JPH02100354A - Ｉｃリード用部材 - Google Patents
Ｉｃリード用部材Info
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- JPH02100354A JPH02100354A JP25303588A JP25303588A JPH02100354A JP H02100354 A JPH02100354 A JP H02100354A JP 25303588 A JP25303588 A JP 25303588A JP 25303588 A JP25303588 A JP 25303588A JP H02100354 A JPH02100354 A JP H02100354A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣリード用部材に関するものである。
従来、ＩＣリード用部材としては４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
、各種Ｃｕ合金等が主に用いられており、スタンピング
あるいはフォトエツチングによって所定のリードフレー
ム形状に成形されている。
、各種Ｃｕ合金等が主に用いられており、スタンピング
あるいはフォトエツチングによって所定のリードフレー
ム形状に成形されている。
しかしながら、近年のＩＣの高集積化にともないリード
用部材に対して多ピン化、高精細化の要求が強くなる中
、これまでのような単一材のリードフレームでは微細加
工も限界に達し、リードフレーム板厚よりも狭い幅のリ
ード加工は困難となってきた。
用部材に対して多ピン化、高精細化の要求が強くなる中
、これまでのような単一材のリードフレームでは微細加
工も限界に達し、リードフレーム板厚よりも狭い幅のリ
ード加工は困難となってきた。
また、ある程度以上の微細リードになるとリード位置ず
れや変形に起因するワイヤーボンディング不良が発生し
易くなる問題を有している。
れや変形に起因するワイヤーボンディング不良が発生し
易くなる問題を有している。
多ビン化対応のパッケージ技術としては、多数のリード
ピンをパッケージ下面に配したＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）や、絶縁テープ上に銅箔リードを配し
たＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）などが知られているが、ＰＧＡは高密度実装
に不向きで高価格であり、ＴＡＢは耐湿信頼性に欠ける
等の欠点を有している。
ピンをパッケージ下面に配したＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）や、絶縁テープ上に銅箔リードを配し
たＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）などが知られているが、ＰＧＡは高密度実装
に不向きで高価格であり、ＴＡＢは耐湿信頼性に欠ける
等の欠点を有している。
本発明は、以上のような問題点を解決し、多ビン化およ
び高密度実装化を可能とするＩＣリード用部材の提供を
課題とするものである。
び高密度実装化を可能とするＩＣリード用部材の提供を
課題とするものである。
本発明は１重量％でＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦ
ｅからなる基板材と１重量％でｃ ｏ、ｏｏｇ％以下、
Ｎｉ ３５−５５％、残部実質的にＦｅからなるＦｅ−
Ｎｉ合金の厚さ１００μｍ以下のリード用金属箔とが１
５０℃以上の耐熱性を有する絶縁層を介して接合された
ことを特徴とするＩＣリード用部材である。
ｅからなる基板材と１重量％でｃ ｏ、ｏｏｇ％以下、
Ｎｉ ３５−５５％、残部実質的にＦｅからなるＦｅ−
Ｎｉ合金の厚さ１００μｍ以下のリード用金属箔とが１
５０℃以上の耐熱性を有する絶縁層を介して接合された
ことを特徴とするＩＣリード用部材である。
本発明において、基板部に重量％でＮｉ３５〜５５％、
残部実質的にＦｅからなるＦ ｓ−Ｎ ｉ合金を用いる
のは、Ｓｉチップとの熱的整合性を持たせるためである
。
残部実質的にＦｅからなるＦ ｓ−Ｎ ｉ合金を用いる
のは、Ｓｉチップとの熱的整合性を持たせるためである
。
Ｎｉ量が３錦未満では完全なオーステナイト単相組織が
得られず、熱膨張係数の変動をきたす可能性があるため
３５％以上とした。また逆に、５５％を越えると熱膨張
係数゛が大きくなり過ぎＳｉチップとの整合性が維持で
きなくなるためＮｉ ５５％以下とした。この成分系で
あれば基板として必要な機械的強度を十分満足できる。
得られず、熱膨張係数の変動をきたす可能性があるため
３５％以上とした。また逆に、５５％を越えると熱膨張
係数゛が大きくなり過ぎＳｉチップとの整合性が維持で
きなくなるためＮｉ ５５％以下とした。この成分系で
あれば基板として必要な機械的強度を十分満足できる。
リード部を形成する金属箔は、基板との熱膨張整合性、
めっき性、はんだ付は性などを考慮し。
めっき性、はんだ付は性などを考慮し。
基板との同等組成のＦ ｅ−Ｎ ｉ合金を用いる。なお
この金属箔はフォトエツチングによってできるだけ微細
で精度の良いリード形状に成形できることが必要なため
板厚を１００μｍ以下とする。しかもＣ含有量は０．０
０８％以下、結晶粒度はＡＳＴＭ結晶粒度番号８以上の
細粒であることが必要である。Ｃ含有量が０．００８％
を越えるとエツチング速度が遅くなり良好なリード形状
が得られず、また結晶粒度番号が８を越えて大きくなる
とエツチング面の肌粗れが生じ、やはり良好なリード形
状が得られなくなる。
この金属箔はフォトエツチングによってできるだけ微細
で精度の良いリード形状に成形できることが必要なため
板厚を１００μｍ以下とする。しかもＣ含有量は０．０
０８％以下、結晶粒度はＡＳＴＭ結晶粒度番号８以上の
細粒であることが必要である。Ｃ含有量が０．００８％
を越えるとエツチング速度が遅くなり良好なリード形状
が得られず、また結晶粒度番号が８を越えて大きくなる
とエツチング面の肌粗れが生じ、やはり良好なリード形
状が得られなくなる。
基板材とリード用金属箔とを絶縁層を介して接合するの
は、絶縁層によってこれらを電気的に分離させるためで
ある。
は、絶縁層によってこれらを電気的に分離させるためで
ある。
すなわち基板材に絶縁層を介して接合された金属箔は、
フォトエツチングによりリード形状に加工されるが、そ
の際に金属箔のみがエツチングされる必要があり、また
形成されたリード同志が短絡しないように絶縁層を介し
て接合するのである。
フォトエツチングによりリード形状に加工されるが、そ
の際に金属箔のみがエツチングされる必要があり、また
形成されたリード同志が短絡しないように絶縁層を介し
て接合するのである。
絶縁層の耐熱性を１５０℃以上としたのは、１５０℃未
満では、チップやワイヤーのボンディングの際に絶縁層
が変質を起すため、１５０℃以上とした。
満では、チップやワイヤーのボンディングの際に絶縁層
が変質を起すため、１５０℃以上とした。
なお、絶縁層を介して前記基板部とリード部となる箔を
接合する方法としては、エポキシ系樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着する、またはエポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂等に紙、布等の基材を含浸させたシート、フィ
ルムの状態で前記基板部とリード部との間に介在させ、
加熱、加圧を施すことにより接合する等の方法が適用さ
れる。
接合する方法としては、エポキシ系樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着する、またはエポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂等に紙、布等の基材を含浸させたシート、フィ
ルムの状態で前記基板部とリード部との間に介在させ、
加熱、加圧を施すことにより接合する等の方法が適用さ
れる。
本発明によれば、形成されたリード部が絶縁層を介して
基板材に固定されているため、リードの寄りや段差（以
下これらをまとめて位置ずれともいう）が生じることは
なく、多ピン化や高密度実装化の要求に十分対応し得る
。また、基板部はそのままパッケージの外囲器として用
いることが可能であり、従来の樹脂封止パッケージに比
して熱放散性にも優れている。
基板材に固定されているため、リードの寄りや段差（以
下これらをまとめて位置ずれともいう）が生じることは
なく、多ピン化や高密度実装化の要求に十分対応し得る
。また、基板部はそのままパッケージの外囲器として用
いることが可能であり、従来の樹脂封止パッケージに比
して熱放散性にも優れている。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
基板部として、厚さ０．３５＋ａｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ
基板材と、第１表に示す各種の４２％Ｎｉ−Ｆｅリード
用箔（厚さ０．０５ｍｍ）とを、厚さ０．０５ｏｎのビ
スフェノールＡエポキシ系樹脂を用いて、基板材−樹脂
一り−ド用箔の三層構造に接合し、以下に述べるような
特性評価を行った。
基板材と、第１表に示す各種の４２％Ｎｉ−Ｆｅリード
用箔（厚さ０．０５ｍｍ）とを、厚さ０．０５ｏｎのビ
スフェノールＡエポキシ系樹脂を用いて、基板材−樹脂
一り−ド用箔の三層構造に接合し、以下に述べるような
特性評価を行った。
まず、リード用箔をリード幅０．３ｎｍ、 リードピ
ッチ０．６５ｎ、リード長１５＋ｍのＱ Ｆ Ｐ （Ｑ
ｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）パターンにフォトエ
ツチング加工し、その際のエツチング速度、リードの位
置ずれ、エツチング面の肌粗れ状況を測定した。エツチ
ング液は濃度４２ボーメ、液温４０℃の塩化第二鉄水溶
液を用いた。
ッチ０．６５ｎ、リード長１５＋ｍのＱ Ｆ Ｐ （Ｑ
ｕａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）パターンにフォトエ
ツチング加工し、その際のエツチング速度、リードの位
置ずれ、エツチング面の肌粗れ状況を測定した。エツチ
ング液は濃度４２ボーメ、液温４０℃の塩化第二鉄水溶
液を用いた。
なお、比較例として厚さ０．１５ａｓの４２Ｎｉ−Ｆｅ
合金単体、 ＣＤＡ１９４（鉄入り銅）単体についても
同様の測定を行なった。
合金単体、 ＣＤＡ１９４（鉄入り銅）単体についても
同様の測定を行なった。
結果を第１表に併せて示す。
第１表の結果から明らかなように、リード用４２Ｎｉ−
Ｆａ箔のＣ含有量をｏ、ｏｏｇ％以下、結晶粒度を粒度
番号８以上の細粒にすることにより精度の良いリード形
状を得ることができ、また基板材−樹脂−リード用箔の
三層構造にすることにより、リードの位置ずれがほとん
ど零の高精度リードフレームが得られることがわかる。
Ｆａ箔のＣ含有量をｏ、ｏｏｇ％以下、結晶粒度を粒度
番号８以上の細粒にすることにより精度の良いリード形
状を得ることができ、また基板材−樹脂−リード用箔の
三層構造にすることにより、リードの位置ずれがほとん
ど零の高精度リードフレームが得られることがわかる。
Claims (1)
- １ 重量％でＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅから
なるＦｅ−Ｎｉ合金の基板材と、重量％でＣ０．００８
％以下、Ｎｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅからなり
、さらに結晶粒の大きさがＡＳＴＭ結晶粒度番号８以上
の細粒であるＦｅ−Ｎｉ合金の厚さ１００μｍ以下のリ
ード用金属箔とが１５０℃以上の耐熱性を有する絶縁層
を介して接合されていることを特徴とするＩＣリード用
部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25303588A JPH02100354A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Ｉｃリード用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25303588A JPH02100354A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Ｉｃリード用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100354A true JPH02100354A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17245576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25303588A Pending JPH02100354A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | Ｉｃリード用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100354A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0768808A1 (en) * | 1995-09-28 | 1997-04-16 | Star Micronics Co., Ltd. | Lead frame material for electro acoustic transducer |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25303588A patent/JPH02100354A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0768808A1 (en) * | 1995-09-28 | 1997-04-16 | Star Micronics Co., Ltd. | Lead frame material for electro acoustic transducer |
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