JPH0192151U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0192151U JPH0192151U JP18647487U JP18647487U JPH0192151U JP H0192151 U JPH0192151 U JP H0192151U JP 18647487 U JP18647487 U JP 18647487U JP 18647487 U JP18647487 U JP 18647487U JP H0192151 U JPH0192151 U JP H0192151U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- diffusion layer
- variable capacitance
- capacitance diode
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は、本考案に係る可変容量ダイオードの
実施例を示す断面図、第２図は、本考案に係る可
変容量ダイオードの他の実施例を示す断面図、第
３図は、本考案に係る可変容量ダイオードの更に
他の実施例を示す断面図、第４図は、従来の可変
容量ダイオードを示す断面図である。 １：半導体基体、２：Ｎ＋導電型の拡散層、３
，４：Ｐ＋導電型の拡散層、５：空隙、６：Ｐ＋
導電型の球状の拡散層。
実施例を示す断面図、第２図は、本考案に係る可
変容量ダイオードの他の実施例を示す断面図、第
３図は、本考案に係る可変容量ダイオードの更に
他の実施例を示す断面図、第４図は、従来の可変
容量ダイオードを示す断面図である。 １：半導体基体、２：Ｎ＋導電型の拡散層、３
，４：Ｐ＋導電型の拡散層、５：空隙、６：Ｐ＋
導電型の球状の拡散層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 可変容量ダイオードに於いて、半導体基板
表面に対し略平行な位置に分布する第１のＰＮ接
合に対して、突出した拡散層によつて第２のＰＮ
接合が形成されており、これらのＰＮ接合の接合
容量を加算してなる構造を有することを特徴とす
る可変容量ダイオード。 (2) 前記突出した拡散層による第２のＰＮ接合
が、前記半導体基板表面に対して略平行な位置に
分布するＰＮ接合に対して、略垂直下方に分布す
るＰＮ接合から形成された実用新案登録請求の範
囲第１項記載の可変容量ダイオード。 (3) 前記垂直下方に延びるＰＮ接合を形成する
拡散層に拡散が行われる空隙が設けられている実
用新案登録請求の範囲第２項記載の可変容量ダイ
オード。 (4) 前記突出した第２のＰＮ接合が、該半導体
基体表面に対して下方に略球状に分布する拡散層
より形成されたＰＮ接合からなる実用新案登録請
求の範囲第１項記載の可変容量ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18647487U JPH0192151U (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18647487U JPH0192151U (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192151U true JPH0192151U (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=31477700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18647487U Pending JPH0192151U (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0192151U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690566A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5928368A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体容量素子 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP18647487U patent/JPH0192151U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690566A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5928368A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体容量素子 |
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