JPH0289855U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0289855U JPH0289855U JP17057388U JP17057388U JPH0289855U JP H0289855 U JPH0289855 U JP H0289855U JP 17057388 U JP17057388 U JP 17057388U JP 17057388 U JP17057388 U JP 17057388U JP H0289855 U JPH0289855 U JP H0289855U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper layer
- semiconductor device
- high frequency
- junction
- frequency semiconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案高周波半導体装置の第１実施例
の構造図であり、第２図は第２実施例の構造図で
ある。第３図及び第４図はスイツチングダイオー
ド及びバリキヤツプダイオードの回路図である。
第５図は従来例の構造図であり、第６図はその適
用を説明するための図である。 １……Ｎ型基板、２……Ｐ層、３……抵抗体。
の構造図であり、第２図は第２実施例の構造図で
ある。第３図及び第４図はスイツチングダイオー
ド及びバリキヤツプダイオードの回路図である。
第５図は従来例の構造図であり、第６図はその適
用を説明するための図である。 １……Ｎ型基板、２……Ｐ層、３……抵抗体。
Claims (1)
- ＰＮ接合を成す上層に接続される抵抗体を前記
上層の上に形成したことを特徴とする高周波半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17057388U JPH0289855U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17057388U JPH0289855U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289855U true JPH0289855U (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=31461641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17057388U Pending JPH0289855U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289855U (ja) |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP17057388U patent/JPH0289855U/ja active Pending