JP2007299975A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュメモリのメモリセルは、半導体基板1のp型ウエル10に形成され、ゲート絶縁膜4、浮遊ゲート5、高誘電体膜6、制御ゲート8(ワード線WL)を有している。浮遊ゲート5と制御ゲート8(ワード線WL)は高誘電体膜6によって分離されている。行方向に配列された複数のメモリセルは、列方向に延在する素子分離溝3によって分離されている。素子分離溝3の内部には、酸化シリコン膜24が埋め込まれている。酸化シリコン膜24の内部には、空洞15が設けられている。空洞15は、その下端部が素子分離溝3の底部近傍まで延在し、上端部が浮遊ゲート5を覆う高誘電体膜6の上面よりもさらに上方まで延在している。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の実施の形態1である半導体装置のメモリアレイ領域を示す要部平面図、図2〜図6は、それぞれ図1のA−A線、B−B線、C−C線、D−D線、E−E線に沿った断面図、図7〜図9は、本発明の実施の形態1である半導体装置の動作を説明する回路図である。なお、図1はメモリアレイ領域の構成を見易くするために、一部の部材の図示が省略されている。
ΔVth=Cfg−fg/Ctot×|Vthprog−Vtherase| (1)
Ctot=(Cfg−cg+Cfg−sub+Cfg−fg+…) (2)
となる。ここで、Cfg−fg、Cfg−cg、Cfg−subは、それぞれ浮遊ゲート−浮遊ゲート間容量、浮遊ゲート−制御ゲート間容量、浮遊ゲート−ウエル間容量である。また、式(2)のCtotは、しきい値シフト(ΔVth)を生じさせる浮遊ゲートの周囲の全容量である。
α=LAG÷LFGPS (3)
とすると、空洞15が全くない場合(LAG=0)はα=0となり、全て空洞15の場合(LAG=LFGPS)はα=1となる。
図29は、実施の形態2の半導体装置のメモリアレイ領域を示す要部平面図、図30〜図34は、それぞれ図29のA−A線、B−B線、C−C線、D−D線、E−E線に沿った断面図、図35〜図37は、実施の形態2の半導体素子の動作を説明する回路図である。なお、図29はメモリアレイ領域の構成を見易くするために、一部の部材の図示が省略されている。
図53は、実施の形態3の半導体装置のメモリアレイ領域を示す要部平面図、図54〜図57は、それぞれ図53のA−A線、B−B線、C−C線、D−D線に沿った断面図、図58〜図60は、実施の形態3の半導体素子の動作を説明する回路図である。なお、図53はメモリアレイ領域の構成を見易くするために、一部の部材の図示が省略されている。
図80は、実施の形態4の半導体装置を示す要部断面図であり、前記実施の形態3の図54(A−A線断面図)に対応している。
3 素子分離溝
3a、3b 溝
4 ゲート絶縁膜(トンネル絶縁膜)
5 浮遊ゲート
5a、5b、5c 多結晶シリコン膜
6 高誘電体膜
7a、7b、7c 多結晶シリコン膜
8 制御ゲート
9 メタル膜
10 p型ウエル
11、12、13 n型拡散層
14 ゲート電極
15 空洞
16 開口
21、22 窒化シリコン膜
23、24 酸化シリコン膜
25 窒化シリコン膜
50 半導体基板
51 素子分離溝
52 酸化シリコン膜
53 ゲート絶縁膜
54 浮遊ゲート
55 高誘電体膜
56 制御ゲート
BL ビット線
BLCONT ビット線コンタクト
CSDL 共通ソース線
ST1、ST2 選択トランジスタ
WL ワード線
Claims (17)
- 第1導電型の半導体基板の主面の第1方向、および前記第1方向と直交する第2方向にマトリクス状に配置された複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板の主面上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を介して前記浮遊ゲートの上部に形成された制御ゲートとを備え、
前記第1方向に配列された複数のメモリセルは、前記半導体基板の主面に形成され、かつ前記第2方向に延在する素子分離溝によって互いに分離され、
前記第2方向に配列された複数のメモリセルは、直列に接続され、
前記第1方向に配列された前記複数のメモリセルのそれぞれの前記制御ゲートは、一体となって前記第1方向に延在するワード線を構成し、
前記第1方向に隣接する前記浮遊ゲート同士が対向する領域には、内部に空洞を有する第2絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記浮遊ゲート上に形成された前記第1絶縁膜は、メモリセル毎に分離して形成され、前記第1方向に隣接する前記第1絶縁膜同士が対向する領域には、前記第2絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記空洞は、前記第1方向に隣接する前記第1絶縁膜同士が対向する領域にも形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁膜は、酸化シリコンよりも誘電率が高い絶縁膜からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2方向に配列された前記複数のメモリセルの一端は、第1選択トランジスタを介してビット線に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2方向に配列された前記複数のメモリセルの他端は、第2選択トランジスタを介して共通ソース線に接続されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記第2方向に隣接する前記浮遊ゲート間の前記半導体基板には、前記メモリセルのドレインを構成する第2導電型の第1半導体領域と、前記メモリセルのソースを構成する第2導電型の第2半導体領域とが、前記第2方向に沿って交互に形成されており、前記第1半導体領域のそれぞれは、ビット線コンタクトを介してビット線に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1方向に配列された前記複数のメモリセルのそれぞれの前記第2半導体領域は、一体となって前記第1方向に延在する共通ソース線を構成していることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記第2方向に沿った前記浮遊ゲートの断面形状は、逆T字形であり、前記制御ゲートの下端部は、前記第2方向に隣接する前記浮遊ゲート間に埋め込まれていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2方向に隣接する前記浮遊ゲート間の前記半導体基板には、前記メモリセルのソース、ドレインを構成する第2導電型の半導体領域が形成されていないことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板の主面の第1方向、および前記第1方向と直交する第2方向にマトリクス状に配置された複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、第1導電型の半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に第1絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを備え、
前記第1方向に配列された複数のメモリセルは、前記半導体基板の主面に形成され、かつ前記第2方向に延在する素子分離溝によって互いに分離され、
前記第2方向に配列された複数のメモリセルは、直列に接続され、
前記第1方向に配列された前記複数のメモリセルのそれぞれの前記制御ゲートは、一体となって前記第1方向に延在するワード線を構成する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板の主面に前記ゲート絶縁膜を形成した後、前記ゲート絶縁膜上に第1導電膜、第1絶縁膜、第2導電膜および第3絶縁膜を形成する工程と、
(b)前記第3絶縁膜、前記第2導電膜、前記第1絶縁膜および前記第1導電膜をパターニングすることによって、メモリセル形成領域の前記半導体基板上を覆って前記第2方向に延在する第1積層体を形成すると共に、素子分離領域の前記半導体基板表面を露出する工程と、
(c)前記第1積層体をマスクにして素子分離領域の前記半導体基板をエッチングすることにより、前記第2方向に延在する溝を形成する工程と、
(d)前記半導体基板上に前記第1積層体を覆う第2絶縁膜を堆積すると共に、前記溝の内部に前記第2絶縁膜を不完全に埋め込むことによって、内部に空洞を有する前記第2絶縁膜が埋め込まれた前記素子分離溝を形成する工程と、
(e)前記工程(d)の後、前記第2絶縁膜をエッチバックして前記第3絶縁膜の上面を露出し、続いて、前記第3絶縁膜を除去することによって、前記第2導電膜の上面を露出する工程と、
(f)前記工程(e)の後、前記半導体基板上に第3導電膜を形成し、続いて、前記第3導電膜、前記第2導電膜、前記第1絶縁膜および前記第1導電膜をパターニングすることによって、前記第3導電膜と前記第2導電膜とからなる前記制御ゲートを形成し、前記第1導電膜からなる前記浮遊ゲートを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜の上端部は、前記浮遊ゲート上に形成された前記第1絶縁膜の上方まで延在し、前記第1方向に隣接する前記浮遊ゲート同士が対向する領域の前記第2絶縁膜内には、前記空洞が形成されていることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1方向に隣接する前記第1絶縁膜同士が対向する領域の前記第2絶縁膜内には、前記空洞が形成されていることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、酸化シリコンよりも誘電率が高い絶縁膜からなることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(f)の後、前記第2方向に隣接する前記浮遊ゲートの間の領域の前記半導体基板に不純物をイオン注入することによって、前記メモリセルのソース、ドレインを構成する第2導電型の拡散層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 第1導電型の半導体基板の主面の第1方向、および前記第1方向と直交する第2方向にマトリクス状に配置された複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、第1導電型の半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に第1絶縁膜を介して形成された制御ゲートと、前記半導体基板の主面に形成された第2導電型の拡散層とを備え、
前記第1方向に配列された複数のメモリセルは、前記半導体基板の主面に形成され、かつ前記第2方向に延在する素子分離溝によって互いに分離され、
前記第2方向に配列された複数のメモリセルは、直列に接続され、
前記第1方向に配列された前記複数のメモリセルのそれぞれの前記制御ゲートは、一体となって前記第1方向に延在するワード線を構成する半導体装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板の主面上に前記ゲート絶縁膜を介して第1導電膜を形成し、前記第1導電膜をパターニングすることにより、前記第1方向に所定の間隔で配列され、かつ前記第2方向に所定の間隔で配列される複数の前記浮遊ゲートを形成する工程と、
(b)前記第1方向に隣接する前記浮遊ゲートの間の前記半導体基板をエッチングすることによって、前記第2方向に延在する素子分離溝を形成する工程と、
(c)前記素子分離溝の内部に第2絶縁膜を埋め込む工程と、
(d)前記浮遊ゲートの上部に前記第1絶縁膜を介して第2導電膜を形成し、前記第2導電膜をパターニングすることにより、前記第1方向に延在し、かつ前記第2方向に所定の間隔で配列される複数の前記制御ゲートを形成する工程とを含み、
前記工程(c)において、前記素子分離溝の内部に第2絶縁膜を埋め込む際、前記第1方向に隣接する前記浮遊ゲート同士が対向する領域の前記第2絶縁膜内に空洞を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、前記第2方向に沿った前記浮遊ゲートの断面形状を逆T字形に加工する工程を含み、
前記工程(d)は、前記制御ゲートを前記第2方向に隣接する前記浮遊ゲート間に形成する工程を含むことを特徴とする請求項16記載の半導体装置の製造方法。
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