JP2974069B2 - 半導体デバイスの製造装置 - Google Patents
半導体デバイスの製造装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造装置に関するものである。
の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体デバイスの製造装置を、図
３〜図７を用いて説明する。この製造装置は、複数の工
程ボックスＰ（１）、Ｐ（２）・・・を搬送路７に沿っ
て、横一列に並べた製造装置である。この搬送路７上に
は、図示しない密閉型クリーンボックスを載せた自動搬
送車８を走らせ、クリーンボックスに入れたウエハ基盤
を搬送する。
３〜図７を用いて説明する。この製造装置は、複数の工
程ボックスＰ（１）、Ｐ（２）・・・を搬送路７に沿っ
て、横一列に並べた製造装置である。この搬送路７上に
は、図示しない密閉型クリーンボックスを載せた自動搬
送車８を走らせ、クリーンボックスに入れたウエハ基盤
を搬送する。
【０００３】 上記工程ボックスＰ（１）、Ｐ（２）・・
・内には、ウエハ基盤の個々の層を形成する工程に必要
な数種の処理機構をひとまとめとして、ひとつの単位工
程グループを構成している。そして、これらの単位工程
グループは搬送路７に沿って直列に配置され、単位工程
グループ群を構成している。そして、上記単位工程グル
ープ、すなわち、工程ボックスの並び順に従って、処理
を行なうものである。次に、各ボックスＰ（１）、Ｐ
（２）・・・内に設置した処理機構と、そこでの処理に
ついて説明する。各工程ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）内
には、洗浄機構３１、酸化膜形成機構３２、感光剤塗布
機構３３、現像機構３４、薬品処理機構３５、不純物拡
散処理機構３６、スパッタ機構３７、検査機構３８のう
ち、各単位工程の処理に必要な処理機構が、処理工程順
に設置されている。
・内には、ウエハ基盤の個々の層を形成する工程に必要
な数種の処理機構をひとまとめとして、ひとつの単位工
程グループを構成している。そして、これらの単位工程
グループは搬送路７に沿って直列に配置され、単位工程
グループ群を構成している。そして、上記単位工程グル
ープ、すなわち、工程ボックスの並び順に従って、処理
を行なうものである。次に、各ボックスＰ（１）、Ｐ
（２）・・・内に設置した処理機構と、そこでの処理に
ついて説明する。各工程ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）内
には、洗浄機構３１、酸化膜形成機構３２、感光剤塗布
機構３３、現像機構３４、薬品処理機構３５、不純物拡
散処理機構３６、スパッタ機構３７、検査機構３８のう
ち、各単位工程の処理に必要な処理機構が、処理工程順
に設置されている。
【０００４】 各処理機構３１〜３８の処理機能は以下の
通りである。上記洗浄機構３１は、ウエハ基板の表面を
洗浄するための処理機構である。酸化膜形成機構３２
は、ウエハ基盤の表面に酸化膜を形成するもので、この
酸化膜が保護膜となる。また、感光剤塗布機構３３、基
盤表面に感光剤を塗布し、現像機構３４では、感光剤上
に必要なパターンに応じたマスクを載せて露光し、感光
しなかった部分の感光剤を取り除く処理を行う。薬品処
理機構３５は、ウエハ基盤表面の不必要な物質、例え
ば、酸化膜の一部分などを取り除く薬品処理を行なう。
通りである。上記洗浄機構３１は、ウエハ基板の表面を
洗浄するための処理機構である。酸化膜形成機構３２
は、ウエハ基盤の表面に酸化膜を形成するもので、この
酸化膜が保護膜となる。また、感光剤塗布機構３３、基
盤表面に感光剤を塗布し、現像機構３４では、感光剤上
に必要なパターンに応じたマスクを載せて露光し、感光
しなかった部分の感光剤を取り除く処理を行う。薬品処
理機構３５は、ウエハ基盤表面の不必要な物質、例え
ば、酸化膜の一部分などを取り除く薬品処理を行なう。
【０００５】 さらに、不純物拡散処理機構３６は、ウエ
ハ基盤内に不純物を拡散させる。この不純物拡散処理機
構３６には、形成する層に応じて、必要な種類の不純物
ガスを導入する。また、スパッタ機構３７は、基盤表面
に薄膜を形成し、検査機構３８は、ウエハ基盤の検査を
行うものである。このような製造装置において、半導体
デバイスである図７に示すトランジスタを製造する方法
を説明する。なお、このトランジスタは、Ｎ型層１、３
間に、Ｐ型層２を挟んだ形で、表面には、電極４、５を
露出させ、他の部分を酸化膜２０で保護したものであ
る。
ハ基盤内に不純物を拡散させる。この不純物拡散処理機
構３６には、形成する層に応じて、必要な種類の不純物
ガスを導入する。また、スパッタ機構３７は、基盤表面
に薄膜を形成し、検査機構３８は、ウエハ基盤の検査を
行うものである。このような製造装置において、半導体
デバイスである図７に示すトランジスタを製造する方法
を説明する。なお、このトランジスタは、Ｎ型層１、３
間に、Ｐ型層２を挟んだ形で、表面には、電極４、５を
露出させ、他の部分を酸化膜２０で保護したものであ
る。
【０００６】 このトランジスタの製造工程は、図４に示
すフローチャートで表される。そして、図４のフローを
行う全処理機能を、各工程ボックスＰ（１）、Ｐ（２）
・・・内の単位工程グループ１０１〜１０５によって、
実現している。まず、上記各単位工程グループが、どの
処理機構によって構成されているのかを、説明する。各
単位工程グループは、図４に示す全工程のステップ１〜
２４に対応する２４の処理機能を、５個のグループに分
けて構成したものである。なお、ウエハ基盤の個々の層
を形成する一連の工程として考えられる複数のステップ
を、まとめて同一のグループに入れる。
すフローチャートで表される。そして、図４のフローを
行う全処理機能を、各工程ボックスＰ（１）、Ｐ（２）
・・・内の単位工程グループ１０１〜１０５によって、
実現している。まず、上記各単位工程グループが、どの
処理機構によって構成されているのかを、説明する。各
単位工程グループは、図４に示す全工程のステップ１〜
２４に対応する２４の処理機能を、５個のグループに分
けて構成したものである。なお、ウエハ基盤の個々の層
を形成する一連の工程として考えられる複数のステップ
を、まとめて同一のグループに入れる。
【０００７】 したがって、この製造装置では、図４のフ
ローチャートのステップ１〜ステップ２４を、図５に示
すように５個の工程グループ１０１〜１０５からなるフ
ローに対応させている。第１工程グループ１０１は、ス
テップ１〜６に対応し、トランジスタのＰ型層２を形成
する工程、第２工程グループ１０２は、ステップ７〜１
２に対応し、Ｎ型層３を形成する工程である。また、第
３工程グループ１０３は、ステップ１３〜１５に対応
し、電極を設ける位置を決める工程、第４工程グループ
１０４は、Al電極を形成する工程で、第５工程グループ
１０５は、検査工程である。なお、ここでは、Al電極を
形成する工程を、電極と半導体が接触する面側で、酸化
膜に窓を開けて電極位置を決める第３工程グループ１０
３と、外部へ露出する側の形状を形成する第４工程グル
ープ１０４の２グループで、構成している。
ローチャートのステップ１〜ステップ２４を、図５に示
すように５個の工程グループ１０１〜１０５からなるフ
ローに対応させている。第１工程グループ１０１は、ス
テップ１〜６に対応し、トランジスタのＰ型層２を形成
する工程、第２工程グループ１０２は、ステップ７〜１
２に対応し、Ｎ型層３を形成する工程である。また、第
３工程グループ１０３は、ステップ１３〜１５に対応
し、電極を設ける位置を決める工程、第４工程グループ
１０４は、Al電極を形成する工程で、第５工程グループ
１０５は、検査工程である。なお、ここでは、Al電極を
形成する工程を、電極と半導体が接触する面側で、酸化
膜に窓を開けて電極位置を決める第３工程グループ１０
３と、外部へ露出する側の形状を形成する第４工程グル
ープ１０４の２グループで、構成している。
【０００８】 各工程ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）には、
図３に示すように、各工程に必要な処理機構を、図４の
フローに対応させた順序で並べている。上記第１工程グ
ループ１０１の工程ボックスＰ（１）には、Ｐ型層２を
形成するのに必要な処理機構を設置している。すなわ
ち、洗浄機構３１、酸化膜形成機構３２、感光剤塗布機
構３３、現像機構３４、薬品処理機構３５、不純物拡散
処理機構３６を設置している。第２工程グループ１０２
の工程ボックスＰ（２）には、Ｎ型層３を形成するのに
必要な処理機構として、上記第１工程グループの工程ボ
ックスＰ（１）と同種類の処理機構を設置している。た
だし、第２工程グループで、現像時に使用するマスクパ
ターンと、不純物拡散処理機構３６に導入するガスの種
類が、第１工程グループ１０１のものとは、異なる。
図３に示すように、各工程に必要な処理機構を、図４の
フローに対応させた順序で並べている。上記第１工程グ
ループ１０１の工程ボックスＰ（１）には、Ｐ型層２を
形成するのに必要な処理機構を設置している。すなわ
ち、洗浄機構３１、酸化膜形成機構３２、感光剤塗布機
構３３、現像機構３４、薬品処理機構３５、不純物拡散
処理機構３６を設置している。第２工程グループ１０２
の工程ボックスＰ（２）には、Ｎ型層３を形成するのに
必要な処理機構として、上記第１工程グループの工程ボ
ックスＰ（１）と同種類の処理機構を設置している。た
だし、第２工程グループで、現像時に使用するマスクパ
ターンと、不純物拡散処理機構３６に導入するガスの種
類が、第１工程グループ１０１のものとは、異なる。
【０００９】 第３工程グループ１０３の工程ボックスＰ
（３）には、電極を設ける場所を確保するために、酸化
膜に窓を開ける工程に必要な処理機構として、洗浄機構
３１、酸化膜形成機構３２、感光剤塗布機構３３、現像
機構３４、薬品処理機構３５を設置している。第４工程
グループ１０４は、Al電極を形成する工程で、工程ボッ
クスＰ（４）には、洗浄機構３１、感光剤塗布機構３
３、現像機構３４、薬品処理機構３５の他に、スパッタ
機構３７を設置している。最後の工程ボックスＰ（５）
内には、洗浄機構３１と検査機構３８とを設置してい
る。
（３）には、電極を設ける場所を確保するために、酸化
膜に窓を開ける工程に必要な処理機構として、洗浄機構
３１、酸化膜形成機構３２、感光剤塗布機構３３、現像
機構３４、薬品処理機構３５を設置している。第４工程
グループ１０４は、Al電極を形成する工程で、工程ボッ
クスＰ（４）には、洗浄機構３１、感光剤塗布機構３
３、現像機構３４、薬品処理機構３５の他に、スパッタ
機構３７を設置している。最後の工程ボックスＰ（５）
内には、洗浄機構３１と検査機構３８とを設置してい
る。
【００１０】 上記５個の工程ボックスＰ（１）〜Ｐ
（５）は、クリーンボックスを搬送する自動搬送車８の
搬送路７に沿って、一列に設置されている。また、各工
程ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）には、クリーンボックス
を出し入れする出入り口を形成している。なお、各工程
ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）内には、上記処理機構の他
に、図示しないウエハ基盤搬送機構が設けられている。
このウエハ基盤搬送機構は、出入り口からクリーンボッ
クスを取り込んで、各処理機構まで搬送するものであ
る。そして、クリーンボックス内のウエハ基盤を外気に
さらさずに、各処理機構にセットできる従来からある機
構を備えている。このような製造装置において、図７の
トランジスタを製造する方法を、図４のフローチャート
にしたがって説明する。
（５）は、クリーンボックスを搬送する自動搬送車８の
搬送路７に沿って、一列に設置されている。また、各工
程ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）には、クリーンボックス
を出し入れする出入り口を形成している。なお、各工程
ボックスＰ（１）〜Ｐ（５）内には、上記処理機構の他
に、図示しないウエハ基盤搬送機構が設けられている。
このウエハ基盤搬送機構は、出入り口からクリーンボッ
クスを取り込んで、各処理機構まで搬送するものであ
る。そして、クリーンボックス内のウエハ基盤を外気に
さらさずに、各処理機構にセットできる従来からある機
構を備えている。このような製造装置において、図７の
トランジスタを製造する方法を、図４のフローチャート
にしたがって説明する。
【００１１】 なお、Ｎ型シリコンのウエハ基盤を収納し
た密閉型のクリーンボックスを載せた自動搬送車８は、
図４の矢印Ｘの方向にのみ移動し、工程ボックスＰ
（１）〜Ｐ（５）へ、順番に、クリーンボックスを搬送
する。初めに、クリーンボックスは、工程ボックスＰ
（１）の出入り口から工程ボックスＰ（１）内に入る。
工程ボックスＰ（１）内では、搬入したウエハ基盤に、
Ｐ型層２を形成する処理を行なう。この処理は、図４の
フローチャートのステップ１〜６である。
た密閉型のクリーンボックスを載せた自動搬送車８は、
図４の矢印Ｘの方向にのみ移動し、工程ボックスＰ
（１）〜Ｐ（５）へ、順番に、クリーンボックスを搬送
する。初めに、クリーンボックスは、工程ボックスＰ
（１）の出入り口から工程ボックスＰ（１）内に入る。
工程ボックスＰ（１）内では、搬入したウエハ基盤に、
Ｐ型層２を形成する処理を行なう。この処理は、図４の
フローチャートのステップ１〜６である。
【００１２】 すなわち、図４のステップ１では、工程ボ
ックスＰ（１）内の洗浄機構３１ウエハ基盤を洗浄す
る。洗浄後、ウエハ基盤は、隣の酸化膜形成機構３２へ
移動し、ステップ２へ進む。ステップ２では、ウエハ基
盤表面に酸化膜２０を形成し（図６（ａ）参照）、その
後、ウエハ基盤を感光剤塗布機構３３へ移動させる。ス
テップ３では、酸化膜２０上全面に感光剤を塗布する。
そして、ステップ４の現像工程では、現像機構３４によ
り、図６（ｂ）のように、感光剤２１上にＰ型層２に対
応するマスク２２を載せて露光し、感光しなかった部
分、つまり、マスク２２の部分の感光剤２１を除去する
（図６（ｃ）参照）。
ックスＰ（１）内の洗浄機構３１ウエハ基盤を洗浄す
る。洗浄後、ウエハ基盤は、隣の酸化膜形成機構３２へ
移動し、ステップ２へ進む。ステップ２では、ウエハ基
盤表面に酸化膜２０を形成し（図６（ａ）参照）、その
後、ウエハ基盤を感光剤塗布機構３３へ移動させる。ス
テップ３では、酸化膜２０上全面に感光剤を塗布する。
そして、ステップ４の現像工程では、現像機構３４によ
り、図６（ｂ）のように、感光剤２１上にＰ型層２に対
応するマスク２２を載せて露光し、感光しなかった部
分、つまり、マスク２２の部分の感光剤２１を除去する
（図６（ｃ）参照）。
【００１３】 次に、ステップ５の薬品処理工程によっ
て、薬品処理機構３５を用いて感光剤２１がない部分の
酸化膜を取り除く。すると、図６（ｄ）に示すように、
Ｎ型層１がむき出しになった部分ができる。この状態
で、ウエハ基盤を不純物拡散処理機構３６へ搬送し、ス
テップ６に進む。ステップ６では、不純物拡散処理機構
３６によって、Ｐ型不純物を拡散させる。この拡散処理
によって、ウエハ基盤内部には、図６（ｅ）のようにＰ
型層２が形成される。これで、第１工程グループ１０１
の処理が終わる。この処理がすんだウエハ基盤をクリー
ンボックスに戻し、クリーンボックスは自動搬送車８に
よって、隣の工程ボックスＰ（２）へ移動する。
て、薬品処理機構３５を用いて感光剤２１がない部分の
酸化膜を取り除く。すると、図６（ｄ）に示すように、
Ｎ型層１がむき出しになった部分ができる。この状態
で、ウエハ基盤を不純物拡散処理機構３６へ搬送し、ス
テップ６に進む。ステップ６では、不純物拡散処理機構
３６によって、Ｐ型不純物を拡散させる。この拡散処理
によって、ウエハ基盤内部には、図６（ｅ）のようにＰ
型層２が形成される。これで、第１工程グループ１０１
の処理が終わる。この処理がすんだウエハ基盤をクリー
ンボックスに戻し、クリーンボックスは自動搬送車８に
よって、隣の工程ボックスＰ（２）へ移動する。
【００１４】 工程ボックスＰ（２）内でも、必要な工
程、すなわち、第２工程グループ１０２の処理を行う。
上記工程ボックスＰ（２）内では、図４のステップ７〜
ステップ１２を行う。ステップ７では、ステップ８で、
酸化膜形成機構３２によって、酸化膜２０を形成する
と、図６（ｆ）のように、Ｐ型層２の表面も酸化膜２０
で保護される。この状態から、以下の、ステップ９〜ス
テップ１２では、上記ステップ３〜６と同様に感光剤塗
布工程→現像工程→薬品処理工程→不純物拡散工程を経
て、Ｎ型層３を形成する。ただし、ステップ１０の現像
工程では、Ｎ型層３の形状に対応させたマスク２２を載
せて露光する。これで、第２工程グループ１０２の処理
が終わる。
程、すなわち、第２工程グループ１０２の処理を行う。
上記工程ボックスＰ（２）内では、図４のステップ７〜
ステップ１２を行う。ステップ７では、ステップ８で、
酸化膜形成機構３２によって、酸化膜２０を形成する
と、図６（ｆ）のように、Ｐ型層２の表面も酸化膜２０
で保護される。この状態から、以下の、ステップ９〜ス
テップ１２では、上記ステップ３〜６と同様に感光剤塗
布工程→現像工程→薬品処理工程→不純物拡散工程を経
て、Ｎ型層３を形成する。ただし、ステップ１０の現像
工程では、Ｎ型層３の形状に対応させたマスク２２を載
せて露光する。これで、第２工程グループ１０２の処理
が終わる。
【００１５】 工程ボックスＰ（２）から出てきたクリー
ンボックスは、隣の工程ボックスＰ（３）に搬送され
る。工程ボックスＰ（３）では、図４のステップ１３〜
１７の処理が行われる。ステップ１３では、洗浄によ
り、不要な感光剤２１を除去し、ステップ１４では、も
う一度、酸化膜２０を形成する。これにより、図６
（ｇ）に示すように、ウエハ基盤の全表面が酸化膜２０
で覆われる。以降、ステップ１５〜２２の工程により、
図７におけるAl（アルミ）電極４、５を形成する。ただ
し、ステップ１８〜２２の電極形成は、工程ボックスＰ
（３）内で行われる。
ンボックスは、隣の工程ボックスＰ（３）に搬送され
る。工程ボックスＰ（３）では、図４のステップ１３〜
１７の処理が行われる。ステップ１３では、洗浄によ
り、不要な感光剤２１を除去し、ステップ１４では、も
う一度、酸化膜２０を形成する。これにより、図６
（ｇ）に示すように、ウエハ基盤の全表面が酸化膜２０
で覆われる。以降、ステップ１５〜２２の工程により、
図７におけるAl（アルミ）電極４、５を形成する。ただ
し、ステップ１８〜２２の電極形成は、工程ボックスＰ
（３）内で行われる。
【００１６】 電極位置を決定するため、工程ボックスＰ
（２）内では、テップ１５〜１８で、酸化膜２０に窓を
開ける。この窓は、Ｐ型層２とＮ型層３の表面に直接Al
電極を取り付けるために、酸化膜２０を取り除く部分に
対応している。まず、ステップ１５では、工程ベイ１３
で、図６（ｇ）の酸化膜２０の上に感光剤２１を塗布す
る。ステップ１６では、ウエハ基盤を工程ベイ１４に搬
送し、図６（ｈ）のように上記窓に対応したマスク２２
を載せて現像する。ステップ１７では、薬品処理をし
て、上記窓、すなわち、電極に対応する部分の酸化膜２
０を除去し、上記窓を形成する。これで、電極位置が決
定する。
（２）内では、テップ１５〜１８で、酸化膜２０に窓を
開ける。この窓は、Ｐ型層２とＮ型層３の表面に直接Al
電極を取り付けるために、酸化膜２０を取り除く部分に
対応している。まず、ステップ１５では、工程ベイ１３
で、図６（ｇ）の酸化膜２０の上に感光剤２１を塗布す
る。ステップ１６では、ウエハ基盤を工程ベイ１４に搬
送し、図６（ｈ）のように上記窓に対応したマスク２２
を載せて現像する。ステップ１７では、薬品処理をし
て、上記窓、すなわち、電極に対応する部分の酸化膜２
０を除去し、上記窓を形成する。これで、電極位置が決
定する。
【００１７】 次に、工程ボックスＰ（４）内で、図４の
ステップ１８〜２２の処理を行う。ステップ１８で、洗
浄機構３１で、ウエハ基盤表面を洗浄して、残りの感光
剤２１を除去する。ステップ１９で、スパッタ機構３７
により、Al膜２３を形成する。ここでは、図６（ｉ）の
ように、Al膜２３を全面に形成するが、先に形成した窓
に対応してＰ型層２と、Ｎ型層３にそれぞれAl膜２３と
直接接触した部分があり、そこが電極４、５になる。
ステップ１８〜２２の処理を行う。ステップ１８で、洗
浄機構３１で、ウエハ基盤表面を洗浄して、残りの感光
剤２１を除去する。ステップ１９で、スパッタ機構３７
により、Al膜２３を形成する。ここでは、図６（ｉ）の
ように、Al膜２３を全面に形成するが、先に形成した窓
に対応してＰ型層２と、Ｎ型層３にそれぞれAl膜２３と
直接接触した部分があり、そこが電極４、５になる。
【００１８】 ステップ２０では、感光剤塗布機構３３に
よって、Al膜２３の上に感光剤２１を塗布する（図６
（ｊ））。ステップ２１の現像工程では、図６（ｊ）の
ように、表面に露出する電極の形状を残すようにしたマ
スク２２を載せて現像する。そして、ステップ２２で
は、薬品処理機構３５によって、感光していない部分の
感光剤２１と、その下のAl膜２３を除去する。これで、
Ｐ電極４とＮ電極５ができる。
よって、Al膜２３の上に感光剤２１を塗布する（図６
（ｊ））。ステップ２１の現像工程では、図６（ｊ）の
ように、表面に露出する電極の形状を残すようにしたマ
スク２２を載せて現像する。そして、ステップ２２で
は、薬品処理機構３５によって、感光していない部分の
感光剤２１と、その下のAl膜２３を除去する。これで、
Ｐ電極４とＮ電極５ができる。
【００１９】 上記のように、電極ができあがったウエハ
基盤を、工程ボックスＰ（４）から、工程ボックスＰ
（５）に搬送する。工程ボックスＰ（５）では、ステッ
プ２３で、洗浄して残りの感光剤２１を除去する。これ
で、トランジスタができあがる。このようにしてできた
トランジスタを検査機構３８で、検査する。以上のよう
に、上記製造装置では、自動搬送車８は、一方向に移動
するだけで、全処理工程が行われる。
基盤を、工程ボックスＰ（４）から、工程ボックスＰ
（５）に搬送する。工程ボックスＰ（５）では、ステッ
プ２３で、洗浄して残りの感光剤２１を除去する。これ
で、トランジスタができあがる。このようにしてできた
トランジスタを検査機構３８で、検査する。以上のよう
に、上記製造装置では、自動搬送車８は、一方向に移動
するだけで、全処理工程が行われる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上記の製造装置では、
各処理機構が、ウエハ基盤の処理工程順に、搬送経路に
沿って並んでいるため、全処理機構の中に、処理能力の
異なるものが含まれていた場合、次のような不都合が起
こる。例えば、処理能力の高い処理機構を、他の処理能
力の低い処理機構と一緒に、一列に並べて使用した場
合、高い処理能力の処理機構の処理は、早くすんでしま
うが、その前の工程の、低い処理能力の処理がすむまで
は、高い処理能力の処理機構へは、処理すべきウエハ基
盤が搬送されて来ない。そのため、処理能力の高い処理
機構は、処理を停止している時間が多くなってしまう。
これでは、せっかくの高処理能力を充分に利用できない
という問題があった。
各処理機構が、ウエハ基盤の処理工程順に、搬送経路に
沿って並んでいるため、全処理機構の中に、処理能力の
異なるものが含まれていた場合、次のような不都合が起
こる。例えば、処理能力の高い処理機構を、他の処理能
力の低い処理機構と一緒に、一列に並べて使用した場
合、高い処理能力の処理機構の処理は、早くすんでしま
うが、その前の工程の、低い処理能力の処理がすむまで
は、高い処理能力の処理機構へは、処理すべきウエハ基
盤が搬送されて来ない。そのため、処理能力の高い処理
機構は、処理を停止している時間が多くなってしまう。
これでは、せっかくの高処理能力を充分に利用できない
という問題があった。
【００２１】 反対に、特に処理能力の低い処理機構が含
まれる場合には、他の処理機構が、高速処理ができるも
のであっても、処理能力の低い処理機構の処理が済まな
ければ、次の処理を行うことができないので、全体の処
理速度が遅くなってしまうという問題もあった。そこ
で、この発明の目的は、他の処理機構より、処理能力の
高い処理機構や、処理能力の低い処理機構を含む場合に
も、効率の良い処理ができるようにすることである。
まれる場合には、他の処理機構が、高速処理ができるも
のであっても、処理能力の低い処理機構の処理が済まな
ければ、次の処理を行うことができないので、全体の処
理速度が遅くなってしまうという問題もあった。そこ
で、この発明の目的は、他の処理機構より、処理能力の
高い処理機構や、処理能力の低い処理機構を含む場合に
も、効率の良い処理ができるようにすることである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】第１の発明の、半導体デ
バイスの製造装置は、ウエハ基盤の個々の層を形成する
工程における洗浄や膜形成等の複数の処理機構で単位工
程グループを構成し、これら複数の単位工程グループ
を、ウエハ基盤を搬送するメイン経路に沿って直列に配
置した単位工程グループ群を備えた半導体デバイスの製
造装置を前提とする。そして、メイン経路から分岐した
ブランチ経路を設け、このブランチ経路上には、全処理
機構の中から特定の処理機構を設置した点に特徴を有す
る。第２の発明は、ウエハ基盤を搬送するメイン経路に
接続した単位工程グループを備え、この単位工程グルー
プが、ウエハ基盤の個々の層を形成する工程における洗
浄や膜形成等の複数の処理機構を、ウエハ基盤を処理す
る順序でメイン経路に沿って直列に配置した半導体デバ
イスの製造装置を前提とする。そして、メイン経路から
分岐したブランチ経路を設け、このブランチ経路上に
は、全処理機構の中から特定の処理機構を設置した点に
特徴を有する。第３の発明は、ブランチ経路上に、全処
理機構の中から処理能力の高い特定の処理機構を設置し
た点に特徴を有する。
バイスの製造装置は、ウエハ基盤の個々の層を形成する
工程における洗浄や膜形成等の複数の処理機構で単位工
程グループを構成し、これら複数の単位工程グループ
を、ウエハ基盤を搬送するメイン経路に沿って直列に配
置した単位工程グループ群を備えた半導体デバイスの製
造装置を前提とする。そして、メイン経路から分岐した
ブランチ経路を設け、このブランチ経路上には、全処理
機構の中から特定の処理機構を設置した点に特徴を有す
る。第２の発明は、ウエハ基盤を搬送するメイン経路に
接続した単位工程グループを備え、この単位工程グルー
プが、ウエハ基盤の個々の層を形成する工程における洗
浄や膜形成等の複数の処理機構を、ウエハ基盤を処理す
る順序でメイン経路に沿って直列に配置した半導体デバ
イスの製造装置を前提とする。そして、メイン経路から
分岐したブランチ経路を設け、このブランチ経路上に
は、全処理機構の中から特定の処理機構を設置した点に
特徴を有する。第３の発明は、ブランチ経路上に、全処
理機構の中から処理能力の高い特定の処理機構を設置し
た点に特徴を有する。
【００２３】 第４の発明は、ウエハ基盤の個々の層を形
成する工程における洗浄や膜形成等の複数の処理機構で
単位工程グループを構成し、これら複数の単位工程グル
ープを、ウエハ基盤を搬送するメイン経路に沿って直列
に配置した単位工程グループ群を備えた半導体デバイス
の製造装置を前提とする。上記製造装置を前提とし、ウ
エハ基盤を載せて上記搬送経路上を移動する搬送体とか
らなる搬送機構と、この搬送機構が備えた上記搬送体の
位置を検出する位置検出機構と、この位置検出機構から
の検出信号に応じて、上記搬送体を移動または停止させ
る制御ＣＰＵと、上記搬送経路に沿って設けた他の処理
機構と比べて処理能力の低い同種の処理機構を複数連続
した処理機構群と、上記搬送経路に沿って上記処理機構
群に対応する部分に設けた退避所とを備え、制御ＣＰＵ
は、搬送経路上を移動する複数の搬送体を制御するとと
もに、上記処理機構群にウエハ基盤を搬送する搬送体を
上記退避所で停止させて、この停止中の搬送体を後続の
搬送体に追い越し可能にした点に特徴を有する。
成する工程における洗浄や膜形成等の複数の処理機構で
単位工程グループを構成し、これら複数の単位工程グル
ープを、ウエハ基盤を搬送するメイン経路に沿って直列
に配置した単位工程グループ群を備えた半導体デバイス
の製造装置を前提とする。上記製造装置を前提とし、ウ
エハ基盤を載せて上記搬送経路上を移動する搬送体とか
らなる搬送機構と、この搬送機構が備えた上記搬送体の
位置を検出する位置検出機構と、この位置検出機構から
の検出信号に応じて、上記搬送体を移動または停止させ
る制御ＣＰＵと、上記搬送経路に沿って設けた他の処理
機構と比べて処理能力の低い同種の処理機構を複数連続
した処理機構群と、上記搬送経路に沿って上記処理機構
群に対応する部分に設けた退避所とを備え、制御ＣＰＵ
は、搬送経路上を移動する複数の搬送体を制御するとと
もに、上記処理機構群にウエハ基盤を搬送する搬送体を
上記退避所で停止させて、この停止中の搬送体を後続の
搬送体に追い越し可能にした点に特徴を有する。
【００２４】 第５の発明は、位置検出機構が、搬送経路
に沿って設けた位置を表わす番地ＩＤと、搬送体に設け
た上記番地ＩＤを読み込むＩＤセンサとからなり、ＩＤ
センサは移動中に読み込んだ番地ＩＤを制御ＣＰＵへ送
信し、制御ＣＰＵは送信された番地ＩＤに基づいて上記
搬送体の移動を制御する点に特徴を有する。第６の発明
は、上記第４、第５の発明を前提とし、あらゆる品種に
対応する単位工程グループをウエハ基盤の搬送経路に沿
って設け、制御ＣＰＵが、搬送体の移動過程で必要な単
位工程グループだけを選択する点に特徴を有する。第７
の発明は、上記第４〜第６の発明を前提とし、搬送経路
をメイン経路と、このメイン経路から分岐したブランチ
経路とで構成し、上記ブランチ経路上には、全処理機構
の中から特定の処理機構を設置した点に特徴を有する。
第８の発明は、上記発明を前提とし、ベイ方式など処理
機構の配置がランダムであるランダム単位工程グループ
を備えた点に特徴を有する。
に沿って設けた位置を表わす番地ＩＤと、搬送体に設け
た上記番地ＩＤを読み込むＩＤセンサとからなり、ＩＤ
センサは移動中に読み込んだ番地ＩＤを制御ＣＰＵへ送
信し、制御ＣＰＵは送信された番地ＩＤに基づいて上記
搬送体の移動を制御する点に特徴を有する。第６の発明
は、上記第４、第５の発明を前提とし、あらゆる品種に
対応する単位工程グループをウエハ基盤の搬送経路に沿
って設け、制御ＣＰＵが、搬送体の移動過程で必要な単
位工程グループだけを選択する点に特徴を有する。第７
の発明は、上記第４〜第６の発明を前提とし、搬送経路
をメイン経路と、このメイン経路から分岐したブランチ
経路とで構成し、上記ブランチ経路上には、全処理機構
の中から特定の処理機構を設置した点に特徴を有する。
第８の発明は、上記発明を前提とし、ベイ方式など処理
機構の配置がランダムであるランダム単位工程グループ
を備えた点に特徴を有する。
【００２５】 なお、この発明でいう半導体デバイスの製
造装置は、半導体デバイスを製造する全工程を備えてい
る必要はなく、必要な工程を部分的にでも備えたものを
含む概念として用いている。また、単位工程グループを
ウエハ基盤の搬送経路に沿って直列に配置するとは、半
導体デバイスの製造工程順に、単位工程グループを並べ
ることである。
造装置は、半導体デバイスを製造する全工程を備えてい
る必要はなく、必要な工程を部分的にでも備えたものを
含む概念として用いている。また、単位工程グループを
ウエハ基盤の搬送経路に沿って直列に配置するとは、半
導体デバイスの製造工程順に、単位工程グループを並べ
ることである。
【００２６】
【発明の実施の形態】図1に示す第１実施例は、メイン
経路である搬送路７から分岐するブランチ経路２４を設
けた製造装置である。そして、このブランチ経路２４に
は、不純物拡散処理機構３６を設置している。そして、
クリーンボックスを載せた自動搬送車８は、ブランチ経
路２４上を、矢印方向に移動できる。
経路である搬送路７から分岐するブランチ経路２４を設
けた製造装置である。そして、このブランチ経路２４に
は、不純物拡散処理機構３６を設置している。そして、
クリーンボックスを載せた自動搬送車８は、ブランチ経
路２４上を、矢印方向に移動できる。
【００２７】 この装置における第１工程グループ１０
１’は、従来例の第１工程グループ１０１から不純物拡
散処理工程を除いたもの、第２工程グループ１０２’
は、第１実施例の第２工程グループ１０２から不純物拡
散処理工程を除いたものである。つまり、図1の第１工
程ボックスＰ（１）とＰ（２）には、不純物拡散処理機
構３６を設置していない。そして、上記工程ボックスＰ
（１）〜Ｐ（５）に対応する単位工程グループが、この
発明の単位工程グループ群を構成している。その他、工
程ボックス内でのウエハ基盤の処理方法や、搬送方法等
は、従来例と同様である。また、従来例と同様の処理機
構には、同じ符号をつけている。
１’は、従来例の第１工程グループ１０１から不純物拡
散処理工程を除いたもの、第２工程グループ１０２’
は、第１実施例の第２工程グループ１０２から不純物拡
散処理工程を除いたものである。つまり、図1の第１工
程ボックスＰ（１）とＰ（２）には、不純物拡散処理機
構３６を設置していない。そして、上記工程ボックスＰ
（１）〜Ｐ（５）に対応する単位工程グループが、この
発明の単位工程グループ群を構成している。その他、工
程ボックス内でのウエハ基盤の処理方法や、搬送方法等
は、従来例と同様である。また、従来例と同様の処理機
構には、同じ符号をつけている。
【００２８】 次に、この第１実施例の製造装置で、図７
に示すトランジスタを製造する場合を説明する。クリー
ンボックスを載せた自動搬送車８が、ウエハ基盤を第１
工程ボックスＰ（１）に搬送して、第１工程グループ１
０１’の処理が終わると、ウエハ基盤はクリーンボック
スへ戻される。クリーンボックスを載せた自動搬送車８
は、メイン経路である搬送路７の分岐点Ａから、ブラン
チ経路２４へ入る。そして、ブランチ経路２４に設置し
た不純物拡散処理機構３６へウエハ基盤を搬送する。こ
こで、Ｐ型層２（図７参照）を形成する不純物拡散処理
を行なう。この処理がすんだら、ウエハ基盤を収納した
クリーンボックスは、再び搬送路７の分岐点Ａに戻る。
自動搬送車８は、搬送路７上を矢印Ｘ方向へ進み、隣の
第２工程ボックスＰ（２）へウエハ基盤を搬送する。
に示すトランジスタを製造する場合を説明する。クリー
ンボックスを載せた自動搬送車８が、ウエハ基盤を第１
工程ボックスＰ（１）に搬送して、第１工程グループ１
０１’の処理が終わると、ウエハ基盤はクリーンボック
スへ戻される。クリーンボックスを載せた自動搬送車８
は、メイン経路である搬送路７の分岐点Ａから、ブラン
チ経路２４へ入る。そして、ブランチ経路２４に設置し
た不純物拡散処理機構３６へウエハ基盤を搬送する。こ
こで、Ｐ型層２（図７参照）を形成する不純物拡散処理
を行なう。この処理がすんだら、ウエハ基盤を収納した
クリーンボックスは、再び搬送路７の分岐点Ａに戻る。
自動搬送車８は、搬送路７上を矢印Ｘ方向へ進み、隣の
第２工程ボックスＰ（２）へウエハ基盤を搬送する。
【００２９】 第２工程ボックスＰ（２）で、第２工程グ
ループ１０２’の処理を行なう。その後、クリーンボッ
クスを載せた自動搬送車８は、搬送路７の分岐点Ｂか
ら、ブランチ経路２４へ入る。そして、不純物拡散処理
機構３６へウエハ基盤を搬送し、ここで、Ｎ型層３（図
７参照）を形成する不純物拡散処理を行なう。この処理
がすんだら、自動搬送車８は、再び搬送路７の分岐点Ｂ
に戻り、搬送路７上を矢印Ｘ方向へ進む。以降、第３工
程ボックスＰ（３）→第４工程ボックスＰ（４）→第５
工程ボックスＰ（５）へ、順次ウエハ基盤を搬送して、
半導体デバイスを形成する。この工程は、従来例と全く
同じなので、ここでは、説明を省略する。
ループ１０２’の処理を行なう。その後、クリーンボッ
クスを載せた自動搬送車８は、搬送路７の分岐点Ｂか
ら、ブランチ経路２４へ入る。そして、不純物拡散処理
機構３６へウエハ基盤を搬送し、ここで、Ｎ型層３（図
７参照）を形成する不純物拡散処理を行なう。この処理
がすんだら、自動搬送車８は、再び搬送路７の分岐点Ｂ
に戻り、搬送路７上を矢印Ｘ方向へ進む。以降、第３工
程ボックスＰ（３）→第４工程ボックスＰ（４）→第５
工程ボックスＰ（５）へ、順次ウエハ基盤を搬送して、
半導体デバイスを形成する。この工程は、従来例と全く
同じなので、ここでは、説明を省略する。
【００３０】 この第１実施例において、ブランチ経路２
４を設け、不純物拡散処理機構３６を各工程ボックスか
ら外に出して、ブランチ経路２４に設置したのは、以下
の理由による。不純物拡散方法には、イオン注入法や、
ガス拡散法などがあるが、これらの処理を行なうイオン
注入装置や、ガス拡散炉は、比較的規模が大きく、一度
にたくさんの基盤を処理することができるのが一般的で
ある。このように、処理能力の高い処理機構を、他の処
理能力の低い処理機構と一緒に、一列に並べて使用した
場合、その処理機構の処理は、早くすんでしまって、処
理機構が休んでいる時間が多くなってしまう。これで
は、処理機構の高処理能力を充分に利用できないことに
なってしまう。しかし、メインの搬送路７とは別にブラ
ンチ経路２４を設けて、そこに、特に処理能力の高い処
理機構を設置しておけば、複数の工程でその処理機構を
使用することができる。
４を設け、不純物拡散処理機構３６を各工程ボックスか
ら外に出して、ブランチ経路２４に設置したのは、以下
の理由による。不純物拡散方法には、イオン注入法や、
ガス拡散法などがあるが、これらの処理を行なうイオン
注入装置や、ガス拡散炉は、比較的規模が大きく、一度
にたくさんの基盤を処理することができるのが一般的で
ある。このように、処理能力の高い処理機構を、他の処
理能力の低い処理機構と一緒に、一列に並べて使用した
場合、その処理機構の処理は、早くすんでしまって、処
理機構が休んでいる時間が多くなってしまう。これで
は、処理機構の高処理能力を充分に利用できないことに
なってしまう。しかし、メインの搬送路７とは別にブラ
ンチ経路２４を設けて、そこに、特に処理能力の高い処
理機構を設置しておけば、複数の工程でその処理機構を
使用することができる。
【００３１】 例えば、この第１実施例の場合、第１工程
グループ１０１’の処理の次に、不純物拡散処理機構３
６で処理を行なうと、この処理は、不純物拡散処理機構
３６の処理能力が高いため短時間ですむ。そのため、空
いた不純物拡散処理機構３６を、第２工程グループ１０
２’の処理を行なった別のウエハ基盤の処理に利用する
ことができる。このようにすれば、処理能力の高い処理
機構を無駄なく利用できる。なお、第１実施例では、高
処理能力を有する不純物拡散処理機構３６をブランチ経
路２４に設置したが、ブランチ経路２４に設置する処理
機構は、どの処理機構であってもかまわないし、高処理
能力をもつ処理機構にも限らない。他の処理機構と異質
の特定の処理機構を、他の処理機構から分離して、ブラ
ンチ経路に設置することで、効率的な処理ができれば、
その処理機構の機能は問わない。
グループ１０１’の処理の次に、不純物拡散処理機構３
６で処理を行なうと、この処理は、不純物拡散処理機構
３６の処理能力が高いため短時間ですむ。そのため、空
いた不純物拡散処理機構３６を、第２工程グループ１０
２’の処理を行なった別のウエハ基盤の処理に利用する
ことができる。このようにすれば、処理能力の高い処理
機構を無駄なく利用できる。なお、第１実施例では、高
処理能力を有する不純物拡散処理機構３６をブランチ経
路２４に設置したが、ブランチ経路２４に設置する処理
機構は、どの処理機構であってもかまわないし、高処理
能力をもつ処理機構にも限らない。他の処理機構と異質
の特定の処理機構を、他の処理機構から分離して、ブラ
ンチ経路に設置することで、効率的な処理ができれば、
その処理機構の機能は問わない。
【００３２】 また、第１実施例では、ブランチ経路２４
に不純物拡散処理機構３６を一つだけ、設置している
が、ブランチ経路２４には、必要に応じて、複数の種類
の処理機構を設置することができる。要するに、ブラン
チ経路２４を設けることにより、能力の異なる装置を、
メインの搬送経路７とは別のルートに設置して、処理機
構の処理能力を効率的に活用できる。
に不純物拡散処理機構３６を一つだけ、設置している
が、ブランチ経路２４には、必要に応じて、複数の種類
の処理機構を設置することができる。要するに、ブラン
チ経路２４を設けることにより、能力の異なる装置を、
メインの搬送経路７とは別のルートに設置して、処理機
構の処理能力を効率的に活用できる。
【００３３】 図２に示す第２実施例は、他の処理機構と
比べて、処理能力が低い処理機構を複数連続して並べ
て、この処理機構を並列的に運転して、その処理能力を
上げようとするものである。この第２実施例では、電極
処理工程で金属膜を形成するスパッタ機構が、他の処理
機構と比べて処理能力が低い場合、単位工程グループ１
０４’に、金属膜を形成する３台のスパッタ機構３７
ａ、３７ｂ、３７ｃを並べて設置している。また、これ
らのスパッタ機構に対応する位置には、退避所２７を設
け、退避所２７には、そこの番地ＩＤ２８を設けてい
る。さらに、搬送路７上には、複数の基盤搬送車２５を
載せている。上記３台のスパッタ機構３７ａ、３７ｂ、
３７ｃが、この発明の処理機構群を構成している。
比べて、処理能力が低い処理機構を複数連続して並べ
て、この処理機構を並列的に運転して、その処理能力を
上げようとするものである。この第２実施例では、電極
処理工程で金属膜を形成するスパッタ機構が、他の処理
機構と比べて処理能力が低い場合、単位工程グループ１
０４’に、金属膜を形成する３台のスパッタ機構３７
ａ、３７ｂ、３７ｃを並べて設置している。また、これ
らのスパッタ機構に対応する位置には、退避所２７を設
け、退避所２７には、そこの番地ＩＤ２８を設けてい
る。さらに、搬送路７上には、複数の基盤搬送車２５を
載せている。上記３台のスパッタ機構３７ａ、３７ｂ、
３７ｃが、この発明の処理機構群を構成している。
【００３４】 また、この第２実施例では、単位工程グル
ープを構成する複数の処理機構を工程ボックス内に設置
せずに、各処理機構を直接、搬送路７に沿って設置して
いる。各処理機構は、第１実施例と同じで、同種のもの
には、同じ符号を付けている。そして、搬送路７上に
は、ウエハ基盤を各処理機構へ搬送する搬送手段とし
て、矢印Ｘ方向へ移動する基盤搬送車２５を設けてい
る。この基盤搬送車２５は、上記搬送路７とともにこの
発明の搬送手段を構成し、図示しない制御ＣＰＵの指令
によって移動、停止するようにしている。
ープを構成する複数の処理機構を工程ボックス内に設置
せずに、各処理機構を直接、搬送路７に沿って設置して
いる。各処理機構は、第１実施例と同じで、同種のもの
には、同じ符号を付けている。そして、搬送路７上に
は、ウエハ基盤を各処理機構へ搬送する搬送手段とし
て、矢印Ｘ方向へ移動する基盤搬送車２５を設けてい
る。この基盤搬送車２５は、上記搬送路７とともにこの
発明の搬送手段を構成し、図示しない制御ＣＰＵの指令
によって移動、停止するようにしている。
【００３５】 さらに、各処理機構には、その位置を特定
するための番地が決められていて、番地ＩＤ２６が、搬
送路７に沿って取り付けられている。この番地ＩＤ２６
とは、その番地を表示する標識のようなものである。一
方、上記基盤搬送車２５は、図示していないが、番地Ｉ
Ｄ２６を読み取るＩＤセンサを備えている。上記番地Ｉ
Ｄ２６は、搬送路７上を移動する基盤搬送車２５が認識
できるようなもの、例えば、バーコードなどで構成され
ている。そこで、ウエハ基盤を載せた基盤搬送車２５
は、ＩＤセンサによって番地ＩＤ２６を読み取り、自身
の位置を検出する。そして、基盤搬送車２５は、この検
出信号を制御ＣＰＵへ送信しながら、搬送路７上を移動
する。
するための番地が決められていて、番地ＩＤ２６が、搬
送路７に沿って取り付けられている。この番地ＩＤ２６
とは、その番地を表示する標識のようなものである。一
方、上記基盤搬送車２５は、図示していないが、番地Ｉ
Ｄ２６を読み取るＩＤセンサを備えている。上記番地Ｉ
Ｄ２６は、搬送路７上を移動する基盤搬送車２５が認識
できるようなもの、例えば、バーコードなどで構成され
ている。そこで、ウエハ基盤を載せた基盤搬送車２５
は、ＩＤセンサによって番地ＩＤ２６を読み取り、自身
の位置を検出する。そして、基盤搬送車２５は、この検
出信号を制御ＣＰＵへ送信しながら、搬送路７上を移動
する。
【００３６】 このように、上記制御ＣＰＵは、基盤搬送
車２５からの番地ＩＤ２６の検出信号によって、基盤搬
送車２５の位置を確認することができる。すなわち、こ
の第３実施例では、上記番地ＩＤ２６とＩＤセンサとに
よって、この発明の位置検出手段を構成している。ま
た、上記制御ＣＰＵは、製造する半導体デバイスの品種
に応じて、必要な処理機構の番地を記憶している。そし
て、基盤搬送車２５が、必要な処理機構の番地にきた
ら、その位置で停止するように指令を出す。
車２５からの番地ＩＤ２６の検出信号によって、基盤搬
送車２５の位置を確認することができる。すなわち、こ
の第３実施例では、上記番地ＩＤ２６とＩＤセンサとに
よって、この発明の位置検出手段を構成している。ま
た、上記制御ＣＰＵは、製造する半導体デバイスの品種
に応じて、必要な処理機構の番地を記憶している。そし
て、基盤搬送車２５が、必要な処理機構の番地にきた
ら、その位置で停止するように指令を出す。
【００３７】 基盤搬送車２５は、搬送路７上を、搬送路
７に沿って設けられた各番地ＩＤ２６を読み込みながら
進む。制御ＣＰＵの指令にしたがって、必要な処理機構
の前で停止する。各処理機構は、停止している基盤搬送
車２５から、ウエハ基盤を取り込んで必要な処理を施
し、基盤搬送車２５へ戻す。これを繰り返し、全工程を
終えると、半導体デバイスを製造することができる。
７に沿って設けられた各番地ＩＤ２６を読み込みながら
進む。制御ＣＰＵの指令にしたがって、必要な処理機構
の前で停止する。各処理機構は、停止している基盤搬送
車２５から、ウエハ基盤を取り込んで必要な処理を施
し、基盤搬送車２５へ戻す。これを繰り返し、全工程を
終えると、半導体デバイスを製造することができる。
【００３８】 以下に、複数の基盤搬送車２５ａ、２５
ｂ、・・・が、上記制御ＣＰＵ番地に基づく制御によっ
て、ウエハ基盤を搬送し、半導体デバイスを製造する工
程を、具体的に説明する。まず、先頭の基盤搬送車２５
ａが、洗浄機構３１の処理を終えたウエハ基盤を載せた
ら、３台のスパッタ機構３７ａ、３７ｂ、３７ｃのうち
の１台、例えば、進行方向最前のスパッタ機構３７ａま
で移動する。このスパッタ機構３７ａでは、他の実施例
と同様にウエハ基盤にスパッタ処理を施す。
ｂ、・・・が、上記制御ＣＰＵ番地に基づく制御によっ
て、ウエハ基盤を搬送し、半導体デバイスを製造する工
程を、具体的に説明する。まず、先頭の基盤搬送車２５
ａが、洗浄機構３１の処理を終えたウエハ基盤を載せた
ら、３台のスパッタ機構３７ａ、３７ｂ、３７ｃのうち
の１台、例えば、進行方向最前のスパッタ機構３７ａま
で移動する。このスパッタ機構３７ａでは、他の実施例
と同様にウエハ基盤にスパッタ処理を施す。
【００３９】 次の基盤搬送車２５ｂは、洗浄機構３１の
処理を終えたウエハ基盤を載せて、処理機構群のうち
の、空いているスパッタ機構、例えば移動方向２番目の
スパッタ機構３７ｂへ、ウエハ基盤を搬送する。ウエハ
基盤が、スパッタ機構３７ｂへ取り込まれたら、基盤搬
送車２５ｂは、退避所２７に退避して、スパッタ処理が
終わるのを待つ。もし、上記スパッタ機構３７ａ、３７
ｂが処理中でも、３番目のスパッタ機構３７ｃは空いて
いるので、３番目の基盤搬送車２５ｃは、ウエハ基盤を
スパッタ機構３７ｃに搬送し、退避所２７で処理が終わ
るのを待つ。
処理を終えたウエハ基盤を載せて、処理機構群のうち
の、空いているスパッタ機構、例えば移動方向２番目の
スパッタ機構３７ｂへ、ウエハ基盤を搬送する。ウエハ
基盤が、スパッタ機構３７ｂへ取り込まれたら、基盤搬
送車２５ｂは、退避所２７に退避して、スパッタ処理が
終わるのを待つ。もし、上記スパッタ機構３７ａ、３７
ｂが処理中でも、３番目のスパッタ機構３７ｃは空いて
いるので、３番目の基盤搬送車２５ｃは、ウエハ基盤を
スパッタ機構３７ｃに搬送し、退避所２７で処理が終わ
るのを待つ。
【００４０】 そして、次の基盤搬送車２５ｄのウエハ基
盤が、上記洗浄機構３１の処理を終えるころには、最初
のスパッタ機構３７ａでの処理が終わるようなタイミン
グにしておけば、基盤搬送車２５ｄは、上記スパッタ機
構３７ａへ、ウエハ基盤を搬送できる。このとき、上記
基盤搬送車２５ｂと２５ｃは、退避所２７に退避してい
る。そこで、基盤搬送車２５ｄは、退避所２７に停止し
ている上記基盤搬送車２５ｂと２５ｃとを追い越して、
スパッタ機構３７ａへウエハ基盤を搬送することができ
る。そして、この基盤搬送車２５ｄも、退避所２７に退
避する。
盤が、上記洗浄機構３１の処理を終えるころには、最初
のスパッタ機構３７ａでの処理が終わるようなタイミン
グにしておけば、基盤搬送車２５ｄは、上記スパッタ機
構３７ａへ、ウエハ基盤を搬送できる。このとき、上記
基盤搬送車２５ｂと２５ｃは、退避所２７に退避してい
る。そこで、基盤搬送車２５ｄは、退避所２７に停止し
ている上記基盤搬送車２５ｂと２５ｃとを追い越して、
スパッタ機構３７ａへウエハ基盤を搬送することができ
る。そして、この基盤搬送車２５ｄも、退避所２７に退
避する。
【００４１】 これは、スパッタ機構３７ａでスパッタ処
理を行なっている間に、スパッタ機構３７ｂ、３７ｃで
の処理が終わったウエハ基盤を運ぶ基盤搬送車が、基盤
搬送車２５ｄを追い越せるようにするためである。この
ようにすれば、複数の基盤搬送車２５が、次々にウエハ
基盤を搬送する場合にも、他の処理機構より処理能力の
低い処理機構の手前で、後から来た基盤搬送車２５が、
その処理機構が空くのを待たなければならないというこ
とがない。処理機構群のうち、空いている処理機構を選
んで、基盤搬送車がウエハ基盤を搬送することができる
からである。
理を行なっている間に、スパッタ機構３７ｂ、３７ｃで
の処理が終わったウエハ基盤を運ぶ基盤搬送車が、基盤
搬送車２５ｄを追い越せるようにするためである。この
ようにすれば、複数の基盤搬送車２５が、次々にウエハ
基盤を搬送する場合にも、他の処理機構より処理能力の
低い処理機構の手前で、後から来た基盤搬送車２５が、
その処理機構が空くのを待たなければならないというこ
とがない。処理機構群のうち、空いている処理機構を選
んで、基盤搬送車がウエハ基盤を搬送することができる
からである。
【００４２】 また、処理能力の低い処理機構の後に配置
した処理能力の高い処理機構へも、次々にウエハ基盤を
搬送できるので、処理能力の高い処理機構も休ませずに
運転することができる。したがって、全体の処理能力を
上げることができる。上記処理機構群は、スパッタ機構
に限らず、他の処理機構より処理能力の低い処理機構を
複数並べて構成することができる。そして、この処理機
構群も一ヶ所だけでなく、複数、設置することもでき
る。その場合も、それぞれに対応する退避所は、番地に
よって特定できるので、制御ＣＰＵが、適当な退避所に
基盤搬送車２５を退避させることができる。
した処理能力の高い処理機構へも、次々にウエハ基盤を
搬送できるので、処理能力の高い処理機構も休ませずに
運転することができる。したがって、全体の処理能力を
上げることができる。上記処理機構群は、スパッタ機構
に限らず、他の処理機構より処理能力の低い処理機構を
複数並べて構成することができる。そして、この処理機
構群も一ヶ所だけでなく、複数、設置することもでき
る。その場合も、それぞれに対応する退避所は、番地に
よって特定できるので、制御ＣＰＵが、適当な退避所に
基盤搬送車２５を退避させることができる。
【００４３】 なお、単位工程グループに付ける番地およ
び番地ＩＤは、各処理機構毎に付けてもよいし、工程ボ
ックス毎に付けてもよい。また、それ以外の位置に付け
てもかまわない。要するに、ウエハ基盤の位置が検出で
きて、搬送手段の停止すべき位置を確実に特定できれば
よい。上記第２実施例では、基盤搬送車２５がＩＤセン
サを備え、このセンサで検出した検出信号を送信するこ
とで、制御ＣＰＵが基盤搬送車２５の位置を確認するよ
うにしている。しかし、基盤搬送車２５の位置検出手段
は、これに限らない。例えば、搬送経路上に所定の間隔
でセンサを設け、基盤搬送車２５の通過を検知するよう
にして位置を確認することもできる。ただし、センサ
は、搬送手段側に設けた方が、搬送経路上に設けるより
も、その数を少なくできるので、経済的である。
び番地ＩＤは、各処理機構毎に付けてもよいし、工程ボ
ックス毎に付けてもよい。また、それ以外の位置に付け
てもかまわない。要するに、ウエハ基盤の位置が検出で
きて、搬送手段の停止すべき位置を確実に特定できれば
よい。上記第２実施例では、基盤搬送車２５がＩＤセン
サを備え、このセンサで検出した検出信号を送信するこ
とで、制御ＣＰＵが基盤搬送車２５の位置を確認するよ
うにしている。しかし、基盤搬送車２５の位置検出手段
は、これに限らない。例えば、搬送経路上に所定の間隔
でセンサを設け、基盤搬送車２５の通過を検知するよう
にして位置を確認することもできる。ただし、センサ
は、搬送手段側に設けた方が、搬送経路上に設けるより
も、その数を少なくできるので、経済的である。
【００４４】さらに、番地によって、処理に必要な処理
機構を特定することができるということは、反対に不要
な処理機構も特定できるということである。つまり、不
要な処理機構が搬送路７に沿って並んでいても、それを
飛ばして、ウエハ基盤を搬送することができる。例え
ば、あらゆる品種を製造するために必要な工程に合わせ
た処理機構を配置して製造装置を構成する。そして、特
定の品種を製造する場合には、制御ＣＰＵが、その品種
に必要な処理機構だけを選択して、基盤搬送車２５に番
地に基づく指令を与えれば、必要な処理機構だけに、基
盤搬送車２５がウエハ基盤を搬送することができる。こ
のようにすれば、ひとつの製造装置で、いろいろな品種
に対応することができ、製造装置の汎用性が高まる。
機構を特定することができるということは、反対に不要
な処理機構も特定できるということである。つまり、不
要な処理機構が搬送路７に沿って並んでいても、それを
飛ばして、ウエハ基盤を搬送することができる。例え
ば、あらゆる品種を製造するために必要な工程に合わせ
た処理機構を配置して製造装置を構成する。そして、特
定の品種を製造する場合には、制御ＣＰＵが、その品種
に必要な処理機構だけを選択して、基盤搬送車２５に番
地に基づく指令を与えれば、必要な処理機構だけに、基
盤搬送車２５がウエハ基盤を搬送することができる。こ
のようにすれば、ひとつの製造装置で、いろいろな品種
に対応することができ、製造装置の汎用性が高まる。
【００４５】 なお、上記第１、第２実施例においては、
各単位工程グループを構成する処理機構を、ウエハ基盤
の処理工程順に直列に配置しているが、各単位工程グル
ープ内の処理機構は、必ずしも全てを処理工程順に配置
しなくてもかまわない。一部の単位工程グループだけ
が、処理機構を処理工程順に配置したものであっても良
い。例えば、各処理機構を処理順ではなく、ランダムに
配置したランダム行程グループを備えたものでも良い。
各単位工程グループを構成する処理機構を、ウエハ基盤
の処理工程順に直列に配置しているが、各単位工程グル
ープ内の処理機構は、必ずしも全てを処理工程順に配置
しなくてもかまわない。一部の単位工程グループだけ
が、処理機構を処理工程順に配置したものであっても良
い。例えば、各処理機構を処理順ではなく、ランダムに
配置したランダム行程グループを備えたものでも良い。
【００４６】 例えば、第１実施例のように、搬送路７に
沿った工程ボックスの中に、ベイ方式を採用した工程ボ
ックスを備えることができる。一方、品種や工程によっ
ては、処理順に処理機構を配列することが難しい場合
や、処理機構間を行ったりきたりして処理を行なった方
が、都合が良い場合もある。例えば、ある工程の処理条
件や手順が確立していなくて、試行錯誤を繰り返さなけ
ればならない場合には、処理機構が処理順で直列に配置
されていたのでは、手順が変わるたびに処理機構の配置
を変更しなければならない。このような場合には、ラン
ダム単位工程グループを備えていた方が便利である。な
お、ウエハ基盤の処理工程のうち、どの部分の工程をラ
ンダム単位工程グループにするかは任意である。
沿った工程ボックスの中に、ベイ方式を採用した工程ボ
ックスを備えることができる。一方、品種や工程によっ
ては、処理順に処理機構を配列することが難しい場合
や、処理機構間を行ったりきたりして処理を行なった方
が、都合が良い場合もある。例えば、ある工程の処理条
件や手順が確立していなくて、試行錯誤を繰り返さなけ
ればならない場合には、処理機構が処理順で直列に配置
されていたのでは、手順が変わるたびに処理機構の配置
を変更しなければならない。このような場合には、ラン
ダム単位工程グループを備えていた方が便利である。な
お、ウエハ基盤の処理工程のうち、どの部分の工程をラ
ンダム単位工程グループにするかは任意である。
【００４７】 また、上記第１〜第２実施例は、複数の単
位工程グループを配置して、半導体デバイスを製造する
全工程を備えた製造装置を構成している。しかし、この
発明の半導体デバイスの製造装置には、半導体デバイス
の特定の部分だけを形成する単位工程グループからなる
製造装置も含まれる。ある処理工程だけを備えた半導体
デバイスの製造装置に、この装置とは別の処理工程を組
み合わせて半導体デバイス全体を形成することができ
る。
位工程グループを配置して、半導体デバイスを製造する
全工程を備えた製造装置を構成している。しかし、この
発明の半導体デバイスの製造装置には、半導体デバイス
の特定の部分だけを形成する単位工程グループからなる
製造装置も含まれる。ある処理工程だけを備えた半導体
デバイスの製造装置に、この装置とは別の処理工程を組
み合わせて半導体デバイス全体を形成することができ
る。
【００４８】 要するに、この発明の製造装置の前後に他
の処理工程を接続することができる。そして、他の処理
工程が、それぞれ異なる品種に対応した複数の工程であ
れば、様々な品種に対応した処理を並列に行うこともで
きる。この場合、この発明の製造装置は、半導体デバイ
スを製造するどの工程部分に対応するものであっても良
い。
の処理工程を接続することができる。そして、他の処理
工程が、それぞれ異なる品種に対応した複数の工程であ
れば、様々な品種に対応した処理を並列に行うこともで
きる。この場合、この発明の製造装置は、半導体デバイ
スを製造するどの工程部分に対応するものであっても良
い。
【００４９】
【発明の効果】第１〜第３の発明によれば、特定の処理
機能を単位工程グループ内の他の処理機能から分離し
て、ブランチ経路に設置することができるので、処理工
程に必要な各処理機構の処理能力が異なる場合にも、各
処理機構の能力に応じて、特定の処理機構を選択し、効
率の良い生産ができる。また、大型の処理機構をブラン
チ経路に設置すれば、その大型装置を個々の単位処理工
程グループに個別に設けなくてもよい。したがって、装
置全体も小型化できる。第２の発明では、ウエハ基盤を
処理する順序で直列に配置した処理機能によって構成し
たグループを備えているので、このグループ内での無駄
な経路や待機時間が無く、さらに、生産効率が向上す
る。
機能を単位工程グループ内の他の処理機能から分離し
て、ブランチ経路に設置することができるので、処理工
程に必要な各処理機構の処理能力が異なる場合にも、各
処理機構の能力に応じて、特定の処理機構を選択し、効
率の良い生産ができる。また、大型の処理機構をブラン
チ経路に設置すれば、その大型装置を個々の単位処理工
程グループに個別に設けなくてもよい。したがって、装
置全体も小型化できる。第２の発明では、ウエハ基盤を
処理する順序で直列に配置した処理機能によって構成し
たグループを備えているので、このグループ内での無駄
な経路や待機時間が無く、さらに、生産効率が向上す
る。
【００５０】 第３の発明によれば、特に、高処理能力の
処理機構を休めることなく有効に利用できる。第４〜第
７の発明によれば、処理能力の低い同種の処理機構から
なる処理機構群に待避所を対応させることにより、全体
の処理能力を上げることができる。また、位置検出機構
によって、搬送中のウエハ基盤の位置を確認し、制御Ｃ
ＰＵが必要な位置にウエハ基盤の搬送手段を止めること
ができる。したがって、搬送経路に沿って設置した、処
理機構のなかから必要な処理機構を選択して、処理を施
すことができる。
処理機構を休めることなく有効に利用できる。第４〜第
７の発明によれば、処理能力の低い同種の処理機構から
なる処理機構群に待避所を対応させることにより、全体
の処理能力を上げることができる。また、位置検出機構
によって、搬送中のウエハ基盤の位置を確認し、制御Ｃ
ＰＵが必要な位置にウエハ基盤の搬送手段を止めること
ができる。したがって、搬送経路に沿って設置した、処
理機構のなかから必要な処理機構を選択して、処理を施
すことができる。
【００５１】 特に、第５の発明では、搬送手段に番地を
検出するセンサを設けているので、搬送経路側に設ける
よりも、センサの数を少なくでき、経済的である。ま
た、第６の発明によれば、製造装置の汎用性を高めるこ
とができる。さらに、第７の発明によれば、ブランチ経
路の設定により、より効率的な生産ができる。第８の発
明によれば、処理機構を処理順に直列に並べにくい単位
工程グループも、製造装置に組み込んで、生産効率を上
げることができる。
検出するセンサを設けているので、搬送経路側に設ける
よりも、センサの数を少なくでき、経済的である。ま
た、第６の発明によれば、製造装置の汎用性を高めるこ
とができる。さらに、第７の発明によれば、ブランチ経
路の設定により、より効率的な生産ができる。第８の発
明によれば、処理機構を処理順に直列に並べにくい単位
工程グループも、製造装置に組み込んで、生産効率を上
げることができる。
【図１】第１実施例の製造装置の概略を表わすブロック
図である。
図である。
【図２】第２実施例の製造装置の概略を表わすブロック
図である。
図である。
【図３】従来例の製造装置の概略図である。
【図４】従来例のトランジスタ製造のフローチャートで
ある。
ある。
【図５】従来例の単位工程グループのフローチャートで
ある。
ある。
【図６】トランジスタの製造手順を説明する図で、
（ａ）〜（ｊ）は、製造途中の状態を順番に示す図であ
る。
（ａ）〜（ｊ）は、製造途中の状態を順番に示す図であ
る。
【図７】トランジスタの断面図である。
７ 搬送路 ２４ ブランチ経路Ｐ（１）〜Ｐ（５） 工程ボックス ２５ 基盤搬送車 ２６、２８ 番地ＩＤ ２７ 退避所 ３１ 洗浄機構 ３２ 酸化膜形成機構 ３３ 感光剤塗布機構 ３４ 現像機構 ３５ 薬品処理機構 ３６ 不純物拡散処理機構 ３７ スパッタ機構 ３７ａ、３７ｂ、３７ｃ スパッタ機構 ３８ 検査機構 １０１〜１０５ 単位工程グループ １０１’、１０２' 単位工程グループ １０４’ 単位工程グループ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/68
Claims (8)
- 【請求項１】 ウエハ基盤の個々の層を形成する工程に
おける洗浄や膜形成等の複数の処理機構で単位工程グル
ープを構成し、これら複数の単位工程グループを、ウエ
ハ基盤を搬送するメイン経路に沿って直列に配置した単
位工程グループ群を備えた半導体デバイスの製造装置に
おいて、メイン経路から分岐したブランチ経路を設け、
このブランチ経路上には、全処理機構の中から特定の処
理機構を設置したことを特徴とする半導体デバイスの製
造装置。 - 【請求項２】 ウエハ基盤を搬送するメイン経路に接続
した単位工程グループを備え、この単位工程グループ
が、ウエハ基盤の個々の層を形成する工程における洗浄
や膜形成等の複数の処理機構を、ウエハ基盤を処理する
順序でメイン経路に沿って直列に配置した半導体デバイ
スの製造装置において、メイン経路から分岐したブラン
チ経路を設け、このブランチ経路上には、全処理機構の
中から特定の処理機構を設置したことを特徴とする半導
体デバイスの製造装置。 - 【請求項３】 ブランチ経路上には、全処理機構の中か
ら処理能力の高い特定の処理機構を設置したことを特徴
とする請求項１または２に記載の半導体デバイスの製造
装置。 - 【請求項４】 ウエハ基盤の個々の層を形成する工程に
おける洗浄や膜形成等の複数の処理機構で単位工程グル
ープを構成し、これら複数の単位工程グループを、ウエ
ハ基盤を搬送するメイン経路に沿って直列に配置した単
位工程グループ群を備えた半導体デバイスの製造装置に
おいて、ウエハ基盤を載せて上記搬送経路上を移動する
搬送体とからなる搬送機構と、この搬送機構が備えた上
記搬送体の位置を検出する位置検出機構と、この位置検
出機構からの検出信号に応じて、上記搬送体を移動また
は停止させる制御ＣＰＵと、上記搬送経路に沿って設け
た他の処理機構と比べて処理能力の低い同種の処理機構
を複数連続した処理機構群と、上記搬送経路に沿って上
記処理機構群に対応する部分に設けた退避所とを備え、
制御ＣＰＵは、搬送経路上を移動する複数の搬送体を制
御するとともに、上記処理機構群にウエハ基盤を搬送す
る搬送体を上記退避所で停止させて、この 停止中の搬送
体を後続の搬送体に追い越し可能にしたことを特徴とす
る半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項５】 位置検出機構が、搬送経路に沿って設け
た位置を表わす番地ＩＤと、搬送体に設けた上記番地Ｉ
Ｄを読み込むＩＤセンサとからなり、ＩＤセンサは移動
中に読み込んだ番地ＩＤを制御ＣＰＵへ送信し、制御Ｃ
ＰＵは送信された番地ＩＤに基づいて上記搬送体の移動
を制御することを特徴とする請求項４に記載の半導体デ
バイスの製造装置。 - 【請求項６】 あらゆる品種に対応する単位工程グルー
プをウエハ基盤の搬送経路に沿って設け、制御ＣＰＵ
が、搬送体の移動過程で必要な単位工程グループだけを
選択することを特徴とする請求項４または５に記載の半
導体デバイスの製造装置。 - 【請求項７】 搬送経路をメイン経路と、このメイン経
路から分岐したブランチ経路とで構成し、上記ブランチ
経路上には、全処理機構の中から特定の処理機構を設置
したことを特徴とする請求項４〜６の何れか１に記載の
半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項８】 ベイ方式など処理機構の配置がランダム
であるランダム単位工程グループを備えたことを特徴と
する請求項１〜７のいずれか１に記載の半導体デバイス
の製造装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185567A JP2974069B2 (ja) | 1997-09-25 | 1998-06-16 | 半導体デバイスの製造装置 |
| AU83062/98A AU707688B2 (en) | 1997-09-25 | 1998-09-02 | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| EP98202983A EP0905745A3 (en) | 1997-09-25 | 1998-09-07 | Semiconductor device manufacting apparatus |
| TW087115219A TW421812B (en) | 1997-09-25 | 1998-09-11 | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| SG9803604A SG102529A1 (en) | 1997-09-25 | 1998-09-11 | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| IDP981244A ID20245A (id) | 1997-09-25 | 1998-09-17 | Aparatus pembuatan peranti semikoduktor |
| KR1019980038615A KR19990029921A (ko) | 1997-09-25 | 1998-09-18 | 반도체 디바이스의 제조장치 |
| CN98124366A CN1214531A (zh) | 1997-09-25 | 1998-09-25 | 半导体器件的制造装置 |
| CA002248524A CA2248524A1 (en) | 1997-09-25 | 1998-09-25 | Semiconductor device manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27829697 | 1997-09-25 | ||
| JP9-278296 | 1997-09-25 | ||
| JP9-348641 | 1997-12-03 | ||
| JP34864197 | 1997-12-03 | ||
| JP10185567A JP2974069B2 (ja) | 1997-09-25 | 1998-06-16 | 半導体デバイスの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224894A JPH11224894A (ja) | 1999-08-17 |
| JP2974069B2 true JP2974069B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=27325580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10185567A Expired - Fee Related JP2974069B2 (ja) | 1997-09-25 | 1998-06-16 | 半導体デバイスの製造装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0905745A3 (ja) |
| JP (1) | JP2974069B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990029921A (ja) |
| CN (1) | CN1214531A (ja) |
| AU (1) | AU707688B2 (ja) |
| CA (1) | CA2248524A1 (ja) |
| ID (1) | ID20245A (ja) |
| SG (1) | SG102529A1 (ja) |
| TW (1) | TW421812B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4508787B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-07-21 | 株式会社日立プラントテクノロジー | 液晶パネルの生産設備 |
| GB0804499D0 (en) * | 2008-03-11 | 2008-04-16 | Metryx Ltd | Measurement apparatus and method |
| JP6123740B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-05-10 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法 |
| HUE065821T2 (hu) | 2019-09-09 | 2024-06-28 | Sturm Maschinen & Anlagenbau Gmbh | Berendezés és eljárás féktárcsák vagy fékdobok réteggel való bevonására |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3845286A (en) * | 1973-02-05 | 1974-10-29 | Ibm | Manufacturing control system for processing workpieces |
| EP0322205A3 (en) * | 1987-12-23 | 1990-09-12 | Texas Instruments Incorporated | Automated photolithographic work cell |
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| JPH05147723A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-15 | Hitachi Ltd | 物流管理システム |
| US5256204A (en) * | 1991-12-13 | 1993-10-26 | United Microelectronics Corporation | Single semiconductor water transfer method and manufacturing system |
| JP3340181B2 (ja) * | 1993-04-20 | 2002-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体の製造方法及びそのシステム |
| JPH08181184A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | 半導体製造ラインの構成方法 |
| JPH0936198A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン |
| JP3774277B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2006-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の搬送方法及び処理システム |
| JPH10144765A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Canon Sales Co Inc | 基板処理システム |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP10185567A patent/JP2974069B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1998-09-07 EP EP98202983A patent/EP0905745A3/en not_active Withdrawn
- 1998-09-11 TW TW087115219A patent/TW421812B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-11 SG SG9803604A patent/SG102529A1/en unknown
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