JPH022605A - 自動化フォトリソグラフィック・ワーク・セル - Google Patents
自動化フォトリソグラフィック・ワーク・セルInfo
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウニハエ程に関し、より詳細には中−の
プロセス・モジュールすなわちワーク・セル内の複数の
半導体ウェハの同時処理用自動化装置及び工程に関する
。
プロセス・モジュールすなわちワーク・セル内の複数の
半導体ウェハの同時処理用自動化装置及び工程に関する
。
1釆ユ韮
現在の最新式半導体処理工程装置ではウェハ・カセット
・エレベータまたはインデクサ、及び杓数のウェハ搬送
装置とを用いて、ウェハを一度に一枚づつ、所定の装置
内の一プロセス・ステーションから別のステーションに
移送する。ウェハは最も一般には、ウェハ・カセット・
ホルダーを用いて25枚或いは50枚のウェハのバッチ
またはロフトで、−個の装置から別のものへと移送する
。
・エレベータまたはインデクサ、及び杓数のウェハ搬送
装置とを用いて、ウェハを一度に一枚づつ、所定の装置
内の一プロセス・ステーションから別のステーションに
移送する。ウェハは最も一般には、ウェハ・カセット・
ホルダーを用いて25枚或いは50枚のウェハのバッチ
またはロフトで、−個の装置から別のものへと移送する
。
現在の処理工程装置はしばしば、−装置につき一プロセ
ス・ステーションのみを有し、従って、2個のウェハ・
カセット・ローダ・アンローダ機構及び少なくとも2個
のウェハ搬送機構とを用いて、ウェハをプロセス・ステ
ーションに搬出/搬送し、また処理少にはウェハを搬送
/m人する。
ス・ステーションのみを有し、従って、2個のウェハ・
カセット・ローダ・アンローダ機構及び少なくとも2個
のウェハ搬送機構とを用いて、ウェハをプロセス・ステ
ーションに搬出/搬送し、また処理少にはウェハを搬送
/m人する。
多くのフォトレジスト処理装置は所定の1装置内の幾つ
かのプロセス・ステーションで構成されており、これら
の装置では、単一のプロセス・スチージョン装置内にお
いてよりも多くの搬送機構及びセンサがプロセス・ステ
ーション間にある。
かのプロセス・ステーションで構成されており、これら
の装置では、単一のプロセス・スチージョン装置内にお
いてよりも多くの搬送機構及びセンサがプロセス・ステ
ーション間にある。
n横が多ければ多いほど、より多くの失敗の危険があり
、かつ適当な性能のための調整を維持することが一層必
要となる。1ク工ハ搬送機構が多ければ多いほど、ウェ
ハと接触する索子が多くなり、従って、−層多くの素子
を清浄に保って異物を制御しなければならない。
、かつ適当な性能のための調整を維持することが一層必
要となる。1ク工ハ搬送機構が多ければ多いほど、ウェ
ハと接触する索子が多くなり、従って、−層多くの素子
を清浄に保って異物を制御しなければならない。
従来、半導体処理工程装置は、ウェハ・カセット・エレ
ベータまたはインデクサ、モータ式ゴムベルト、空気浮
上搬送装置、及び幾つかのビック・アンド・ブレイス機
構とを特徴として、ウェハの搬送を達成する。近年、装
置業者は、−層清浄なウェハ搬送を達成づるために、よ
り多くのビック・アンド・ブレイス機構を使用し始めた
。幾つかの場合、ビック・アンド・ブレイス機構をプロ
セス・ステーション間に配置して、一連の工程段階すな
わちプロセス・ステーションの初めから終わりまでのウ
ェハの移送を達成してきた。しかし、ウェハ搬送装置(
bンドラ)のプロセス・ステーションに対する比は、1
:1.1:2またはそれ以上のままであった。
ベータまたはインデクサ、モータ式ゴムベルト、空気浮
上搬送装置、及び幾つかのビック・アンド・ブレイス機
構とを特徴として、ウェハの搬送を達成する。近年、装
置業者は、−層清浄なウェハ搬送を達成づるために、よ
り多くのビック・アンド・ブレイス機構を使用し始めた
。幾つかの場合、ビック・アンド・ブレイス機構をプロ
セス・ステーション間に配置して、一連の工程段階すな
わちプロセス・ステーションの初めから終わりまでのウ
ェハの移送を達成してきた。しかし、ウェハ搬送装置(
bンドラ)のプロセス・ステーションに対する比は、1
:1.1:2またはそれ以上のままであった。
また、近年は、多数の自由度のロボット・アームを用い
て、シングル(枚葉の)ウェハ及びウェハのカセットを
移送させてきた。1本のロボット・アームを用いて枚葉
のウェハを移送する場合、ウェハ・ハンドラのプロセス
・ステーション・サポートに対する比は1:3以下には
ならず、このロボット・アームは幾つかのつIハ搬送機
構のうちの1個だけを用いて工程の流れを達成していた
。
て、シングル(枚葉の)ウェハ及びウェハのカセットを
移送させてきた。1本のロボット・アームを用いて枚葉
のウェハを移送する場合、ウェハ・ハンドラのプロセス
・ステーション・サポートに対する比は1:3以下には
ならず、このロボット・アームは幾つかのつIハ搬送機
構のうちの1個だけを用いて工程の流れを達成していた
。
複数のロボット・アームを用いてウェハのカセットを移
送させた場合、ウェハ搬送機構の削減は意図寸なわら達
成されなかった。
送させた場合、ウェハ搬送機構の削減は意図寸なわら達
成されなかった。
問題点を解決するための手段
本発明は、清浄で信頼性の高い、多数の自由度のロボッ
ト・アームを含み、半導体ウェハを定買カセットから搬
出し、それらのウェハを一度に−まいづつ、1個のロボ
ット・ワーク・セル装置内の1処理装置(ステーション
)から別の装置(ステーション)へ搬送するフォトリソ
グラフィック・ワーク・セルである。
ト・アームを含み、半導体ウェハを定買カセットから搬
出し、それらのウェハを一度に−まいづつ、1個のロボ
ット・ワーク・セル装置内の1処理装置(ステーション
)から別の装置(ステーション)へ搬送するフォトリソ
グラフィック・ワーク・セルである。
このワーク・セルは、望ましい半導体製造工程の流れを
最も良く達成するプロセス・ステーションで構成され1
いる。各プロセス・ステーションの製造周期時間は相互
にそしてロボット・アームの速度とに合わせて、ワーク
・セルの全体の製造スルーブツト要求を満たす。カセッ
ト搬入スタンドによりウェハ・カセットを定位置に保持
し、ウェハのカセットからの搬出/カセットへの搬入を
行う。
最も良く達成するプロセス・ステーションで構成され1
いる。各プロセス・ステーションの製造周期時間は相互
にそしてロボット・アームの速度とに合わせて、ワーク
・セルの全体の製造スルーブツト要求を満たす。カセッ
ト搬入スタンドによりウェハ・カセットを定位置に保持
し、ウェハのカセットからの搬出/カセットへの搬入を
行う。
献呈されたウェハ搬送機構、例えばカセット・ローダ/
アンローダ或いは他の冗長性を持つ搬送機構等は、取り
除けるところはどこでも処理装置から取り除いて、本質
的なプロセス・ステーションのみを残しである。ウェハ
・ハンドラのプロセス・ステーションに対する比は、今
まで設計されたフォトリソグラフィ・セルの場合、必要
な工程段階の数によって、1:3から1:11の範囲に
あった。
アンローダ或いは他の冗長性を持つ搬送機構等は、取り
除けるところはどこでも処理装置から取り除いて、本質
的なプロセス・ステーションのみを残しである。ウェハ
・ハンドラのプロセス・ステーションに対する比は、今
まで設計されたフォトリソグラフィ・セルの場合、必要
な工程段階の数によって、1:3から1:11の範囲に
あった。
ポスト・コントローラ/コンピュータを用いてワーク・
セルのプロセス・ステーションとロボットとを通じさせ
、ロボット・アームの作動を各プロセス・ステーション
のウェハ処理周期と合わせる。コンビ」−夕作動ソフト
ウエアは、ワーク・セル内で達成される工程段階のプロ
セスの室孔、選択及び順序の融通性を可能にするべく設
計されている。ホスト・コントローラ/コンピュータは
セル内の全てのプロセス・ステーションのCPUであり
、修理しやすいようにセルの外側に設置してもよい。
セルのプロセス・ステーションとロボットとを通じさせ
、ロボット・アームの作動を各プロセス・ステーション
のウェハ処理周期と合わせる。コンビ」−夕作動ソフト
ウエアは、ワーク・セル内で達成される工程段階のプロ
セスの室孔、選択及び順序の融通性を可能にするべく設
計されている。ホスト・コントローラ/コンピュータは
セル内の全てのプロセス・ステーションのCPUであり
、修理しやすいようにセルの外側に設置してもよい。
ワーク・セル処理装置及び[Jボット・アームは大きな
連続粒子シールド、すなわち透明なプラスナックの安全
壁で囲み、セルの内部に操作員が誰らいない無塵状態の
ウェハ処理環境を提供し、また安全障壁を提供して、ロ
ボット・アームが作動するときにそれに接触する操作員
を制限する。この粒子シールド/安全壁には通り口があ
り、修理の場合には処理工程装置に接触できる。
連続粒子シールド、すなわち透明なプラスナックの安全
壁で囲み、セルの内部に操作員が誰らいない無塵状態の
ウェハ処理環境を提供し、また安全障壁を提供して、ロ
ボット・アームが作動するときにそれに接触する操作員
を制限する。この粒子シールド/安全壁には通り口があ
り、修理の場合には処理工程装置に接触できる。
これらの装置は複合的なシールド/壁の要素で設計して
、装置をワーク・セル内に取付ける時に全体のセル・シ
ールド/壁の形成を容易にすることができる。ロボット
切断連動スイッチ付きの出入り戸を提供して、操作員が
セルの内部及びロボット・アームの操作機に接触できる
ようにする。
、装置をワーク・セル内に取付ける時に全体のセル・シ
ールド/壁の形成を容易にすることができる。ロボット
切断連動スイッチ付きの出入り戸を提供して、操作員が
セルの内部及びロボット・アームの操作機に接触できる
ようにする。
ロボット・アーム制御装置は修理の時に接触しやすいよ
うにセルの壁の境界の外に設置されている。
うにセルの壁の境界の外に設置されている。
ワーク・セル内で用いる処理装置は、各装置の片側或い
は両側から装置修理を根本的に提供するべく設計されて
いる。装置内のプロセス・ステーション・ユニットは、
クイック・リリース設備/連結接I*部を有するモジュ
ール型小組立部品であって、敏速な交換及び修理を達成
するべく設計されている。これらのプロセス・ステーシ
ョンはロボット・アームの回りに平らに配置されており
、また幾つかの場合には積み重ねられてワーク・セル内
により多くのプロセス・ステーションが提供されている
。このロボット・アームは縦と横の両方に削り出され、
半導体ウェハを各プロセスへ、そして各プロセスから次
のステーションへまたはウェハ・カセットへと搬送する
。
は両側から装置修理を根本的に提供するべく設計されて
いる。装置内のプロセス・ステーション・ユニットは、
クイック・リリース設備/連結接I*部を有するモジュ
ール型小組立部品であって、敏速な交換及び修理を達成
するべく設計されている。これらのプロセス・ステーシ
ョンはロボット・アームの回りに平らに配置されており
、また幾つかの場合には積み重ねられてワーク・セル内
により多くのプロセス・ステーションが提供されている
。このロボット・アームは縦と横の両方に削り出され、
半導体ウェハを各プロセスへ、そして各プロセスから次
のステーションへまたはウェハ・カセットへと搬送する
。
本発明は、半導体の前工程に用いる多くの処理工程装置
に用いてよく、また、全体的なウェハ製造施設アプロー
チの基本的な組立用ブロック要素として用いてもよく、
その様な場合、セルのホスト・コントローラはウェハ製
造所の制御ネットワーク及び製造所のコンピュータとに
接続されている。
に用いてよく、また、全体的なウェハ製造施設アプロー
チの基本的な組立用ブロック要素として用いてもよく、
その様な場合、セルのホスト・コントローラはウェハ製
造所の制御ネットワーク及び製造所のコンピュータとに
接続されている。
本発明の目的と同様それによって示される技術利点は、
添付の図面に関連して考慮し、かつ新規な特徴が添付の
特許請求の範囲にある場合に、以Fの本発明の好ましい
実施例の説明により明らかになるであろう。
添付の図面に関連して考慮し、かつ新規な特徴が添付の
特許請求の範囲にある場合に、以Fの本発明の好ましい
実施例の説明により明らかになるであろう。
実施例
第1図は典型的な従来の半導体デバイス用フォトリソグ
ラフィック工程の工程系統図である。
ラフィック工程の工程系統図である。
般に25枚から50枚の半導体ウェハの10ツトはステ
ーションAで工程の流れを開始し、ステーションBに搬
送され、そこでウェハか−1度に一枚ずつフォトレジス
ト・ポリマーで塗布される。
ーションAで工程の流れを開始し、ステーションBに搬
送され、そこでウェハか−1度に一枚ずつフォトレジス
ト・ポリマーで塗布される。
次にこの半導体ウェハのロットはステッパ(またはプリ
ンタ)ステーションCに移送され、そこで各ウェハのフ
ォトレジストに露光して、フォトレジストにパターンを
投影する。ウェハは[ステップ]させて、複数のデバイ
ス・パターンをウェハに露光しなければならず、このパ
ターンの数は、半導体ウェハから生産される半導体デバ
イスの数に依存する。パターンの潜像をフォトレジスト
に作った後、この像をステーションDで現像して、フォ
トレジスト・ポリマーを投影工程で定めたウェハの領域
から取り除かなければならない。この工程の流れは引き
続いて起こるので、ウェハのロフトは、次のウェハのロ
ットが処理される前に各ステーションで完全に処理され
なければならない。
ンタ)ステーションCに移送され、そこで各ウェハのフ
ォトレジストに露光して、フォトレジストにパターンを
投影する。ウェハは[ステップ]させて、複数のデバイ
ス・パターンをウェハに露光しなければならず、このパ
ターンの数は、半導体ウェハから生産される半導体デバ
イスの数に依存する。パターンの潜像をフォトレジスト
に作った後、この像をステーションDで現像して、フォ
トレジスト・ポリマーを投影工程で定めたウェハの領域
から取り除かなければならない。この工程の流れは引き
続いて起こるので、ウェハのロフトは、次のウェハのロ
ットが処理される前に各ステーションで完全に処理され
なければならない。
第2図により本発明に用いることができる工程の流れを
示す。半導体ウェハのロフトはステーション1で工程を
開始する。ロボット・アーム2により一枚目のウェハを
塗布ステーション3に搬送する。塗布後、このウェハは
ロボット・アーム2によってステッパ/プリンタ・ステ
ーション5に移送される。二枚間のウェハはロボット・
アーム2によってステーション1から塗布ステーション
3に移送される。
示す。半導体ウェハのロフトはステーション1で工程を
開始する。ロボット・アーム2により一枚目のウェハを
塗布ステーション3に搬送する。塗布後、このウェハは
ロボット・アーム2によってステッパ/プリンタ・ステ
ーション5に移送される。二枚間のウェハはロボット・
アーム2によってステーション1から塗布ステーション
3に移送される。
ステッパ・ステーション5で投影した後、ロボットによ
り一枚目のウェハを現像ステーション4に移送する。ウ
ェハが一つのステーションから移送されると直ぐに、ロ
ボット・アーム2はそのステーションに次のウェハを移
送して処理させる。
り一枚目のウェハを現像ステーション4に移送する。ウ
ェハが一つのステーションから移送されると直ぐに、ロ
ボット・アーム2はそのステーションに次のウェハを移
送して処理させる。
このようにして、複数のプロセス・ステーションは複数
のウェハを同時に処理している。プロセス・ステーショ
ン間で列を作って待っているウェハ・ロットが削除され
るので、一連の工程段階の総製造時間が相当縮小される
。このフォトリソグラフィック・ワーク・セルは、投影
プリンタや電子ビーム・パターン描画装置に使用するこ
ともできるということに注意されたい。
のウェハを同時に処理している。プロセス・ステーショ
ン間で列を作って待っているウェハ・ロットが削除され
るので、一連の工程段階の総製造時間が相当縮小される
。このフォトリソグラフィック・ワーク・セルは、投影
プリンタや電子ビーム・パターン描画装置に使用するこ
ともできるということに注意されたい。
第3図により本発明の7オトリソグラフイツク・ワーク
・セルのレイアウトを示す。入力[tlo(Ilo>は
ワーク・セルへのカセットの入力のために使用する。各
カセットには処理される複数枚の半導体ウェハが収納さ
れる。ステーション10は入力及び出力の両方のための
ものであるので、少なくとも2個のカセットがあり、一
つは未処理ウェハを収納するためのもので、二つ目のも
のは処理済ウェハを受は取るためのものである。
・セルのレイアウトを示す。入力[tlo(Ilo>は
ワーク・セルへのカセットの入力のために使用する。各
カセットには処理される複数枚の半導体ウェハが収納さ
れる。ステーション10は入力及び出力の両方のための
ものであるので、少なくとも2個のカセットがあり、一
つは未処理ウェハを収納するためのもので、二つ目のも
のは処理済ウェハを受は取るためのものである。
ロボット・アーム16は台17の上で回転しながら、ア
ーム・エンド・イフエクタ18でウェハ(図示Vず)を
取り上げ、それを装置11(ステーション1)に移送す
る。
ーム・エンド・イフエクタ18でウェハ(図示Vず)を
取り上げ、それを装置11(ステーション1)に移送す
る。
ステーション1(HMと明示されているところ)で、こ
のウェハはl−I M D Sヘキサメチルジシラザン
で塗布される。それからこのつIハはアーム18により
冷却板CH1に移送される。冷却板Cト(1はI−I
Mステーションに隣接し、かつそれよりも下にあるステ
ーションである。アーム18は360度回転することが
できるだけでなく、上下運動の広い自由を有する。また
、これらのワーク・ステーションを縦にfa重ねること
により、より小さなワーク・ヒルが可能になる。
のウェハはl−I M D Sヘキサメチルジシラザン
で塗布される。それからこのつIハはアーム18により
冷却板CH1に移送される。冷却板Cト(1はI−I
Mステーションに隣接し、かつそれよりも下にあるステ
ーションである。アーム18は360度回転することが
できるだけでなく、上下運動の広い自由を有する。また
、これらのワーク・ステーションを縦にfa重ねること
により、より小さなワーク・ヒルが可能になる。
冷却ステーションCH1の後、ウェハはステーションC
Oでフォトレジスト・ポリマーで塗布される。ポリマー
を塗布したウェハはステーション15に移送され、8に
1でソフト・ベーキングされてから、冷却板GH2で冷
却される。冷却板CH2からこのウェハはステッパ/プ
リンタ装置13に移送され、そこで潜像がウェハの7オ
トレジスト・ポリマーに付けられる。ステッパからこの
ウェハはポスト・ベーキング装ff1BK2及び冷却板
CI−13に移送される。
Oでフォトレジスト・ポリマーで塗布される。ポリマー
を塗布したウェハはステーション15に移送され、8に
1でソフト・ベーキングされてから、冷却板GH2で冷
却される。冷却板CH2からこのウェハはステッパ/プ
リンタ装置13に移送され、そこで潜像がウェハの7オ
トレジスト・ポリマーに付けられる。ステッパからこの
ウェハはポスト・ベーキング装ff1BK2及び冷却板
CI−13に移送される。
工程のこの段階で、つIハ及びその上のフォトレジスト
は現像工程の準備ができる。このつIハはステーション
12の現像装置DVに搬送される。
は現像工程の準備ができる。このつIハはステーション
12の現像装置DVに搬送される。
現像段階後、ステーション15の装@FEにおいてウェ
ハは紫外線でフィールド露光され、それから装22BK
3に搬送されてハード・ベーキングされる。このつ1ハ
は、要望ならば、ステーション14の装置INで検査す
る。その後、ウェハは110装置10の出力カセットに
移送される。
ハは紫外線でフィールド露光され、それから装22BK
3に搬送されてハード・ベーキングされる。このつ1ハ
は、要望ならば、ステーション14の装置INで検査す
る。その後、ウェハは110装置10の出力カセットに
移送される。
ワーク・セル内の代わりの工程の流れを第4図に示す。
ウェハはl1010から82111のHMDS塗布ステ
ーションに移送される。装置11において、このウェハ
はHM装置から冷却板CHIに、それから塗布aaco
に移送される。
ーションに移送される。装置11において、このウェハ
はHM装置から冷却板CHIに、それから塗布aaco
に移送される。
このウェハは次にユニット12に移送されて、BK2で
ソフト・ベーキングされ、それから冷却板Cl−13に
移送される。
ソフト・ベーキングされ、それから冷却板Cl−13に
移送される。
冷却板C1]3から、このウェハはステッパ装置13に
移送されて像を付けられてから装置15に移送されてス
テーションBK1でポスト・ベーキングされ、冷却板C
112に移送される。その後、ウェハは装置12のTM
像ステーションDVに配置される。このCウェハはフィ
ールド露光FE用にステーション15に戻される。それ
からこのウェハはステーション14に移送されてステー
ションBK3で最終のハード・ベーキングされ、ステー
ションINで検査される。このステーション[Nはサン
プル用の検査ステーションで、必ずしも全てのウェハを
検査するとは限らない。検査後、ウェハはI10ステー
ション10で出力カセットに入れられる。
移送されて像を付けられてから装置15に移送されてス
テーションBK1でポスト・ベーキングされ、冷却板C
112に移送される。その後、ウェハは装置12のTM
像ステーションDVに配置される。このCウェハはフィ
ールド露光FE用にステーション15に戻される。それ
からこのウェハはステーション14に移送されてステー
ションBK3で最終のハード・ベーキングされ、ステー
ションINで検査される。このステーション[Nはサン
プル用の検査ステーションで、必ずしも全てのウェハを
検査するとは限らない。検査後、ウェハはI10ステー
ション10で出力カセットに入れられる。
ワーク・セルのサイズを制限しかつ、ワーク・セルの各
装置内の各ステーションへの効率的なアクセスを提供す
るために、ステーションのうちの幾つかは積み重ねる。
装置内の各ステーションへの効率的なアクセスを提供す
るために、ステーションのうちの幾つかは積み重ねる。
第5図により、ロボット・アーム18によってアクセス
可能な積重ねワーク・ユニットのワーク・ユニットの正
面からの斜視図を示す。
可能な積重ねワーク・ユニットのワーク・ユニットの正
面からの斜視図を示す。
所定のワーク・ユニット20用のロボット・アーム18
により、アクセス用の穴24から下部のプロセス・ステ
ーションをアクセス1)て面22上のワーク・ピース(
ウェハ)を処理したり、上部のワーク・ステーションを
アクセスしてその工作面上のワーク・ピースを処理する
ことができる。
により、アクセス用の穴24から下部のプロセス・ステ
ーションをアクセス1)て面22上のワーク・ピース(
ウェハ)を処理したり、上部のワーク・ステーションを
アクセスしてその工作面上のワーク・ピースを処理する
ことができる。
このロボット・アーム18は垂直方向と水平方向に動い
て二つの工作面21及び22をアクセスしさえすればよ
いということがわかる。本発明のワーク・セルの設計に
より、ロボット・アーム18の垂直及び水平の両範囲の
運動を利用し、結果としてスペースとロボット・システ
ムの両方をより効率的に使用することになる。バッフル
または仕切り13を用いて上部及び下部のワーク・ステ
ージョンを分離するので、上部ワーク・ステーションか
らの空気の流れは下部ワーク・ステーションを横切って
流れないということに?主意されたい。
て二つの工作面21及び22をアクセスしさえすればよ
いということがわかる。本発明のワーク・セルの設計に
より、ロボット・アーム18の垂直及び水平の両範囲の
運動を利用し、結果としてスペースとロボット・システ
ムの両方をより効率的に使用することになる。バッフル
または仕切り13を用いて上部及び下部のワーク・ステ
ージョンを分離するので、上部ワーク・ステーションか
らの空気の流れは下部ワーク・ステーションを横切って
流れないということに?主意されたい。
v4重ねワーク・ステーションは、1987年8月27
日出願の米国特許出願第089.896号の18%重ね
ロボット・ワーク・セル・プロセス・ステーション」に
より十分に説明されている。
日出願の米国特許出願第089.896号の18%重ね
ロボット・ワーク・セル・プロセス・ステーション」に
より十分に説明されている。
ロボット・アームによる半導体ウェハの位置調節を第6
a図乃至第60に示す。これらの図により、1枚の半導
体ウェハをワーク・セルを通じて搬送するのに使用する
ウェハの位置調節及び搬送の複数の動作を説明する。
a図乃至第60に示す。これらの図により、1枚の半導
体ウェハをワーク・セルを通じて搬送するのに使用する
ウェハの位置調節及び搬送の複数の動作を説明する。
第6a図によりウェハSをカセット100から池の場所
に搬送する最初の数段階を説明する。
に搬送する最初の数段階を説明する。
カセット100には、ウェハSを含める複数枚の半導体
ウェハが完全にまたは部分的に入れられている複数のラ
ックすなわらスロット102がある。この工程の最初で
は、エンド・イフエクタ操作台28は水平位置にある。
ウェハが完全にまたは部分的に入れられている複数のラ
ックすなわらスロット102がある。この工程の最初で
は、エンド・イフエクタ操作台28は水平位置にある。
ロボット・アーム16により操作台28をカセット10
0のウェハSの下側に挿入する。操作台28はカセット
100内のウェハ間に挿入することができるようなサイ
ズに作られている。ウェハを取り上げる前のある時点で
、真空ボート38用の真空源をターン・オンさせて、こ
れらのボートのところに連続的な吸引があるようにする
。
0のウェハSの下側に挿入する。操作台28はカセット
100内のウェハ間に挿入することができるようなサイ
ズに作られている。ウェハを取り上げる前のある時点で
、真空ボート38用の真空源をターン・オンさせて、こ
れらのボートのところに連続的な吸引があるようにする
。
第6b図を説明するが、同図ではウェハSが操作台28
に支えられるように、ロボット・アーム18により操作
台28が上方に持ち上げられている。特に、操作台28
を十分にウェハSの下側に挿入して、ウェハS1特にフ
ォーク36(第6a図参照)をしっかりと支える。ウェ
ハが操作台28の上板34と接触したら、ボート38か
らの吸引によりウェハを、操作台28に適切なところに
張り付ける。さらに、容量センサ40(第6a図参照)
により、上面34上のウェハSの存在が感知される。次
に、アーム16を操作して、操作台28、イフェクタ1
8及びウェハSを持ち五げ、カセット100から引き出
す。
に支えられるように、ロボット・アーム18により操作
台28が上方に持ち上げられている。特に、操作台28
を十分にウェハSの下側に挿入して、ウェハS1特にフ
ォーク36(第6a図参照)をしっかりと支える。ウェ
ハが操作台28の上板34と接触したら、ボート38か
らの吸引によりウェハを、操作台28に適切なところに
張り付ける。さらに、容量センサ40(第6a図参照)
により、上面34上のウェハSの存在が感知される。次
に、アーム16を操作して、操作台28、イフェクタ1
8及びウェハSを持ち五げ、カセット100から引き出
す。
第6C図において、イフエクタ18及び操作台28を水
平方向から離して上方に傾けてウェハSが斜面に、キャ
ッチャ−42の上方にあるようにする。この段階で、ボ
ート38への真空をスイッチ・オンし、ウェハSが操作
台28の端の位置に張り付くようにさせるのが好ましい
。
平方向から離して上方に傾けてウェハSが斜面に、キャ
ッチャ−42の上方にあるようにする。この段階で、ボ
ート38への真空をスイッチ・オンし、ウェハSが操作
台28の端の位置に張り付くようにさせるのが好ましい
。
このティルティング動作は、アーム16がカセット10
0から他の望ましい場所への移送している間に起こるこ
とが可能である。真空による取り外し可能なウェハSの
操作台28への張り付けによって、これが可能になる。
0から他の望ましい場所への移送している間に起こるこ
とが可能である。真空による取り外し可能なウェハSの
操作台28への張り付けによって、これが可能になる。
さて第6d図を説明するが、ウェハSを傾けた操作台2
8の上に、真空により張り付けた後、それからキャッチ
9−42が伸びてウェハSを安定させることができる。
8の上に、真空により張り付けた後、それからキャッチ
9−42が伸びてウェハSを安定させることができる。
真空源はキャッチャ−42が割り出された位置まで前方
に伸びた後はターン・オフされる。ボート38の真空の
停止に応答して、ウェハSは僅かに下方にスライドし、
キャッチャ−42によって割り出されまたは中央に置か
れる。これにより、ウェハSはキャッチャ−42と、従
ってイフェクタ18及びアーム16と完全に一直線に合
わせられる。ロボット制御はそのアーム16及びイフエ
クタ18の正確な位置を知っており、ゆえにそれに関し
て今ウェハSがどこにあるかを正確に知っている。従っ
てロボットはウェハSを望ましいところに正確に配置す
ることができる。ウェハSがキャッチャ−42に関連し
て配置された後、ウェハSを操作台28に再び張り付け
るために、真空ボート38は通常戻ってターン・オンさ
れる。
に伸びた後はターン・オフされる。ボート38の真空の
停止に応答して、ウェハSは僅かに下方にスライドし、
キャッチャ−42によって割り出されまたは中央に置か
れる。これにより、ウェハSはキャッチャ−42と、従
ってイフェクタ18及びアーム16と完全に一直線に合
わせられる。ロボット制御はそのアーム16及びイフエ
クタ18の正確な位置を知っており、ゆえにそれに関し
て今ウェハSがどこにあるかを正確に知っている。従っ
てロボットはウェハSを望ましいところに正確に配置す
ることができる。ウェハSがキャッチャ−42に関連し
て配置された後、ウェハSを操作台28に再び張り付け
るために、真空ボート38は通常戻ってターン・オンさ
れる。
第6e図において、搬送及びセンタリング工程の最終段
階を説明する。キャッチャ−42はなるべくなら、ピボ
ット16aによりブレード28が水平位置に戻される前
か後のどちらかに、レスト・ポジションに引っ込めるの
がよい。この間またはその後に、ロボット・アーム16
によりエンド・イフエクタ18は第2の位置、例えば本
川mgを通して106で示されるホット・プレート・ベ
ーキング装置(第3図ではステーションBK1゜8に2
及びBK3として示される)に移送される。
階を説明する。キャッチャ−42はなるべくなら、ピボ
ット16aによりブレード28が水平位置に戻される前
か後のどちらかに、レスト・ポジションに引っ込めるの
がよい。この間またはその後に、ロボット・アーム16
によりエンド・イフエクタ18は第2の位置、例えば本
川mgを通して106で示されるホット・プレート・ベ
ーキング装置(第3図ではステーションBK1゜8に2
及びBK3として示される)に移送される。
次に、ロボット・アーム16により操作台28及びウェ
ハSをベーキング装置106の支柱108−112の上
に降ろす。支柱のうちの一本である支柱108は、ロボ
ット・アームにより操作台28及びウェハをベーキング
装置まで下げるときに、操作台28の長軸の中心線と一
直線になる。ブレード28は中央支柱108の上部先端
を通り越して下げられるが、この先端は(第6a図の4
0の所の)容量センリ素子内に提供されたチャネル内を
通過する。このようにして、ウェハSは、物質的に支持
支柱108を回避しながら、ベーキング装置106の上
部に配置され得る。
ハSをベーキング装置106の支柱108−112の上
に降ろす。支柱のうちの一本である支柱108は、ロボ
ット・アームにより操作台28及びウェハをベーキング
装置まで下げるときに、操作台28の長軸の中心線と一
直線になる。ブレード28は中央支柱108の上部先端
を通り越して下げられるが、この先端は(第6a図の4
0の所の)容量センリ素子内に提供されたチャネル内を
通過する。このようにして、ウェハSは、物質的に支持
支柱108を回避しながら、ベーキング装置106の上
部に配置され得る。
第6r図によりウェハSの代わりの目的地を示す。この
場合、本明細内を通して113で示されるフォトレジス
ト・スピンナ(第3図のステーションCo)である。エ
ンド・イフェクタ操作台のフィンガーは、スピンナ真空
チャックのまわりを「入れ子にする」べく設計されてい
る。
場合、本明細内を通して113で示されるフォトレジス
ト・スピンナ(第3図のステーションCo)である。エ
ンド・イフェクタ操作台のフィンガーは、スピンナ真空
チャックのまわりを「入れ子にする」べく設計されてい
る。
スピンナ′113にはスピンナ・チャック114が含ま
れるが、このチャックはなるべくなら実質的にウェハS
より小さい直径の円盤形がよい。チャック支持柱115
は、円盤114の底面の中心に付けられており、円!!
t114に回転運動をさせ、それを上げたり下げたりす
るべく作動することができる。ウェハSを受は取るため
に、柱115を図示する位置まで上げ、またそれを7オ
トレジスト・カップ116に引っ込めて、ウェハSの表
面に7オトレジストを回転させるのに備える。
れるが、このチャックはなるべくなら実質的にウェハS
より小さい直径の円盤形がよい。チャック支持柱115
は、円盤114の底面の中心に付けられており、円!!
t114に回転運動をさせ、それを上げたり下げたりす
るべく作動することができる。ウェハSを受は取るため
に、柱115を図示する位置まで上げ、またそれを7オ
トレジスト・カップ116に引っ込めて、ウェハSの表
面に7オトレジストを回転させるのに備える。
このロボット・アーム・エンド・イフェクタは、198
7年9月4日出願の米国特許出願第093゜327号の
「ロボット・スライス・アライメント・エンド・イフエ
クタ」により詳細にに説明されている。
7年9月4日出願の米国特許出願第093゜327号の
「ロボット・スライス・アライメント・エンド・イフエ
クタ」により詳細にに説明されている。
第7図により本発明のワーク・セルの絵画図を示す。ワ
ーク・ヒル200の内部は、外部すなわちセルの周りの
操作員環境と環境的に付切られているので、より制御さ
れた非常に清浄な空気環境の中で機能する。このワーク
・セル200はコンソール(図示せず)内にあるコンピ
ュータによって制御される、このワーク・セルには操作
員の相互作用用のモニタとキーボードも含まれている。
ーク・ヒル200の内部は、外部すなわちセルの周りの
操作員環境と環境的に付切られているので、より制御さ
れた非常に清浄な空気環境の中で機能する。このワーク
・セル200はコンソール(図示せず)内にあるコンピ
ュータによって制御される、このワーク・セルには操作
員の相互作用用のモニタとキーボードも含まれている。
ワーク・セル200の構成はモジュール形式で、例えば
一方の側にモジュール211及び213がある。キーボ
ード206.215及び214があって、これらを使用
して操作を停止させたり手順を変更したり、また一般に
ワーク・セルの所定のモジュール内のどのステーション
の手動操作も提供することができる。
一方の側にモジュール211及び213がある。キーボ
ード206.215及び214があって、これらを使用
して操作を停止させたり手順を変更したり、また一般に
ワーク・セルの所定のモジュール内のどのステーション
の手動操作も提供することができる。
図示したワーク・セルでは、半導体カセットがワークセ
ル内に入れられる人力のところは204で示す。現像ス
テーション216、検査ステーション205、及びフィ
ールド露光ステーション217を示す。
ル内に入れられる人力のところは204で示す。現像ス
テーション216、検査ステーション205、及びフィ
ールド露光ステーション217を示す。
第8図により2本のロボット・アームを自するワーク・
セルのレイアウトを示す。人カスチージョン284には
少なくとも2個のウェハ・カセット285及び286が
ある。−本のロボット・アームによってウェハS1を前
現像工程段階の間ずっと移送させる。塗布/ベーキング
・モジュールは2個あり、ウェハはベーキングまたは塗
布ステーションのどれかで塗布またはベーキングされ得
る。
セルのレイアウトを示す。人カスチージョン284には
少なくとも2個のウェハ・カセット285及び286が
ある。−本のロボット・アームによってウェハS1を前
現像工程段階の間ずっと移送させる。塗布/ベーキング
・モジュールは2個あり、ウェハはベーキングまたは塗
布ステーションのどれかで塗布またはベーキングされ得
る。
この工程は、例えば以下のように簡単に説明することが
できる。ウェハS1はカセット285または286から
取り出され、塗布ステーション281aまたは281b
でコーティングし、ソフト・ベーキング・ステーション
282aまたは282bで処理される。特に図示してい
ない他の工程ステーション、例えばトIMDs塗布及び
冷却板等は、図示したステーションのト側に、例えば第
3図のワーク・セルにおいてのように積み重ねられいる
。
できる。ウェハS1はカセット285または286から
取り出され、塗布ステーション281aまたは281b
でコーティングし、ソフト・ベーキング・ステーション
282aまたは282bで処理される。特に図示してい
ない他の工程ステーション、例えばトIMDs塗布及び
冷却板等は、図示したステーションのト側に、例えば第
3図のワーク・セルにおいてのように積み重ねられいる
。
塗布工程が完了した後、エンド・イフェクタ253を有
するロボット・アーム251によ2リウエハS1を投影
用にステッパ/プリンタに移送する。投影後、ロボット
・アーム250及びエンド・イフェクタ252によりウ
ェハを移送するが、ここではこのウェハはS2とする。
するロボット・アーム251によ2リウエハS1を投影
用にステッパ/プリンタに移送する。投影後、ロボット
・アーム250及びエンド・イフェクタ252によりウ
ェハを移送するが、ここではこのウェハはS2とする。
この塗布は現像ステーション280aまたは280bで
現像され、ステーション270aまたは270bに移送
されそこでベーキングされ、それから検査ステ−ジョン
273で検査される。検査が完了すると、このウェハS
2は出力カセットに移送される。
現像され、ステーション270aまたは270bに移送
されそこでベーキングされ、それから検査ステ−ジョン
273で検査される。検査が完了すると、このウェハS
2は出力カセットに移送される。
第8図に関する工程の流れは、半導体処理に使用可能な
工程段階を必ずしも全て含むとは限らないが、イラスト
の目的で、ワーク・セル中の処理時間を減少させるため
に2本のロボット・アームを有するワーク・セルを通し
てウェハを移送する2本のロボット・アーム間の協力を
示す。この!」ボット・アームにより、工程が完了する
各段階ごとに様々なプロセス・ステーションの間を幾つ
かのウェハを移送することによって、−度に幾つかのウ
ェハを処理することができる。ウェハは、特定のウェハ
用の次の工程段階に必要なワーク・ステーションが、前
の工程段階が完了した時点で塞がっている場合、ウェハ
は一時的にカセット内に納められる。
工程段階を必ずしも全て含むとは限らないが、イラスト
の目的で、ワーク・セル中の処理時間を減少させるため
に2本のロボット・アームを有するワーク・セルを通し
てウェハを移送する2本のロボット・アーム間の協力を
示す。この!」ボット・アームにより、工程が完了する
各段階ごとに様々なプロセス・ステーションの間を幾つ
かのウェハを移送することによって、−度に幾つかのウ
ェハを処理することができる。ウェハは、特定のウェハ
用の次の工程段階に必要なワーク・ステーションが、前
の工程段階が完了した時点で塞がっている場合、ウェハ
は一時的にカセット内に納められる。
本発明により、ワーク・セル200用の清浄空気環境を
、第9図乃至第13図に示すものを含む幾つかの実施例
のうちのどれによっても、供給し維持することができる
ということがわかる。図示する実施例において、ろ過し
温度及び湿度をaa!fした気流301がワーク・セル
200のオーブン・トップ300に供給される。この清
浄空気流301はワーク・セル壁302の内側に、この
壁面に大体平行に、下方に導かれる。このようにして、
ワーク・セルのウェハ搬送処理領域を通して流れる空気
は、ワーク・セル外部の粒子源、例えば人間の操作員や
隣接の装置等から分離される。
、第9図乃至第13図に示すものを含む幾つかの実施例
のうちのどれによっても、供給し維持することができる
ということがわかる。図示する実施例において、ろ過し
温度及び湿度をaa!fした気流301がワーク・セル
200のオーブン・トップ300に供給される。この清
浄空気流301はワーク・セル壁302の内側に、この
壁面に大体平行に、下方に導かれる。このようにして、
ワーク・セルのウェハ搬送処理領域を通して流れる空気
は、ワーク・セル外部の粒子源、例えば人間の操作員や
隣接の装置等から分離される。
ワーク・セル200のオーブン・トップ300は、人間
の操作員や他の可能な粒子の異物の源がある床よりも高
いところにある。
の操作員や他の可能な粒子の異物の源がある床よりも高
いところにある。
ワーク・セル200への清浄空気流301は、高性能粒
子エア(HEPAとし、以下により十分に説明する)フ
ィルタの天井格子からのものまたは他の手段からのもの
でも、ワーク・セルからの排出エア303とバランスを
とって、ワーク・セル内を僅かにプラスの圧力に維持し
なければならない。このプラスの圧力により、人間の操
作員によって機械操作が行われる第8図で示すウェハ入
カスチージョン284のところの開口部などを通しても
空気がワーク セルから外側へ流れることが確実になる
。このワーク・セルから外側への空気の流れは、セル内
部の清浄度を維持し、人間の操作口や清浄度の落ちる周
囲の領域から粒子がワーク・セルに入り込むのを防がな
ければならない。
子エア(HEPAとし、以下により十分に説明する)フ
ィルタの天井格子からのものまたは他の手段からのもの
でも、ワーク・セルからの排出エア303とバランスを
とって、ワーク・セル内を僅かにプラスの圧力に維持し
なければならない。このプラスの圧力により、人間の操
作員によって機械操作が行われる第8図で示すウェハ入
カスチージョン284のところの開口部などを通しても
空気がワーク セルから外側へ流れることが確実になる
。このワーク・セルから外側への空気の流れは、セル内
部の清浄度を維持し、人間の操作口や清浄度の落ちる周
囲の領域から粒子がワーク・セルに入り込むのを防がな
ければならない。
ワーク・セルの内部と外部の圧力差は、ワーク・セル側
のどの開口部からも毎分約100フイートの速度でワー
ク・セルから外側に流れる流れを生じるようなものにす
べきである。
のどの開口部からも毎分約100フイートの速度でワー
ク・セルから外側に流れる流れを生じるようなものにす
べきである。
清浄空気の垂直な下方の流れ304をワーク・セル壁の
外側にも同様に提供して、ワーク・セルの外側の領域に
ある粒子の異物を適当に減少させ、ワーク・セル壁30
2に対する粒子のチャレンジ・レベルを減少させる。ワ
ーク・セル壁302の外側の清浄空気面積のワーク・セ
ル内の面積に対する比率は、ゼロから非常に大きな数字
にわたって可能で、それは、1)外部の粒子チャレンジ
・レベルを制御するのに必要な度合いと、2)ワーク・
セル200の近隣における清浄な製造空間の必要性とに
依存する。
外側にも同様に提供して、ワーク・セルの外側の領域に
ある粒子の異物を適当に減少させ、ワーク・セル壁30
2に対する粒子のチャレンジ・レベルを減少させる。ワ
ーク・セル壁302の外側の清浄空気面積のワーク・セ
ル内の面積に対する比率は、ゼロから非常に大きな数字
にわたって可能で、それは、1)外部の粒子チャレンジ
・レベルを制御するのに必要な度合いと、2)ワーク・
セル200の近隣における清浄な製造空間の必要性とに
依存する。
ワーク・セル用清浄空気供給の以下の幾つかの実施例を
検討するために、オーバヘッド・フィルタ比(OFR)
は、ワーク・セルの外部の流れ304用のろ過した空気
源の面積を、ワーク・セルのオーブン・トップの上部へ
の直接の流れ301用のろ過した空気源の面積で割って
定める。
検討するために、オーバヘッド・フィルタ比(OFR)
は、ワーク・セルの外部の流れ304用のろ過した空気
源の面積を、ワーク・セルのオーブン・トップの上部へ
の直接の流れ301用のろ過した空気源の面積で割って
定める。
すなわち、0FR−外部清浄空気源の面積/内部清浄空
気源の面積である。
気源の面積である。
第9図により本発明の一実施例を示すが、この実施例で
はワーク・セル200は、高くした孔あき床の上に据え
付けられ、上側にはI−I E P Aフィルタ307
で大きく占められた天井306があり、このHEPAフ
ィルタ307を通って空気流301及び304は下方に
垂直方向に動く。この実施例では、HEPAフィルタ3
07はワーク・セルの足跡の境界のずっと向こうに広が
っているので、ワーク・セル200の内側に空気流30
1を供給するだけでなく、ワーク・セルの外側にも空気
流304を同様に供給する。ワーク・セルの内部への清
浄空気流301は、HEPAフィルタ307の天井30
6の上にある共通ブリナム308からl−I E P
Aフィルタに送り込まれる再循環される室内空気から大
部分は成っている。この実施例では0FR=約10以上
となる。ファン310により、還り空気はブリナム30
8に入れる前に、ぬ湿度制御装置309に通される。
はワーク・セル200は、高くした孔あき床の上に据え
付けられ、上側にはI−I E P Aフィルタ307
で大きく占められた天井306があり、このHEPAフ
ィルタ307を通って空気流301及び304は下方に
垂直方向に動く。この実施例では、HEPAフィルタ3
07はワーク・セルの足跡の境界のずっと向こうに広が
っているので、ワーク・セル200の内側に空気流30
1を供給するだけでなく、ワーク・セルの外側にも空気
流304を同様に供給する。ワーク・セルの内部への清
浄空気流301は、HEPAフィルタ307の天井30
6の上にある共通ブリナム308からl−I E P
Aフィルタに送り込まれる再循環される室内空気から大
部分は成っている。この実施例では0FR=約10以上
となる。ファン310により、還り空気はブリナム30
8に入れる前に、ぬ湿度制御装置309に通される。
第10図により本発明の一実施例を説明するが、この実
施例では、清浄空気流301及び304はワーク・セル
の上方に据え付Gノられたスタンドアロンの[ジュラ式
空気ハンドラー311及びHEPAフィルタ307によ
り供給されるが、I」E P Aフィルタの流れ304
の小部分はワーク・セルの足跡の向こうに広がっている
。空気調和機311にはプレフィルタ312が含まれて
いる。
施例では、清浄空気流301及び304はワーク・セル
の上方に据え付Gノられたスタンドアロンの[ジュラ式
空気ハンドラー311及びHEPAフィルタ307によ
り供給されるが、I」E P Aフィルタの流れ304
の小部分はワーク・セルの足跡の向こうに広がっている
。空気調和機311にはプレフィルタ312が含まれて
いる。
ワーク・セルを囲む空間は還り空気のブリナムとして役
立つ。任意の軽aの吊り仕切り313をワーク・セルの
周りに離して設け、還り空気314を空気調和機311
に流すことができる。この壁の仕切り313は1周囲の
空気空間が還り空気の再循環をゆるくυ制御するのに役
立つ場合は、取り除くことができる。この実施例では、
0FR=約0.1乃至0.5である。
立つ。任意の軽aの吊り仕切り313をワーク・セルの
周りに離して設け、還り空気314を空気調和機311
に流すことができる。この壁の仕切り313は1周囲の
空気空間が還り空気の再循環をゆるくυ制御するのに役
立つ場合は、取り除くことができる。この実施例では、
0FR=約0.1乃至0.5である。
第11図により第10図の実施例と類似した実施例を説
明するが、これには、ワーク・セルの下側からワーク・
セル200上方の空気調和機311及びI−I E P
Aフィルタ307への空気リターン・ダクト315が
ゆだねられている。床305の下には閉鎖プリナム31
6があり、ワーク・セルのF側からの空気を集め、空気
リターン・ダクト316に流す。
明するが、これには、ワーク・セルの下側からワーク・
セル200上方の空気調和機311及びI−I E P
Aフィルタ307への空気リターン・ダクト315が
ゆだねられている。床305の下には閉鎖プリナム31
6があり、ワーク・セルのF側からの空気を集め、空気
リターン・ダクト316に流す。
第12図により本発明の一実施例を説明するが、これは
第10図及び第11図に示したものに類似しており、H
EPAフィルタの空気流がワーク・セルの内部への流れ
301に限られていることが異なる。仕切り317を提
供して、空気調和機311の出力に対するワーク・セル
のオーブン・トップ300を封じ、1−IEPAフィル
タ307がらの空気流301以外の空気が、ワーク・セ
ルの内部に到達するのを防ぐ。この実施例では、OF尺
=Oである。
第10図及び第11図に示したものに類似しており、H
EPAフィルタの空気流がワーク・セルの内部への流れ
301に限られていることが異なる。仕切り317を提
供して、空気調和機311の出力に対するワーク・セル
のオーブン・トップ300を封じ、1−IEPAフィル
タ307がらの空気流301以外の空気が、ワーク・セ
ルの内部に到達するのを防ぐ。この実施例では、OF尺
=Oである。
本発明の他の実施例(図示せず)は、第10図に示した
ものと類似しており、ワーク・セルの外部の空間を還り
空気ブリナムとして用い、ろ過した空気をワーク・セル
の外部の境界部分にも同様に供給する。特に、ワーク・
セルの外部の、ウェハの操作員検査用のところとウェハ
をワーク・セルへ及びワーク・セルから搬送するところ
に用いられるところに清浄空気を提供する。この特定部
分に追加の仕切りまたは適当な重いカーテンを用いて、
空気の下方への流れを伝えたり分離したりすることがで
きる。この実施例では、0FR=約0.1乃至0.5で
ある。
ものと類似しており、ワーク・セルの外部の空間を還り
空気ブリナムとして用い、ろ過した空気をワーク・セル
の外部の境界部分にも同様に供給する。特に、ワーク・
セルの外部の、ウェハの操作員検査用のところとウェハ
をワーク・セルへ及びワーク・セルから搬送するところ
に用いられるところに清浄空気を提供する。この特定部
分に追加の仕切りまたは適当な重いカーテンを用いて、
空気の下方への流れを伝えたり分離したりすることがで
きる。この実施例では、0FR=約0.1乃至0.5で
ある。
第13図により本発明の一実施例を示すが、この実施例
では、清浄空気は1.作り付けの空気調和1319、環
境制御装置及び同形式の大きな1−(E P Aフィル
タ307とを有する、小さなモジュラ−型のクリーンル
ームによって提供される。
では、清浄空気は1.作り付けの空気調和1319、環
境制御装置及び同形式の大きな1−(E P Aフィル
タ307とを有する、小さなモジュラ−型のクリーンル
ームによって提供される。
HEPAフィルタの天井320に還る空気は一般に孔あ
きの高くした床305から、クリーンルーム318の外
側の壁322と内側の壁323とに定められる空間32
1を通って提供される。この実施例では0FR=約0.
5乃至1oである。
きの高くした床305から、クリーンルーム318の外
側の壁322と内側の壁323とに定められる空間32
1を通って提供される。この実施例では0FR=約0.
5乃至1oである。
トIEPAフィルタは99.99パーセントの粒子を空
気からろ過して取り除くことができる。
気からろ過して取り除くことができる。
HEP△フィルタは、直径的0.5ミクロン以下の粒子
をろ過して取り除くのには効果的ではない。
をろ過して取り除くのには効果的ではない。
本発明は、HE P Aフィルタの代わりに超低透過エ
ア(tJLPA)フィルタを用いることによっても実行
可能である。ULPAフィルタは99.9995パーセ
ントの粒子を空気から取除く。直径0.12ミクロン以
下の粒子はULPΔフィルタでは効果的にはろ過されな
い。
ア(tJLPA)フィルタを用いることによっても実行
可能である。ULPAフィルタは99.9995パーセ
ントの粒子を空気から取除く。直径0.12ミクロン以
下の粒子はULPΔフィルタでは効果的にはろ過されな
い。
清浄で、ろ過した、温度及び/または湿度を調節した空
気の流れは、垂直層流ずなゎらワーク・セル処理部分を
通して下方への流れで、rVLFJ空気と一般に呼ばれ
、速度及び方向に関して制御される。この空気は、オー
プン・トップ300がらワーク・セルに入り、大体毎分
8oフイート乃至120フイートまでの速度で垂直に下
方に流れる。
気の流れは、垂直層流ずなゎらワーク・セル処理部分を
通して下方への流れで、rVLFJ空気と一般に呼ばれ
、速度及び方向に関して制御される。この空気は、オー
プン・トップ300がらワーク・セルに入り、大体毎分
8oフイート乃至120フイートまでの速度で垂直に下
方に流れる。
この流れの速度は層をなすと考えられ、これはすなわち
、乱流はワーク・セルを通る空気の流れにおいてはない
かまたは最小となる。乱流は渦または他の環状経路に巻
かれる空気とされ、ワーク・セルを通過する一経路では
流れない。乱気流により予測もできない空気の流れが生
じ、これにより装置から粒子が帰き集められ、ワーク・
セル内で処理されている半導体ウェハ上にこれらの粒子
を被着する多くの機会を提供するべく粒子を運んでしま
うことが可能である。乱流は一般に空気の流れの過度の
速度によって生じる。
、乱流はワーク・セルを通る空気の流れにおいてはない
かまたは最小となる。乱流は渦または他の環状経路に巻
かれる空気とされ、ワーク・セルを通過する一経路では
流れない。乱気流により予測もできない空気の流れが生
じ、これにより装置から粒子が帰き集められ、ワーク・
セル内で処理されている半導体ウェハ上にこれらの粒子
を被着する多くの機会を提供するべく粒子を運んでしま
うことが可能である。乱流は一般に空気の流れの過度の
速度によって生じる。
ワーク・セル中の下方への空気の速度が毎分8フイート
より明らかに小さい場合、この速度はワーク・セルの底
部からの粒子の上方への移送を防ぐには十分ではない。
より明らかに小さい場合、この速度はワーク・セルの底
部からの粒子の上方への移送を防ぐには十分ではない。
この速度は、ありそうもないことだが万一粒子がワーク
・セルの底部のワーク・セル機構によって発生される場
合には、ワーク・セルから粒子を綺麗に掃き出すのに十
分に速くなくてはならない。もしワーク・セル内の粒子
の発生が非常に制限されている場合は、垂貞方向の流速
は毎分8フイート以下に低下させることが可能である。
・セルの底部のワーク・セル機構によって発生される場
合には、ワーク・セルから粒子を綺麗に掃き出すのに十
分に速くなくてはならない。もしワーク・セル内の粒子
の発生が非常に制限されている場合は、垂貞方向の流速
は毎分8フイート以下に低下させることが可能である。
ワーク・セルがその壁302とは餠れてそれ自体で立っ
ており、HEP△フィルタ307に付けられていない本
発明の実施例では、天井から孔あき床への、5度または
10度以内にI直な気流の方向があることが重要である
。この角度が大きくなると、ワーク・セル200の上流
側のトップ300への流れにより壁302の内部に僅か
にマイナスの圧力が生じてしまう。これにより、ワーク
・セルの外部の汚れがどんな小さなセルの壁の開口部か
らもワーク・セルの内部に吸い込まれてしまう。
ており、HEP△フィルタ307に付けられていない本
発明の実施例では、天井から孔あき床への、5度または
10度以内にI直な気流の方向があることが重要である
。この角度が大きくなると、ワーク・セル200の上流
側のトップ300への流れにより壁302の内部に僅か
にマイナスの圧力が生じてしまう。これにより、ワーク
・セルの外部の汚れがどんな小さなセルの壁の開口部か
らもワーク・セルの内部に吸い込まれてしまう。
VLF空気流、還り空気流、及び補給空気の流れを正し
くバランスよく調整して、ワーク・セル内に僅かな内部
圧力を提供し、ワーク・セルの外部からワーク・セル内
部への粒子の移送を防がなければならない。
くバランスよく調整して、ワーク・セル内に僅かな内部
圧力を提供し、ワーク・セルの外部からワーク・セル内
部への粒子の移送を防がなければならない。
以上の説明に関連して、更に下記の項を開示する。
(1) クリーンルーム環境において半導体ウェハを
取り扱うワーク・セルであって、 @ 無塵状態の作業空間を提供する囲いと、0 半導体
ウェハのフォトリソグラフィ工程に使用する複数のワー
ク・ス1−ジョンと、(Q 前記複数のワーク・ステー
ションのそれぞれに、またそれぞれから半導体ウェハを
移送する単一のロボット・アームと、 ゆ ロボット・アームの動きを支配し、プロセス・ステ
ーションを操作し、ワーク・セルの総動作を統υ1的に
働かせる制御装置とを含むワーク・セル。
取り扱うワーク・セルであって、 @ 無塵状態の作業空間を提供する囲いと、0 半導体
ウェハのフォトリソグラフィ工程に使用する複数のワー
ク・ス1−ジョンと、(Q 前記複数のワーク・ステー
ションのそれぞれに、またそれぞれから半導体ウェハを
移送する単一のロボット・アームと、 ゆ ロボット・アームの動きを支配し、プロセス・ステ
ーションを操作し、ワーク・セルの総動作を統υ1的に
働かせる制御装置とを含むワーク・セル。
(a) 第(1)項に記載したワーク・セルであって
、ワーク・ヒルへのアクヒスを提供し、処理済半導体ウ
ェハを取り去る入力/出カスチージョンを含むワーク・
セル。
、ワーク・ヒルへのアクヒスを提供し、処理済半導体ウ
ェハを取り去る入力/出カスチージョンを含むワーク・
セル。
(3) 第(1)項に記載したワーク・セルにおいて
、前記ロボット・7−ムが回転、垂直および水平運動を
通じて前記ワーク・ステーションをアクセスするワーク
・セル。
、前記ロボット・7−ムが回転、垂直および水平運動を
通じて前記ワーク・ステーションをアクセスするワーク
・セル。
(4) 第(1)項に記載したワーク・セルにおいて
、前記ワーク・ステーションが前記ロボット・アームの
周りに置かれた第一の平面と、前記第一の平面から縦に
離れている1面以上の追加の平面とに設置されているワ
ーク・セル。
、前記ワーク・ステーションが前記ロボット・アームの
周りに置かれた第一の平面と、前記第一の平面から縦に
離れている1面以上の追加の平面とに設置されているワ
ーク・セル。
(5) 第(1)項に記載したワーク・セルにおいて
、前記ワーク・セルの構成がモジュラ−型であって、そ
れぞれのワーク・ステーションがワーク・セルの操作員
側から接近することかでき、かつ/または他のワーク・
ステーションとは独立する修理及び整備のために取り除
くことができるようになっているワーク・セル。
、前記ワーク・セルの構成がモジュラ−型であって、そ
れぞれのワーク・ステーションがワーク・セルの操作員
側から接近することかでき、かつ/または他のワーク・
ステーションとは独立する修理及び整備のために取り除
くことができるようになっているワーク・セル。
(6) 第(5)項に記載したワーク・セルであって
、プロセス装置を含み、各プロセス装置が1個以上のワ
ーク・ステーションを含み、各プロセス装置がモジュラ
−型装置を提供するワーク・セル。
、プロセス装置を含み、各プロセス装置が1個以上のワ
ーク・ステーションを含み、各プロセス装置がモジュラ
−型装置を提供するワーク・セル。
(1) 第(6)項に記載したワーク・セルにおいて
、各プロセス装置のワーク・ステーションをそのプロセ
ス装置内で互いに垂直方向に置き換えることができるワ
ーク・セル。
、各プロセス装置のワーク・ステーションをそのプロセ
ス装置内で互いに垂直方向に置き換えることができるワ
ーク・セル。
(8) 第(1)項に記載したワーク・セルにおいて
、前記制御器を用いて、ワーク・セル内のプロセス・ス
テーションとロボット・アームとに通じ、ロボット・ア
ームの動作と各プロセス・ステーションの半導体ウェハ
処理周期と釣り合わせるワーク卆セル。
、前記制御器を用いて、ワーク・セル内のプロセス・ス
テーションとロボット・アームとに通じ、ロボット・ア
ームの動作と各プロセス・ステーションの半導体ウェハ
処理周期と釣り合わせるワーク卆セル。
(9) 第(1)項に記載したワーク・セルにおいて
、前記囲いを形成して、粒子シールド及びロボット安全
壁を形成し、ワーク・セル内に無菌状態の半導体工程環
境を提供するワーク・セル。
、前記囲いを形成して、粒子シールド及びロボット安全
壁を形成し、ワーク・セル内に無菌状態の半導体工程環
境を提供するワーク・セル。
(10)第(1)項に記載したワーク・セルにおいて、
前記ロボット・アームは各プロセス・ステーションをど
んな順序でもアクセスすることができ、所定の総合工程
連続に必要ではない工程段階を取り除くことができるワ
ーク・セル。
前記ロボット・アームは各プロセス・ステーションをど
んな順序でもアクセスすることができ、所定の総合工程
連続に必要ではない工程段階を取り除くことができるワ
ーク・セル。
(11)清浄空気環境において半導体ウェハを処理する
ワーク・セル・システムであって、(a) オーブン・
トップを定める周囲の壁を有する半導体ウェハ処理工程
ワーク・セルと、(b) ワーク・セルのオーブン・ト
ップの上部に置かれ、清浄空気をA−ブン・トップを通
してワーク・セルの内部に供給する空気調和機とを含む
ワーク・セル・システム。
ワーク・セル・システムであって、(a) オーブン・
トップを定める周囲の壁を有する半導体ウェハ処理工程
ワーク・セルと、(b) ワーク・セルのオーブン・ト
ップの上部に置かれ、清浄空気をA−ブン・トップを通
してワーク・セルの内部に供給する空気調和機とを含む
ワーク・セル・システム。
(12)第(11)項に記載したワーク・セル・システ
ムにおいて、ワーク・セルが (ロ)通路を有し、ワーク・セルの内部に供給された清
浄空気がそこを通って導かれてワーク・セルを出るワー
ク・セル・システム。
ムにおいて、ワーク・セルが (ロ)通路を有し、ワーク・セルの内部に供給された清
浄空気がそこを通って導かれてワーク・セルを出るワー
ク・セル・システム。
(13)第(12)項に記載したワーク・セル・システ
ムにおいて、その通路により清浄空気がワーク・セルの
底部から導かれるワーク・セル・システム。
ムにおいて、その通路により清浄空気がワーク・セルの
底部から導かれるワーク・セル・システム。
(14)第(12)項に記載したワーク・セル・システ
ムにおいて、史に、 (a) ワーク・セルの下にある孔のあいた床を含み、
ワーク・セルを出る空気をその穴を通して引き寄せるこ
とができることを含むワーク・セル・システム。
ムにおいて、史に、 (a) ワーク・セルの下にある孔のあいた床を含み、
ワーク・セルを出る空気をその穴を通して引き寄せるこ
とができることを含むワーク・セル・システム。
(15)第(14)項に記載したワーク・セル・システ
ムにおいて、更に、 (a) ワーク・セルの下の床から、清浄にしワーク・
セルを通して再循環させる空気調和機まで空気を導く還
り空気ダクトを含むワーク・セル・システム。
ムにおいて、更に、 (a) ワーク・セルの下の床から、清浄にしワーク・
セルを通して再循環させる空気調和機まで空気を導く還
り空気ダクトを含むワーク・セル・システム。
(16)第(11)項に記載したワーク・セル・システ
ムにおいて、空気調和機が、ワーク・セルの上部及びワ
ーク・セルを囲む小部分だけに清浄空気を導くような寸
法に作られているワーク・セル・システム。
ムにおいて、空気調和機が、ワーク・セルの上部及びワ
ーク・セルを囲む小部分だけに清浄空気を導くような寸
法に作られているワーク・セル・システム。
(11)清浄空気環境において半導体ウェハを処理する
ワーク・セルであって、 @ 複数のワーク・ステーションが囲いの中に置かれ、
その囲いが複数のワーク・ステーションを壁の回りの環
境にある粒子から分離することと、(b) 清浄空気を
ワーク・セルの内部に入れる囲いの孔とを含むワーク・
セル。
ワーク・セルであって、 @ 複数のワーク・ステーションが囲いの中に置かれ、
その囲いが複数のワーク・ステーションを壁の回りの環
境にある粒子から分離することと、(b) 清浄空気を
ワーク・セルの内部に入れる囲いの孔とを含むワーク・
セル。
(18)第(11)項に記載したワーク・セルにおいて
、更に、 (a)空気が囲いの内部から囲いの外部に流れるための
、囲いの少なくとも1個の孔を含むワーク番セル。
、更に、 (a)空気が囲いの内部から囲いの外部に流れるための
、囲いの少なくとも1個の孔を含むワーク番セル。
(19)第(18)項に記載したワーク・セルにおいて
、清浄空気を入れるための囲いの孔が囲いの上部にあっ
て、下方に導かれる清浄空気を受は取るワーク・セル。
、清浄空気を入れるための囲いの孔が囲いの上部にあっ
て、下方に導かれる清浄空気を受は取るワーク・セル。
(a0)第(19)項に記載したワーク・セルにおいて
、空気を囲いの内部から流すための囲いの孔が囲いの底
部にあって、清浄空気が囲いの上部から囲いの内部を通
過し、囲いの底部を通って出ていくことを可能にするワ
ーク・セル。
、空気を囲いの内部から流すための囲いの孔が囲いの底
部にあって、清浄空気が囲いの上部から囲いの内部を通
過し、囲いの底部を通って出ていくことを可能にするワ
ーク・セル。
(a1)本開示は、ロボット・アームを含み、ワーク・
セル内の複数レベルのプロセス・ステーション間で、半
導体ウェハを一度に1枚ずつ搬送する環境的にtJ1’
alされたワーク・セル200である。
セル内の複数レベルのプロセス・ステーション間で、半
導体ウェハを一度に1枚ずつ搬送する環境的にtJ1’
alされたワーク・セル200である。
このワーク・セルは、清浄空気301をワーク・セルの
内部に導く頭上式の空気調和機から、ワーク・セル20
0のオーブン・トップを通して、清浄空気供給を受は取
る。頭上式空気調和機はモジュラ−・ユニットでよく、
これはワーク−セル200の内部と、またできるかぎり
、ワーク・セルを直接囲む領域とだけに清浄空気を導く
。頭上式空気調和機は大きさを大きくして、ワーク・セ
ルが置かれている部屋のほぼ全体に清浄空気を供給する
ことも可能である。
内部に導く頭上式の空気調和機から、ワーク・セル20
0のオーブン・トップを通して、清浄空気供給を受は取
る。頭上式空気調和機はモジュラ−・ユニットでよく、
これはワーク−セル200の内部と、またできるかぎり
、ワーク・セルを直接囲む領域とだけに清浄空気を導く
。頭上式空気調和機は大きさを大きくして、ワーク・セ
ルが置かれている部屋のほぼ全体に清浄空気を供給する
ことも可能である。
第1図は従来技術の工程系統図である。
第2図は本発明の工程系統図である。
第3図は本発明の7オトリソグラフイツク・ワーク・セ
ルのレイアウトを示す。 第4図は第3図のワーク・セルの作業系統図である。 m5図はVi重ねたワーク・ステーションを示す。 第6a図〜第6f図はワーク・セルの周りで半導体ウェ
ハを搬送するのに用いるロボット・アーム及びエンド・
イフエクタを示す。 第7図はワーク・セルの絵画図である。 第8図は2本のロボット・アームを使用するフォトリソ
グラフィック・、ワーク・セルのレイアウトを示す。 第9図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第10図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第11図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第12図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第13図は本発明の一実施例を示す側面図である。 よ左」」し更晟貝 16:ロボット・アーム 18:アーム・エンド・イフエクタ 19:1lJtll@置 2oO:ワーク・セル 301:清浄空気
ルのレイアウトを示す。 第4図は第3図のワーク・セルの作業系統図である。 m5図はVi重ねたワーク・ステーションを示す。 第6a図〜第6f図はワーク・セルの周りで半導体ウェ
ハを搬送するのに用いるロボット・アーム及びエンド・
イフエクタを示す。 第7図はワーク・セルの絵画図である。 第8図は2本のロボット・アームを使用するフォトリソ
グラフィック・、ワーク・セルのレイアウトを示す。 第9図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第10図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第11図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第12図は本発明の一実施例を示す側面図である。 第13図は本発明の一実施例を示す側面図である。 よ左」」し更晟貝 16:ロボット・アーム 18:アーム・エンド・イフエクタ 19:1lJtll@置 2oO:ワーク・セル 301:清浄空気
Claims (1)
- (1)クリーンルーム環境において半導体ウェハを取り
扱うワーク・セルであって、 (a)無塵状態の作業空間を提供する囲いと、(b)半
導体ウェハのフォトリソグラフィ工程に使用する複数の
ワーク・ステーションと、 (c)前記複数のワーク・ステーションのそれぞれに、
またそれぞれから半導体ウェハを移送する単一のロボッ
ト・アームと、 (d)ロボット・アームの動きを支配し、プロセス・ス
テーションを操作し、ワーク・セルの総動作を統制的に
働かせる制御装置とを含むワーク・セル。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13754587A | 1987-12-23 | 1987-12-23 | |
US137545 | 1987-12-23 | ||
US17680988A | 1988-04-01 | 1988-04-01 | |
US176809 | 1988-04-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH022605A true JPH022605A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=26835345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63324736A Pending JPH022605A (ja) | 1987-12-23 | 1988-12-22 | 自動化フォトリソグラフィック・ワーク・セル |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0322205A3 (ja) |
JP (1) | JPH022605A (ja) |
KR (1) | KR890010624A (ja) |
Cited By (4)
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