JPH02140970A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02140970A JPH02140970A JP63295020A JP29502088A JPH02140970A JP H02140970 A JPH02140970 A JP H02140970A JP 63295020 A JP63295020 A JP 63295020A JP 29502088 A JP29502088 A JP 29502088A JP H02140970 A JPH02140970 A JP H02140970A
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- Japan
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- conductivity type
- ferromagnetic material
- insulating film
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構造に関し、特に半導体装置内に
形成されるコイルの構造に関する。
形成されるコイルの構造に関する。
第４図は、半導体装置内に形成された従来のフィルの平
面図である。図に示す通り、従来、この種の半導体装置
内のコイルは、拡散層４につながる金属配線５を渦状に
巻いた構造にして形成していた。
面図である。図に示す通り、従来、この種の半導体装置
内のコイルは、拡散層４につながる金属配線５を渦状に
巻いた構造にして形成していた。
上述した従来の半導体装置内のコイルは、金属配線５を
渦状に巻いた構造になっているので、面積の制約から大
きなインダクタンスのコイルはつくれないという欠点が
ある。そのため、従来は、大きなインダクタンスのコイ
ルが必要な場合、外付けのコイルを使用しなくてはなら
ず、半導体装置を含む電子装置の小型化が妨げられ、又
、電子装置の信頼性も高くできなかった。
渦状に巻いた構造になっているので、面積の制約から大
きなインダクタンスのコイルはつくれないという欠点が
ある。そのため、従来は、大きなインダクタンスのコイ
ルが必要な場合、外付けのコイルを使用しなくてはなら
ず、半導体装置を含む電子装置の小型化が妨げられ、又
、電子装置の信頼性も高くできなかった。
また、ある機能が、インダクタ素子を含む回路と含まな
い回路の両方で得られる場合、従来はインダクタ素子を
含まない回路を採用して半導体装置を構成していたが、
そのために該当する回路の面積が大きくなっていた。
い回路の両方で得られる場合、従来はインダクタ素子を
含まない回路を採用して半導体装置を構成していたが、
そのために該当する回路の面積が大きくなっていた。
本発明の半導体装置は、第１導電型半導体基板表面に平
行にならんだ多数の線状の第２導電型不純物拡散領域を
有し、この第２導電型不純物拡散領域の列の上に絶縁膜
を介して棒状あるいは輪状の強磁性体を有し、この強磁
性体の、絶縁膜を介して第２導電型不純物拡散領域と接
していない面を、同じく絶縁膜を介して巻く様に接する
平行にならんだ多数の金属配線を有しており、この金属
配線と第２導電型不純物拡散領域とを接続し、全体とし
て棒状の強磁性体を巻く１本のコイルの構造を有してい
る。
行にならんだ多数の線状の第２導電型不純物拡散領域を
有し、この第２導電型不純物拡散領域の列の上に絶縁膜
を介して棒状あるいは輪状の強磁性体を有し、この強磁
性体の、絶縁膜を介して第２導電型不純物拡散領域と接
していない面を、同じく絶縁膜を介して巻く様に接する
平行にならんだ多数の金属配線を有しており、この金属
配線と第２導電型不純物拡散領域とを接続し、全体とし
て棒状の強磁性体を巻く１本のコイルの構造を有してい
る。
このように本発明では、半導体基板面上に絶縁膜を介し
て存する棒状あるいは輪状の強磁性体を、絶縁膜を介し
て、金属配線と半導体基板内の第２導電型不純物拡散領
域との連鎖で巻いた構造になっているので、小さな占有
面積で大きなインダクタンスをもつインダクタ素子をつ
くることができるという相違点を有する。大きなインダ
クタンスが必要な場合、全て外付けのインダクタ素子使
用していたので、部品点数が多くなり電子装置の小型化
が妨げられ、装置の信頼性も限定されていたが、本発明
を用いるならば、通常外付けのインダクタ素子を半導体
装置内部に組み込めるため、電子装置の大幅な小型化と
信頼性が可能となる。
て存する棒状あるいは輪状の強磁性体を、絶縁膜を介し
て、金属配線と半導体基板内の第２導電型不純物拡散領
域との連鎖で巻いた構造になっているので、小さな占有
面積で大きなインダクタンスをもつインダクタ素子をつ
くることができるという相違点を有する。大きなインダ
クタンスが必要な場合、全て外付けのインダクタ素子使
用していたので、部品点数が多くなり電子装置の小型化
が妨げられ、装置の信頼性も限定されていたが、本発明
を用いるならば、通常外付けのインダクタ素子を半導体
装置内部に組み込めるため、電子装置の大幅な小型化と
信頼性が可能となる。
また、従来はインダクタ素子の使用を避けるため、同様
の機能を他の回路構成によって得ていたが、本発明によ
って直接インダクタ素子が使用できるようになるので、
回路設計の自由度が大きくなり、該当する回路の占有面
積を小さくできる。
の機能を他の回路構成によって得ていたが、本発明によ
って直接インダクタ素子が使用できるようになるので、
回路設計の自由度が大きくなり、該当する回路の占有面
積を小さくできる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１導電型半導体基板１上に絶縁膜２が形成されており
、その上の棒状の強磁性体３の側面及び上部に添って巻
く様に配線金属５が形成されている。
、その上の棒状の強磁性体３の側面及び上部に添って巻
く様に配線金属５が形成されている。
第２図は、この実施例の平面図である。強磁性体３の側
面及び上部を巻いた配線金属５は、半導体基板内の第２
導電型不純物拡散層４で接続され、コイルを形成してい
る。
面及び上部を巻いた配線金属５は、半導体基板内の第２
導電型不純物拡散層４で接続され、コイルを形成してい
る。
第１導電型半導体基板ｌは、不純物をドープしたシリコ
ン基板でも、また化合物半導体基板でもかまわない。こ
の基板に、イオン注入か不純物拡散によって予め第２導
電型不純物拡散層４を形成しておく。半導体基板上の絶
縁膜２は、シリコン基板であれば、ＣｖＤによるシリコ
ン酸化膜、窒化膜等の他に熱酸化膜が利用でき、化合物
半導体基板であればＣＶＤによるシリコン酸化膜等が利
用できる。絶縁膜２の膜厚は１００Å以上が必要である
。強磁性体３は、たとえば鉄、コバルト、ニッケル等の
スパッタリングや蒸着等で形成した薄膜を、フォトリン
グラフィでパターニングすることによって形成される。
ン基板でも、また化合物半導体基板でもかまわない。こ
の基板に、イオン注入か不純物拡散によって予め第２導
電型不純物拡散層４を形成しておく。半導体基板上の絶
縁膜２は、シリコン基板であれば、ＣｖＤによるシリコ
ン酸化膜、窒化膜等の他に熱酸化膜が利用でき、化合物
半導体基板であればＣＶＤによるシリコン酸化膜等が利
用できる。絶縁膜２の膜厚は１００Å以上が必要である
。強磁性体３は、たとえば鉄、コバルト、ニッケル等の
スパッタリングや蒸着等で形成した薄膜を、フォトリン
グラフィでパターニングすることによって形成される。
この後、再びＣＶＤ等で絶縁膜を形成する。更に、アル
ミやモリブデン、タングステン等の配線金属をスパッタ
リングやＣＶＤて形成し、フォトリングラフィでパター
ニングする。最後に熱処理を行って、配線金属５と第２
導電型不純物拡散層の導通をとれば、コイルが完成する
。
ミやモリブデン、タングステン等の配線金属をスパッタ
リングやＣＶＤて形成し、フォトリングラフィでパター
ニングする。最後に熱処理を行って、配線金属５と第２
導電型不純物拡散層の導通をとれば、コイルが完成する
。
第３図は本発明の他の実施例を示す斜視図である。第１
導電型半導体基板に溝を形成し、その状態で第２導電型
不純物拡散層４を形成し、絶縁膜２を形成した後、強磁
性体の薄膜を形成する。次に溝の中だけを残して強磁性
体を除去し、強磁性体３が溝の中へ埋め込まれた構造を
つくる。この後、再び絶縁膜と配線金属膜を成膜し、配
線金属膜のパターニングを行うことによってコイルの構
造が形成される。
導電型半導体基板に溝を形成し、その状態で第２導電型
不純物拡散層４を形成し、絶縁膜２を形成した後、強磁
性体の薄膜を形成する。次に溝の中だけを残して強磁性
体を除去し、強磁性体３が溝の中へ埋め込まれた構造を
つくる。この後、再び絶縁膜と配線金属膜を成膜し、配
線金属膜のパターニングを行うことによってコイルの構
造が形成される。
この実施例では、強磁性体が半導体基板中へ埋め込まれ
た構造になっているため、半導体装置表面が平坦化され
、配線金属の段差部での切断が生じにくいという利点が
ある。
た構造になっているため、半導体装置表面が平坦化され
、配線金属の段差部での切断が生じにくいという利点が
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体基板上に絶縁膜を
介して存する強磁性体を、同じく絶縁膜を介して金属配
線と第２導電型不純物拡散領域の連鎖で巻くことによっ
て、小さな占有面積で大きなインダクタンスのコイルを
形成できる。このため、従来は外付けにしていたインダ
クタ素子を半導体装置内へ組み込むことが可能となり、
電子装置を大幅に小型化、高信頼性化できる効果がある
。
介して存する強磁性体を、同じく絶縁膜を介して金属配
線と第２導電型不純物拡散領域の連鎖で巻くことによっ
て、小さな占有面積で大きなインダクタンスのコイルを
形成できる。このため、従来は外付けにしていたインダ
クタ素子を半導体装置内へ組み込むことが可能となり、
電子装置を大幅に小型化、高信頼性化できる効果がある
。
また、インダクタ素子が容易に組み込めるため、回路設
計の自由度を大きくでき、該当する回路の占有面積を小
さくできる効果がある。
計の自由度を大きくでき、該当する回路の占有面積を小
さくできる効果がある。
第１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を示す斜視
図、第２図は同じく第１の実施例の平面図、第３図は本
発明の半導体装置の第２の実施例を示す斜視図、第４図
は従来の半導体装置を示す平面図である。 １・・・・・・第１導電型半導体基板、２・・・・・・
絶縁膜、３・・・・・・強磁性体、４・・・・・・第２
導電型不純物拡散層、５・・・・・・配線金属。 代理人 弁理士 内 原 晋 第３図
図、第２図は同じく第１の実施例の平面図、第３図は本
発明の半導体装置の第２の実施例を示す斜視図、第４図
は従来の半導体装置を示す平面図である。 １・・・・・・第１導電型半導体基板、２・・・・・・
絶縁膜、３・・・・・・強磁性体、４・・・・・・第２
導電型不純物拡散層、５・・・・・・配線金属。 代理人 弁理士 内 原 晋 第３図
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板表面に、平行にならんだ多数の線
状の第２導電型不純物拡散領域を有し、この第２導電型
不純物拡散領域の列の上に、絶縁膜を介して棒状の強磁
性体を有し、この強磁性体の、絶縁膜を介して第２導電
型不純物拡散領域と接していない面を、同じく絶縁膜を
介して巻くように接する平行にならんだ多数の金属配線
を有し、この金属配線と第２導電型不純物拡散領域とを
接続して、連鎖を構成し全体として棒状の強磁性体を巻
く１本のコイルを形成しているにとを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295020A JPH02140970A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295020A JPH02140970A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140970A true JPH02140970A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17815293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63295020A Pending JPH02140970A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140970A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2766006A1 (fr) * | 1997-06-26 | 1999-01-15 | Innotech Corp | Dispositif a semiconducteur |
| CN103700650A (zh) * | 2012-07-27 | 2014-04-02 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 半导体元件和制造半导体元件的方法 |
| CN111448463A (zh) * | 2017-11-24 | 2020-07-24 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031356A (ja) * | 1973-07-25 | 1975-03-27 | ||
| JPS56125865A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-02 | Toko Inc | Coil |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP63295020A patent/JPH02140970A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031356A (ja) * | 1973-07-25 | 1975-03-27 | ||
| JPS56125865A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-02 | Toko Inc | Coil |
Cited By (3)
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| FR2766006A1 (fr) * | 1997-06-26 | 1999-01-15 | Innotech Corp | Dispositif a semiconducteur |
| CN103700650A (zh) * | 2012-07-27 | 2014-04-02 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 半导体元件和制造半导体元件的方法 |
| CN111448463A (zh) * | 2017-11-24 | 2020-07-24 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法 |
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