JPH0177002U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0177002U JPH0177002U JP1987172902U JP17290287U JPH0177002U JP H0177002 U JPH0177002 U JP H0177002U JP 1987172902 U JP1987172902 U JP 1987172902U JP 17290287 U JP17290287 U JP 17290287U JP H0177002 U JPH0177002 U JP H0177002U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- semi
- semiconductor substrate
- transmission line
- insulating semiconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例による伝送線路の
断面図、第２図は従来の半絶縁性半導体基板上に
形成されたマイクロストリツプ線路の断面図であ
る。 図において、１は半絶縁性半導体基板、３はマ
イクロストリツプ導体、４は接地導体、５は誘電
体である。なお、図中、同一符号は同一、または
相当部分を示す。
断面図、第２図は従来の半絶縁性半導体基板上に
形成されたマイクロストリツプ線路の断面図であ
る。 図において、１は半絶縁性半導体基板、３はマ
イクロストリツプ導体、４は接地導体、５は誘電
体である。なお、図中、同一符号は同一、または
相当部分を示す。
Claims (1)
- 半絶縁性半導体基板上に設けた溝に、接地され
た導体金属を形成し、前記溝に沿つて、誘電体を
充てんした上へマイクロストリツプ導体を形成し
たことを特徴とする伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987172902U JPH0177002U (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987172902U JPH0177002U (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0177002U true JPH0177002U (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=31464850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987172902U Pending JPH0177002U (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0177002U (ja) |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP1987172902U patent/JPH0177002U/ja active Pending