TWI591750B - 塗布、顯影裝置、塗布、顯影裝置之運轉方法及記憶媒體 - Google Patents

Description

塗布、顯影裝置、塗布、顯影裝置之運轉方法及記憶媒體

本發明，係關於一種包含處理模組之塗布、顯影裝置、塗布、顯影裝置之運轉方法及包含用於該裝置之電腦程式的記憶媒體。

塗布、顯影裝置，於作為基板的半導體晶圓（以下，稱晶圓）上塗布光阻，對經曝光的該光阻進行顯影。此塗布、顯影裝置中，設置多數模組，及於各模組間搬運晶圓的複數搬運臂。在此於裝置內，置放晶圓的位置稱為模組。

將儲存該晶圓的載具搬運到該塗布、顯影裝置後，即就該載具內進行相同處理的所有晶圓，在自載具移出前設定搬運排程。此搬運排程，係決定自載具移出至回到載具之間各晶圓的搬運目的地模組之排程。藉由如此決定搬運的模組，就用於模組間的搬運的各搬運臂，亦在晶圓自載具移出前，決定使用哪一搬運臂。

又，具體說明關於該塗布、顯影裝置即知，設有： 處理區塊，包含進行該光阻塗布處理的光阻塗布模組，及進行顯影處理之顯影模組；及 介面區塊，在曝光裝置與該處理區塊之間搬運晶圓。 該介面區塊中，例如專利文獻1、2所記載，分別設置清洗曝光前晶圓W的處理模組、清洗曝光後晶圓的處理模組。且如專利文獻3所示，介面區塊，有時設置為傳遞晶圓至此等處理模組、處理區塊各部、與曝光裝置，相互堆疊的多數傳遞模組。此時，複數搬運臂分擔進行相對於該多數傳遞模組的搬運。

然而，依上述搬運排程，如該複數搬運臂中一方搬運臂於模組間搬運例如3次期間，另一方搬運臂於模組間搬運例如5次，有時在搬運臂之間搬運程序的數量（進行搬運的次數）會發生差異。又，如此於搬運臂間搬運程序次數發生失衡後，裝置的生產力即有可能被搬運程序次數較多的搬運臂的動作拖累。且為提高該裝置的生產力，業界要求於上述處理模組，晶圓的處理完成後，即迅速地移出處理完成的晶圓，俾可將後續未處理的晶圓搬運到該處理模組，以高效率地利用處理模組。 【先前技術文獻】 【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2010－287686 【專利文獻2】日本專利4584926 【專利文獻3】日本特開2012－199318

【發明所欲解決之課題】

有鑑於上述情事，本發明之目的在於提供一種技術，可提升塗布、顯影裝置的生產力。 【解決課題之手段】

本發明之塗布、顯影裝置， 在自被移入載具區塊的載具取出的基板上，於處理區塊形成包含光阻膜的塗布膜，針對因連接介面區塊的曝光裝置而曝光後的基板，於該處理區塊進行顯影處理，其特徵在於包含： 第1載置模組與第2載置模組，該第1載置模組載置基板，該第2載置模組自該第1載置模組被傳遞基板，並載置該基板；　 第1搬運機構與第2搬運機構，分別自該第1載置模組朝第2載置模組傳遞基板，傳遞基板時選擇其中一方； 第1處理模組及第2處理模組，分別藉由該第1搬運機構與第2搬運機構傳遞基板，以處理基板；及 控制部，輸出控制信號，俾將基板置放於該第1載置模組後，自該第1搬運機構與第2搬運機構中，選擇搬運該基板至第2載置模組的搬運機構，搬運基板； 且該控制部，分別就第1搬運機構與第2搬運機構，求算「起因於搬運該基板至第2載置模組，而導致自第1處理模組或第2處理模組移出基板的時間延後的延遲時間」，選擇該延遲時間較短的搬運機構。 【發明之效果】

依本發明，設置分別自第1載置模組朝第2載置模組傳遞基板，此傳遞時選擇其中一方的第1搬運機構與第2搬運機構，此選擇中，求算「起因於搬運基板至第2載置模組，而導致自第1處理模組或第2處理模組移出基板的時間延後的延遲時間」，選擇此延遲時間較短的搬運機構。如此依基板的搬運狀況決定搬運機構，故可防止為朝該第2載置模組搬運而持續使用第1搬運機構與第2搬運機構中一方的搬運機構。因此，可抑制於搬運機構間搬運程序次數的失衡。且可抑制第1處理模組及第2處理模組中，已可搬運的基板滯留的時間。其結果，可提升塗布、顯影裝置的生產力。

使用圖1～圖3說明關於依本發明實施形態之塗布、顯影裝置1。圖1、圖2、圖3分別係塗布、顯影裝置1的俯視圖、立體圖、概略縱剖側視圖。塗布、顯影裝置1，呈直線狀連接構成載具區塊D1、多目的區塊D2、處理區塊D3、與介面區塊D4。介面區塊D4，更連接曝光裝置D5。以下說明中，區塊D1～D4的排列方向係左右方向，與此排列方向垂直的水平方向係前後方向。

載具區塊D1，具有將：包含複數片作為基板的晶圓W的載具C，相對於塗布、顯影裝置1內移入移出的任務，包含：載具C的載置台11、開合部12、與用來經由開合部12自載具C搬運晶圓W的搬運臂13。

多目的區塊D2中，依下列順序，沿前後方向設置：塔部T1、搬運臂14、與塔部T2。塔部T1設於區塊D2之前後的中央部，包含相互堆疊的載置模組SCPL1～SCPL3、TRS1～TRS3。記載為SCPL及後述ICPL的載置模組中，對載置晶圓W的平台供給冷卻水，調節該晶圓W的溫度。藉由塔部T1的載置模組SCPL、TRS，可於載具區塊D1，與處理區塊D3之間傳遞晶圓W。塔部T2中，堆疊設置疏水化處理晶圓W表面的疏水化處理模組ADH1～ADH4。搬運臂14，可在塔部T1及T2所包含的各模組間傳遞晶圓W。

處理區塊D3內，於此例中，自下而上依序堆疊構成對晶圓W進行液體處理的第1～第3單位區塊E1～E3。第1單位區塊E1，係用來進行形成光阻膜的處理的區塊。第2單位區塊E2，係用來進行在該光阻膜上形成保護膜的處理的區塊。第3單位區塊E3，係用來使於曝光裝置D5曝光的光阻膜顯影，於該光阻膜形成光阻圖案的區塊。

單位區塊中，作為代表說明關於圖1所示的第1單位區塊E1。順著自多目的區塊D2朝介面區塊D4之直線形搬運區域15，沿左右方向配置棚架單元16A～16D。1個棚架單元16中可堆疊模組，此例中，棚架單元16A～16D包含對晶圓W進行加熱的加熱模組PAB1～PAB5。設置作為液體處理模組的光阻塗布模組COT1～COT3，夾隔著搬運區域15與棚架單元16A～16D對向，分別對晶圓W供給光阻，形成光阻膜。以下，就該前後方向，設置該棚架單元16A～16D的一側稱為後方側，設置液體處理模組的一側稱為前方側而說明之。

該搬運區域15中設置搬運臂F1，可在該加熱模組PAB1～PAB5、該光阻塗布模組COT1～COT3、及該塔部T1及後述塔部T3中位於與單位區塊E1相同高度的載置模組之間，搬運晶圓W。

第2單位區塊E2，作為液體處理模組不設置光阻塗布模組COT1～COT3，而設置保護膜形成模組ITC1～ITC3，其餘部分與第1單位區塊E1相同。圖3中，相當於搬運臂F1的搬運臂以F2表示。並且，設於該單位區塊E2的加熱模組，有時以PAB11～PAB15表示。

第3單位區塊E3，作為液體處理模組不設置光阻塗布模組COT1～COT3，而設置顯影模組DEV1～DEV4，其餘部分與第1單位區塊E1相同。圖3中，相當於搬運臂F1的搬運臂以F3表示。並且，設於該單位區塊E3的加熱模組，有時以PEB1～PEB5表示。搬運臂F1～F3，係在介面區塊D4與處理區塊D2之間，傳遞晶圓W的移載機構。

接著，參照圖4的側視圖，同時說明關於介面區塊D4。介面區塊D4中，於前後的中央部具有塔部T3。塔部T3中，堆疊設置載置模組TRS11～TRS15、SBU1、SBU2、ICPL1、ICPL2及SCPL11～SCPL15。標示為SBU的載置模組中，可載置複數片晶圓W。且於塔部T3的後方側，上下堆疊設置作為第1堆疊體的背面清洗模組BST1、BST2。此背面清洗模組BST，以刷子清洗曝光前的晶圓W背面。於塔部T3的前方側，上下堆疊設置作為第2堆疊體的曝光後清洗模組PIR1、PIR2。此曝光後清洗模組PIR，對曝光後的晶圓W表面供給清洗液，進行清洗處理並去除保護膜。

且介面區塊D4中，設置第1搬運臂21及第2搬運臂22。第1搬運臂21及第2搬運臂22，包含：昇降部31、可在昇降部31上繞著垂直軸任意旋轉的旋轉台32、可在旋轉台32上任意進退的晶圓固持部33。圖中34，係昇降部31的導件。第1搬運臂21，設於：曝光後清洗模組PIR1、PIR2的堆疊體與構成塔部T3的載置模組群組之間，可在此等模組間傳遞晶圓W。第2搬運臂22，設於：背面清洗模組BST1、BST2的堆疊體與構成塔部T3的載置模組群組之間，可在此等模組間傳遞晶圓W。亦即，介面區塊D4，呈第1搬運臂21及第2搬運臂22雙方可對構成塔部T3的各載置模組進行存取的佈局。又，呈僅第1搬運臂21可對曝光後清洗模組PIR1、PIR2進行存取，僅第2搬運臂22可對背面清洗模組BST1、BST2進行存取的佈局。

並且，於介面區塊D4設置第3搬運臂23。第3搬運臂23，相對於例如塔部T3設於曝光裝置D5側，與搬運臂21、22構成相同，可在曝光裝置D5與設於塔部T3的載置模組ICPL1、ICPL2、TRS13、TRS14之間傳遞晶圓W。

塗布、顯影裝置1中，設置控制部3。控制部3係電腦，包含程式、記憶體、CPU所構成的資料處理部等。該程式如後述，對各搬運臂發送控制信號，控制其動作，俾根據晶圓W的搬運路徑，設定「定義模組間的搬運路徑的搬運排程」，按照此搬運排程搬運晶圓W。此外，該程式，按照後述流程決定使用的搬運臂，且控制各模組中晶圓W的處理動作。該程式，由電腦的記憶媒體，例如軟碟、光碟、硬碟、MO（磁光碟）及記憶卡等記憶媒體儲存，安裝於控制部3。

圖5的表，表示上述塗布、顯影裝置1中晶圓W的搬運路徑。此搬運路徑，係指定「表示塗布、顯影裝置1內的搬運順序的STEP、各STEP的模組的類別、及相對於各STEP的模組移入及移出晶圓W而分別使用的搬運臂」的資料，在開始搬運晶圓W前，預先由控制部3記憶。

又，就藉由如此指定搬運路徑，來自載具C的搬運順序相同，且處理的類別彼此相同的複數模組，有時標示為多重模組。此多重模組中，亦包含僅載置晶圓的載置模組。舉例而言，背面清洗模組BST1、BST2彼此構成多重模組，載置模組SCPL1～SCPL3彼此構成多重模組。搬運晶圓W至構成相同多重模組的模組其中之一。搬運路徑中，關於就多重模組中的哪一模組搬運，並不指定。搬運排程，係指定晶圓W的搬運目的地模組之排程，亦指定就多重模組內的哪一模組進行搬運。

圖5的搬運路徑中，在STEP7、8，由載置模組TRS朝SCPL之搬運所使用的搬運臂以臂群組表示。此臂群組，係以上述第1搬運臂21及第2搬運臂22構成的群組，藉由此搬運路徑指定以搬運臂21、22中任一方由載置模組TRS往載置模組SCPL搬運。於後詳述關於在此臂群組內使用的搬運臂的決定順序。

並且，控制部3按照自各模組發送的信號，可認知各模組中有無晶圓W，且可預測：各模組的晶圓W自目前至可搬運為止的時間。並且，控制部3，可認知搬運臂的搬運進行狀態。具體而言，可認知：係搬運晶圓W中，還是未進行搬運而呈待命狀態（閒置狀態）。此外，可取得：自搬運臂的現在位置至特定模組的移動距離，及預測的移動時間。

圖6，示意表示按照上述搬運路徑進行之塗布、顯影裝置1內晶圓W的搬運流程，相對於使用的每一搬運臂，以框包圍表示模組。以下說明關於此搬運流程，載具C置於載置台11後，即依搬運臂13 → 塔部T1的載置模組TRS1 → 搬運臂14 → 疏水化處理模組ADH1～ADH4的順序搬運晶圓W，使晶圓W接受疏水化處理。

依塔部T1的載置模組SCPL1～SCPL3 → 搬運臂F1 → 光阻塗布模組COT1～COT3的順序搬運疏水化處理後的晶圓W，而形成光阻膜。其後，依搬運臂F1 → 加熱模組PAB1～PAB5 → 塔部T3的載置模組TRS11 → 第1搬運臂21或第2搬運臂22 → 載置模組SCPL11～SCPL13 → 搬運臂F2 → 保護膜形成模組ITC1～ITC3的順序搬運晶圓W，於光阻膜的上層形成保護膜。

依搬運臂F2 → 加熱模組PAB11～PAB15 → 搬運臂F2 → 塔部T3的載置模組TRS12 → 第2搬運臂22 → 載置模組SBU1～SBU2 → 第2搬運臂22 → 背面清洗模組BST1～BST2的順序搬運形成該保護膜的晶圓W，接受背面清洗處理。然後，依第2搬運臂22 → 塔部T3的載置模組ICPL1～ICPL2 → 第3搬運臂23 → 曝光裝置D5的順序搬運晶圓W，光阻膜依預定圖案被曝光。

依第3搬運臂23 → 塔部T3的載置模組TRS13～TRS14 → 第1搬運臂21 →曝光後清洗模組PIR1、PIR2的順序搬運曝光後的晶圓W，接受曝光後清洗處理。依第1搬運臂21 → 塔部T3的載置模組TRS15 → 搬運臂F3 → 加熱模組PEB1～PEB5 → 搬運臂F3 → 塔部T3的載置模組SCPL14～SCPL15 →搬運臂F3 → 顯影模組DEV1～DEV4的順序搬運清洗處理過的晶圓W，進行顯影處理。依搬運臂F3 → 塔部T1的載置模組TRS2 → 搬運臂14 → 塔部T1的載置模組TRS3 → 搬運臂13 → 載具C的順序搬運顯影處理後的晶圓W。依上述順序，以「後面由載具C移出者，不超前先前移出載具C者」的方式，逐一搬運晶圓W。

此塗布、顯影裝置1中，緊接在「由載具C移出晶圓W」前，控制部3就該晶圓W，設定：指定搬運目的地的搬運排程。亦即，就每一晶圓W，於不同時間設定搬運排程。在此設定的搬運排程，僅設定關於晶圓W通過的區塊，及載具C的下一個，晶圓W被搬運的模組（亦即，載置模組TRS1）。

圖7的表，表示如此設定的搬運排程。圖7的搬運排程中，作為一例表示之A1，表示進行處理的類別「A」的第1片晶圓W。接下來，與此A1相同，有時會以處理的類別與編號表示晶圓W。在STEP2，雖決定晶圓A1如上述搬運到載置模組TRS1，但STEP3以後的STEP未決定晶圓A1被搬運的模組，故於圖7的表中，對應的欄位未記載模組。而且，如此設定搬運排程時，就該臂群組內使用的搬運臂而言，亦尚未決定。

按照此搬運排程搬運晶圓A1時，於各區塊內的模組間的搬運排程，於該晶圓A1的搬運中，對應其他晶圓W的搬運狀況，由控制部3決定。而且，於臂群組內，就為由載置模組TRS11往SCPL11～13搬運晶圓A1而使用的搬運臂而言，對應其他晶圓W的搬運狀況及搬運臂21、22的動作狀況，由控制部3決定。

接著，參照圖8進行說明，圖8係以控制部3控制各搬運臂的動作的流程圖。此流程表示：決定圖5中是否「自一STEP指定的類別之模組，朝下一STEP指定的類別之模組，搬運晶圓W」的順序。

首先，判定是否「可自一模組（搬運來源模組），使用由該搬運路徑指定的搬運臂，移出晶圓W」（程序S1）。判定可移出後，即就被指定為：自此搬運來源模組，以該搬運臂進行搬運的模組（搬運目的地候選模組），判定是否有該晶圓W可搬運的模組（程序S2）。亦即，搬運目的地候選模組並非多重模組，而係單一模組時，就該單一模組判定是否可搬運，搬運目的地候選模組係多重模組時，判定是否可搬運到該多重模組中之任一模組。

於程序S2，判定搬運目的地候選模組中有可搬運的模組時，決定該可搬運的模組為晶圓W的搬運目的地模組（程序S3）。亦即，決定晶圓W的搬運排程。關於此程序S2、S3，搬運目的地候選模組係多重模組時，是否決定多重模組中的某一模組作為搬運目的地模組，於後詳述。

決定搬運目的地模組後，接著，判定由搬運來源模組往搬運目的地模組搬運晶圓W的搬運臂，是否係臂群組（程序S4）。就程序S4，判定係臂群組時，決定以臂群組中，哪一搬運臂進行搬運（程序S5）。於後詳細說明關於此程序S5。

又，判定「進行搬運的搬運臂是否已決定」（程序S6），判定已決定時，使用如此決定的搬運臂，由搬運來源模組朝程序S3所決定的搬運目的地模組搬運晶圓W（程序S7）。如此搬運晶圓W時，如同以圖5、圖6所說明者，搬運來源模組係載置模組TRS11，搬運目的地模組係載置模組SCPL11～SCPL13中任一者，以搬運臂21或22中經決定的搬運臂進行搬運。

於該程序S4，判定「往搬運目的地模組搬運晶圓W的搬運臂非臂群組」時，判定「自該搬運來源模組搬運可移出的晶圓W之搬運臂，是否正在搬運其他晶圓W」（程序S8）。於程序S8，判定非正在進行搬運時，決定以該搬運臂由搬運來源模組往搬運目的地模組搬運晶圓W（程序S9）。其後，進行該程序S7，往搬運目的地模組搬運晶圓W。

於程序S1判定無法由搬運來源模組移出晶圓W時；於程序S2判定無可搬運的模組時；於程序S6判定尚未決定搬運臂時；於程序S8判定由搬運來源模組搬運可移出的晶圓W之搬運臂，正在搬運其他晶圓W時，不由搬運來源模組搬運晶圓W（程序S10）。為了迅速進行此一連串程序S1～S10，搬運目的地模組的決定，與搬運目的地模組係由臂群組所搬運的模組時，該臂群組中使用的搬運臂的決定，此兩項決定在大致相同時間進行。

參照詳細揭示之圖9的流程圖，說明關於上述程序S4中搬運臂是否係臂群組的判定程序，及程序S5中決定搬運晶圓W的搬運臂的順序。首先，判定對「可移出晶圓W的搬運來源模組」及「相對於此搬運來源模組的搬運目的地模組」皆可進行存取的搬運臂是否設置2個以上（程序T1）。此程序T1，係該程序S4之另一說法，判定由搬運來源模組往搬運目的地模組進行搬運的搬運臂，是否係臂群組。

於程序T1，若判定未設置2個以上可對搬運來源模組及搬運目的地模組進行存取的搬運臂，即判定可由搬運來源模組往搬運目的地模組進行存取的唯一搬運臂，是否正在搬運晶圓W（程序T2）。於程序T2，判定並非正在搬運時，決定以該搬運臂由搬運來源模組往搬運目的地模組進行搬運（程序T3）。於程序T2判定正在搬運時，如圖的流程所示，重複實施程序T2。

於程序T1，若判定設置2個以上可對搬運來源模組及搬運目的地模組進行存取的搬運臂，即以如此設置之2個以上的搬運臂作為搬運候選臂，由該搬運候選臂，偵測可進行搬運的臂（程序T4）。所謂可進行搬運的臂，係指處於閒置狀態，亦即目前未在進行晶圓W的搬運，處於靜止的待命狀態之搬運臂。無可進行搬運的臂時，至可進行搬運的臂出現為止，重複進行此程序T4。又，判定偵測到的搬運候選臂是否有2個以上（程序T5），判定無2個以上時，進行上述程序T3。亦即，決定：以可進行搬運的搬運候選臂，由搬運來源模組往搬運目的地模組搬運晶圓W。

至此的流程中，具體描述關於該程序T1，吾人可知：塗布、顯影裝置1中，如同以圖5、圖6所說明，晶圓W的搬運來源模組係載置模組TRS11，搬運目的地模組係載置模組SCPL11～SCPL13中任一者時，設定搬運路徑，俾第1搬運臂21、第2搬運臂22可對此等模組進行存取。因此，可由此載置模組TRS11以外的模組搬運晶圓W，該模組係晶圓W的搬運來源模組時，於程序T1，判定未設置2個以上對搬運來源模組及搬運目的地模組皆可進行存取的搬運臂。可由載置模組TRS11移出晶圓W，該載置模組TRS11係搬運來源模組時，於此程序T1，判定設置2個以上可進行存取的搬運臂。

具體描述程序T1後接著進行的程序T4、T5、T3的流程。程序T4中，第1搬運臂21及第2搬運臂22，係該搬運候選臂，偵測此等搬運臂21、22中可進行搬運的臂（程序T4）。又，判定偵測到的是搬運臂21、22之任一方，還是雙方（程序T5）。若係任一方，即決定使用該一方搬運臂，由載置模組TRS11往載置模組SCPL11～SCPL13中的1個SCPL搬運晶圓W（程序T3）。若係雙方，即進行後述步驟T6。

於該程序T5，若判定有2個以上可進行搬運的搬運候選臂，即於此等2個以上搬運候選臂中，判定「由搬運來源模組往搬運目的地模組搬運晶圓W時，於搬運中，由進行搬運的搬運候選臂，預定進行搬運的晶圓W不存在者係有或無」（程序T6）。進一步詳細描述，以一搬運候選臂往該搬運目的地模組搬運晶圓W時，判定：於搬運時，「可由『設定以一搬運候選臂移出晶圓W的處理模組』移出的晶圓W」是否存在。針對每一搬運候選臂，判定是否有這樣的晶圓W存在。就任一搬運候選臂，若無這樣的晶圓W，該程序T6即判定相當的搬運候選臂存在。就全部搬運候選臂，若有這樣的晶圓W，該程序T6即判定相當的搬運候選臂不存在。

程序T6中，判定有相當的搬運候選臂，且有2個以上該搬運候選臂時，就各搬運候選臂，計算各搬運臂由處於待命狀態的位置至搬運來源模組的移動距離（程序T7）。又，決定以「到搬運來源模組的移動時間最短的搬運候選臂」，由搬運來源模組往搬運目的地模組進行搬運（程序T8）。該程序T7中，亦可不計算該移動距離，代之以「由處於待命狀態的各搬運候選臂的位置到搬運來源模組的移動時間」，以移動時間最短的搬運候選臂進行搬運。且於該程序T6，相當的搬運候選臂僅1個時，決定「使用此搬運候選臂由搬運來源模組往搬運目的地模組進行搬運」。

參照作為具體例的圖10說明關於程序T6～程序T8的流程。例如晶圓A15可由作為搬運來源模組的載置模組TRS11移出。第1搬運臂21及第2搬運臂22，未在搬運晶圓W，分別於圖中實線所示的位置待命，呈於程序T5判定有2個以上搬運候選臂的狀態。且決定：載置模組TRS11的搬運目的地模組為載置模組SCPL11。

由此狀態，假設第1搬運臂21由載置模組TRS11往載置模組SCPL11搬運晶圓A15時，判定：此搬運中，於「設定以第1搬運臂21移出晶圓W」的曝光後清洗模組PIR1、PIR2，是否存在可移出的晶圓W。且假設第2搬運臂22由載置模組TRS11往載置模組SCPL11搬運晶圓W時，判定：此搬運中，於「設定以第2搬運臂22移出晶圓W的載置模組TRS12、載置模組SBU1、SBU2、及背面清洗模組BST1、BST2」，是否存在可移出的晶圓W。在此就第1搬運臂21、第2搬運臂22，皆判定：不存在可如此移出的晶圓W（程序T6）。

藉由如此判定，就第1搬運臂21、第2搬運臂22，分別計算：到載置模組TRS11的移動距離（程序T7）。如圖10所示，第2搬運臂22到載置模組TRS11的移動距離較短。因此，決定以第2搬運臂22，由載置模組TRS11搬運晶圓A15（程序T8），如虛線所示，第2搬運臂22為了接受晶圓A15而往載置模組TRS11移動。

回到圖9的流程，說明關於在程序T6判定不存在相當的搬運候選臂的情形。此時，亦即，無論使用哪一搬運候選臂往該搬運目的地模組搬運晶圓W，於搬運中，在搬運來源模組以外的模組，可以該搬運中的搬運候選臂移出的晶圓W存在的情形是有的。

此時，針對每一搬運候選臂，計算：因為由搬運來源模組搬運晶圓W，造成「在搬運該晶圓W時，開始搬運可搬運的其他晶圓W的延遲時間」（程序T9）。在此所謂的延遲時間，係自「於模組可移出晶圓W的時點」，到「以搬運臂實際由該模組移出該晶圓W的時點」之時間，所謂模組之待命時間。又，決定「搬運候選臂中，此延遲時間最短的搬運臂，為：由搬運來源模組搬運晶圓W的臂」（程序T10）。以上說明的T2～T10各程序，相當於圖8的流程之程序S5。

舉具體例說明關於程序T6、T9、T10的流程。圖11所示的例中，與圖10的例相同，於載置模組TRS11載置晶圓A15，可自該TRS11移出晶圓A15。又，第1搬運臂21及第2搬運臂22呈待命狀態，上述程序T5中，搬運候選臂呈有2個以上的狀態。且與圖10的例相同，決定由TRS11往SCPL11搬運晶圓A15。

不過，異於以圖10說明的例，圖11所示的例中，往背面清洗模組BST2搬運晶圓A12，往曝光後清洗模組PIR1搬運晶圓A5。以第2搬運臂22，往載置模組SCPL11搬運晶圓A15時，於搬運時，可由背面清洗模組BST2移出晶圓A12。以第1搬運臂21，往載置模組SCPL11搬運晶圓A15時，於搬運時可由背面清洗模組BST2移出晶圓A5。亦即，於程序T6判定：相當的搬運臂不存在。

此時，計算：關於晶圓A5及晶圓A12之該搬運延遲時間。參照示意表示此延遲時間的計算方法之圖12說明。首先，分別求算：以第1搬運臂21往載置模組SCPL11搬運晶圓A15所需的時間（K1）；以第2搬運臂22往載置模組SCPL11搬運晶圓A15所需的時間（K2）。在此，K1為6秒，K2為5秒。

又，分別求算：計算搬運延遲時間的時點，亦即可由載置模組TRS11移出晶圓W的時點，到於曝光後清洗模組PIR1可移出晶圓A5的時間（L1）、於背面清洗模組BST2可移出晶圓A12的時間（L2）。在此，L1為4秒，L2為2秒。又，就晶圓A5，計算：該晶圓A5可由曝光後清洗模組PIR1移出起，到開始移出的搬運延遲時間（K1－L1＝2秒）。同樣地，就晶圓A12，計算：該晶圓A12可由背面清洗模組BST2移出起，到開始移出的搬運延遲時間（K2－L2＝3秒）（程序T9）。

又，就算出的延遲時間，決定以較短之一方的搬運臂進行搬運。此時，以第1搬運臂21搬運晶圓A15一方的延遲時間較短，故決定以該第1搬運臂21由載置模組TRS11往SCPL11搬運晶圓A15（程序T10）。

為了說明：如上述，根據搬運延遲時間決定搬運臂的理由，先進一步說明關於介面區塊D4的構成。該介面區塊D4中，為傳遞晶圓W到處理區塊D3的各單位區塊E，載置模組配合各單位區塊E的高度而堆疊成複數段。依於此等載置模組間進行搬運，及於介面區塊D4內有限的空間配置許多處理模組，以提高裝置的生產效率之目的，如已述，於載置模組的塔部T3前後配置搬運臂21、22，且分別前後配置「堆疊的複數曝光後清洗模組PIR與堆疊的複數背面清洗模組BST」，以包夾搬運臂21、22。

如上述配置模組及搬運臂，就塔部T3的載置模組，搬運臂21、22雖可共通地進行存取，但如同先前技術的項目所述，搬運臂21、22的搬運程序次數若失衡，即無法提高裝置的生產力。亦即，就搬運臂21、22可共通地進行存取的載置模組而言，相較於「在此等載置模組間僅以搬運臂21、22之任一方進行搬運」的設定，對應晶圓W的搬運狀況而決定使用搬運臂21、22中的哪一個進行搬運更佳。

且即使可抑制搬運臂21、22間搬運程序次數的失衡，若不由各處理模組迅速移出處理完成的晶圓W，即無法搬運後續的晶圓W至該處理模組，而無法使裝置的生產力充分地提高。在此，如上述，根據搬運延遲時間決定使用上述搬運臂21、22中的何者搬運，抑制於處理模組內處理完成的晶圓W長期滯留。亦即，藉由於介面區塊D4內如上述設定模組及搬運臂的佈局，及進行控制，以根據搬運延遲時間決定搬運臂21、22中使用的臂，兩者的相乘作用，可提升裝置的生產效率。又，如上述分別堆疊設置複數曝光後清洗模組PIR及背面清洗模組BST係有效，亦可一座一座地逐一設置。

接著，說明關於圖8的程序S1～S3中搬運目的地模組的決定。就介面區塊D4內各模組，決定搬運目的地模組，設定搬運排程，俾搬運晶圓W到一模組（前段模組）後，即根據前述的搬運路徑，搬運晶圓W到下一STEP的模組。說明關於該下一STEP的模組係多重模組的情形。於多重模組預先設定模組編號。

就搬運到前段模組的各晶圓W進行該程序S1～S2時，於該多重模組不存在先到的晶圓W時，對每一晶圓W實施程序S3，俾自多重模組中該模組編號較小的模組起，依序、循環地搬運晶圓W。例如，由該載置模組TRS11往載置模組SCPL1～SCPL3搬運晶圓A1～A5時，無論在此晶圓A1～A5可由載置模組TRS11搬運的任何時候，先到SCPL1～SCPL3的晶圓W不存在時，皆依SCPL1 → SCPL2 → SCPL3 → SCPL1 → SCPL2的順序，循環地搬運晶圓A1～A5。

且進行該程序S1～S2時，多重模組中晶圓W不存在的模組僅有1個時，於程序S3決定晶圓W的搬運目的地，俾由前段模組搬運晶圓W到該晶圓W不存在的模組。具體而言，例如，如圖13所示，由該載置模組TRS11可移出晶圓A5時，載置模組SCPL11～SCPL13中，於SCPL11晶圓W不存在，於SCPL12、SCPL13晶圓W存在時，決定搬運該晶圓A5至SCPL11。

且於多重模組，晶圓W不存在的模組有複數個時，搬運到晶圓W不存在的模組中編號較小的模組。圖14的例中，表示於SCPL12、SCPL13皆不存在晶圓W，決定搬運TRS11的晶圓A5到編號較小的SCPL12的例。

此外，多重模組中全部皆已被搬運晶圓W，無法往該多重模組搬運時，則不依前述程序S2、S10決定搬運目的地，而擱置來自前段模組的搬運目的地之決定，至多重模組中出現可移入晶圓W的模組為止。圖15中作為具體例，表示載置模組SCPL11～SCPL13全部皆已被搬運晶圓W，而擱置TRS11的晶圓A5搬運的例。惟就對晶圓W進行處理的處理模組，於該處理模組內可移出處理中的晶圓W之時刻若逼近，即輸出既定的信號。因此，處理模組係多重模組，多重模組內所有的模組皆已被搬運晶圓W時，根據該信號決定搬運目的地。圖16，表示晶圓A1、A2雖皆被搬運到曝光後清洗模組PIR1、PIR2而進行處理，但自PIR1輸出該信號，決定TRS13的晶圓A3的搬運目的地為該PIR1的例。移出晶圓A1後，搬運晶圓A3至PIR1。

接著，說明關於搬運目的地之多重模組如SBU係可移入複數晶圓W的模組的情形。僅可搬運晶圓W至1個SBU，無法搬運晶圓W至其他SBU時，決定搬運目的地，俾搬運晶圓W至可搬運到的SBU。圖17中，表示自TRS12搬運晶圓W時，因SBU1已滿而無法搬運晶圓W，故決定搬運該晶圓W至SBU2的例。可搬運晶圓W至複數SBU時，決定搬運晶圓W到編號較小的SBU。作為具體例的圖18中，表示SBU1、SBU2皆可接受晶圓W，故決定搬運TRS12的晶圓W至SBU1的例。且無論如何皆無法搬運晶圓W至任一SBU時，擱置來自前段模組的搬運目的地的決定。作為具體例的圖19中，表示晶圓W於SBU1、SBU2中皆已滿，故擱置TRS12的晶圓W之搬運的例。

關於其他區塊中搬運排程之設定亦簡單說明。載具區塊D1及多目的區塊D2中，以與介面區塊D3相同的規則設定搬運排程。關於處理區塊D3中的單位區塊E1～E3，若可自作為單位區塊入口的載置模組搬運晶圓W，即就單位區塊E內搬運臂F進行存取的模組，決定搬運目的地，設定該單位區塊E內之該晶圓W的搬運排程。亦即，例如單位區塊E1中，可由載置模組SCPL1～SCPL3移出晶圓W時，依前述程序S1～S3，決定搬運目的地，俾搬運到COT中任一者、PAB中任一者、作為單位區塊E1出口的TRS11。在此，就各多重模組決定，俾晶圓W於該單位區塊E1內的處理迅速完成。如此，於各區塊在晶圓W的搬運中依序設定搬運排程。

依此塗布、顯影裝置1，根據搬運臂21、22的使用狀況，每當欲由此等搬運臂21、22皆可進行存取的載置模組TRS11搬運晶圓W時，即決定使用哪一搬運臂搬運晶圓W。藉此，預先決定第1搬運臂21、第2搬運臂22中任一者由載置模組TRS11搬運晶圓W，相較於持續使用該搬運臂，可抑制於第1搬運臂21與第2搬運臂22之間搬運程序次數的失衡。又，進行此決定，俾抑制於搬運臂21、22可進行存取的模組內，自模組移出晶圓W的延遲時間。作為其結果，可提升塗布、顯影裝置1的生產效率。

而且，由載置模組TRS11可搬運晶圓W時，當分別以第1搬運臂21、第2搬運臂22搬運該晶圓W時，若判定：以第1搬運臂21、第2搬運臂22進行搬運的晶圓W不存在的話，即根據第1搬運臂21及第2搬運臂22各位置，決定搬運該晶圓W的搬運臂。藉此，能使用「可更快地對載置模組TRS11進行存取的搬運臂」，自該TRS11移出晶圓W。因此，可抑制該搬運程序次數，並更確實地提升塗布、顯影裝置1的生產力。

且針對每一晶圓W，於晶圓W的搬運中決定多重模組的搬運目的地，設定於模組間的晶圓W之搬運排程。因此，由載具C移出前就所有晶圓W而言，相較於設定「指定搬運路徑中各STEP之所有模組的搬運排程」的情形，即使例如構成該多重模組的一模組無法使用，亦可防止搬運排程大幅變更。搬運排程的變更太大的話，為再度重新設定搬運排程需耗費時間，如此重新設定的期間內無法搬運晶圓W，故可防止「在塗布、顯影裝置1這種晶圓W搬運停止」的情形。因此，可提升塗布、顯影裝置1內的處理能力。

上述例中，亦可就自例如載置模組TRS12朝SBU1、SBU2的搬運亦以臂群組進行，如同圖9的流程所說明，適當決定用於搬運的搬運臂。且以臂群組進行搬運的位置雖係介面區塊，但亦可構成塗布、顯影裝置，俾於例如多目的區塊D2以臂群組搬運。具體而言，於塔部T1的前方側設置與搬運臂14相同的搬運臂（為前方側臂），於其更前方側設置堆疊複數處理模組的塔部。作為此處理模組，例如與設於多目的區塊D2前方側的模組相同，係疏水化處理模組ADH，可以前方側臂進行存取。又，前方側臂、搬運臂14係臂群組。藉由該臂群組，由圖6所示的載置模組TRS2往TRS3進行搬運，藉由搬運臂14及前方側臂，自其分別負責搬運的ADH模組往載置模組SCPL1～SCPL3進行搬運。又，至此所述的處理模組中，亦包含檢查晶圓W的檢查模組。

1‧‧‧塗布、顯影裝置
21‧‧‧第1搬運臂
22‧‧‧第2搬運臂
3‧‧‧控制部
BST‧‧‧背面清洗模組
C‧‧‧載具
D1‧‧‧載具區塊
D2‧‧‧多目的區塊
D3‧‧‧處理區塊
D4‧‧‧介面區塊
TRS、SCPL、SBU‧‧‧載置模組
PIR‧‧‧曝光後清洗模組
W‧‧‧晶圓

【圖1】係依本發明之塗布、顯影裝置的俯視圖。 【圖2】係該塗布、顯影裝置的立體圖。 【圖3】係該塗布、顯影裝置的概略縱剖側視圖。 【圖4】係設於該塗布、顯影裝置之介面區塊的側視圖。 【圖5】係表示設定於該塗布、顯影裝置的搬運路徑的表。 【圖6】係表示該搬運路徑造成的晶圓的流程之路線圖。 【圖7】係表示製作中的搬運排程的表。 【圖8】係表示塗布、顯影裝置之控制部的判定程序的流程圖。 【圖9】係表示塗布、顯影裝置之控制部的判定程序的流程圖。 【圖10】係表示該介面區塊中搬運機構的動作之說明圖。 【圖11】係表示該介面區塊中晶圓的搬運狀況之說明圖。 【圖12】係用來說明關於晶圓搬運延遲時間之示意圖。 【圖13】係表示多重模組中晶圓的搬運規則之說明圖。 【圖14】係表示多重模組中晶圓的搬運規則之說明圖。 【圖15】係表示多重模組中晶圓的搬運規則之說明圖。 【圖16】係表示多重模組中晶圓的搬運規則之說明圖。 【圖17】係用來說明關於晶圓搬運延遲時間之示意圖。 【圖18】係表示多重模組中晶圓的搬運規則之說明圖。 【圖19】係表示多重模組中晶圓的搬運規則之說明圖。

21‧‧‧第1搬運臂

22‧‧‧第2搬運臂

Claims (8)

1. 一種塗布、顯影裝置，在自被移入載具區塊的載具取出的基板上，於處理區塊形成包含光阻膜的塗布膜，針對因連接介面區塊的曝光裝置而曝光後的基板，於該處理區塊進行顯影處理，其特徵在於包含：第1載置模組與第2載置模組，該第1載置模組載置基板，該第2載置模組自該第1載置模組被傳遞基板，並載置該基板；第1搬運機構與第2搬運機構，分別自該第1載置模組朝第2載置模組傳遞基板，傳遞基板時選擇其中一方；第1處理模組及第2處理模組，分別藉由該第1搬運機構與第2搬運機構傳遞基板，以處理基板；及控制部，輸出控制信號，俾將基板置放於該第1載置模組後，自該第1搬運機構與第2搬運機構中，選擇搬運該基板至第2載置模組的搬運機構，搬運基板；且該控制部，分別就第1搬運機構與第2搬運機構，求算「起因於搬運該基板至第2載置模組，而導致自第1處理模組或第2處理模組移出基板的時間延後的延遲時間」，選擇該延遲時間較短的搬運機構，其中，若無「起因於將該第1載置模組的基板搬運到第2載置模組，而導致自第1處理模組及第2處理模組移出基板的時間延後的基板」，該控制部，即選擇第1搬運機構與第2搬運機構中，可較快地自第1載置模組移出基板的搬運機構。
2. 一種塗布、顯影裝置，在自被移入載具區塊的載具取出的基板上，於處理區塊形成包含光阻膜的塗布膜，針對因連接介面區塊的曝光裝置而曝光後的基板，於該處理區塊進行顯影處理，其特徵在於包含：第1載置模組與第2載置模組，該第1載置模組載置基板，該第2載置模組自該第1載置模組被傳遞基板，並載置該基板；第1搬運機構與第2搬運機構，分別自該第1載置模組朝第2載置模組傳遞基板，傳遞基板時選擇其中一方；第1處理模組及第2處理模組，分別藉由該第1搬運機構與第2搬運機構傳遞基板，以處理基板；及控制部，輸出控制信號，俾將基板置放於該第1載置模組後，自該第1搬運機構與第2搬運機構中，選擇搬運該基板至第2載置模組的搬運機構，搬運基板；且該控制部，分別就第1搬運機構與第2搬運機構，求算「起因於搬運該基板至第2載置模組，而導致自第1處理模組或第2處理模組移出基板的時間延後的延遲時間」，選擇該延遲時間較短的搬運機構，其中，沿上下配置該第1載置模組與第2載置模組，該第1搬運機構與第2搬運機構，包夾該第1載置模組與第2載置模組之排列而配置於兩側。
3. 如申請專利範圍第1或2項之塗布、顯影裝置，其中 該處理區塊，包含堆疊體，該堆疊體將包含第1單位區塊與第2單位區塊之複數單位區塊沿上下堆疊，該單位區塊，包含：複數處理模組，用來在曝光前的基板上形成塗布膜，或對曝光後的基板進行顯影處理；及移載機構，沿自載具區塊觀察，朝內側延伸之直線搬運路徑移動，在該複數處理模組之間移載基板；且分別對應該第1單位區塊與第2單位區塊，相互沿上下設置該第1載置模組與第2載置模組。
4. 如申請專利範圍第1或2項之塗布、顯影裝置，其中將該第1處理模組，設於沿上下堆疊有複數處理模組之第1堆疊體中，將該第2處理模組，設於沿上下堆疊有複數處理模組，與該第1堆疊體不同之第2堆疊體中。
5. 如申請專利範圍第1或2項之塗布、顯影裝置，其中設置該第1載置模組、第2載置模組、第1處理模組、第2處理模組、第1搬運機構與第2搬運機構，俾位於該處理區塊與曝光裝置之間。
6. 一種塗布、顯影裝置之運轉方法，該塗布、顯影裝置， 在自被移入載具區塊的載具取出的基板上，於處理區塊形成包含光阻膜的塗布膜，針對因連接介面區塊的曝光裝置而曝光後的基板，於該處理區塊進行顯影處理，塗布、顯影裝置之運轉方法之特徵在於包含下列程序：將基板置放於第1載置模組後，以第1搬運機構朝第2載置模組搬運該基板，接著以該第1搬運機構自第1處理模組取出基板；將基板置放於該第1載置模組後，以第2搬運機構朝第2載置模組搬運該基板，接著以該第2搬運機構自第2處理模組取出基板；及將基板置放於該第1載置模組後，自該第1搬運機構與第2搬運機構中，選擇搬運該基板至第2載置模組的搬運機構；且該選擇搬運機構的程序中，分別就第1搬運機構與第2搬運機構，求算「起因於搬運該基板至第2載置模組，而導致自第1處理模組或第2處理模組移出基板的時間延後的延遲時間」，選擇該延遲時間較短的搬運機構。
7. 如申請專利範圍第6項之塗布、顯影裝置之運轉方法，其中該選擇搬運機構的程序，包含下列程序：若無「起因於將該第1載置模組的基板搬運到第2載置模組，而導致自第1處理模組及第2處理模組移出基板的時間延後的基板」，即選擇第1搬運機構與第2搬運機構中，可較快地自第1載置模組移出基板的搬運機構。
8. 一種記憶媒體， 儲存有用於塗布、顯影裝置之電腦程式，其特徵在於：該程式，為執行如申請專利範圍第6或7項之塗布、顯影裝置之運轉方法而組織有步驟。