JPH0217867B2 - - Google Patents
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- JPH0217867B2 JPH0217867B2 JP56147343A JP14734381A JPH0217867B2 JP H0217867 B2 JPH0217867 B2 JP H0217867B2 JP 56147343 A JP56147343 A JP 56147343A JP 14734381 A JP14734381 A JP 14734381A JP H0217867 B2 JPH0217867 B2 JP H0217867B2
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- JP
- Japan
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- latch circuit
- data
- read
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 101100325756 Arabidopsis thaliana BAM5 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150046378 RAM1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100476489 Rattus norvegicus Slc20a2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 102100031584 Cell division cycle-associated 7-like protein Human genes 0.000 description 1
- 101000777638 Homo sapiens Cell division cycle-associated 7-like protein Proteins 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F5/00—Methods or arrangements for data conversion without changing the order or content of the data handled
- G06F5/06—Methods or arrangements for data conversion without changing the order or content of the data handled for changing the speed of data flow, i.e. speed regularising or timing, e.g. delay lines, FIFO buffers; over- or underrun control therefor
- G06F5/16—Multiplexed systems, i.e. using two or more similar devices which are alternately accessed for enqueue and dequeue operations, e.g. ping-pong buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はランダムアクセスメモリ(RAM)装
置に関し、特にRAMへのデータの書き込みとこ
のRAMからのデータの読み出しとが非同期で行
なわれるものである。
置に関し、特にRAMへのデータの書き込みとこ
のRAMからのデータの読み出しとが非同期で行
なわれるものである。
RAMへのデータの書き込みとこのRAMから
のデータの読み出しとが同期して行なわれる場
合、RAMには、書き込まれるデータを表わす信
号(データ信号)、書き込みアドレスを指定する
信号(書き込みアドレス信号)、読み出しアドレ
スを指定する信号(読み出しアドレス信号)、書
き込み制御信号及び読み出し制御信号が供給され
る。読み出し制御信号は、通常50%のデユーテイ
比を有するクロツクパルス信号であり、データ信
号、読み出しアドレス信号及び書き込みアドレス
信号の周期は、このクロツクパルス信号の周期と
等しい。
のデータの読み出しとが同期して行なわれる場
合、RAMには、書き込まれるデータを表わす信
号(データ信号)、書き込みアドレスを指定する
信号(書き込みアドレス信号)、読み出しアドレ
スを指定する信号(読み出しアドレス信号)、書
き込み制御信号及び読み出し制御信号が供給され
る。読み出し制御信号は、通常50%のデユーテイ
比を有するクロツクパルス信号であり、データ信
号、読み出しアドレス信号及び書き込みアドレス
信号の周期は、このクロツクパルス信号の周期と
等しい。
書き込み制御信号も同様であるが、読み出し制
御信号とは位相が180゜異なるものである。結局、
読み出し制御信号の各々の周期の前半の期間で
は、読み出し制御信号の制御のもとに、対応する
読み出しアドレスに依存して、RAMからデータ
が読み出される。また書き込み制御信号の各々の
周期の後半の期間では、書き込み制御信号の制御
のもとに、対応する書き込みアドレスに依存し
て、RAMにデータが書き込まれる。アドレスの
アクセス及び読み出し後のリカバリにおける遅れ
は、結果的には、読み出し及び書き込み相互の移
り変り時の使用不能な短かな期間に帰着するが、
夫々の読み出し期間には、読み出そうとするデー
タが得られる純粋な期間がある。
御信号とは位相が180゜異なるものである。結局、
読み出し制御信号の各々の周期の前半の期間で
は、読み出し制御信号の制御のもとに、対応する
読み出しアドレスに依存して、RAMからデータ
が読み出される。また書き込み制御信号の各々の
周期の後半の期間では、書き込み制御信号の制御
のもとに、対応する書き込みアドレスに依存し
て、RAMにデータが書き込まれる。アドレスの
アクセス及び読み出し後のリカバリにおける遅れ
は、結果的には、読み出し及び書き込み相互の移
り変り時の使用不能な短かな期間に帰着するが、
夫々の読み出し期間には、読み出そうとするデー
タが得られる純粋な期間がある。
しかし、読み出し及び書き込みが同期してなさ
れないものであるとき、その状態はより難しいも
のとなる。この読み出し及び書き込みが同期して
なされないものの例として、例えばビデオテープ
レコーダ(VTR)で再生された時間変動の伴つ
たテレビジヨン信号の時間軸補正がある。また、
色副搬送波周波数に関連した周波数で得られるデ
ジタルデータをライン周波数に関連したデジタル
データに変換する、VTRに記録する前の信号処
理の例がある。この場合、例えば8.86MHzから
8.00MHzへの変換がある。これら2例の場合、及
びその他の適用例においては、RAMへ非同期的
なアクセスが必要である。多量のデータを記憶で
きるという点で本質的に有効であるが、多少汎用
性にかける記憶容量の大きなRAMを使用すると
き、この問題は倍加する。
れないものであるとき、その状態はより難しいも
のとなる。この読み出し及び書き込みが同期して
なされないものの例として、例えばビデオテープ
レコーダ(VTR)で再生された時間変動の伴つ
たテレビジヨン信号の時間軸補正がある。また、
色副搬送波周波数に関連した周波数で得られるデ
ジタルデータをライン周波数に関連したデジタル
データに変換する、VTRに記録する前の信号処
理の例がある。この場合、例えば8.86MHzから
8.00MHzへの変換がある。これら2例の場合、及
びその他の適用例においては、RAMへ非同期的
なアクセスが必要である。多量のデータを記憶で
きるという点で本質的に有効であるが、多少汎用
性にかける記憶容量の大きなRAMを使用すると
き、この問題は倍加する。
本発明においては、通常の読み出し/書き込用
データ端子を有するランダムアクセスメモリと、
このランダムアクセスメモリに書き込む際上記読
み出し/書き込み用データ端子に入力データを供
給する手段と、上記読み出し/書き込み用データ
端子に接続される第1の出力ラツチ回路と、この
第1の出力ラツチ回路に接続される第2の出力ラ
ツチ回路と、制御信号を供給する手段とを有する
ランダムアクセスメモリ装置において、上記ラン
ダムアクセスメモリは書き込みパルス信号の書き
込みパルスに同期して指定されたアドレスに入力
データが書き込まれるようになされ、上記ランダ
ムアクセスメモリは上記書き込みパルス信号と非
同期の読み出しパルス信号の読み出しパルスに同
期して指定されたアドレスより出力データが読み
出されるようになされ、上記第1の出力ラツチ回
路は、上記夫々の書き込みパルスの直前に、上記
第1の出力ラツチ回路に供給されたデータをホー
ルドして上記第2の出力ラツチ回路へ供給するよ
うに制御されると共に、他の時間に上記第1の出
力ラツチ回路に供給されたデータを上記第1の出
力ラツチ回路を通して上記第2の出力ラツチ回路
に供給するように制御され、上記第2の出力ラツ
チ回路は、上記第1の出力ラツチ回路によつて上
記各々の読み出しパルスの始めの直前に上記第2
の出力ラツチ回路に供給されるデータを次に続く
上記読み出しパルスの始めまでホールドして、そ
のホールドされたデータを出力に供給するように
制御されたランダムアクセスメモリ装置を提供せ
んとするものである。
データ端子を有するランダムアクセスメモリと、
このランダムアクセスメモリに書き込む際上記読
み出し/書き込み用データ端子に入力データを供
給する手段と、上記読み出し/書き込み用データ
端子に接続される第1の出力ラツチ回路と、この
第1の出力ラツチ回路に接続される第2の出力ラ
ツチ回路と、制御信号を供給する手段とを有する
ランダムアクセスメモリ装置において、上記ラン
ダムアクセスメモリは書き込みパルス信号の書き
込みパルスに同期して指定されたアドレスに入力
データが書き込まれるようになされ、上記ランダ
ムアクセスメモリは上記書き込みパルス信号と非
同期の読み出しパルス信号の読み出しパルスに同
期して指定されたアドレスより出力データが読み
出されるようになされ、上記第1の出力ラツチ回
路は、上記夫々の書き込みパルスの直前に、上記
第1の出力ラツチ回路に供給されたデータをホー
ルドして上記第2の出力ラツチ回路へ供給するよ
うに制御されると共に、他の時間に上記第1の出
力ラツチ回路に供給されたデータを上記第1の出
力ラツチ回路を通して上記第2の出力ラツチ回路
に供給するように制御され、上記第2の出力ラツ
チ回路は、上記第1の出力ラツチ回路によつて上
記各々の読み出しパルスの始めの直前に上記第2
の出力ラツチ回路に供給されるデータを次に続く
上記読み出しパルスの始めまでホールドして、そ
のホールドされたデータを出力に供給するように
制御されたランダムアクセスメモリ装置を提供せ
んとするものである。
例えばデジタルVTRにおいてテープより再生
されるデジタルデータを考えてみると、このデー
タは、データそれ自身から得られる所定のアドレ
ス制御によつてRAMに書き込まれる。テープよ
り再生されるデータは時間変動を伴つており、時
間軸補正は必要とされる時間軸に基づいた安定し
た速度でRAMからデータを読み出すことで成し
遂げられる。第1図は従来提案されている装置の
一例を示すものであり、2個のRAM1及び2よ
りなり、これら2個のRAM1及び2は、RAM
1にデータが書き込まれるとき、RAM2よりデ
ータが読み出され、この逆にRAM1よりデータ
が読み出されるとき、RAM2にデータが書き込
まれるようになされている。必要なスイツチング
は基本的に専用のスイツチ3及び4によつてなさ
れている。非同期的な動作にもかかわらず、この
装置は使用できる。なぜなら、第1に、VTRか
ら得られるデータのタイミングは変動しているけ
れども、この変動はVTRのヘツドドラムの1回
転で平均化するためであり、また、ヘツドドラム
は記録されたテレビジヨン信号のフイールド期間
にロツクされているからである。尚、VTRのヘ
ツドドラムが水平期間にロツクされている場合、
変動はテレビジヨン信号の1水平ラインで平均化
する。第2に、この装置は各々の水平ラインの全
てを記録するのではないので便利である。第2図
に示すように、テレビジヨン信号の各々の水平ラ
インは、記録される事実上のビデオ情報と記録さ
れないが後に再び付加される同期情報とよりな
る。そのため、水平期間にロツクされたVTRの
場合、スイツチ3及び4は同期情報の占める期間
の間で切り換えがなされ、そして時間変動が同期
情報の存続(わずかに数マイクロ秒である)に比
較して短い間は、スイツチングは事実上のビデオ
信号の書き込み及び読み出しの間では起こらな
い。
されるデジタルデータを考えてみると、このデー
タは、データそれ自身から得られる所定のアドレ
ス制御によつてRAMに書き込まれる。テープよ
り再生されるデータは時間変動を伴つており、時
間軸補正は必要とされる時間軸に基づいた安定し
た速度でRAMからデータを読み出すことで成し
遂げられる。第1図は従来提案されている装置の
一例を示すものであり、2個のRAM1及び2よ
りなり、これら2個のRAM1及び2は、RAM
1にデータが書き込まれるとき、RAM2よりデ
ータが読み出され、この逆にRAM1よりデータ
が読み出されるとき、RAM2にデータが書き込
まれるようになされている。必要なスイツチング
は基本的に専用のスイツチ3及び4によつてなさ
れている。非同期的な動作にもかかわらず、この
装置は使用できる。なぜなら、第1に、VTRか
ら得られるデータのタイミングは変動しているけ
れども、この変動はVTRのヘツドドラムの1回
転で平均化するためであり、また、ヘツドドラム
は記録されたテレビジヨン信号のフイールド期間
にロツクされているからである。尚、VTRのヘ
ツドドラムが水平期間にロツクされている場合、
変動はテレビジヨン信号の1水平ラインで平均化
する。第2に、この装置は各々の水平ラインの全
てを記録するのではないので便利である。第2図
に示すように、テレビジヨン信号の各々の水平ラ
インは、記録される事実上のビデオ情報と記録さ
れないが後に再び付加される同期情報とよりな
る。そのため、水平期間にロツクされたVTRの
場合、スイツチ3及び4は同期情報の占める期間
の間で切り換えがなされ、そして時間変動が同期
情報の存続(わずかに数マイクロ秒である)に比
較して短い間は、スイツチングは事実上のビデオ
信号の書き込み及び読み出しの間では起こらな
い。
第1図に示す装置の一例おいては、記憶される
データはテレビジヨン信号の512の実際のサンプ
ルよりなり、各々のサンプルは、8ビツト/1ワ
ードで表わされている。RAMは、4ビツト×
256ワードを容易に有効に記憶することができ、
特にこの第1図例ではRAM1及び2の夫々にこ
のようなRAMは4つ使用され、故に8つの
RAMはトータルとして必要とされる8ビツト×
512ワードの記憶容量を備える。1000サンプル/
1ラインより多い、即ち約8ビツト×1000ワー
ド/1ラインを有する水平周期にロツクされた
VTRにおいては、4ビツト×256ワードを記憶で
きるRAMが計16個必要とされる。
データはテレビジヨン信号の512の実際のサンプ
ルよりなり、各々のサンプルは、8ビツト/1ワ
ードで表わされている。RAMは、4ビツト×
256ワードを容易に有効に記憶することができ、
特にこの第1図例ではRAM1及び2の夫々にこ
のようなRAMは4つ使用され、故に8つの
RAMはトータルとして必要とされる8ビツト×
512ワードの記憶容量を備える。1000サンプル/
1ラインより多い、即ち約8ビツト×1000ワー
ド/1ラインを有する水平周期にロツクされた
VTRにおいては、4ビツト×256ワードを記憶で
きるRAMが計16個必要とされる。
4ビツト×1024ワードを記憶できるRAMが利
用できるならば、それらを使用することが望まし
い。なぜなら、従来使用される16個の4ビツト×
256ワードが記憶できるRAMと同じ記憶容量を
備えるのに、このようなRAMは4個のみでよ
く、結果的に基板スペース及び配線が節約できよ
う。第1図における装置においてなされるRAM
間の切換えなくして非同期的な動作をさせるに
は、夫々のRAMに書き込み及び読み出しが一斎
になされる装置が必要となる。
用できるならば、それらを使用することが望まし
い。なぜなら、従来使用される16個の4ビツト×
256ワードが記憶できるRAMと同じ記憶容量を
備えるのに、このようなRAMは4個のみでよ
く、結果的に基板スペース及び配線が節約できよ
う。第1図における装置においてなされるRAM
間の切換えなくして非同期的な動作をさせるに
は、夫々のRAMに書き込み及び読み出しが一斎
になされる装置が必要となる。
再び、入力デジタルRAL方式のテレビジヨン
信号が記録に適した形にされるVTRの記録プロ
セツサを考えてみよう。データは色副搬送波周波
数の2倍の周波数、即ち8.886MHzのサンプルよ
りなる。この周波数は、水平周波数とは何等関連
していないことから、記録に際しては不便であ
る。記録するのにより便利な周波数は、ライン周
波数のぴつたり512倍であるから8MHzである。こ
れは8.867MHzのとき1ラインにつき567サンプル
であるのに比較して1ラインにつき512サンプル
を供給する。しかし、同期情報に関するサンプル
は記録されないので、記録される実際のサンプル
数は512またはそれより少ない。結局、記録プロ
セツサがRAMにデータを記憶するとき、上述し
たように、非同期な書き込み及び読み出しの問題
が起きる。そして、繰り返しになるが、この場合
2つの非同期なレートで同じRAMをアクセスで
きることが便利である。
信号が記録に適した形にされるVTRの記録プロ
セツサを考えてみよう。データは色副搬送波周波
数の2倍の周波数、即ち8.886MHzのサンプルよ
りなる。この周波数は、水平周波数とは何等関連
していないことから、記録に際しては不便であ
る。記録するのにより便利な周波数は、ライン周
波数のぴつたり512倍であるから8MHzである。こ
れは8.867MHzのとき1ラインにつき567サンプル
であるのに比較して1ラインにつき512サンプル
を供給する。しかし、同期情報に関するサンプル
は記録されないので、記録される実際のサンプル
数は512またはそれより少ない。結局、記録プロ
セツサがRAMにデータを記憶するとき、上述し
たように、非同期な書き込み及び読み出しの問題
が起きる。そして、繰り返しになるが、この場合
2つの非同期なレートで同じRAMをアクセスで
きることが便利である。
まず、第3図を参照して、本発明の一実施例を
説明しよう。この一実施例はタイムベースコレク
ターに適用したものであるが、この発明は記録プ
ロセツサのような、他のものにも応用できること
は容易に理解されよう。
説明しよう。この一実施例はタイムベースコレク
ターに適用したものであるが、この発明は記録プ
ロセツサのような、他のものにも応用できること
は容易に理解されよう。
この実施例は夫々4ビツト×1024ワードが記憶
できる2つのRAM10及び11で構成される。
RAM10及び11は、第1図の構成に関連して
言及した8つのRAMと同様の総記憶容量を備
え、書き込み及び読み出しが同時になされると
き、夫々8ビツト/1ワードで表わされた512サ
ンプルを記憶することができる。この1024サンプ
ルは合せて、テレビジヨン信号の2水平ラインの
ビデオ情報を表している。RAM10及び11の
記憶容量は回路チツプ上で利用できるピンの数で
決まり、書き込み及び読み出しはこのピン又は部
分が共に使用されてなされ、このピンは以下、入
力/出力用データ端子という。
できる2つのRAM10及び11で構成される。
RAM10及び11は、第1図の構成に関連して
言及した8つのRAMと同様の総記憶容量を備
え、書き込み及び読み出しが同時になされると
き、夫々8ビツト/1ワードで表わされた512サ
ンプルを記憶することができる。この1024サンプ
ルは合せて、テレビジヨン信号の2水平ラインの
ビデオ情報を表している。RAM10及び11の
記憶容量は回路チツプ上で利用できるピンの数で
決まり、書き込み及び読み出しはこのピン又は部
分が共に使用されてなされ、このピンは以下、入
力/出力用データ端子という。
夫々のRAM10及び11はまた、10個のアド
レス端子と読み出し/書き込み制御端子とを有す
る。8ビツト/1ワードよりなる入力デジタルデ
ータ信号は、8本のデータ出力端子を有する入力
ラツチ回路12の8本のデータ入力端子に供給さ
れ、この8本のデータ出力端子は、夫々RAM1
0の4本の入力/出力用データ端子及びRAM1
1の4本の入力/出力用データ端子に接続され
る。RAM10及び11の8本の入力/出力用デ
ータ端子は、また夫夫第1の出力ラツチ回路13
の8本のデータ入力端子に接続され、この第1の
出力ラツチ回路13は8本のデータ出力端子を有
し、この8本のデータ出力端子は、夫々第2の出
力ラツチ回路14の8本のデータ入力端子に接続
され、この第2の出力ラツチ回路14は8本のデ
ータ出力端子を有し、この8本のデータ出力端子
よりRAM10及び11より読み出されたデータ
が得られる。
レス端子と読み出し/書き込み制御端子とを有す
る。8ビツト/1ワードよりなる入力デジタルデ
ータ信号は、8本のデータ出力端子を有する入力
ラツチ回路12の8本のデータ入力端子に供給さ
れ、この8本のデータ出力端子は、夫々RAM1
0の4本の入力/出力用データ端子及びRAM1
1の4本の入力/出力用データ端子に接続され
る。RAM10及び11の8本の入力/出力用デ
ータ端子は、また夫夫第1の出力ラツチ回路13
の8本のデータ入力端子に接続され、この第1の
出力ラツチ回路13は8本のデータ出力端子を有
し、この8本のデータ出力端子は、夫々第2の出
力ラツチ回路14の8本のデータ入力端子に接続
され、この第2の出力ラツチ回路14は8本のデ
ータ出力端子を有し、この8本のデータ出力端子
よりRAM10及び11より読み出されたデータ
が得られる。
夫々のRAM10及び11は10本の読み出し/
書き込みアドレス端子を有し、これらの端子は通
常読み出し及び書き込みアドレス両用のためにあ
る。RAM10の10本の読み出し/書き込みアド
レス端子及びRAM11の10本の読み出し/書き
込みアドレス端子は両方とも、書き込みアドレス
ラツチ回路15の10本のアドレス出力端子及び読
み出しアドレスラツチ回路16の10本のアドレス
出力端子に接続される。夫々のアドレスラツチ回
路15及び16は10本のアドレス入力端子を持つ
ている。
書き込みアドレス端子を有し、これらの端子は通
常読み出し及び書き込みアドレス両用のためにあ
る。RAM10の10本の読み出し/書き込みアド
レス端子及びRAM11の10本の読み出し/書き
込みアドレス端子は両方とも、書き込みアドレス
ラツチ回路15の10本のアドレス出力端子及び読
み出しアドレスラツチ回路16の10本のアドレス
出力端子に接続される。夫々のアドレスラツチ回
路15及び16は10本のアドレス入力端子を持つ
ている。
書き込みアドレス信号発生回路17は、10本に
出力端子及びクロツク端子を有しており、これら
10本の出力端子は夫々書き込みアドレスラツチ回
路15の10本のアドレス入力端子に接続され、そ
して、クロツク端子には端子18から8.867MHz
の周波数の書き込みパルス信号が供給される。読
み出しアドレス信号発生回路19は、10本の出力
端子及びクロツク端子を有しており、これら10本
の出力端子は夫々読み出しアドレスラツチ回路1
6の10本のアドレス入力端子に接続され、そし
て、クロツク端子には端子20から8MHzの周波
数を有する読み出しパルス信号が供給される。
出力端子及びクロツク端子を有しており、これら
10本の出力端子は夫々書き込みアドレスラツチ回
路15の10本のアドレス入力端子に接続され、そ
して、クロツク端子には端子18から8.867MHz
の周波数の書き込みパルス信号が供給される。読
み出しアドレス信号発生回路19は、10本の出力
端子及びクロツク端子を有しており、これら10本
の出力端子は夫々読み出しアドレスラツチ回路1
6の10本のアドレス入力端子に接続され、そし
て、クロツク端子には端子20から8MHzの周波
数を有する読み出しパルス信号が供給される。
また、8.867MHzの書き込みパルス信号は、端
子18から入力ラツチ回路12のクロツク端子、
書き込みアドレスラツチ回路15のクロツク端
子、そして書き込みパルス発生回路21及び読み
出し禁止パルス発生回路22に供給される。書き
込みパルス発生回路21からの書き込みパルス
は、入力ラツチ回路12及び書き込みアドレスラ
ツチ回路15のイネーブル端子、RAM10及び
11の読み出し/書き込み制御端子、そしてイン
バータ23を介して読み出しアドレスラツチ回路
16のイネーブル端子に供給される。読み出し禁
止パルス発生回路22からの読み出し禁止パルス
は第1の出力ラツチ回路13のクロツク端子に供
給される。
子18から入力ラツチ回路12のクロツク端子、
書き込みアドレスラツチ回路15のクロツク端
子、そして書き込みパルス発生回路21及び読み
出し禁止パルス発生回路22に供給される。書き
込みパルス発生回路21からの書き込みパルス
は、入力ラツチ回路12及び書き込みアドレスラ
ツチ回路15のイネーブル端子、RAM10及び
11の読み出し/書き込み制御端子、そしてイン
バータ23を介して読み出しアドレスラツチ回路
16のイネーブル端子に供給される。読み出し禁
止パルス発生回路22からの読み出し禁止パルス
は第1の出力ラツチ回路13のクロツク端子に供
給される。
8MHzの読み出しクロツク信号は、端子20か
ら読み出しアドレスラツチ回路16のクロツク端
子及び第2の出力ラツチ回路14のクロツク端子
に供給される。
ら読み出しアドレスラツチ回路16のクロツク端
子及び第2の出力ラツチ回路14のクロツク端子
に供給される。
出力ラツチ回路13及び14は動作を異にす
る。第1の出力ラツチ回路13は、いわゆる通過
型のラツチ回路である。そこに供給される制御信
号のレベルが一のレベル、つまりレベル“1”で
ある間は、第1の出力ラツチ回路13は通過性と
なる、即ちデータ入力端子に供給されたデータ
は、直ちにデータ出力端子に通過させられる。し
かし、そこに供給される制御信号のレベルが他の
レベル、つまりレベル“0”である間は、第1の
出力ラツチ回路13は、制御信号が“1”から
“0”に変化する直前にデータ入力端子に供給さ
れたデータをホールドする。故に制御信号が
“0”である間は、そのホールドされたデータが
第1の出力ラツチ回路13のデータ出力端子に供
給される。
る。第1の出力ラツチ回路13は、いわゆる通過
型のラツチ回路である。そこに供給される制御信
号のレベルが一のレベル、つまりレベル“1”で
ある間は、第1の出力ラツチ回路13は通過性と
なる、即ちデータ入力端子に供給されたデータ
は、直ちにデータ出力端子に通過させられる。し
かし、そこに供給される制御信号のレベルが他の
レベル、つまりレベル“0”である間は、第1の
出力ラツチ回路13は、制御信号が“1”から
“0”に変化する直前にデータ入力端子に供給さ
れたデータをホールドする。故に制御信号が
“0”である間は、そのホールドされたデータが
第1の出力ラツチ回路13のデータ出力端子に供
給される。
第2の出力ラツチ回路14は、いわゆるエツジ
トリガードラツチ回路であり、制御信号の“0”
から“1”へ変化する立上りのエツジ直前にデー
タ入力端子に供給されたデータをホールドする。
故に、次の、このような制御信号の変化があるま
で、そのホールドされたデータは、この第2のラ
ツチ回路14のデータ出力端子に供給される。
トリガードラツチ回路であり、制御信号の“0”
から“1”へ変化する立上りのエツジ直前にデー
タ入力端子に供給されたデータをホールドする。
故に、次の、このような制御信号の変化があるま
で、そのホールドされたデータは、この第2のラ
ツチ回路14のデータ出力端子に供給される。
ここで、第3図に示す一実施例の動作を第4図
を参照して説明しよう。まず、この第4図で使用
されている略語について説明する。
を参照して説明しよう。まず、この第4図で使用
されている略語について説明する。
WR=書き込みリカバリ
WA=書き込みアドレス
WD=書き込みデータ
RA=読み出しアドレス
RD=読み出しデータ
RAc=読み出しアクセス
第4図F,I及びJにおいて、線が交差されて
いるところは、データが無効の期間を表わしてい
る。
いるところは、データが無効の期間を表わしてい
る。
第4図Jにおける“HOLD”の語は、第1の
出力ラツチ回路13における読み出し禁止パルス
による現存データの保持を意味する。
出力ラツチ回路13における読み出し禁止パルス
による現存データの保持を意味する。
書き込み及び読み出しの制御を併合して行なう
に当つては、特別な位相関係を有しておらず結局
は互いに関連して動いている、書き込み及び読み
出しアドレスの間に、何等同期関係がないという
問題がある。
に当つては、特別な位相関係を有しておらず結局
は互いに関連して動いている、書き込み及び読み
出しアドレスの間に、何等同期関係がないという
問題がある。
第4図Aは、書き込みアドレスラツチ回路15
の1つのビツト上の信号を表わすものであり、全
部で10あるビツトを代表するものである。夫々の
ビツトは、第4図Bで示され、端子18に供給さ
れる8.867MHzの書き込みパルス信号に同期して
変化する連続的なアドレスに応じてその状態が
“1”と“0”との間で変化している。第4図A
は、書き込みアドレスWA1,WA2,WA3,
…の連続を示すものであり、第4図Cは、第4図
Bで示される書き込みパルス信号に基づいて書き
込みパルス発生回路21で得られる書き込みパル
スW1,W2,W3,…の連続を示すものであ
る。
の1つのビツト上の信号を表わすものであり、全
部で10あるビツトを代表するものである。夫々の
ビツトは、第4図Bで示され、端子18に供給さ
れる8.867MHzの書き込みパルス信号に同期して
変化する連続的なアドレスに応じてその状態が
“1”と“0”との間で変化している。第4図A
は、書き込みアドレスWA1,WA2,WA3,
…の連続を示すものであり、第4図Cは、第4図
Bで示される書き込みパルス信号に基づいて書き
込みパルス発生回路21で得られる書き込みパル
スW1,W2,W3,…の連続を示すものであ
る。
第4図Dは、第4図Bに示す書き込みパルス信
号に基づいて読み出し禁止パルス発生回路22で
得られる読み出し禁止パルスである。夫々の読み
出し禁止パルスは書き込みパルスに同期して始ま
るがRAMにて要求され、必要な読み出しアクセ
スタイムを含むように書き込みパルスの終りを過
ぎても連続する。
号に基づいて読み出し禁止パルス発生回路22で
得られる読み出し禁止パルスである。夫々の読み
出し禁止パルスは書き込みパルスに同期して始ま
るがRAMにて要求され、必要な読み出しアクセ
スタイムを含むように書き込みパルスの終りを過
ぎても連続する。
第4図Hは、読み出しアドレスRA1,RA2,
RA3,…の連続を示すもので、タイムベースコ
レクタの場合、これらのアドレスは、1水平期間
あるいは1フイールド期間の様な予め決められた
期間で平均化されるが、第4図Aに示す書き込み
アドレスWA1,WA2,WA3,…に関連した
時間変動を有する。この読み出しアドレスRA
1,RA2,RA3,…の位相を見ると、書き込
みアドレスWA1,WA2,WA3,…の位相と
同じではなく、そして、もちろんその位相は書き
込みアドレスの位相と関連して絶えず変化してい
る。故に、RAM10及び11の入力/出力用デ
ータ端子に出力され、連続的に第1の出力ラツチ
回路13のデータ入力端子に供給されるデータが
読み出そうとする有効なデータである期間を認識
することは難しい。
RA3,…の連続を示すもので、タイムベースコ
レクタの場合、これらのアドレスは、1水平期間
あるいは1フイールド期間の様な予め決められた
期間で平均化されるが、第4図Aに示す書き込み
アドレスWA1,WA2,WA3,…に関連した
時間変動を有する。この読み出しアドレスRA
1,RA2,RA3,…の位相を見ると、書き込
みアドレスWA1,WA2,WA3,…の位相と
同じではなく、そして、もちろんその位相は書き
込みアドレスの位相と関連して絶えず変化してい
る。故に、RAM10及び11の入力/出力用デ
ータ端子に出力され、連続的に第1の出力ラツチ
回路13のデータ入力端子に供給されるデータが
読み出そうとする有効なデータである期間を認識
することは難しい。
第4図Eは、第4図Hに示す読み出しアドレス
RA1,RA2,RA3,…と、第4図Cに示す書
き込みパルスW1,W2,W3,…との関係が変
化しているのを示すもので、後半の一定期間連続
する書き込みアドレスWA1,WA2,WA3,
…はアクセスされる。故に第4図Fに示すよう
に、WD1,WD2,WD3,…の期間、入力ラ
ツチ回路12からデータは、RAM10及び11
の夫々のアドレスWA1,WA2,WA3,…に
書き込まれる。さらに、夫々の期間WD1,WD
2,WD3,…は、夫々読み出しを始める前に書
き込みに続いて存在し、RAMにおいて必要とさ
れるリカバリタイムの期間WRに従つている。さ
らに、連続する読み出しアドレスRA2,RA3,
RA4,…(第4図H)の一部と一致し、RAM
10及び11の入力/出力用データ端子に出力さ
れるデータが読み出されるべき有効なデータであ
る期間RD2,RD3,RD4,…がある。また読
み出しにおいては他に拘束がある、つまり、第4
図Iに示すように夫々の読み出しアドレスの変化
から読み出しデータが無効の期間がある。従つ
て、第4図Fに見られるように、期間RD4は読
み出しアクセス期間の一部で制限され、期間RD
5は読み出しアクセス期間の大部分で制限され
る。
RA1,RA2,RA3,…と、第4図Cに示す書
き込みパルスW1,W2,W3,…との関係が変
化しているのを示すもので、後半の一定期間連続
する書き込みアドレスWA1,WA2,WA3,
…はアクセスされる。故に第4図Fに示すよう
に、WD1,WD2,WD3,…の期間、入力ラ
ツチ回路12からデータは、RAM10及び11
の夫々のアドレスWA1,WA2,WA3,…に
書き込まれる。さらに、夫々の期間WD1,WD
2,WD3,…は、夫々読み出しを始める前に書
き込みに続いて存在し、RAMにおいて必要とさ
れるリカバリタイムの期間WRに従つている。さ
らに、連続する読み出しアドレスRA2,RA3,
RA4,…(第4図H)の一部と一致し、RAM
10及び11の入力/出力用データ端子に出力さ
れるデータが読み出されるべき有効なデータであ
る期間RD2,RD3,RD4,…がある。また読
み出しにおいては他に拘束がある、つまり、第4
図Iに示すように夫々の読み出しアドレスの変化
から読み出しデータが無効の期間がある。従つ
て、第4図Fに見られるように、期間RD4は読
み出しアクセス期間の一部で制限され、期間RD
5は読み出しアクセス期間の大部分で制限され
る。
上述したように、第1の出力ラツチ回路13は
通過型のラツチ回路であり、その故、クロツク端
子に読み出し禁止パルスが供給され、第4図Dに
その波形を示すが、そのレベルが“1”であると
き、データ入力端子に供給されるデータ、即ち入
力ラツチ回路12はそのとき能動ではないから、
RAM10及び11の入力/出力用データ端子の
データが、そのデータ出力端子に直接供給され、
そして、このレベルが“0”に変化すると最後に
供給されたデータがホールドされる。第4図Jに
は、第1の出力ラツチ回路13の出力を示し、こ
の様子が示されている。他の時間でホールドされ
るデータは有効でないが、第1の出力ラツチ回路
13が時々有効な読み出しデータ例えば期間RD
2で読み出されたデータをホールドすることがわ
かる。重要な点は、第4図Gにおいて矢印で示す
読み出しパルス信号の夫々の立ち上りの直前に、
第1の出力ラツチ回路13が、第2の出力ラツチ
回路14の入力に有効なデータを直接通過させる
かあるいはホールドして供給するかどうかであ
る。故に、上述した様に第2の出力ラツチ回路1
4はエツジトリガードラツチ回路であるので、連
続して有効なデータが得られそしてホールドさ
れ、そして、このデータは読み出しパルス信号
(第4図G)で決定される周波数で、第4図Kに
示すようにRAM装置の出力に供給される。尚、
書き込み及び読み出しの周波数関係がどのようで
あつてもこのことはいえる、つまり、有効なデー
タは、読み出しクロツクパルス信号の立ち上り直
前に常に第2の出力ラツチ回路14の入力側に供
給されている。
通過型のラツチ回路であり、その故、クロツク端
子に読み出し禁止パルスが供給され、第4図Dに
その波形を示すが、そのレベルが“1”であると
き、データ入力端子に供給されるデータ、即ち入
力ラツチ回路12はそのとき能動ではないから、
RAM10及び11の入力/出力用データ端子の
データが、そのデータ出力端子に直接供給され、
そして、このレベルが“0”に変化すると最後に
供給されたデータがホールドされる。第4図Jに
は、第1の出力ラツチ回路13の出力を示し、こ
の様子が示されている。他の時間でホールドされ
るデータは有効でないが、第1の出力ラツチ回路
13が時々有効な読み出しデータ例えば期間RD
2で読み出されたデータをホールドすることがわ
かる。重要な点は、第4図Gにおいて矢印で示す
読み出しパルス信号の夫々の立ち上りの直前に、
第1の出力ラツチ回路13が、第2の出力ラツチ
回路14の入力に有効なデータを直接通過させる
かあるいはホールドして供給するかどうかであ
る。故に、上述した様に第2の出力ラツチ回路1
4はエツジトリガードラツチ回路であるので、連
続して有効なデータが得られそしてホールドさ
れ、そして、このデータは読み出しパルス信号
(第4図G)で決定される周波数で、第4図Kに
示すようにRAM装置の出力に供給される。尚、
書き込み及び読み出しの周波数関係がどのようで
あつてもこのことはいえる、つまり、有効なデー
タは、読み出しクロツクパルス信号の立ち上り直
前に常に第2の出力ラツチ回路14の入力側に供
給されている。
この一実施例においてはタイムベースコレクタ
に適用したものを述べたが、RAMへの非同期な
アクセスが必要とされる他のもの、上述したよう
に例えば、入力PALテレビジヨン信号を、記録
に最適な形に変えるVTRの記録プロセツサ等に
適用し得る。
に適用したものを述べたが、RAMへの非同期な
アクセスが必要とされる他のもの、上述したよう
に例えば、入力PALテレビジヨン信号を、記録
に最適な形に変えるVTRの記録プロセツサ等に
適用し得る。
第1図は従来のランダムアクセスメモリ装置の
一例を示すブロツク図、第2図はテレビジヨン信
号の1水平ラインの波形を示す線図、第3図は本
発明によるランダムアクセスメモリ装置の一実施
例を示すブロツク図、第4図は第3図例の説明に
供する線図である。 10及び11は夫々ランダムアクセスメモリ、
13は第1の出力ラツチ回路、14は第2の出力
ラツチ回路である。
一例を示すブロツク図、第2図はテレビジヨン信
号の1水平ラインの波形を示す線図、第3図は本
発明によるランダムアクセスメモリ装置の一実施
例を示すブロツク図、第4図は第3図例の説明に
供する線図である。 10及び11は夫々ランダムアクセスメモリ、
13は第1の出力ラツチ回路、14は第2の出力
ラツチ回路である。
Claims (1)
- 1 通常の読み出し/書き込用データ端子を有す
るランダムアクセスメモリと、該ランダムアクセ
スメモリに書き込む際上記読み出し/書き込み用
データ端子に入力データを供給する手段と、上記
読み出し/書き込み用データ端子に接続される第
1の出力ラツチ回路と、該第1の出力ラツチ回路
に接続される第2の出力ラツチ回路と、制御信号
を供給する手段とを有するランダムアクセスメモ
リ装置において、上記ランダムアクセスメモリは
書き込みパルス信号の書き込みパルスに同期して
指定されたアドレスに入力データが書き込まれる
ようになされ、上記ランダムアクセスメモリは上
記書き込みパルス信号と非同期の読み出しパルス
信号の読み出しパルスに同期して指定されたアド
レスより出力データが読み出されるようになさ
れ、上記第1の出力ラツチ回路は、上記夫々の書
き込みパルスの直前に上記第1の出力ラツチ回路
に供給されたデータをホールドして上記第2の出
力ラツチ回路へ供給するように制御されると共
に、他の時間に上記第1の出力ラツチ回路に供給
されたデータを上記第1の出力ラツチ回路を通し
て上記第2の出力ラツチ回路に供給するように制
御され、上記第2の出力ラツチ回路は、上記第1
の出力ラツチ回路によつて上記各々の読み出しパ
ルスの始めの直前に上記第2の出力ラツチ回路に
供給されるデータを次に続く上記読み出しパルス
の始めまでホールドして、そのホールドされたデ
ータを出力に供給するように制御されたランダム
アクセスメモリ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8030300A GB2084361B (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Random access memory arrangements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5786179A JPS5786179A (en) | 1982-05-29 |
JPH0217867B2 true JPH0217867B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=10516165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56147343A Granted JPS5786179A (en) | 1980-09-19 | 1981-09-18 | Random access memory device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4415994A (ja) |
EP (1) | EP0048586B1 (ja) |
JP (1) | JPS5786179A (ja) |
AT (1) | ATE24617T1 (ja) |
CA (1) | CA1164563A (ja) |
DE (1) | DE3175775D1 (ja) |
GB (1) | GB2084361B (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5839357A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Ramのアドレス方法 |
JPS58203694A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-28 | Nec Corp | メモリ回路 |
FR2536200B1 (fr) * | 1982-11-15 | 1987-01-16 | Helen Andre | Unite de stockage temporaire de donnees organisee en file d'attente |
FR2549995B1 (fr) * | 1983-07-27 | 1985-09-27 | Trt Telecom Radio Electr | Dispositif permettant d'emmagasiner des donnees a un premier rythme et de les restituer a un deuxieme rythme |
US4549283A (en) * | 1983-09-06 | 1985-10-22 | Rockwell International Corporation | Digital time delay circuit with high speed and large delay capacity |
DE3333225A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-03-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur taktratenkonversion |
JPS60175293A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
US4766572A (en) * | 1984-12-27 | 1988-08-23 | Nec Corporation | Semiconductor memory having a bypassable data output latch |
JPH07118187B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1995-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 先入れ先出し記憶装置 |
JPH084340B2 (ja) * | 1985-08-07 | 1996-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | インタ−フエイス装置 |
US5179692A (en) * | 1985-08-07 | 1993-01-12 | Seiko Epson Corporation | Emulation device for driving a LCD with signals formatted for a CRT display |
US4860246A (en) * | 1985-08-07 | 1989-08-22 | Seiko Epson Corporation | Emulation device for driving a LCD with a CRT display |
US4907070A (en) * | 1985-10-17 | 1990-03-06 | Ampex Corporation | Time base corrector with memory mapped system control |
US4733294A (en) * | 1985-10-17 | 1988-03-22 | Ampex Corporation | Time base corrector memory arrangement and memory control |
US4763203A (en) * | 1985-10-17 | 1988-08-09 | Ampex Corporation | Time base corrector with accurate timing corrector control |
US5019906A (en) * | 1985-10-17 | 1991-05-28 | Ampex Corporation | Time base corrector memory arrangement and memory control |
JPS6292991A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-28 | 富士通テン株式会社 | 画像表示方式 |
JPS62202537A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
IT1197273B (it) * | 1986-09-25 | 1988-11-30 | Telettra Lab Telefon | Sistema e dispositivi per interfacciare macchine asincrone tra loro |
US4823302A (en) * | 1987-01-30 | 1989-04-18 | Rca Licensing Corporation | Block oriented random access memory able to perform a data read, a data write and a data refresh operation in one block-access time |
US4789960A (en) * | 1987-01-30 | 1988-12-06 | Rca Licensing Corporation | Dual port video memory system having semi-synchronous data input and data output |
US4821226A (en) * | 1987-01-30 | 1989-04-11 | Rca Licensing Corporation | Dual port video memory system having a bit-serial address input port |
US5587962A (en) * | 1987-12-23 | 1996-12-24 | Texas Instruments Incorporated | Memory circuit accommodating both serial and random access including an alternate address buffer register |
US5093807A (en) | 1987-12-23 | 1992-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Video frame storage system |
GB2215098B (en) * | 1988-02-13 | 1992-09-09 | Allan Mcintosh | Memory mapping device |
US4951143A (en) * | 1989-05-24 | 1990-08-21 | American Dynamics Corporation | Memory configuration for unsynchronized input and output data streams |
JPH0778989B2 (ja) * | 1989-06-21 | 1995-08-23 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置 |
US5107465A (en) * | 1989-09-13 | 1992-04-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Asynchronous/synchronous pipeline dual mode memory access circuit and method |
ATE173348T1 (de) * | 1989-10-03 | 1998-11-15 | Advanced Micro Devices Inc | Speichervorrichtung |
JP2560124B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1996-12-04 | 株式会社セガ・エンタープライゼス | ビデオゲームシステム及び情報処理装置 |
GB9008932D0 (en) * | 1990-04-20 | 1990-06-20 | British Broadcasting Corp | Synchronisation of digital audio signals |
US5278957A (en) * | 1991-04-16 | 1994-01-11 | Zilog, Inc. | Data transfer circuit for interfacing two bus systems that operate asynchronously with respect to each other |
JPH07130166A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置および同期型半導体記憶装置 |
AU2001270400A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-21 | Mosaid Technologies Incorporated | A high speed dram architecture with uniform access latency |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3402398A (en) * | 1964-08-31 | 1968-09-17 | Bunker Ramo | Plural content addressed memories with a common sensing circuit |
US3560940A (en) * | 1968-07-15 | 1971-02-02 | Ibm | Time shared interconnection apparatus |
US4044335A (en) * | 1974-09-23 | 1977-08-23 | Rockwell International Corporation | Memory cell output driver |
GB1568379A (en) * | 1976-02-19 | 1980-05-29 | Micro Consultants Ltd | Video store |
-
1980
- 1980-09-19 GB GB8030300A patent/GB2084361B/en not_active Expired
-
1981
- 1981-09-14 US US06/302,107 patent/US4415994A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-09-15 DE DE8181304220T patent/DE3175775D1/de not_active Expired
- 1981-09-15 AT AT81304220T patent/ATE24617T1/de not_active IP Right Cessation
- 1981-09-15 EP EP81304220A patent/EP0048586B1/en not_active Expired
- 1981-09-16 CA CA000386041A patent/CA1164563A/en not_active Expired
- 1981-09-18 JP JP56147343A patent/JPS5786179A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5786179A (en) | 1982-05-29 |
EP0048586A3 (en) | 1983-07-20 |
DE3175775D1 (en) | 1987-02-05 |
GB2084361A (en) | 1982-04-07 |
EP0048586A2 (en) | 1982-03-31 |
US4415994A (en) | 1983-11-15 |
CA1164563A (en) | 1984-03-27 |
GB2084361B (en) | 1984-11-21 |
EP0048586B1 (en) | 1986-12-30 |
ATE24617T1 (de) | 1987-01-15 |
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