JPS63157956U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63157956U JPS63157956U JP5247687U JP5247687U JPS63157956U JP S63157956 U JPS63157956 U JP S63157956U JP 5247687 U JP5247687 U JP 5247687U JP 5247687 U JP5247687 U JP 5247687U JP S63157956 U JPS63157956 U JP S63157956U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- insulating film
- conductive material
- diffusion layer
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案に係る半導体装置の一実施例の
断面図、第２図は従来の半導体装置の断面図であ
る。 １３……半導体基板、１４……溝部、１５……
不純物拡散層、１６……第１の絶縁膜、１８……
第１の導電材、１９……第２の絶縁膜、２０……
接地導電材。
断面図、第２図は従来の半導体装置の断面図であ
る。 １３……半導体基板、１４……溝部、１５……
不純物拡散層、１６……第１の絶縁膜、１８……
第１の導電材、１９……第２の絶縁膜、２０……
接地導電材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の主面に形成された溝部をキヤパシ
タとして用いる半導体装置において、 上記溝部付近の半導体基板内に形成した不純物
拡散層表面に一部重なり上記溝部内とその周囲の
上記基板表面に沿つて形成された第１の絶縁膜と
、上記第１の絶縁膜を介して上記溝部内に凹状に
埋設され上記不純物拡散層と接続された第１の導
電材と、上記不純物拡散層表面を除いて第１の絶
縁膜につながり、かつ、第１の導電材を介して上
記溝部内に凹状に形成された第２の絶縁膜と、上
記溝部内に第２の絶縁膜を介して埋設された接地
導電材とを具備したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5247687U JPS63157956U (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5247687U JPS63157956U (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157956U true JPS63157956U (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=30877677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5247687U Pending JPS63157956U (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63157956U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60225462A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子 |
| JPS6136965A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Toshiba Corp | 半導体メモリ装置 |
-
1987
- 1987-04-06 JP JP5247687U patent/JPS63157956U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60225462A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ素子 |
| JPS6136965A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Toshiba Corp | 半導体メモリ装置 |