JPH0464806U - - Google Patents

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JPH0464806U
JPH0464806U JP10782590U JP10782590U JPH0464806U JP H0464806 U JPH0464806 U JP H0464806U JP 10782590 U JP10782590 U JP 10782590U JP 10782590 U JP10782590 U JP 10782590U JP H0464806 U JPH0464806 U JP H0464806U
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JP
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metal film
line including
output line
dielectric film
film
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図aは本考案の一実施例を示す平面図、第
1図bは第1図aのX−X線断面図、第2図aは
一実施例の変形を示す平面図、第2図bは第2図
aのX−X線断面図、第3図は高周波分岐回路の
一例の回路図、第4図aは従来例を示す平面図、
第4図bは第4図aのY−Y線断面図である。 1……基板、2,2−1,2−2……第1金属
膜、3……第1誘電体膜、4……第2金属膜、5
……第2誘電体膜、6,6−1,6−2……第3
金属膜、11……入出力、12……第1出力線、
13……第2出力線、14……パツド、15……
誘電体膜、16−1,16−2……上層金属膜、
17……P型拡散層、18……N型半導体層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 所定層次の第1金属膜を含む第1出力線と、前
    記第1金属膜上に第1誘電体膜を介して設けられ
    た第2金属膜を含む入力線と、前記第2金属膜上
    に第2誘電体膜を介して設けられた第3金属膜を
    含む第2出力線とからなることを特徴とする超高
    周波分岐回路。
JP10782590U 1990-10-15 1990-10-15 Pending JPH0464806U (ja)

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JPH0464806U true JPH0464806U (ja) 1992-06-04

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