JPH0132932B2 - - Google Patents
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- JPH0132932B2 JPH0132932B2 JP56003628A JP362881A JPH0132932B2 JP H0132932 B2 JPH0132932 B2 JP H0132932B2 JP 56003628 A JP56003628 A JP 56003628A JP 362881 A JP362881 A JP 362881A JP H0132932 B2 JPH0132932 B2 JP H0132932B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- transistor
- temperature
- resistors
- point
- Prior art date
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、温度変化に応じた変化特性をもつ
電圧を出力する温度特性回路に関する。
電圧を出力する温度特性回路に関する。
従来、温度変化に応じた変化特性をもつ電圧を
出力する温度特性回路としては、たとえばその出
力電圧が温度の上昇にほぼ比例して増加するも
の、あるいはこれとは逆に温度の上昇にほぼ反比
例して減少するものがあるが、いずれのものにし
ても温度が上昇あるいは下降し続けると、その出
力電圧がある範囲を越えて増加あるいは減少して
しまうという欠点がある。
出力する温度特性回路としては、たとえばその出
力電圧が温度の上昇にほぼ比例して増加するも
の、あるいはこれとは逆に温度の上昇にほぼ反比
例して減少するものがあるが、いずれのものにし
ても温度が上昇あるいは下降し続けると、その出
力電圧がある範囲を越えて増加あるいは減少して
しまうという欠点がある。
この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たものであり、その目的とするところは、温度が
所定温度以上あるいは以下となる場合に、その出
力電圧がある値に固定されるような温度特性回路
を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、温度が
所定温度以上あるいは以下となる場合に、その出
力電圧がある値に固定されるような温度特性回路
を提供することにある。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明
する。第１図において正極性の基準電圧Vref1印
加点と接地電位点との間には、この基準電圧
Vref1を分割して第１の基準電圧V1を得るための
一対の抵抗１，２が直列接続される。また３はコ
レクタ、ベース間が短絡されているnpnトランジ
スタであり、このトランジスタ３のコレクタ、ベ
ース短絡点は上記一対の抵抗１，２の直列接続点
ａに接続され、さらにエミツタは接地電位点に接
続される。すなわち、上記トランジスタ３のコレ
クタ、ベース短絡点には上記第１の基準電圧V1
が供給される。
する。第１図において正極性の基準電圧Vref1印
加点と接地電位点との間には、この基準電圧
Vref1を分割して第１の基準電圧V1を得るための
一対の抵抗１，２が直列接続される。また３はコ
レクタ、ベース間が短絡されているnpnトランジ
スタであり、このトランジスタ３のコレクタ、ベ
ース短絡点は上記一対の抵抗１，２の直列接続点
ａに接続され、さらにエミツタは接地電位点に接
続される。すなわち、上記トランジスタ３のコレ
クタ、ベース短絡点には上記第１の基準電圧V1
が供給される。
また上記トランジスタ３のベースにはこのトラ
ンジスタ３と熱時定数を含む特性および寸法が等
しいもう一つのnpnトランジスタ４のベースが接
続され、両トランジスタ３，４によつて電流ミラ
ー回路が構成される。そしてこのトランジスタ４
のエミツタは接地電位点に接続される。
ンジスタ３と熱時定数を含む特性および寸法が等
しいもう一つのnpnトランジスタ４のベースが接
続され、両トランジスタ３，４によつて電流ミラ
ー回路が構成される。そしてこのトランジスタ４
のエミツタは接地電位点に接続される。
さらに正極性の第２の基準電圧Vref2印加点と
出力端５との間には抵抗６が接続され、また出力
端５と接地電位点との間には二つの抵抗７，８が
直列接続される。そして上記二つの抵抗６，７は
第１の抵抗回路を構成し、また上記抵抗８は第２
の抵抗回路を構成している。さらに上記第１、第
２の抵抗回路の直列接続点ｂ点と、上記トランジ
スタ４のコレクタとの間には、抵抗９からなる第
３の抵抗回路が接続される。なお、上記二つの基
準電圧Vref1，Vref2としては、温度による変動が
少ない電圧たとえばツエナー電圧、ウイドラー電
圧等が用いられる。また上記基準電圧Vref1，
Vref2は異なる値でも、同じ値でもどちらでもよ
い。
出力端５との間には抵抗６が接続され、また出力
端５と接地電位点との間には二つの抵抗７，８が
直列接続される。そして上記二つの抵抗６，７は
第１の抵抗回路を構成し、また上記抵抗８は第２
の抵抗回路を構成している。さらに上記第１、第
２の抵抗回路の直列接続点ｂ点と、上記トランジ
スタ４のコレクタとの間には、抵抗９からなる第
３の抵抗回路が接続される。なお、上記二つの基
準電圧Vref1，Vref2としては、温度による変動が
少ない電圧たとえばツエナー電圧、ウイドラー電
圧等が用いられる。また上記基準電圧Vref1，
Vref2は異なる値でも、同じ値でもどちらでもよ
い。
次に上記のように構成された回路の作用につい
て説明する。
て説明する。
一般にnpnトランジスタのベース・エミツタ間
電圧は負の温度特性（およそ−2mV／℃）をも
つため、抵抗１，２の抵抗比を適当に選んで第１
の基準電圧V1を設定すれば、温度Ｔが所定温度
T1よりも低い場合にはVBEQ＞V1、T1よりも高い
場合にはVBEQ＜V1（ただしVBEQはトランジスタ３
のベース・エミツタ間電圧）なる電圧の大小関係
が成立する。
電圧は負の温度特性（およそ−2mV／℃）をも
つため、抵抗１，２の抵抗比を適当に選んで第１
の基準電圧V1を設定すれば、温度Ｔが所定温度
T1よりも低い場合にはVBEQ＞V1、T1よりも高い
場合にはVBEQ＜V1（ただしVBEQはトランジスタ３
のベース・エミツタ間電圧）なる電圧の大小関係
が成立する。
このうち、温度Ｔが所定温度T1よりも低い場
合で、VBEQ＞V1のとき、トランジスタ３はオフ
状態（非導通状態）になり、電流は流れない。し
たがつてこのときには、もう一つのトランジスタ
４にも電流は流れない。この結果、温度Ｔが所定
温度T1よりも低い範囲では、出力端５からの出
力電圧VOUTは第２の基準電圧Vref2と三つの抵抗
６，７，８とにより次式のように一義的に決定さ
れる。
合で、VBEQ＞V1のとき、トランジスタ３はオフ
状態（非導通状態）になり、電流は流れない。し
たがつてこのときには、もう一つのトランジスタ
４にも電流は流れない。この結果、温度Ｔが所定
温度T1よりも低い範囲では、出力端５からの出
力電圧VOUTは第２の基準電圧Vref2と三つの抵抗
６，７，８とにより次式のように一義的に決定さ
れる。
VOUT＝R7＋R8／R6＋R7＋R8・Vref2 …(1)
R6：抵抗６の抵抗値
R7：抵抗７の抵抗値
R8：抵抗８の抵抗値
またトランジスタ３が完全にオン状態になると
きの温度をT2として、温度Ｔが前記温度T1より
も高くかつ温度T2よりも低い範囲にあるとき
（T1＜Ｔ＜T2）、VBEQ＜V1であるため、トランジ
スタ３はオフ状態と完全オン状態との中間状態で
動作する。したがつてこのとき、トランジスタ４
にはトランジスタ３と等しいコレクタ電流が流れ
ることになる。この結果、このときの出力電圧
VOUTはトランジスタ４のコレクタ電流の大きさ
と抵抗９に影響され、このコレクタ電流は温度Ｔ
の上昇と共に増加するため抵抗９における電圧降
下は大きくなるので、VOUTは上記(1)式で与えら
れる値からほぼ一定の傾斜で順次低下していくこ
とになる。
きの温度をT2として、温度Ｔが前記温度T1より
も高くかつ温度T2よりも低い範囲にあるとき
（T1＜Ｔ＜T2）、VBEQ＜V1であるため、トランジ
スタ３はオフ状態と完全オン状態との中間状態で
動作する。したがつてこのとき、トランジスタ４
にはトランジスタ３と等しいコレクタ電流が流れ
ることになる。この結果、このときの出力電圧
VOUTはトランジスタ４のコレクタ電流の大きさ
と抵抗９に影響され、このコレクタ電流は温度Ｔ
の上昇と共に増加するため抵抗９における電圧降
下は大きくなるので、VOUTは上記(1)式で与えら
れる値からほぼ一定の傾斜で順次低下していくこ
とになる。
次に温度Ｔがトランジスタ３が完全にオン状態
となるような温度T2を越えると、トランジスタ
３は飽和動作し、そのコレクタ電流は一定にな
る。したがつてもう一つのトランジスタ４のコレ
クタ電流も一定になり、このときの出力電圧
VOUTは第２の基準電圧Vref2と四つの抵抗６，７，
８，９とにより、次式のようにほぼ一義的に決定
される。
となるような温度T2を越えると、トランジスタ
３は飽和動作し、そのコレクタ電流は一定にな
る。したがつてもう一つのトランジスタ４のコレ
クタ電流も一定になり、このときの出力電圧
VOUTは第２の基準電圧Vref2と四つの抵抗６，７，
８，９とにより、次式のようにほぼ一義的に決定
される。
VOUT＝R7＋R89／R6＋R7＋R89・Vref2 …(2)
R89：抵抗８と９の並列抵抗値
上記(2)式においてR89は前記R8よりも小さいた
め、このときのVOUTは前記(1)式のときよりも小
さな値となる。
め、このときのVOUTは前記(1)式のときよりも小
さな値となる。
第２図は横軸に温度Ｔを、縦軸に出力端子５に
おける出力電圧VOUTをそれぞれとつて上記実施
例回路の出力特性を示したもので、VHは前記(1)
式で与えられるVOUTの値であり、VLは前記(2)式
で与えられるVOUTの値である。第２図から明ら
かなように、T1とT2の間の温度範囲ではVOUTは
温度Ｔにほぼ反比例して減少し、温度T1以下で
はVH一定になり、かつT2以上ではVL一定となる
ような出力特性が得られる。
おける出力電圧VOUTをそれぞれとつて上記実施
例回路の出力特性を示したもので、VHは前記(1)
式で与えられるVOUTの値であり、VLは前記(2)式
で与えられるVOUTの値である。第２図から明ら
かなように、T1とT2の間の温度範囲ではVOUTは
温度Ｔにほぼ反比例して減少し、温度T1以下で
はVH一定になり、かつT2以上ではVL一定となる
ような出力特性が得られる。
第３図は上記実施例の第１の変形例の構成図で
あり、前記電流ミラー回路を構成する入力側のト
ランジスタ３のエミツタと接地電位点との間に抵
抗１０を挿入するようにしたものである。
あり、前記電流ミラー回路を構成する入力側のト
ランジスタ３のエミツタと接地電位点との間に抵
抗１０を挿入するようにしたものである。
第１図に示す実施例回路では、温度T1とT2と
の間の温度範囲におけるVOUTの傾きは二つのト
ランジスタ３，４の特性によつて定まるが、この
第３図に示す変形例回路では抵抗１０を挿入した
ことによつて、トランジスタ３のコレクタ電流が
トランジスタ４のそれよりも小さくなるため、こ
のときのVOUTの傾きはより急峻なものとなる。
の間の温度範囲におけるVOUTの傾きは二つのト
ランジスタ３，４の特性によつて定まるが、この
第３図に示す変形例回路では抵抗１０を挿入した
ことによつて、トランジスタ３のコレクタ電流が
トランジスタ４のそれよりも小さくなるため、こ
のときのVOUTの傾きはより急峻なものとなる。
第４図は上記実施例の第２の変形例の構成図で
あり、上記第１の変形例とは逆に、前記電流ミラ
ー回路を構成する出力側のトランジスタ４のエミ
ツタと接地電位点との間に抵抗１１を挿入するこ
とによつて、VOUTの傾きを第１図に示す実施例
回路のものよりもなだらかにするようにしたもの
である。
あり、上記第１の変形例とは逆に、前記電流ミラ
ー回路を構成する出力側のトランジスタ４のエミ
ツタと接地電位点との間に抵抗１１を挿入するこ
とによつて、VOUTの傾きを第１図に示す実施例
回路のものよりもなだらかにするようにしたもの
である。
第５図は上記実施例の第３の変形例の構成図で
あり、上記抵抗１０，１１を両方とも挿入するこ
とによつてトランジスタ３，４のコレクタ電流の
高精度化を図るようにしたものである。このとき
抵抗１０，１１の抵抗値を異ならせれば、高精度
化と共にVOUTの傾きを変えることもできる。
あり、上記抵抗１０，１１を両方とも挿入するこ
とによつてトランジスタ３，４のコレクタ電流の
高精度化を図るようにしたものである。このとき
抵抗１０，１１の抵抗値を異ならせれば、高精度
化と共にVOUTの傾きを変えることもできる。
第６図は上記実施例の第４の変形例の構成図で
あり、上記第５図に示す変形例回路において、ａ
点とトランジスタ３のコレクタ・ベース短絡点と
の間にダイオード１２を図示する方向に挿入する
ようにしたものである。
あり、上記第５図に示す変形例回路において、ａ
点とトランジスタ３のコレクタ・ベース短絡点と
の間にダイオード１２を図示する方向に挿入する
ようにしたものである。
ａ点における第１の基準電圧V1はトランジス
タ３のVBEQに近い値、たとえば＋0.5V程度に設
定されるものであるが、ダイオード１２を挿入す
ることによつて第１の基準電圧V1を＋0.5V高く
できるため、抵抗１，２によるV1の設定がより
簡単になる。なお、このダイオード１２は第１、
第３の変形例回路に挿入しても同じような効果が
得られる。また、このダイオード１２の代わりに
ダイオード接続したトランジスタを使用してもよ
い。
タ３のVBEQに近い値、たとえば＋0.5V程度に設
定されるものであるが、ダイオード１２を挿入す
ることによつて第１の基準電圧V1を＋0.5V高く
できるため、抵抗１，２によるV1の設定がより
簡単になる。なお、このダイオード１２は第１、
第３の変形例回路に挿入しても同じような効果が
得られる。また、このダイオード１２の代わりに
ダイオード接続したトランジスタを使用してもよ
い。
第７図はこの発明の応用例の構成図である。前
記実施例回路ではT1とT2の間の一つの温度範囲
でのみVOUTが変化する場合であつたが、この応
用例回路では第８図の特性図のように、温度Ta
とTbとの間、TcとTdとの間およびTeとTfとの間
の合計三つの温度範囲でVOUTが変化するような
特性を得るようにしたものであり、三つの抵抗
６，７，８を共通とし、それ以外の部分の構成を
３組設けて、これをVref1印加点とｂ点との間に
並列接続するようにしたものであり、第７図にお
いて三つの抵抗６，７，８以外で第１図と対応す
る個所には同一符号の末尾にａ，ｂ，ｃそれぞれ
を付してある。そして一対の抵抗１ａ，２ａはト
ランジスタ３ａがオンし始めるときの温度Taに
対する第１の基準電圧V1aを、同様に各１対の抵
抗１ｂ，２ｂおよび１ｃ，２ｃは各トランジスタ
３ｂ，３ｃがそれぞれオンし始めるときの第１の
基準電圧V1b，V1cをそれぞれ設定している。
記実施例回路ではT1とT2の間の一つの温度範囲
でのみVOUTが変化する場合であつたが、この応
用例回路では第８図の特性図のように、温度Ta
とTbとの間、TcとTdとの間およびTeとTfとの間
の合計三つの温度範囲でVOUTが変化するような
特性を得るようにしたものであり、三つの抵抗
６，７，８を共通とし、それ以外の部分の構成を
３組設けて、これをVref1印加点とｂ点との間に
並列接続するようにしたものであり、第７図にお
いて三つの抵抗６，７，８以外で第１図と対応す
る個所には同一符号の末尾にａ，ｂ，ｃそれぞれ
を付してある。そして一対の抵抗１ａ，２ａはト
ランジスタ３ａがオンし始めるときの温度Taに
対する第１の基準電圧V1aを、同様に各１対の抵
抗１ｂ，２ｂおよび１ｃ，２ｃは各トランジスタ
３ｂ，３ｃがそれぞれオンし始めるときの第１の
基準電圧V1b，V1cをそれぞれ設定している。
第９図はこの発明の他の応用例の構成図であ
る。前記実施例回路ではT1とT2の間の温度範囲
で、温度上昇に伴ないVOUTが減少する方向に変
化する場合であつたが、この応用例回路では第１
０図の特性図のように、温度上昇に伴ないVOUT
が増加する方向に変化するような特性を得るよう
にしたものであり、このため前記出力端５を、エ
ミツタが接地電位点に接続されたnpnトランジス
タ１３のベースに接続し、また第２の基準電圧
Vref2印加点と接地電位点との間に三つの抵抗１
４，１５，１６を直列接続し、この抵抗１４と１
５の直列接続点に新たな出力端１７を設け、さら
に抵抗１５，１６の直列接続点とトランジスタ１
３のコレクタとの間に抵抗１８を挿入するように
したものである。すなわち、この回路はトランジ
スタ４と四つの抵抗６〜９からなる回路に、これ
と同様の構成であるトランジスタ１３と四つの抵
抗１４〜１６，１８からなる回路を従続接続する
ことによつて、前記第２図の特性と対称な特性を
得るようにしたものである。
る。前記実施例回路ではT1とT2の間の温度範囲
で、温度上昇に伴ないVOUTが減少する方向に変
化する場合であつたが、この応用例回路では第１
０図の特性図のように、温度上昇に伴ないVOUT
が増加する方向に変化するような特性を得るよう
にしたものであり、このため前記出力端５を、エ
ミツタが接地電位点に接続されたnpnトランジス
タ１３のベースに接続し、また第２の基準電圧
Vref2印加点と接地電位点との間に三つの抵抗１
４，１５，１６を直列接続し、この抵抗１４と１
５の直列接続点に新たな出力端１７を設け、さら
に抵抗１５，１６の直列接続点とトランジスタ１
３のコレクタとの間に抵抗１８を挿入するように
したものである。すなわち、この回路はトランジ
スタ４と四つの抵抗６〜９からなる回路に、これ
と同様の構成であるトランジスタ１３と四つの抵
抗１４〜１６，１８からなる回路を従続接続する
ことによつて、前記第２図の特性と対称な特性を
得るようにしたものである。
なお、この発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、前記トランジスタ３，４のエミツタと
接地電位点との間に抵抗を挿入する代りにトラン
ジスタ３，４のエミツタ面積を異ならせることに
よつてVOUTの傾きを変化させるようにしてもよ
い。また第１図において出力電圧を得る出力端５
は第１の抵抗回路内における抵抗６，７の直列接
続点に設けたが、これはｂ点に設けるようにして
もよく、また第１の抵抗回路が二つ以上の抵抗に
よつて構成される場合には第１の抵抗回路内にお
いて第２の基準電圧Vref2印加点を除く任意の回
路点に設けるようにしてもよい。
ではなく、前記トランジスタ３，４のエミツタと
接地電位点との間に抵抗を挿入する代りにトラン
ジスタ３，４のエミツタ面積を異ならせることに
よつてVOUTの傾きを変化させるようにしてもよ
い。また第１図において出力電圧を得る出力端５
は第１の抵抗回路内における抵抗６，７の直列接
続点に設けたが、これはｂ点に設けるようにして
もよく、また第１の抵抗回路が二つ以上の抵抗に
よつて構成される場合には第１の抵抗回路内にお
いて第２の基準電圧Vref2印加点を除く任意の回
路点に設けるようにしてもよい。
さらにこの発明は第８図に示すような特性と対
称な特性をもつような回路にも実施可能であるこ
とはいうまでもない。
称な特性をもつような回路にも実施可能であるこ
とはいうまでもない。
以上説明したようにこの発明によれば、温度が
所定温度以上および所定温度以下となつた場合
に、出力電圧がある値に固定されるような温度特
性回路を提供することができる。
所定温度以上および所定温度以下となつた場合
に、出力電圧がある値に固定されるような温度特
性回路を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例の回路構成図、第
２図は上記実施例回路の作用を説明するための特
性図、第３図は上記実施例の第１の変形例の回路
構成図、第４図は上記実施例の第２の変形例の回
路構成図、第５図は上記実施例の第３の変形例の
回路構成図、第６図は上記実施例の第４の変形例
の回路構成図、第７図はこの発明の応用例の回路
構成図、第８図はその特性図、第９図はこの発明
の他の応用例の回路構成図、第１０図はその特性
図である。 １，２，６，７，８，９，１０，１１，１４，
１５，１６，１８…抵抗、３，４，１３…npnト
ランジスタ、１２…ダイオード。
２図は上記実施例回路の作用を説明するための特
性図、第３図は上記実施例の第１の変形例の回路
構成図、第４図は上記実施例の第２の変形例の回
路構成図、第５図は上記実施例の第３の変形例の
回路構成図、第６図は上記実施例の第４の変形例
の回路構成図、第７図はこの発明の応用例の回路
構成図、第８図はその特性図、第９図はこの発明
の他の応用例の回路構成図、第１０図はその特性
図である。 １，２，６，７，８，９，１０，１１，１４，
１５，１６，１８…抵抗、３，４，１３…npnト
ランジスタ、１２…ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コレクタに第１の基準電圧が印加されコレク
タとベースが接続された第１のトランジスタと、 周囲温度が所定の温度以下のときに上記第１の
トランジスタがオフするような値の電圧を上記第
１の基準電圧として発生する手段と、 ベースが上記第１のトランジスタのベースに接
続され熱時定数が上記第１のトランジスタと等し
い第２のトランジスタと、 第２の基準電圧の印加点と接地電位点との間に
直列接続された第１、第２の抵抗回路と、 上記第１、第２の抵抗回路の直列接続点と上記
第２のトランジスタのコレクタ、エミツタ回路と
の間に挿入された第３の抵抗回路と、 上記第２の基準電圧の印加点を除く上記第１の
抵抗回路の任意の回路点に設けられ上記第１、第
２のトランジスタの置かれている環境の周囲温度
に応じた電圧を取出す出力端と を具備したことを特徴とする温度特性回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP362881A JPS57118127A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Temperature characteristic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP362881A JPS57118127A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Temperature characteristic circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57118127A JPS57118127A (en) | 1982-07-22 |
| JPH0132932B2 true JPH0132932B2 (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=11562754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP362881A Granted JPS57118127A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Temperature characteristic circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57118127A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529735A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-03 | Hochiki Corp | Temperature detection unit |
-
1981
- 1981-01-13 JP JP362881A patent/JPS57118127A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529735A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-03 | Hochiki Corp | Temperature detection unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57118127A (en) | 1982-07-22 |
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