JPH01316966A - Ｉｃリード部材 - Google Patents
Ｉｃリード部材Info
- Publication number
- JPH01316966A JPH01316966A JP14872988A JP14872988A JPH01316966A JP H01316966 A JPH01316966 A JP H01316966A JP 14872988 A JP14872988 A JP 14872988A JP 14872988 A JP14872988 A JP 14872988A JP H01316966 A JPH01316966 A JP H01316966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- electrical conductivity
- insulating layer
- lead member
- mechanical strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣリード部材に関する。
従来、ＩＣリードフレーム材としては４２％Ｎｉ−Ｆｅ
合金、各種Ｃｕ合金等があり、スタンピングやエツチン
グ加工により所定のリードフレーム形状に成形されて用
いられていた。
合金、各種Ｃｕ合金等があり、スタンピングやエツチン
グ加工により所定のリードフレーム形状に成形されて用
いられていた。
４２％Ｆｅ−Ｎｉ合金はＳｉチップとの熱的整合性に優
れ、機械的強度も良好であるが、電気伝導度が低いとい
う欠点があった。一方、Ｃｕ合金は優れた電気伝導度特
性を有するものの、Ｓｉチップとの熱的整合性が悪く１
機械的強度が低いという欠点を持つ。
れ、機械的強度も良好であるが、電気伝導度が低いとい
う欠点があった。一方、Ｃｕ合金は優れた電気伝導度特
性を有するものの、Ｓｉチップとの熱的整合性が悪く１
機械的強度が低いという欠点を持つ。
特に近年、ＩＣの高集積化に伴い、ＩＣリードフレーム
材に高い電気伝導率が求められると共に、多ピン化によ
ってリード位置精度も一層厳しいものを要求されている
。
材に高い電気伝導率が求められると共に、多ピン化によ
ってリード位置精度も一層厳しいものを要求されている
。
本発明の目的は、Ｓｉチップとの熱的整合性を維持しつ
つ従来困難とされた電気伝導度と機械的強度の両立を可
能とし、リード位置精度の優れたＩＣリード部材を提供
することにある。
つ従来困難とされた電気伝導度と機械的強度の両立を可
能とし、リード位置精度の優れたＩＣリード部材を提供
することにある。
本発明者は種々検討した結果、第１図に示すように重量
％でＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅからなるＦｅ
−Ｎｉ合金の基板部３と５０％ＩＡＣＳ以上の電気伝導
度を有し箔状であるリード部１とが絶縁層２を介して接
合されている構造のＩＣリード部材とすることにより前
記課題を解決した。
％でＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅからなるＦｅ
−Ｎｉ合金の基板部３と５０％ＩＡＣＳ以上の電気伝導
度を有し箔状であるリード部１とが絶縁層２を介して接
合されている構造のＩＣリード部材とすることにより前
記課題を解決した。
本発明において、基板部に重量％でＮｉ ３５〜５５％
。
。
残部実質的にＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ合金を用いるのは
、Ｓｉチップとの熱的整合性を持たせるためである。Ｎ
ｉ量が３５％未満ではオーステナイト単相組織が得られ
ず、熱膨張係数の変動をきたす可能性があるため３５％
以上とする。また、５５％を越えると熱膨張係数が大き
くなりチップとの整合性が維持できなくなるため５５％
以下とした。この成分系であれば機械的強度も問題ない
。
、Ｓｉチップとの熱的整合性を持たせるためである。Ｎ
ｉ量が３５％未満ではオーステナイト単相組織が得られ
ず、熱膨張係数の変動をきたす可能性があるため３５％
以上とする。また、５５％を越えると熱膨張係数が大き
くなりチップとの整合性が維持できなくなるため５５％
以下とした。この成分系であれば機械的強度も問題ない
。
一方、リード部には素子の発熱を十分放散させるために
電気伝導度が５０％ＩＡＣＳ以上の材料を用いる。
電気伝導度が５０％ＩＡＣＳ以上の材料を用いる。
またリード部は機械的強度を有する必要がないため、箔
状のもので十分目的を達成し得る。
状のもので十分目的を達成し得る。
前記基板部とリード部とは絶縁層を介して接合されてい
る。
る。
絶縁層を介して接合するのは、絶縁層によって基板部と
リード部とを電気的に分離させるためである。すなわち
リード部は絶縁層を介して接合された箔をエツチングに
よりリード形状に加工するが、その際にリード部のみが
エツチングされる必要があり、また形成されたリード同
志が短絡しないように絶縁層を介して接合するのである
。絶縁層の耐熱性を２００℃以上としたのは、 ２００
℃未満では、チップやワイヤーのボンディングの際に絶
縁層が変質を起すため、 ２００℃以上とした。
リード部とを電気的に分離させるためである。すなわち
リード部は絶縁層を介して接合された箔をエツチングに
よりリード形状に加工するが、その際にリード部のみが
エツチングされる必要があり、また形成されたリード同
志が短絡しないように絶縁層を介して接合するのである
。絶縁層の耐熱性を２００℃以上としたのは、 ２００
℃未満では、チップやワイヤーのボンディングの際に絶
縁層が変質を起すため、 ２００℃以上とした。
なお、絶縁層を介して前記基板部とリード部となる箔を
接合する方法としては、エポキシ系樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着する、またはエポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂等に紙、布等の基材を含浸させたシート、フィ
ルムの状態で前記基板部とリード部との間に介在させ、
加熱、加圧を施すことにより接合する等の方法が適用さ
れる。
接合する方法としては、エポキシ系樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着する、またはエポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂等に紙、布等の基材を含浸させたシート、フィ
ルムの状態で前記基板部とリード部との間に介在させ、
加熱、加圧を施すことにより接合する等の方法が適用さ
れる。
以上の本発明によれば、基板部およびリード部にそれぞ
れその目的に応じた特性を有する材料を選択しであるた
め、Ｓｉチップとの熱適整合性を維持しつつ電気伝導度
と機械的強度の両特性を具備するＩＣリード部材の提供
を可能とする。
れその目的に応じた特性を有する材料を選択しであるた
め、Ｓｉチップとの熱適整合性を維持しつつ電気伝導度
と機械的強度の両特性を具備するＩＣリード部材の提供
を可能とする。
また、本発明によれば形成されたリード部が基板部およ
び絶縁層に固定されているため、リードの寄りや段差が
生じることはなく、多ピン化の要求に十分対応し得る。
び絶縁層に固定されているため、リードの寄りや段差が
生じることはなく、多ピン化の要求に十分対応し得る。
本発明の実施例について述べる。
基板部として、厚さ０．３５ｎ＋ｍ、幅５００１の４２
％Ｎｉ−Ｆｅ合金の鋼帯を用い、厚さ０．０５ｍｍ、幅
５００ ｗｅのビスフェノールＡエポキシ系樹脂を絶縁
層（接着剤として使用）として、リード部として厚さ０
．０５ａｍ、幅５００ｍｍの無酸素銅の箔を接合させた
。得られた帯素材について平均熱膨張係数、引張試験と
電気伝導度の測定を行った。
％Ｎｉ−Ｆｅ合金の鋼帯を用い、厚さ０．０５ｍｍ、幅
５００ ｗｅのビスフェノールＡエポキシ系樹脂を絶縁
層（接着剤として使用）として、リード部として厚さ０
．０５ａｍ、幅５００ｍｍの無酸素銅の箔を接合させた
。得られた帯素材について平均熱膨張係数、引張試験と
電気伝導度の測定を行った。
また、 ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ
）パッケージ用にリードピッチ０．６５ｍｍでエツチン
グを行いリード位置の判定を行った。
）パッケージ用にリードピッチ０．６５ｍｍでエツチン
グを行いリード位置の判定を行った。
なお、比較例として４２Ｎｉ−Ｆｅ合金単体、２．３Ｆ
ｅ−０，０３Ｐ−Ｃｕ（鉄入り銅、ＣＤＡ１９４）単体
についても同様の測定、判定を行なった。
ｅ−０，０３Ｐ−Ｃｕ（鉄入り銅、ＣＤＡ１９４）単体
についても同様の測定、判定を行なった。
結果を第１表に示す。第１表中の評価は以下の通りであ
る。
る。
Ｓｉチップとの熱的整合性は、常温から３００℃までの
平均熱膨張係数が１２Ｘ１０−Ｇ／”Ｃ以下を良、１２
ＸＩＯ’／℃を越えるものを不良とした。
平均熱膨張係数が１２Ｘ１０−Ｇ／”Ｃ以下を良、１２
ＸＩＯ’／℃を越えるものを不良とした。
機械的強度は引張強さが５０ｋｇｆ／ｍｍ”以上を良、
５０ｋｇｆｌｆｆ１１２未満を不良とした。
５０ｋｇｆｌｆｆ１１２未満を不良とした。
電気伝導度は５０％ＩＡＣＳ以上を良、５０％ＩＡＣＳ
未満を不良とした。
未満を不良とした。
リード位置の判定は、リードの寄りまたは段差が生じな
いものを良、生じたものを不良とした。
いものを良、生じたものを不良とした。
第１表
第１表から明らかなように本発明はＩＣリード部材に要
求される諸特性を十分に満足するものである。
求される諸特性を十分に満足するものである。
本発明によれば、従来不十分であったＩＣリード部材の
Ｓｉチップとの熱的整合性および機械的強度と電気伝導
度の両立を可能とし、しかもリード位置精度に優れたＩ
Ｃリード部材を提供することができ、その効果は大きい
。
Ｓｉチップとの熱的整合性および機械的強度と電気伝導
度の両立を可能とし、しかもリード位置精度に優れたＩ
Ｃリード部材を提供することができ、その効果は大きい
。
第１図は本発明ＩＣリード部材の断面図である。
１：リード部、２：絶縁層、３：基板部第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重量％でＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅから
なるＦｅ−Ｎｉ合金の基板部と５０％ＩＡＣＳ以上の電
気伝導度を有し箔状であるリード部とが絶縁層を介して
接合されていることを特徴とするＩＣリード部材。 ２、絶縁層の耐熱性が２００℃以上である請求項１記載
のＩＣリード部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14872988A JPH01316966A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Ｉｃリード部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14872988A JPH01316966A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Ｉｃリード部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316966A true JPH01316966A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15459304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14872988A Pending JPH01316966A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | Ｉｃリード部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316966A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031562A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662349A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS60200545A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 実装基板 |
| JPS61241954A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP14872988A patent/JPH01316966A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662349A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS60200545A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 実装基板 |
| JPS61241954A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031562A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6190939B1 (en) | Method of manufacturing a warp resistant thermally conductive circuit package | |
| JPH04192341A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01316966A (ja) | Ｉｃリード部材 | |
| US6455922B1 (en) | Deformation-absorbing leadframe for semiconductor devices | |
| JP2606905B2 (ja) | Ｉｃリード用部材 | |
| JPS63261863A (ja) | 表面実装用基板 | |
| JP3454876B2 (ja) | 積層導体およびその製造方法 | |
| JP3151324B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2672349B2 (ja) | Ｉｃリード用部材 | |
| JPS61150253A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPH02100354A (ja) | Ｉｃリード用部材 | |
| JPH02100355A (ja) | Ｉｃリード用部材 | |
| JPS6232622B2 (ja) | ||
| JPH06204264A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2518716B2 (ja) | 接着シ―ト及び半導体装置 | |
| JPS639957A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPH04137552A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6025262A (ja) | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム | |
| JPH02152267A (ja) | Ｃｕ合金／Ｆｅ−Ｎｉ合金並接型リードフレーム | |
| JP2972679B2 (ja) | リードフレーム並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2936255B2 (ja) | セラミックパッケージの製造方法 | |
| JPH04229644A (ja) | Ｉｃリードフレームならびに同用複合材料およびその製造方法 | |
| JPS60262449A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0774299A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH06350016A (ja) | 多層リードフレーム |