JPH0142009B2 - - Google Patents

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JPH0142009B2
JPH0142009B2 JP59263157A JP26315784A JPH0142009B2 JP H0142009 B2 JPH0142009 B2 JP H0142009B2 JP 59263157 A JP59263157 A JP 59263157A JP 26315784 A JP26315784 A JP 26315784A JP H0142009 B2 JPH0142009 B2 JP H0142009B2
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International Business Machines Corp
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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1004—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's to protect a block of data words, e.g. CRC or checksum
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    • G06F11/0763—Error or fault detection not based on redundancy by bit configuration check, e.g. of formats or tags
    • G—PHYSICS
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、主電源の停電時に補助用の電池によ
り記憶内容が保持されるようにされた揮発性メモ
リの間欠エラー検出方法に関する。
［従来技術］ 特開昭56−58197号及び特開昭58−199497号に
は、メモリのデータ・エラーを検出するために、
チエツク対象となるメモリ・データの総和を予め
求め、この総和をメモリに書込んでおき、検査時
にチエツク対象となるデータの総和を実際に求
め、これとメモリに記憶されている総和とを比較
することが開示されている。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来技術は、メモリのデータ・エラーを検
出することはできるが、停電時に電池によりバツ
クアツプされる揮発性メモリの電池切れによるエ
ラーと間欠エラー（これは例えば人間がメモリに
近づくときに発生する静電気により生ずる）とを
区別して検出することができない。
本発明の第１の目的は、電池によりバツクアツ
プされる揮発性メモリの間欠エラーを電池切れに
よるエラーと区別して検出できる方法を提供する
ことにある。
本発明の第２の目的は、間欠エラーが検出され
たときにエラー回復を簡単に行うことのできる揮
発性メモリの間欠エラー検出方法を提供すること
にある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、揮発性メモリの別個の２つの領域に
同一データを書込むとともに、これら２つのデー
タをそれぞれ所定の規則に従つて処理した結果
（例えば総和）を２つチエツク・データとして記
憶しておき、検査時にメモリの上記別個の２つの
領域のデータをそれぞれ読出して所定の規則に従
つて処理し、これにより得られた２つのデータと
これらにそれぞれ対応するチエツク・データとを
比較し、一方のデータのみが不一致のときに間欠
エラーと判断するものである。
［実施例］ 第１Ａ図及び第１Ｂ図は本発明による揮発性メ
モリの間欠エラー検出方法の一実施例を示し、第
２図は本発明の検査対象である揮発性メモリとマ
イクロプロセツサとのインターフエースを示す。
本発明の検査対象メモリは、主電源の停電時に補
助用の電池４によつて記憶内容が保持されるよう
にされた例えばCMOSのような揮発性メモリ２
である。
第１Ａ図のステツプ３２に示されているよう
に、まず、メモリ２に対し主データ保管域２２及
び補助データ保管域２６が設定される。これら２
つの保管域は同一の記憶容量を有する。主データ
保管域２２は、第１記憶領域２３と第２記憶領域
２４とを有する。第２記憶領域２４は第１記憶領
域２３の最終アドレスの次のアドレスに設定され
る。補助データ保管域２６も、主データ保管域２
２と同様に、第１記憶領域２７及び第１記憶領域
２８を有し、第２記憶領域２８は第１記憶領域２
７の最終アドレスの次のアドレスに設定される。
第１記憶領域２３及び２７の記憶容量は互いに等
しく、第２記憶領域２４及び２８の記憶容量も互
いに等しい。
次に、第１Ａ図のステツプ３４に示されている
ように、マイクロプロセツサ６は、主及び補助デ
ータ保管域２２及び２６の第１記憶領域２３及び
２７をアドレスし、この２つの領域に同一データ
を書込む。書込まれるデータは、端末装置の識別
番号、通信速度（ボー・レート）等任意のもので
よい。次に、ステツプ３６に示されいるように、
マイクロプロセツサ６は、第１記憶領域に書込ま
れたデータの総和を求める。そして、ステツプ３
７に示されているように、マイクロプロセツサ６
は、主及び補助データ保管２２及び２６の第２記
憶領域２４及び２８にステツプ３６で求められた
総和をそれぞれチエツク・データCH１及びCH
２として書込む。
メモリ２のエラーの有無の検査は、パワー・オ
ン時にマイクロプロセツサ６にメモリ・エラー検
出のための割込みをかけることにより開始され
る。マイクロプロセツサ６は、この割込みによつ
てメモリ・エラー検出のプログラムを作動させ、
まず、第１Ｂ図のステツプ４２に示されているよ
うに、主データ保管域２２の第１領域２３をアド
レスし、この領域のデータを読取り、その総和
SD１を求める。次に、マイクロプロセツサ６は、
主データ保管域２２の第２記憶領域２４をアドレ
スし、この領域からチエツク・データCH１を読
取る。そして、ステツプ４４に示されているよう
に、マイクロプロセツサ６は、総和SD１とチエ
ツク・データとを比較し、不一致ならばステツプ
４６に進む。
ステツプ４６において、マイクロプロセツサ６
は、補助データ保管域２６の第１領域２７をアド
レスし、この領域に記憶されているデータを読取
つてその総和SD２を求める。次に、マイクロプ
ロセツサ６は、補助データ保管域２６の第２記憶
領域２８をアドレスし、この領域からチエツク・
データCH２を読取る。そして、ステツプ４８に
示されているように、マイクロプロセツサ６は、
総和SD２とチエツク・データCH２とを比較し、
不一致ならば、電池切れによるエラーと判断しそ
の旨表示する。
ステツプ４８の比較において、一致が検出され
れば、マイクロプロセツサ６は、間欠エラーと判
断し、間欠エラーの回復処理を行う。回復処理
は、ステツプ５０に示されているように、補助デ
ータ保管域２６の第１及び第２記憶領域２７及び
２８のデータをそれぞれ主データ保管域２２の第
１及び第２記憶領域２３及び２４にコピーするこ
とにより行われる。
ステツプ４４の比較において一致が検出されて
も、マイクロプロセツサ６は、ステツプ５２及び
５４に示されているようにステツプ４６及び４８
と同一の処理を行う。そして、ステツプ５４にお
いて、総和SD２とチエツク・データCH２とが等
しいことが検出されれば、メモリ２はエラーが無
く正常と判断する。
ステツプ５４において、総和SD２とチエツ
ク・データCH２とが異なることが検出される
と、マイクロプロセツサ６は間欠エラーと判断
し、ステツプ５６に示されているように、主デー
タ保管域２２の第１及び第２記憶領域２３及び２
４のデータをそれぞれ補助データ保管域２６の第
１及び第２記憶領域２７及び２８にコピーして、
回復処理を行う。
本発明は、主及び補助データ保管域２２及び２
６に記憶されるべきデータを同一としたので、間
欠エラー検出の際の回復処理を上述のようにコピ
ーという簡単な処理で行うことができる。また、
この実施例のように、第１記憶領域と第２記憶領
域とを隣接させておけば、コピーのためのデータ
転送も簡単に行うことができる。
なお、上記実施例では、主及び補助保管域の第
１領域に同一データを書込んだ後に、このデータ
の総和を求め、主及び補助保管域の第２領域に総
和を書込んでいるが、主保管域の第１領域にデー
タを書込み、総和を求め、主保管域の第２領域に
総和を書込んだ後、補助保管域に主保管域のデー
タと総和を書込んでもよい。
なお、上記実施例では、チエツク・データとし
て第１記憶領域のデータの総和を使用したが、本
発明はこれに限定されず、第１記憶領域のデータ
の排他的論理和、論理積等種々の演算結果を使用
できる。要するに、第１記憶領域のデータを一定
の規則に従つて処理した結果なら何でも使用でき
る。
また、上記実施例では、検査をパワー・オン時
に行つているが、必要なときにキーボード等の入
力装置からマイクロプロセツサに割込みをかけて
検査を行うようにすることもできる。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明は、揮
発性メモリの２つの保管域のデータを調べ、一方
が正しく他方が誤りであるときに間欠エラーと判
断するものであるから、間欠エラーを電池切れ等
に基く固定エラーと区別して検出することができ
る。
また、２つの保管域に同一データを記憶してお
くものであるから、間欠エラー検出時には、正し
い方のデータを誤つたデータの保管域にコピーす
ることにより簡単に回復処理を行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図及び第１Ｂ図は本発明による揮発性メ
モリの間欠エラー検出方法の一実施例を示すフロ
ーチヤート、第２図は第１Ａ図及び第１Ｂ図に示
された方法の実施に使用される装置を示すブロツ
ク図である。 ２……揮発性メモリ、４……電池、６……マイ
クロプロセツサ、２２……主データ保管域、２６
……補助データ保管域、２３，２７……第１記憶
領域、２４，２８……第２記憶領域。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 停電時に補助用の電池により記憶内容が保持
    されるようにされた揮発性メモリの間欠エラー検
    出方法において、 それぞれ第１及び第２記憶領域を有する主デー
    タ保管域及び補助データ保管域を前記メモリに設
    定し、 前記主及び補助データ保管域のそれぞれの前記
    第１記憶領域に同一の所定データを書込んでおく
    とともに、 前記所定データを所定の規則に従つて処理した
    結果であるチエツク・データを、前記主及び補助
    データ保管域のそれぞれの前記第２記憶領域に書
    込んでおき、 検査時に、 前記主及び補助データ保管域のそれぞれの前記
    第１記憶領域からデータを読取り、 前記主データ保管域の前記第１記憶領域から読
    取られたデータを前記所定の規則に従つて処理し
    て第１のデータを得、 前記補助データ保管域の前記第１記憶領域から
    読取られたデータを前記所定の規則に従つて処理
    して第２のデータを得、 前記主及び補助データ保管域のそれぞれの前記
    第２記憶領域に記憶された前記チエツク・データ
    を読取り、 前記主データ保管域の前記第２記憶領域から読
    取られた前記チエツク・データと前記第１のデー
    タとを比較し、 前記補助データ保管域の前記第２記憶領域から
    読取られた前記チエツク・データと前記第２のデ
    ータとを比較し、 前記２つの比較の結果いずれか一方のみが不一
    致を示したときに前記メモリの間欠エラーである
    と判断することを特徴とする揮発性メモリの間欠
    エラー検出方法。
JP59263157A 1984-12-14 1984-12-14 揮発性メモリの間欠エラ−検出方法 Granted JPS61141056A (ja)

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