JPH0464806U - - Google Patents
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- JPH0464806U JPH0464806U JP10782590U JP10782590U JPH0464806U JP H0464806 U JPH0464806 U JP H0464806U JP 10782590 U JP10782590 U JP 10782590U JP 10782590 U JP10782590 U JP 10782590U JP H0464806 U JPH0464806 U JP H0464806U
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- Japan
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- metal film
- line including
- output line
- dielectric film
- film
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- Pending
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図aは本考案の一実施例を示す平面図、第
1図bは第1図aのX−X線断面図、第2図aは
一実施例の変形を示す平面図、第2図bは第2図
aのX−X線断面図、第3図は高周波分岐回路の
一例の回路図、第4図aは従来例を示す平面図、
第4図bは第4図aのY−Y線断面図である。 1……基板、2,2−1,2−2……第1金属
膜、3……第1誘電体膜、4……第2金属膜、5
……第2誘電体膜、6,6−1,6−2……第3
金属膜、11……入出力、12……第1出力線、
13……第2出力線、14……パツド、15……
誘電体膜、16−1,16−2……上層金属膜、
17……P型拡散層、18……N型半導体層。
1図bは第1図aのX−X線断面図、第2図aは
一実施例の変形を示す平面図、第2図bは第2図
aのX−X線断面図、第3図は高周波分岐回路の
一例の回路図、第4図aは従来例を示す平面図、
第4図bは第4図aのY−Y線断面図である。 1……基板、2,2−1,2−2……第1金属
膜、3……第1誘電体膜、4……第2金属膜、5
……第2誘電体膜、6,6−1,6−2……第3
金属膜、11……入出力、12……第1出力線、
13……第2出力線、14……パツド、15……
誘電体膜、16−1,16−2……上層金属膜、
17……P型拡散層、18……N型半導体層。
Claims (1)
- 所定層次の第1金属膜を含む第1出力線と、前
記第1金属膜上に第1誘電体膜を介して設けられ
た第2金属膜を含む入力線と、前記第2金属膜上
に第2誘電体膜を介して設けられた第3金属膜を
含む第2出力線とからなることを特徴とする超高
周波分岐回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10782590U JPH0464806U (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10782590U JPH0464806U (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0464806U true JPH0464806U (ja) | 1992-06-04 |
Family
ID=31854516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10782590U Pending JPH0464806U (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0464806U (ja) |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP10782590U patent/JPH0464806U/ja active Pending