［４の途中までエッチバックし、第３図（ｄ）に示す
ように表面が平坦な絶縁膜４ （層間絶縁膜）を得る。
面に、ＣＶ Ｄ ５ｊＯｚＷＩのような絶縁膜４を第
３図（′ｂ）に示すように充分厚く （例えば配線０．
５／ＩＩ厚に対し約１／ｓ厚に）被着させる。次にその
上に、第３図（ｅ）に示すようにフォトレジストやＳＯ
Ｇ材のような平坦性犠牲Ｍ５を回転塗布し、表面を平坦
とする。その後、平坦性犠牲１１ｉ５と絶縁膜４でほぼ
等しいエツチング速度となるような条件でそれらを、絶
縁［４の途中までエッチバックし、第３図（ｄ）に示す
ように表面が平坦な絶縁膜４ （層間絶縁膜）を得る。
以降の工程は詳細な説明は省略するが、通常はスルーホ
ールを開口し、第２層メタル配線を形成し、パンシベー
シラン膜を被着した後、パッド部を開口し、完成するこ
とになる。
ールを開口し、第２層メタル配線を形成し、パンシベー
シラン膜を被着した後、パッド部を開口し、完成するこ
とになる。
この方法は、平坦性犠牲膜５の表面形状がその下の絶縁
膜４ （層間絶縁膜）に転写される形になるため、平坦
性犠牲［５に、回転塗布によるフォトレジストのような
比較的厚い（ｌ〜２ｘ＋＝）膜を用いて平坦な表面を得
ることにより、層間絶縁１１りの平坦化効果は極めて大
きい技術である。
膜４ （層間絶縁膜）に転写される形になるため、平坦
性犠牲［５に、回転塗布によるフォトレジストのような
比較的厚い（ｌ〜２ｘ＋＝）膜を用いて平坦な表面を得
ることにより、層間絶縁１１りの平坦化効果は極めて大
きい技術である。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、上記方法では以下のような問題点があった。
それを第４図を参照して説明すると、第４図はフォトレ
ジストなどからなる平坦性犠牲膜５を塗布形成後、エッ
チバック前の状態を示しており、第３図ｔｃ＋に対応し
ている。この状態から絶縁膜４の途中まで、すなわちラ
インａ（Ｆ）深さまでエッチバックし、残りの絶縁ＦＩ
４を眉間絶縁膜とするわけであるが、１つの膜内の途中
でエンチング終点とすることは極めて難しい制御である
。従来は、絶縁［４の初期生成膜厚とエッチバック時間
から終点を決定しているが、正確ではなく、残＃！ｉｔ
（１１間絶縁膜の厚さ）がばらついた。このバラツキ
は眉間絶縁膜容量のバラツキとなり、デバイス特性、特
にスイッチング特性に大きな影響を与えた。
ジストなどからなる平坦性犠牲膜５を塗布形成後、エッ
チバック前の状態を示しており、第３図ｔｃ＋に対応し
ている。この状態から絶縁膜４の途中まで、すなわちラ
インａ（Ｆ）深さまでエッチバックし、残りの絶縁ＦＩ
４を眉間絶縁膜とするわけであるが、１つの膜内の途中
でエンチング終点とすることは極めて難しい制御である
。従来は、絶縁［４の初期生成膜厚とエッチバック時間
から終点を決定しているが、正確ではなく、残＃！ｉｔ
（１１間絶縁膜の厚さ）がばらついた。このバラツキ
は眉間絶縁膜容量のバラツキとなり、デバイス特性、特
にスイッチング特性に大きな影響を与えた。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、多層配線に
おける眉間絶縁膜の膜厚を安定して一定に制御し得る半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
おける眉間絶縁膜の膜厚を安定して一定に制御し得る半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明では、半導体基板上に配線金属層と第１絶縁膜
を順次被着した後、第１絶縁膜と配線金属層を配線パタ
ーン状にパターニングし、その後、第１絶縁膜とエツチ
ング選択比が大きい第２絶縁膜を基板上に被着して該基
板上の全面を第２絶縁膜で覆った後、この第２ｗＡ縁膜
上に平坦性犠牲膜を被着して表面を平坦にし、その後、
平坦性犠牲膜と第２絶縁膜とでエツチングレートが等し
くなるような条件でこれらを、第１絶縁膜の表面が露出
するまでエツチングするものである。
を順次被着した後、第１絶縁膜と配線金属層を配線パタ
ーン状にパターニングし、その後、第１絶縁膜とエツチ
ング選択比が大きい第２絶縁膜を基板上に被着して該基
板上の全面を第２絶縁膜で覆った後、この第２ｗＡ縁膜
上に平坦性犠牲膜を被着して表面を平坦にし、その後、
平坦性犠牲膜と第２絶縁膜とでエツチングレートが等し
くなるような条件でこれらを、第１絶縁膜の表面が露出
するまでエツチングするものである。
また、第２のこの発明では、第１絶縁膜と配線金属層の
パターニング後、第２絶縁膜の被着の前に、基板上に塗
布膜を形成し、第１絶縁膜と配線金属層からなるパター
ンの側壁を斜面とする。
パターニング後、第２絶縁膜の被着の前に、基板上に塗
布膜を形成し、第１絶縁膜と配線金属層からなるパター
ンの側壁を斜面とする。
（作 用）
上記方法において、第１絶縁膜が露出するまで平坦性犠
牲膜と第２絶縁膜をエッチバックすると、第２絶縁膜は
、第１絶縁膜の表面と平坦となるように残り、その残存
第２絶縁膜と第１絶縁膜とにより平坦な眉間絶縁膜が得
られる。この時、エッチバックに伴い第１絶縁膜が露出
すると、エツチング装置の排ガスや雰囲気（プラズマ）
が変化する。したがって、エツチング装置の排ガスや雰
囲気をモニターすることにより、第１絶１！膜が露出し
た結果、すなわちエツチング終点が正確に検出される。
牲膜と第２絶縁膜をエッチバックすると、第２絶縁膜は
、第１絶縁膜の表面と平坦となるように残り、その残存
第２絶縁膜と第１絶縁膜とにより平坦な眉間絶縁膜が得
られる。この時、エッチバックに伴い第１絶縁膜が露出
すると、エツチング装置の排ガスや雰囲気（プラズマ）
が変化する。したがって、エツチング装置の排ガスや雰
囲気をモニターすることにより、第１絶１！膜が露出し
た結果、すなわちエツチング終点が正確に検出される。
また、この時、多少オーバーエッチがあったとしても、
第１絶縁膜は第２絶！！膜とエツチングの選択比が大き
く、殆どエツチングされない、ところで、第５図に示す
ように、金属配線パターン１１を形成した半導体基板１
２上にＣＶＤ法でＳｉＯ□膜や窒化膜の絶縁膜１３を形
成した時に、金属配線パターン１１相互の間隔が狭くて
アスペクト比（膜厚／間隔）が大きい（〈ｌ）状態にあ
ると、ＣＶＤ絶縁膜のカバレッジ不足による空洞１４が
生じ、タラフタなどの不良原因になる。これに対して、
第２のこの発明のように、第１絶縁膜と配線金属層のバ
ターニング後、第２絶縁膜の被着の前に、基板上に塗布
膜を形成して、第！絶縁咬と配線金属層からなるパター
ンの側壁を斜面としておけば、前記パターンのアスペク
ト比が大きくても、第２絶縁膜に、カバレッジ不足によ
る空洞は生じない。
第１絶縁膜は第２絶！！膜とエツチングの選択比が大き
く、殆どエツチングされない、ところで、第５図に示す
ように、金属配線パターン１１を形成した半導体基板１
２上にＣＶＤ法でＳｉＯ□膜や窒化膜の絶縁膜１３を形
成した時に、金属配線パターン１１相互の間隔が狭くて
アスペクト比（膜厚／間隔）が大きい（〈ｌ）状態にあ
ると、ＣＶＤ絶縁膜のカバレッジ不足による空洞１４が
生じ、タラフタなどの不良原因になる。これに対して、
第２のこの発明のように、第１絶縁膜と配線金属層のバ
ターニング後、第２絶縁膜の被着の前に、基板上に塗布
膜を形成して、第！絶縁咬と配線金属層からなるパター
ンの側壁を斜面としておけば、前記パターンのアスペク
ト比が大きくても、第２絶縁膜に、カバレッジ不足によ
る空洞は生じない。
（実施例）
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例を示し、まずこの第１
の実施例を説明する。
の実施例を説明する。
まず第１図（ａｌに示すように半導体基板２１上に絶縁
膜（Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ膜８０００人／熱酸化膜６０００人
）２２を被着し、その上に配線金属層としてアルミニウ
ム膜２３を０．５μと、第１絶縁膜としてＣＶＤ５ｉ（
ｈ膜２４をＩＩｒｍ厚に順次被着した後、このＣＶＯ−
５ｉＯ□１１々２４とアルミニウムＷａ２３の２層構造
ヲ通常のホトリソエツチング技術で図のように第１層メ
タル配線パターンにバターニングする。このバターニン
グにより、アルミニウム膜２３は第１層アルミ配線とな
る。以後、アルミニウム膜２３は第１層アルミ配線と呼
ぶ。このパターニング時、アルミニウム膜２３上にＣＶ
Ｄ Ｓｉｎｇ膜２４膜量４っていて、このＣＶ Ｄ
５ｉｆｔ膜２４により、ホトリソ工程における露光
時のアルミニウム膜２３からの反射が抑えられるので、
バターニングが安定する。
膜（Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ膜８０００人／熱酸化膜６０００人
）２２を被着し、その上に配線金属層としてアルミニウ
ム膜２３を０．５μと、第１絶縁膜としてＣＶＤ５ｉ（
ｈ膜２４をＩＩｒｍ厚に順次被着した後、このＣＶＯ−
５ｉＯ□１１々２４とアルミニウムＷａ２３の２層構造
ヲ通常のホトリソエツチング技術で図のように第１層メ
タル配線パターンにバターニングする。このバターニン
グにより、アルミニウム膜２３は第１層アルミ配線とな
る。以後、アルミニウム膜２３は第１層アルミ配線と呼
ぶ。このパターニング時、アルミニウム膜２３上にＣＶ
Ｄ Ｓｉｎｇ膜２４膜量４っていて、このＣＶ Ｄ
５ｉｆｔ膜２４により、ホトリソ工程における露光
時のアルミニウム膜２３からの反射が抑えられるので、
バターニングが安定する。
次に、ＣＶ Ｄ−５ｉＯ□ｎ健２４と第１層アルミ配線
２３のパターンを有する基板２１上の全面に、ＣＶ Ｄ
−５ｉＯ□膜２４とエツチング選択比が大きい第２跪縁
膜として第１図１ｂ）に示すようにＣＶＤ窒化膜２５を
１．７μ厚に被着し、該ＣＶＤ−窒化膜２５で基板２１
上の全面を覆う。
２３のパターンを有する基板２１上の全面に、ＣＶ Ｄ
−５ｉＯ□膜２４とエツチング選択比が大きい第２跪縁
膜として第１図１ｂ）に示すようにＣＶＤ窒化膜２５を
１．７μ厚に被着し、該ＣＶＤ−窒化膜２５で基板２１
上の全面を覆う。
次いで、そのＣＶＤ−窒化膜２５上に第１図（ｃ）に示
すように平坦性犠牲膜２６を、平坦なモニタ基板上で約
５０００人厚となるように塗布形成し、表面を平坦とす
る。ここで、平坦性犠牲膜２６としては、回転塗布ガラ
ス材（Ｓ ＯＧ ； ５ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ材）
あるいはフォトレジストが用いられる。この平坦性犠牲
膜２６は、塗布形成後、必要により熱処ｆｌ（３５０℃
〜４００℃）にてキュアされる。
すように平坦性犠牲膜２６を、平坦なモニタ基板上で約
５０００人厚となるように塗布形成し、表面を平坦とす
る。ここで、平坦性犠牲膜２６としては、回転塗布ガラ
ス材（Ｓ ＯＧ ； ５ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ材）
あるいはフォトレジストが用いられる。この平坦性犠牲
膜２６は、塗布形成後、必要により熱処ｆｌ（３５０℃
〜４００℃）にてキュアされる。
しかる後、平坦性犠牲膜２６とＣＶＤ−窒化膜２５とで
エツチングレートが等しくなるような条件でこれらを、
ＣＶ Ｄ−３ｉＯ□膜２４が露出するまで全面エッチバ
ックする。すると、第１図（ｄ）に示すように、ＣＶＤ
−窒化膜２５は、ＣＶ Ｄ −５ｉｎ。
エツチングレートが等しくなるような条件でこれらを、
ＣＶ Ｄ−３ｉＯ□膜２４が露出するまで全面エッチバ
ックする。すると、第１図（ｄ）に示すように、ＣＶＤ
−窒化膜２５は、ＣＶ Ｄ −５ｉｎ。
膜２４の表面と平坦になるように残り、その残存ＣＶＤ
−窒化膜２５とＣＶ Ｄ−ｓｔｏｚ＠２４ ニより平坦
な眉間絶縁膜が得られる。この時、エッチバックに伴い
ＣＶ Ｄ−８ｉｎ、膜２４が露出すると、エツチング装
置の排ガスや雰囲気（プラズマ）が変化する。したがっ
て、エツチング装置の排ガスや雰囲気をモニターするこ
とにより、ＣＶ Ｄ −５ｉＯ□［７２４が露出した時
点、すなわちエツチング終点を正確に検出でき、眉間絶
縁膜膜厚を安定して一定に制御できる。また、この時、
多少オーバーエッチがあったとしても、ＣＶＤ Ｓｉ
Ｏ□膜２４はＣＶＤ−窒化Ｗ！２５とエツチングの選択
比が大きく、殆どエツチングされないから、第１層アル
ミ配線２３上の、ＣＶ Ｄ−５ｉＪ膜２４からナル実効
層間絶縁１１！ｌＩＩ厚は、常に、ＣＶ Ｄ−３ｉＯ□
膜２４の初期生成膜厚より決まる一定膜厚となる。
−窒化膜２５とＣＶ Ｄ−ｓｔｏｚ＠２４ ニより平坦
な眉間絶縁膜が得られる。この時、エッチバックに伴い
ＣＶ Ｄ−８ｉｎ、膜２４が露出すると、エツチング装
置の排ガスや雰囲気（プラズマ）が変化する。したがっ
て、エツチング装置の排ガスや雰囲気をモニターするこ
とにより、ＣＶ Ｄ −５ｉＯ□［７２４が露出した時
点、すなわちエツチング終点を正確に検出でき、眉間絶
縁膜膜厚を安定して一定に制御できる。また、この時、
多少オーバーエッチがあったとしても、ＣＶＤ Ｓｉ
Ｏ□膜２４はＣＶＤ−窒化Ｗ！２５とエツチングの選択
比が大きく、殆どエツチングされないから、第１層アル
ミ配線２３上の、ＣＶ Ｄ−５ｉＪ膜２４からナル実効
層間絶縁１１！ｌＩＩ厚は、常に、ＣＶ Ｄ−３ｉＯ□
膜２４の初期生成膜厚より決まる一定膜厚となる。
なお、ＣＶ Ｄ ５ｉｆｔ膜２４に代えてリンドープ
（７） Ｓ ｉ Ｏ，膜（ＰＳＧ膜） ＣＶＤ−窒化
膜２５に代えてノンドープ５ｔｏｚｌＦＪを用いること
もでき、この場合も上記と同様にしてエツチング終点を
正確に検出でき、かつオーバーエッチがあっても実効層
間絶Ｉ！膜膜厚を一定とし得る。
（７） Ｓ ｉ Ｏ，膜（ＰＳＧ膜） ＣＶＤ−窒化
膜２５に代えてノンドープ５ｔｏｚｌＦＪを用いること
もでき、この場合も上記と同様にしてエツチング終点を
正確に検出でき、かつオーバーエッチがあっても実効層
間絶Ｉ！膜膜厚を一定とし得る。
その後は詳細な説明は省略するが、眉間絶縁膜にスルー
ホールを開口し、第２層アルミ配線を形ｔＬ、パッシベ
ーション膜を被着した後、パッド部を開口し、完成に至
る。
ホールを開口し、第２層アルミ配線を形ｔＬ、パッシベ
ーション膜を被着した後、パッド部を開口し、完成に至
る。
第１図（ｂｌにて窒化膜２５をＣＶＤ法で形成する際、
第１層アルミ配線２３とＣＶ Ｄ −５ｉｆｔ膜２４か
らなるパターン部分でのアスペクト比（ＩＩＩ厚／間隔
）が大きい（〈１）と、ＣＶＤ−窒化ＩＩ！２５のカバ
レッジ不足による空洞が第５図の参考例から分るように
発生する。この空洞の発生をも無くしたのが第２図のこ
の発明の第２の実施例である。
第１層アルミ配線２３とＣＶ Ｄ −５ｉｆｔ膜２４か
らなるパターン部分でのアスペクト比（ＩＩＩ厚／間隔
）が大きい（〈１）と、ＣＶＤ−窒化ＩＩ！２５のカバ
レッジ不足による空洞が第５図の参考例から分るように
発生する。この空洞の発生をも無くしたのが第２図のこ
の発明の第２の実施例である。
、ｍ（７）第２＋７）実施例では、ＣＶＤ ５ｉｆｔ
膜２４とアルミニウム膜２３をバターニング（第２図（
ａ））した後、全面にＣＶＤ−窒化１１５Ｉ２５を被着
する（第２図（Ｃ））前に、第２図（ｂｌに示すように
塗布膜２７の形成工程を実施する。この塗布膜２７とし
は、−例として回転塗布ガラス材（ＳＯＣｉ材）が用い
られ、平坦なモニタ基板上で約１０００人の厚さとなる
ような条件で基板２１上に回転塗布され、３５０℃〜４
００℃の熱処理でキュアされる。そして、この塗布膜２
７の形成により、第２図（ｂ）に示すように、ＣＶ Ｄ
−５４０□Ｍ２４と第１層アルミ配４５１２３からなる
パターンの側壁は斜面となる。
膜２４とアルミニウム膜２３をバターニング（第２図（
ａ））した後、全面にＣＶＤ−窒化１１５Ｉ２５を被着
する（第２図（Ｃ））前に、第２図（ｂｌに示すように
塗布膜２７の形成工程を実施する。この塗布膜２７とし
は、−例として回転塗布ガラス材（ＳＯＣｉ材）が用い
られ、平坦なモニタ基板上で約１０００人の厚さとなる
ような条件で基板２１上に回転塗布され、３５０℃〜４
００℃の熱処理でキュアされる。そして、この塗布膜２
７の形成により、第２図（ｂ）に示すように、ＣＶ Ｄ
−５４０□Ｍ２４と第１層アルミ配４５１２３からなる
パターンの側壁は斜面となる。
そして、このように前記パターンの側壁を斜面とするこ
とにより、次に第２図（ｃ）に示すようにＣｖＤ窒化膜
２５を形成した際に、前記パターンのアスペクト比が大
きくても、カバレンジ不足による空洞の発生はなくなる
のである。
とにより、次に第２図（ｃ）に示すようにＣｖＤ窒化膜
２５を形成した際に、前記パターンのアスペクト比が大
きくても、カバレンジ不足による空洞の発生はなくなる
のである。
第２の実施例は、上記塗布膜形成工程以外は第１図の第
１の実施例と同一である。したがって、同一方法部分に
ついては説明を省略し、第２図ｆａｔ〜＋ｄ＋において
は第１図と同一部分に同一符号を付す。
１の実施例と同一である。したがって、同一方法部分に
ついては説明を省略し、第２図ｆａｔ〜＋ｄ＋において
は第１図と同一部分に同一符号を付す。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明の方法によれば、
エッチバック法による眉間絶縁）ｌりの平坦化技術にお
いてエツチング終点を正確に検出し得、層間絶縁膜膜厚
を安定して一定に制御できる。しかも、エッチバックで
多少オーバーエッチが生したとしても、エツチングレー
トの違いにより配線上の実効層間絶縁膜１１り厚は常に
一定膜厚に制御できる。
エッチバック法による眉間絶縁）ｌりの平坦化技術にお
いてエツチング終点を正確に検出し得、層間絶縁膜膜厚
を安定して一定に制御できる。しかも、エッチバックで
多少オーバーエッチが生したとしても、エツチングレー
トの違いにより配線上の実効層間絶縁膜１１り厚は常に
一定膜厚に制御できる。
また、エッチバックされる第２絶縁膜を全面に被着形成
する際、配線とその上の第１絶縁膜からなるパターンの
側壁を塗布膜形成により斜面としておくことにより、該
パターン部分でのアスペクト比が大きくても、第２絶縁
膜のカバレッジ不足による空洞の発生を防止できる。
する際、配線とその上の第１絶縁膜からなるパターンの
側壁を塗布膜形成により斜面としておくことにより、該
パターン部分でのアスペクト比が大きくても、第２絶縁
膜のカバレッジ不足による空洞の発生を防止できる。
これらから、この発明によれば、高精度の高信頼性の眉
間絶縁膜を形成することができ、膜厚のバラツキがデバ
イス特性に悪影響を与えたり、クラックが生じて絶縁不
良が発生するようなことがなくなる。
間絶縁膜を形成することができ、膜厚のバラツキがデバ
イス特性に悪影響を与えたり、クラックが生じて絶縁不
良が発生するようなことがなくなる。
また、この発明によれば、配線金属層を配線パターンに
バターニングする時、該配線金属層上に第１絶縁膜が重
なっていて、この第１絶縁膜毎パターニングすることに
なるので、ホトリソ工程における露光時の配線金属層か
らの反射を第１絶縁膜で抑えることができ、安定したバ
ターニングを可能とする。これにより、高精度の配線形
成を可能とする。
バターニングする時、該配線金属層上に第１絶縁膜が重
なっていて、この第１絶縁膜毎パターニングすることに
なるので、ホトリソ工程における露光時の配線金属層か
らの反射を第１絶縁膜で抑えることができ、安定したバ
ターニングを可能とする。これにより、高精度の配線形
成を可能とする。
第１図はこの発明の半導体装置の製造方法の第１の実施
例を示す工程断面図、第２図はこの発明の第２の実施例
を示す工程断面図、第３図はエッチバック法を用いた従
来の眉間絶縁膜の平坦化法を示す工程断面図、第４図は
従来法によるエッチバック状況を説明するための断面図
、第５図は段差部でのカバレッジ不足による空洞の発生
を説明するための断面図である。 ２１・・・半導体基板、２３・・・アルミニウム膜（第
１層７．１１／ ミ配締） 、２４− ＣＶ Ｄ −ｓ
＋ｏｚ膜、２５・・・ＣＶＯ−窒化膜、２６・・・平坦
性犠牲膜、２７・・・塗布膜。 従来の方法 従来方法１こよるエッチバック 第４図 カバレッジ不足１こよる豊潤の発生 第５図
例を示す工程断面図、第２図はこの発明の第２の実施例
を示す工程断面図、第３図はエッチバック法を用いた従
来の眉間絶縁膜の平坦化法を示す工程断面図、第４図は
従来法によるエッチバック状況を説明するための断面図
、第５図は段差部でのカバレッジ不足による空洞の発生
を説明するための断面図である。 ２１・・・半導体基板、２３・・・アルミニウム膜（第
１層７．１１／ ミ配締） 、２４− ＣＶ Ｄ −ｓ
＋ｏｚ膜、２５・・・ＣＶＯ−窒化膜、２６・・・平坦
性犠牲膜、２７・・・塗布膜。 従来の方法 従来方法１こよるエッチバック 第４図 カバレッジ不足１こよる豊潤の発生 第５図
Claims (2)
- （１）（ａ）半導体基板上に配線金属層および第１絶縁
膜を順次被着する工程と、 （ｂ）その第１絶縁膜と配線金属層を配線パターン状に
パターニングする工程と、 （ｃ）そのパターニングが終了した基板上に、第１絶縁
膜とエッチング選択比が大きい第２絶縁膜を被着し、該
第２絶縁膜で基板上の全面を覆う工程と、 （ｄ）その第２絶縁膜上に平坦性犠牲膜を被着して表面
を平坦にする工程と、 （ｅ）その平坦性犠牲膜と第２絶縁膜とでエッチングレ
ートが等しくなるような条件でこれらを、第１絶縁膜の
表面が露出するまでエッチバックする工程とを具備して
なる半導体装置の製造方法。 - （２）（ａ）半導体基板上に配線金属層および第１絶縁
膜を順次被着する工程と、 （ｂ）その第１絶縁膜と配線金属層を配線パターン状に
パターニングする工程と、 （ｃ）そのパターニングが終了した基板上に塗布膜を形
成し、第１絶縁膜と配線金属層からなるパターンの側壁
を斜面とする工程と、 （ｄ）その後、第１絶縁膜とエッチングの選択比の大き
い第２絶縁膜を基板上の全面に被着し、基板上の全面を
第２絶縁膜で覆う工程と、 （ｅ）その第２絶縁膜上に平坦性犠牲膜を被着して表面
を平坦にする工程と、 （ｆ）その平坦性犠牲膜と第２絶縁膜とでエッチングレ
ートが等しくなるような条件でこれらを、第１絶縁膜の
表面が露出するまでエッチバックする工程とを具備して
なる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14688588A JPH022619A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14688588A JPH022619A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022619A true JPH022619A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15417776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14688588A Pending JPH022619A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299975A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP14688588A patent/JPH022619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299975A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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