JPH0455143U - - Google Patents
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- JPH0455143U JPH0455143U JP9654290U JP9654290U JPH0455143U JP H0455143 U JPH0455143 U JP H0455143U JP 9654290 U JP9654290 U JP 9654290U JP 9654290 U JP9654290 U JP 9654290U JP H0455143 U JPH0455143 U JP H0455143U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- semiconductor
- substrate
- capacitance
- integrated circuit
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例を示す図、第2図は
従来の構造を示す図である。 1……半導体基板、2……半導体層、3……絶
縁層、4……金属配線。
従来の構造を示す図である。 1……半導体基板、2……半導体層、3……絶
縁層、4……金属配線。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体集積回路の配線構造において、 半導体基板上に、基板とは極性が異なり、電位
の定らない半導体層を設け、その上に絶縁膜を設
け、その上に配線を設け、上記基板と上記半導体
層とのP−N接合の容量が上記絶縁層の容量に直
列接続するごとくしたことを特徴とする半導体集
積回路の配線構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9654290U JPH0455143U (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9654290U JPH0455143U (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0455143U true JPH0455143U (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=31836168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9654290U Pending JPH0455143U (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0455143U (ja) |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP9654290U patent/JPH0455143U/ja active Pending