JPH0252425U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0252425U JPH0252425U JP13242288U JP13242288U JPH0252425U JP H0252425 U JPH0252425 U JP H0252425U JP 13242288 U JP13242288 U JP 13242288U JP 13242288 U JP13242288 U JP 13242288U JP H0252425 U JPH0252425 U JP H0252425U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- layer formed
- semiconductor substrate
- dielectric layer
- dielectric
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す構成説明図、
第２図は本考案のチツプコンデンサの実装状態説
明図、第３図は第２図の拡大断面図、第４図は従
来の構成説明図である。 ５……半導体基板、６，８……電極層、７……
誘電体層、９……絶縁体層。
第２図は本考案のチツプコンデンサの実装状態説
明図、第３図は第２図の拡大断面図、第４図は従
来の構成説明図である。 ５……半導体基板、６，８……電極層、７……
誘電体層、９……絶縁体層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 鏡面処理が施された半導体基板と、 この半導体基板の表面に形成された第１の電極
層と、 この第１の電極層の表面に第１の電極層の一部
が露出するように形成された誘電体層と、 この誘電体層の表面に形成された第２の電極層
と、 この第２の電極層の表面に第２の電極層の一部
が露出するように形成された絶縁体層、 を設けたことを特徴とするチツプコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242288U JPH0252425U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242288U JPH0252425U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252425U true JPH0252425U (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=31389368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13242288U Pending JPH0252425U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252425U (ja) |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP13242288U patent/JPH0252425U/ja active Pending