JPH0226087A - 積層型圧電素子の製法 - Google Patents

積層型圧電素子の製法

Info

Publication number
JPH0226087A
JPH0226087A JP63175050A JP17505088A JPH0226087A JP H0226087 A JPH0226087 A JP H0226087A JP 63175050 A JP63175050 A JP 63175050A JP 17505088 A JP17505088 A JP 17505088A JP H0226087 A JPH0226087 A JP H0226087A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layers
piezoelectric element
piezoelectric ceramic
piezoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63175050A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2738706B2 (ja
Inventor
Akiomi Kono
顕臣 河野
Masatsugu Arai
雅嗣 荒井
Takeshi Harada
武 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15989356&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0226087(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP17505088A priority Critical patent/JP2738706B2/ja
Priority to DE68919556T priority patent/DE68919556T2/de
Priority to EP89112941A priority patent/EP0350941B1/en
Publication of JPH0226087A publication Critical patent/JPH0226087A/ja
Priority to US07/574,373 priority patent/US5196756A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2738706B2 publication Critical patent/JP2738706B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/053Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/057Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は積層型圧電素子とその製法に係り、特に圧電ア
クチュエータとして信頼性の高い積層型圧電素子とその
製法に関する。
〔従来の技術〕
圧電セラミクスは力を加えると電圧が発生し、電圧を加
えると変位や力を発生する性質を有する為、アクチュエ
ータとしての利用性が高い、アクチュエータやセンサに
利用すべく1通常圧なセラミクスはfetJfjとの積
層体として使われる。このような積層体は積層型圧電素
子と呼ばれる。
積層型圧電素子は他のセラミクス積層物と同様に一般に
はグリーンシート法で製造される。圧電セラミクスグリ
ーンシートは、圧電セラミクスの仮焼粉末に適量のバイ
ンダ等に添加したスラリを成形したシート状物である。
このグリーンシートに金属ペーストをスクリーン印刷等
により印刷して電極部としたものを所望枚数積層し乾燥
後、更に十数百度(’C)で焼結してセラミック化した
ものが従来の圧電素子積層体である。製品としては更に
その後電圧を印加して分極処理することになる。このよ
うな従来のグリーンシート法による積層体の製法は、例
えば特開昭60−41273号、同60−91800号
、同60−229380号各公報に示されている。
ご発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術はグリーンシートの焼成と電極の焼き付け
とを同時に行っていた為、−見工数の少なさから簡易な
方法ではあるが、グリーンシート中のバインダ等は電極
層に阻まれて加熱除去しにくい、これを加熱除去すべく
脱バインダプロセスを採ると、セラミクス体にクラック
やデラミネーション、変形が生じ易い。
またグリーンシートと電極との積層体を高温で同時焼成
するため、またセラミクス焼結時の収縮が大きいため、
圧電セラミクス積層体の内部には大きな歪み(内部応力
)が生じる。それ故、大きな電圧を印加したり、繰り返
し長時間使用したりすると積層体は機械的破壊を起こす
更には焼成後の分極処理に際しても大きな歪みが発生し
、これも強度信頼性低下の要因となる。
以上のように従来技術では積層型圧電素子自体の強度信
頼性が低く、アクチュエータ等への応用には問題があっ
た。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の積層型圧電素子は、W数の圧電セラミクス材の
層とこの各圧電セラミクス材の層間に介在する電極との
積層体にて構成され、ここに用いる電極が、圧電セラミ
クス材の焼成温度より低い温度条件でこのセラミクス材
と拡散接合の可能な材料でなることを特徴とする。電極
材の最適例はアルミニウム、アルミニウム系合金から選
ばれる一層乃至複数層の金属材料である。
本発明の積層型圧電装!(例えばアクチュエータ、セン
サ)は、上記圧電素子の各電極の内+極をまとめる外部
リードと、−極をまとめる外部リードとを圧電素子側面
に付設したものである。
本発明の積層型圧電素子の製法は、焼成済圧電セラミク
ス材の層と電極層とを交互に積層後、この圧電セラミク
ス材の焼成温度より低い温度で加熱し、或いは加熱・加
圧して、所定時間保持することにより接合、特に好まし
くは拡散接合、することを特徴とする。
焼成済圧電セラミクスとは圧電セラミクスグリーンシー
トを焼成したものである。
尚、接合工程後に加圧を除去することなく冷却すること
が好ましく、特に接合工程後の冷却過程にあっては、圧
電セラミクスのキューリ点よりも20〜70℃高い温度
で電圧を印加してセラミクスを分極させることが望まし
い。ここでキューリ点とは圧電セラミクスの特性を喪失
する温度をいい、分極とは圧電素子にするためのセラミ
クスの一処理工程を意味する。
一般に圧電セラミクス材にペロゲスカイト型結晶構造を
もつ強誘電性材料であって、キューリー点以上の温度で
は立方晶・キューリー点以下の温度では立方晶より変形
した結晶相を呈して結晶構造にずれ即ち極性(方向性)
が生ずる。焼成直後の圧電セラミクスは結晶粒子の集合
体であり、各結晶粒子内に極性の異なる部分が混在する
。焼成しただけの圧電セラミクスの状態では各結晶粒子
について極性のベクトル総和はゼロであって、全体とし
ては無極性である。これに所定の電界を印加することに
よって各結晶粒子毎に極性の方向が定まりこれを分極と
いい、このような処理を分極処理という。
電極材としては、膜、箔、ペーストいずれの状態で用い
ても差し支えないが、従来材料としては純アルミニウム
或いはアルミニウム系合金が好適である。更にアルミニ
ウム電極を用いるなら、画表皮材がアルミニウムーシリ
コン系合金、芯材がアルミニウムの3層構造のものが好
適である。
尚、積層状態は平板積層に限定されず、円筒状の積層物
でもかまわない。
〔作用〕
本発明ではすでに焼成した圧電素子を積層化する為、焼
成による収縮が積層化時には生じず、すなわち圧電セラ
ミクスはすでに収縮済みなので、積層体内部には歪みが
残り得ない。
また焼成温度よりも低い温度で、加熱或いは加熱・加圧
するので、圧電セラミクスと電極金属とが熱歪みが少な
くかつ強固に拡散接合するため、接合界面強度が従来技
術よりも高くかつ信頼性が向上する。特に高温からの冷
却及び焼成による収縮に起因する歪みが小さく1発生す
る熱応力も小さい。
分極は圧電セラミクス自体が体積増加し、大きな内部応
力を発生させる。そこで冷却中に分極処理を施こせば、
冷却による体積収縮と分極による体積増加の平衡により
内部歪み(内部応力)が緩和されることになり、圧電セ
ラミクスの強度信頼性が向上することになる。
電極金属として純アルミニウム或いはアルミニウム系合
金を用いると、積層化温度(接合温度)を非常に低く下
げることができるため、熱応力の発生が小さい、またア
ルミニウムは活性金属であるため、圧電セラミクスとの
接合性が向上する。
このように本発明の提案するプロセスによれば圧電素子
製作工程中に生ずる内部歪み(内部応力)は小さく、強
度信頼性は著しく向上する。
更に本発明は圧電セラミクス層相互の接層用のインサー
ト材が電極材とが兼用しているため製作上も簡便である
〔実施例〕 本発明の実施例に係る積層型圧電素子の斜視図を第1図
に示す。また電極部の一例の斜視図を第2図に示す。
ジルコン酸鉛(PbZrOa)とチタン酸鉛(PbTi
Os)のほぼ等量の固溶体(PZT)粉末をペースト化
してグリーンシートとし、これを成形して焼成すること
により圧電セラミクス層1を得る。この複数の圧電セラ
ミクス層1の各層間に電極層2,3を交互に配置し、加
熱、加圧して積層体を得る。電極層2をまとめて外部リ
ード4に接続し、−万態極層3をまとめて外部リード5
に接続する。電極層2と外部リード5とは絶縁材7にて
絶縁をとっている。−万態極3と外部り一部4とは絶縁
材6にて絶縁をとっている。外部リード4,5は電気端
子8に接続する。各電極層2゜3の望ましい態様は第2
図に示す如き構成であり、アルミニウム芯材22の両面
にアルミニウムーシリコン合金表皮材21を形成しであ
る。
このような電極構成にすると、接合温度580〜660
℃では、表皮層のみ液相となるため、アルミニウム電極
表面の酸化皮膜は液相になる時破壊し、その活性なアル
ミニウム液相が圧電セラミクスとの密着及び反応を促進
させる。一方、芯材のアルミニウムは固相状態で、一定
の電極厚さを得ることが可能である。すなわち芯材がな
く、アルミニウム電極全体が液相となると、接合面外へ
のアルミニウム溶液の流出が起こり、一定な厚さの電極
にならない、また、電極の一部が液相とならない電極構
造では1表面の酸化皮膜(AnzOa)が接合性を著し
く阻害する。従って表面層のみ液相となる三層構造とし
たアルミニウム電極を用いることにより、圧電セラミク
スとの接合性向上及び一定した電極厚さを得ることが可
能である。
尚、各圧電セラミクス層は薄いほど良い。望ましくは0
.1+am以下の厚さである。
実施例1 第1図に示すような既に焼成した圧電セラミクス層(直
径20mu+、厚さO,1mm)1と、純アルミニウム
電極[2,3(直径20mm、厚さ各10μm)とを交
互に積み重ねて120段とした積層体を接合炉内に設置
し、10−’Torr台の真空度まで炉内を排気した。
しかる後1.Okg/vs”の圧力を積層体にかけて、
630℃まで加熱し、30分間この状態を保持した。そ
の後、室温まで2℃/winの速度で冷却した。その結
果、圧電セラミクスとアルミニウム電極とは化学的に強
固に接合していることが確認された。
この積層体に電圧をかけ分極処理した後、所定の大電界
駆動による疲労試験を行ったところ、従来品では107
回で破壊するのに対し、本実施例品では106〜109
回まで破壊せず、長寿命化が図れた。
実施例2 実施例1で用いた純アルミニウム電極の代わりに、第2
図に示す3層構造、すなわちアルミニウム芯材22の両
側にアルミニウムーシリコン合金表皮材21をクラッド
した電極箔(厚さ10μm)を用いた。この電極層2,
3と既に焼成した圧電セラミクス層1とを交互に120
段積み重ね、実施例1と同様の要領で加熱・加圧した。
尚1本実施例では、接合温度585℃、接合圧力0.2
kg/n+m”、接合時間30分とした。585℃では
電極のアルミニウムーシリコン系合金表皮材21のみが
アルミニウムーシリコン共晶反応で溶融し。
接合界面には液相が生じる。従ってアルミニウム合金電
極の両表面に形成されている酸化皮膜は溶融によって破
壊し、活性なアルミニウムの面が出て、アルミニウムを
圧電セラミクスとの反応が促進される。一方、アルミニ
ウム芯材22は固相であるため、接合後のアルミニウム
電極の厚さが一定となる。このようにして作製された積
層型圧電素子の疲労試験では、109回では破壊した素
子がなかったことから、実施例1より更に信頼性の高い
圧電素子が得られることが判った。
実施例3 既に焼成した圧電セラミクスと第2図に示す3層構造の
AQ箔電極とを交互に120層積み重ね、真空中、58
5℃で加熱し、カッ0 、2kg/ms”(7)圧力で
加圧して30分間保持して接合した。
接合後、加圧したまま2℃/winの冷却速度で335
℃まで冷却し、その温度より室温までの冷却中、各圧電
セラミクス板に400Vの定接性パルス電圧を印加した
。室温まで冷却後、分極電圧と加圧力を除去した。この
ように、接合後の冷却途中で分極処理を施した。この積
層型圧電素子の疲労特性は、実施例1及び2よりも優れ
ており、1011回以上の疲労寿命を示した。
以上、積層型圧電素子の製作例ではAQ電極は箔を用い
たが、蒸着あるいはイオンブレーティング、スパッタリ
ングなど他の方法で薄膜電極を各圧電セラミク入間に設
けても良い。
以上の実施例1〜3によれば、既に焼成した圧電セラミ
クスを低温で接合して積層化できる。従って焼成時のセ
ラミクスの収縮による歪みをなくすことが可能である。
また高温からの冷却による熱応力も小さくできる。また
接合後の冷却中に分極処理を施こすので、分極時に発生
する内部歪みを小さくすることが可能である。
〔発明の効果〕
以上説明した通り、本発明によれば、積層型圧電素子の
強度信頼性を大幅に向上できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る積層型圧電素子の斜視
図、第2図は本発明の他の実施例に用いた電極層の斜視
図である。 1・・・圧電セラミクス層、2,3・・・電極層、4,
5・・・外部リード、6.7・・・絶縁材、8・・・電
気端子。 21・・・アルミニウムーシリコン合金表皮材、22・
・・アルミニウム芯材。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.複数の圧電セラミクス材の層と該各圧電セラミクス
    材の層間に介在する電極との積層体にて構成された積層
    型圧電素子において、前記電極は、前記圧電セラミクス
    材の焼成温度より低い温度条件で該セラミクス材と拡散
    接合の可能な材料でなることを特徴とする積層型圧電素
    子。
  2. 2.複数の圧電セラミクス材の層と該各圧電セラミクス
    材の層間に介在する電極との積層体にて構成された積層
    型圧電素子において、前記各電極は、アルミニウム,ア
    ルミニウム系合金から選ばれる一層乃至複数層の金属材
    料であることを特徴とする積層型圧電素子。
  3. 3.請求項1若しくは2における各電極の内、+極をま
    とめる外部リードと−極をまとめる外部リードとを圧電
    素子側面に付設してなることを特徴とする積層型圧電装
    置。
  4. 4.焼成済圧電セラミクス材の層と電極層とを交互に積
    層後、該圧電セラミクス材の焼成温度より低い温度で加
    熱して接合することを特徴とする積層型圧電素子の製法
  5. 5.焼成済圧電セラミクス材の層と電極層とを交互に積
    層後、該圧電セラミクス材の焼成温度より低い温度で加
    熱,加圧して接合することを特徴とする積層型圧電素子
    の製法。
  6. 6.圧電セラミクスグリーンシートを焼成した後、各セ
    ラミクス層間に電極層を配置し、前記焼成時の温度より
    も低温で加熱することにより各セラミクス材と電極材と
    を拡散接合することを特徴とする積層型圧電素子の製法
  7. 7.請求項5の接合工程後に加圧を除去することなく冷
    却することを特徴とする積層型圧電素子の製法。
  8. 8.請求項4,5または6の接合工程後の冷却過程にお
    いて、前記圧電セラミクスのキューリ点よりも20〜7
    0℃高い温度で電圧を印加することにより該セラミクス
    を分極させることを特徴とする積層型圧電素子の製法。
JP17505088A 1988-07-15 1988-07-15 積層型圧電素子の製法 Expired - Lifetime JP2738706B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17505088A JP2738706B2 (ja) 1988-07-15 1988-07-15 積層型圧電素子の製法
DE68919556T DE68919556T2 (de) 1988-07-15 1989-07-14 Schichtartiges piezoelektrisches Element und dessen Herstellungsverfahren.
EP89112941A EP0350941B1 (en) 1988-07-15 1989-07-14 Stack-type piezoelectric element and process for producing the same
US07/574,373 US5196756A (en) 1988-07-15 1990-08-29 Stack-type piezoelectric element, process for producing the same, and stack-type piezoelectric device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17505088A JP2738706B2 (ja) 1988-07-15 1988-07-15 積層型圧電素子の製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0226087A true JPH0226087A (ja) 1990-01-29
JP2738706B2 JP2738706B2 (ja) 1998-04-08

Family

ID=15989356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17505088A Expired - Lifetime JP2738706B2 (ja) 1988-07-15 1988-07-15 積層型圧電素子の製法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5196756A (ja)
EP (1) EP0350941B1 (ja)
JP (1) JP2738706B2 (ja)
DE (1) DE68919556T2 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69031839T2 (de) * 1989-04-07 1998-05-07 Mitsui Petrochemical Ind Geschichtete Keramikanordnung und Verfahren zur deren Herstellung
US5163209A (en) * 1989-04-26 1992-11-17 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a stack-type piezoelectric element
US5281885A (en) * 1989-11-14 1994-01-25 Hitachi Metals, Ltd. High-temperature stacked-type displacement device
JP2545639B2 (ja) * 1990-07-30 1996-10-23 富士通株式会社 積層型圧電素子
US5164808A (en) * 1991-08-09 1992-11-17 Radiant Technologies Platinum electrode structure for use in conjunction with ferroelectric materials
DE69315767T2 (de) * 1992-08-25 1998-05-07 Canon Kk Verfahren zur Herstellung einer laminierten piezoelektrischen Anordnung und Polarisationsverfahren und vibrationswellengetriebener Motor
JPH06334236A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Fujitsu Ltd 積層型圧電・電歪アクチュエータの製造方法
US5578888A (en) * 1994-12-05 1996-11-26 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Multi resonance unibody ultrasonic transducer
US5601184A (en) * 1995-09-29 1997-02-11 Process Technologies, Inc. Method and apparatus for use in photochemically oxidizing gaseous volatile or semi-volatile organic compounds
US5798599A (en) * 1996-10-24 1998-08-25 Dukane Corporation Ultrasonic transducer assembly using crush foils
WO1998024296A2 (en) * 1996-11-20 1998-06-11 The Regents Of The University Of California Multilaminate piezoelectric high voltage stack
DE19756182C2 (de) * 1997-12-17 1999-10-14 Siemens Ag Monolithisches piezokeramisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3876082B2 (ja) * 1998-10-29 2007-01-31 株式会社日立製作所 2次元アレイ型モジュールの製造方法
DE19850610A1 (de) * 1998-11-03 2000-05-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung piezoelektrischer Aktoren
DE19936713C2 (de) * 1999-08-06 2001-08-23 Bosch Gmbh Robert Piezokeramischer Aktor sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE19946834A1 (de) * 1999-09-30 2001-05-03 Bosch Gmbh Robert Piezoaktor und ein Verfahren zu dessen Herstellung
US6438070B1 (en) 1999-10-04 2002-08-20 Halliburton Energy Services, Inc. Hydrophone for use in a downhole tool
JP3846271B2 (ja) * 2001-11-05 2006-11-15 松下電器産業株式会社 薄膜圧電体素子およびその製造方法
JP3935037B2 (ja) * 2002-09-30 2007-06-20 Dowaホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法
DE10338486B3 (de) 2003-08-21 2005-04-28 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung eines piezoelektrischen Aktors und Polarisierung des piezoelektrischen Aktors
DE602004024259D1 (de) * 2003-09-25 2009-12-31 Kyocera Corp Mehrschichtiges Piezobauelement
US7651587B2 (en) 2005-08-11 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Two-piece dome with separate RF coils for inductively coupled plasma reactors
US8026787B2 (en) * 2006-03-10 2011-09-27 Joinset Co., Ltd. Ceramic component element and ceramic component and method for the same
JP2008004764A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Fujitsu Ltd 圧電アクチュエータおよびその製造方法、磁気ディスク装置
JP4253334B2 (ja) * 2006-07-12 2009-04-08 株式会社東芝 2次元アレイ型超音波プローブ
DE602007003553D1 (de) * 2007-01-30 2010-01-14 Delphi Tech Inc Herstellungsverfahren für einen piezoelektrischen Aktor
DE102009001938A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Robert Bosch Gmbh Piezoaktor mit einem Mehrlagenaufbau und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010062112A1 (de) * 2010-04-16 2011-10-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Heißpolarisieren eines piezokeramischen Bauelements
TWI559681B (zh) * 2015-01-07 2016-11-21 加高電子股份有限公司 石英震盪器環壁結構之製造方法及製備而得之石英震盪器環壁結構
US20220173305A1 (en) 2019-03-23 2022-06-02 Secretary, Department Of Atomic Energy Diffusion bonding of piezoelectric crystal to metal wear plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58100414A (ja) * 1981-10-24 1983-06-15 日本写真印刷株式会社 アルミニウム電極を有するチタン酸バリウムの製造方法
JPS58140173A (ja) * 1982-02-15 1983-08-19 Seiko Epson Corp 固体変位装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2497666A (en) * 1945-05-04 1950-02-14 Brush Dev Co Electrode for piezoelectric crystals
US2641718A (en) * 1949-04-20 1953-06-09 Selectronics Inc Method of mounting thickness shear mode quartz crystal oscillator plates
US3317762A (en) * 1964-05-22 1967-05-02 Rudolph E Corwin Pre-stressed spherical electro-acoustic transducer
GB1207974A (en) * 1966-11-17 1970-10-07 Clevite Corp Frequency selective apparatus including a piezoelectric device
US3573669A (en) * 1968-09-03 1971-04-06 Bell Telephone Labor Inc Dispersive delay cell using anisotropic medium
DE3378393D1 (en) * 1982-05-11 1988-12-08 Nec Corp Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses
JPS5998574A (ja) * 1982-11-27 1984-06-06 Toshiba Corp 高分子電気変換素子の製造方法
US4477952A (en) * 1983-04-04 1984-10-23 General Electric Company Piezoelectric crystal electrodes and method of manufacture
US4564782A (en) * 1983-09-02 1986-01-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic filter using multiple thin piezoelectric layers
JPH0740613B2 (ja) * 1983-12-05 1995-05-01 株式会社日本自動車部品総合研究所 積層型圧電体の製造方法
JPS60128682A (ja) * 1983-12-15 1985-07-09 Tohoku Metal Ind Ltd 積層型圧電アクチユエ−タの製造方法
JPH07118554B2 (ja) * 1986-01-16 1995-12-18 日本電装株式会社 積層型の圧電体装置
US4803763A (en) * 1986-08-28 1989-02-14 Nippon Soken, Inc. Method of making a laminated piezoelectric transducer
US4848643A (en) * 1988-09-19 1989-07-18 Honeywell Inc. Process of bonding plates

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58100414A (ja) * 1981-10-24 1983-06-15 日本写真印刷株式会社 アルミニウム電極を有するチタン酸バリウムの製造方法
JPS58140173A (ja) * 1982-02-15 1983-08-19 Seiko Epson Corp 固体変位装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0350941B1 (en) 1994-11-30
US5196756A (en) 1993-03-23
EP0350941A3 (en) 1990-12-27
JP2738706B2 (ja) 1998-04-08
DE68919556D1 (de) 1995-01-12
DE68919556T2 (de) 1995-04-13
EP0350941A2 (en) 1990-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0226087A (ja) 積層型圧電素子の製法
JP4109717B2 (ja) 電気活性デバイス
CN1120874A (zh) 单片预应力陶瓷器件及其制法
JP3860746B2 (ja) 積層型圧電素子及び噴射装置
JP2001094164A (ja) 積層型圧電アクチュエータ
JPH05218519A (ja) 電歪効果素子
Yoshikawa et al. Multilayer Piezoelectric Actuators--Structures and Reliability
JP2003309298A (ja) 圧電/電歪素子およびその製造方法
JP2892672B2 (ja) 積層型変位素子
JP3850163B2 (ja) 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP3366132B2 (ja) セラミックダイヤフラム構造体及びその製造方法
JP3366158B2 (ja) セラミックダイヤフラム構造体及びその製造方法
JPH02132870A (ja) 積層圧電素子
JP2001068750A (ja) 積層型圧電アクチュエータ
JP2003282984A (ja) 積層型圧電素子とその製造方法およびそれを用いた噴射装置
JP2827299B2 (ja) 積層圧電セラミックス素子の製造方法
JPH11238918A (ja) 積層型圧電アクチュエータ
JP2855709B2 (ja) 積層圧電セラミックス素子の製造方法
JPH04334076A (ja) 積層型圧電素子とその製造方法
JP4349950B2 (ja) 超音波モータ
JP4715128B2 (ja) 圧電素子の製造方法
JP2003133613A (ja) セラミックダイヤフラム構造体及びその製造方法
JPH03159280A (ja) マルチモルフ素子の製造方法
JP3651687B2 (ja) 複合圧電素子
JPH04274378A (ja) 圧電/電歪効果素子