JPH01275426A - 酸化物超電導体及びその製法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製法Info
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- JPH01275426A JPH01275426A JP63104990A JP10499088A JPH01275426A JP H01275426 A JPH01275426 A JP H01275426A JP 63104990 A JP63104990 A JP 63104990A JP 10499088 A JP10499088 A JP 10499088A JP H01275426 A JPH01275426 A JP H01275426A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば磁気浮上列車及び粒子加速器等の超電
導コイル部分や電子デバイス等に使用される高臨界電流
密度を存する酸化物超電導体およびその製法に関するも
のである。
導コイル部分や電子デバイス等に使用される高臨界電流
密度を存する酸化物超電導体およびその製法に関するも
のである。
現在、超電導体はＮｂＴｉ、 ＮｂｚＳｎ等に代表され
る金属系超電導体が実用化されているが、その臨界温度
（Ｔｃ）はたかだか２０に程度までである。
る金属系超電導体が実用化されているが、その臨界温度
（Ｔｃ）はたかだか２０に程度までである。
しかしながら近年、希土類元素、アルカリ土類元素及び
酸化銅の混合物からなる複合酸化物系超電導体はそのＴ
ｃが従来の超電導体と比べ著しく高いものであることが
、フィジカル レビューレターズ５８（１９７８）第９
０８頁から第９１０頁（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｆｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５８（１９７８）ｐｐ９０８−９
１０）などにおいて発表され、冷媒として高価で極低温
（４，２Ｋ）の液体ヘリウムよりも比較的高温（７７Ｋ
）の液体窒素で充分使用可能となった。それゆえ、この
酸化物超電導体の各種利用分野における実用化の目庇に
大きな前進が見られた。これらの発表に伴い上記利用分
野におけるバルク状又は薄膜状の酸化物超電導体におい
て、そのＴｃをさらに常温まで高めようとする研究と平
行して、７７Ｋにおける臨界電流密度（Ｊｃ）を向上さ
せる研究が盛んに行われている。〔発明が解決しようと
する問題点〕 この酸化物超電導体の実用化には、その用途に応じ材料
の性能、特に臨界温度（Ｔｃ）と臨界電流密度（Ｊｃ）
の向上が要求される。
酸化銅の混合物からなる複合酸化物系超電導体はそのＴ
ｃが従来の超電導体と比べ著しく高いものであることが
、フィジカル レビューレターズ５８（１９７８）第９
０８頁から第９１０頁（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｆｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５８（１９７８）ｐｐ９０８−９
１０）などにおいて発表され、冷媒として高価で極低温
（４，２Ｋ）の液体ヘリウムよりも比較的高温（７７Ｋ
）の液体窒素で充分使用可能となった。それゆえ、この
酸化物超電導体の各種利用分野における実用化の目庇に
大きな前進が見られた。これらの発表に伴い上記利用分
野におけるバルク状又は薄膜状の酸化物超電導体におい
て、そのＴｃをさらに常温まで高めようとする研究と平
行して、７７Ｋにおける臨界電流密度（Ｊｃ）を向上さ
せる研究が盛んに行われている。〔発明が解決しようと
する問題点〕 この酸化物超電導体の実用化には、その用途に応じ材料
の性能、特に臨界温度（Ｔｃ）と臨界電流密度（Ｊｃ）
の向上が要求される。
ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−／ （ＲＥ：希土類元素）系
組成の酸化物超電導体は斜方系に属し、その単位の格子
パラメータはほぼａ＝３．８９人、ｂ＝３．８２人、ｃ
＝１１．６７人であり、物理的な特性も大きな異方性を
有することが明確になっている。その為、５ｒＴｉＯ：
＋９Ｍｇ０などの単結晶基板上にエピタキシャル成長さ
せて、Ｃ軸配向させた薄膜の場合、そのＪｃは１ ｘ
１０６Ａ／ｃｍ” （磁場がＯＴの時でかつ７７Ｋにお
いて）に達している。
組成の酸化物超電導体は斜方系に属し、その単位の格子
パラメータはほぼａ＝３．８９人、ｂ＝３．８２人、ｃ
＝１１．６７人であり、物理的な特性も大きな異方性を
有することが明確になっている。その為、５ｒＴｉＯ：
＋９Ｍｇ０などの単結晶基板上にエピタキシャル成長さ
せて、Ｃ軸配向させた薄膜の場合、そのＪｃは１ ｘ
１０６Ａ／ｃｍ” （磁場がＯＴの時でかつ７７Ｋにお
いて）に達している。
しかしながら、これに比べ通常の粉体固体反応で製造し
た焼結体においては、Ｉ Ｘ１０３Ａ／ａｍ２（Ｅ’Ａ
場がＯＴの時でかつ７７Ｋにおいて）程度とかなり小さ
い。この値は、磁場を印加することによりさらに下がり
ＩＴの時Ｉ Ｘ １０２Ａ／ｃｍ”程度となる。
た焼結体においては、Ｉ Ｘ１０３Ａ／ａｍ２（Ｅ’Ａ
場がＯＴの時でかつ７７Ｋにおいて）程度とかなり小さ
い。この値は、磁場を印加することによりさらに下がり
ＩＴの時Ｉ Ｘ １０２Ａ／ｃｍ”程度となる。
このように、従来の酸化物超電導体の電流密度は金属系
の超電導体に比べ低く、実用的レベルに達していないの
が現状である。
の超電導体に比べ低く、実用的レベルに達していないの
が現状である。
本発明の目的は臨界温度（Ｔｃ）を劣化させることなく
、臨界電流密度Ｊｃを向上し得るＲＥＪａｚＣｕ３０７
−／系の酸化物超電導体およびその製法を提供するこ。
、臨界電流密度Ｊｃを向上し得るＲＥＪａｚＣｕ３０７
−／系の酸化物超電導体およびその製法を提供するこ。
とにある。
本発明者等は上記問題点に対し、研究を進めた結果、Ｒ
Ｅ、ＢａｚＣｕ３０．−ｌ系酸化物超電導体において、
その板状結晶粒が積層した組織構造となし、かつＸ線回
折においてＲ［！１ＢａｚＣｕ：＋０７−／の（，００
５）及び（０１４）の合成ピーク強度をＩ１、（００６
）及び（２００）の合成ピーク強度を１２、（１１０）
及び（０１３）の合成ピーク強度をｒｏとした時、Ｉｔ
／ｒ１／Ｉ０及び／またはＩ２／１０で表されるピーク
強度比が０．５以上であると、臨界電流密度（Ｊｃ）が
向上することを知見した。
Ｅ、ＢａｚＣｕ３０．−ｌ系酸化物超電導体において、
その板状結晶粒が積層した組織構造となし、かつＸ線回
折においてＲ［！１ＢａｚＣｕ：＋０７−／の（，００
５）及び（０１４）の合成ピーク強度をＩ１、（００６
）及び（２００）の合成ピーク強度を１２、（１１０）
及び（０１３）の合成ピーク強度をｒｏとした時、Ｉｔ
／ｒ１／Ｉ０及び／またはＩ２／１０で表されるピーク
強度比が０．５以上であると、臨界電流密度（Ｊｃ）が
向上することを知見した。
さらにその製法としては、ＲＥ＋ｌ１ａ２ＣｕＪｔ−／
Ｍｉ成の混合粉末もしくは合成原料を９００〜９７０
℃の酸化雰囲気で仮焼した後、該仮焼粉末を用いてドク
ターブレード法によりテープ状に成形し、該成形体を８
７０℃〜１０００℃の酸化雰囲気で焼成することにより
、上記酸化物超電導体が得ら°れる。
Ｍｉ成の混合粉末もしくは合成原料を９００〜９７０
℃の酸化雰囲気で仮焼した後、該仮焼粉末を用いてドク
ターブレード法によりテープ状に成形し、該成形体を８
７０℃〜１０００℃の酸化雰囲気で焼成することにより
、上記酸化物超電導体が得ら°れる。
以下、本発明を詳述する。なお、化学式中におけるＲＥ
に対する但書は省略して説明する。
に対する但書は省略して説明する。
Ｙ１ＢａｚＣｕ３０ｔ”系に代表されるＲＥ＋ＢａｚＣ
ｕｓＯｔ−Ｊ系酸化物超電導体の製造には、一般にはＹ
１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−／合成粉をつくり、これを成形後
酸化雰囲気で焼結することによって多結晶の焼結超電導
体を得る方法が用いられている。この方法によれば、結
晶組織は等軸的なものとなるがＲＥ１ＢａｚＣＬ１３０
７−／系結晶はそれ自体異方性をもち、電気的特性も結
晶軸方向により異なることが知られている。
ｕｓＯｔ−Ｊ系酸化物超電導体の製造には、一般にはＹ
１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−／合成粉をつくり、これを成形後
酸化雰囲気で焼結することによって多結晶の焼結超電導
体を得る方法が用いられている。この方法によれば、結
晶組織は等軸的なものとなるがＲＥ１ＢａｚＣＬ１３０
７−／系結晶はそれ自体異方性をもち、電気的特性も結
晶軸方向により異なることが知られている。
よって、上記のような等軸的な結晶ＭＰａの多結晶体に
おいては、各結晶の向きがまちまちであるため、その電
気的特性は最も低い特性の結晶の向きに支配されること
になる。また、電気的特性に対し粒界が影響することは
もちろんの事である。
おいては、各結晶の向きがまちまちであるため、その電
気的特性は最も低い特性の結晶の向きに支配されること
になる。また、電気的特性に対し粒界が影響することは
もちろんの事である。
そこで、多結晶の酸化物超電導体において、その板状結
晶を同一方向に緻密に積層した組織とすることにより、
各結晶粒子の結晶軸による電気的特性の異方性の影響が
低減され、且つ、積層構造であることから、結晶粒子相
互の粒界相が薄く、粒子が密に接着する。粒界相が薄く
なると、その粒界のポテンシャルが、粒界の厚い従来の
ＲＥ＋ＢａｚＣＬＩ３０？−／の粒界のポテンシャルに
比べ低くなる。
晶を同一方向に緻密に積層した組織とすることにより、
各結晶粒子の結晶軸による電気的特性の異方性の影響が
低減され、且つ、積層構造であることから、結晶粒子相
互の粒界相が薄く、粒子が密に接着する。粒界相が薄く
なると、その粒界のポテンシャルが、粒界の厚い従来の
ＲＥ＋ＢａｚＣＬＩ３０？−／の粒界のポテンシャルに
比べ低くなる。
このような理由により、単位面積あたりの電流密度は大
きく向上することとなる。
きく向上することとなる。
次に、本発明の超電ぶ体の表面Ｘ線回折チャート図であ
る第１図をもとに、本発明の詳細な説明する。第１図に
よればＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−／結晶の（００５）面
ビークと（０１４）面ピークがほとんど重なり、また（
００６）面ピークと（２００）面ピークがほとんど重な
り、（１１０）面ピークと（０１３）面ピークがほとん
ど重なる。
る第１図をもとに、本発明の詳細な説明する。第１図に
よればＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−／結晶の（００５）面
ビークと（０１４）面ピークがほとんど重なり、また（
００６）面ピークと（２００）面ピークがほとんど重な
り、（１１０）面ピークと（０１３）面ピークがほとん
ど重なる。
本発明によれば２θ＝ ３３．０ｃｍ−’付近の（１１
０）面と（０１３）面の合成ピーク強度を１０とした時
、２θ＝ ３８．５ｃｍ−’付近の（００５）面と（０
１４）面の合成ピーク強度Ｉ、あるいは２θ＝ ４６．
５ｃｍ−’付近の（００６）面と（２００）面の合成ピ
ーク強度Ｉ２のＬ／Ｉｏおよび／またはＩｚ／Ｉ２／Ｉ
０で表わされるピーク強度比が０．５以上、特に０．８
以上であることを特徴とする。これは、ＲＥ＋ＢａｚＣ
ｕ３０ｖ−／の板状結晶がａ−ｂ面方向に配向している
ことを意味し、前記強度比はその配向の度合を示すもの
である。本発明によれば、この強度比を前述した条件に
設定することにより、臨界温度Ｔｃを８Ｂ以上に維持し
つつ、臨界電流密度を０磁場で３ Ｘ １０’Ａ／ｃｍ
２以上に高めることができる。
０）面と（０１３）面の合成ピーク強度を１０とした時
、２θ＝ ３８．５ｃｍ−’付近の（００５）面と（０
１４）面の合成ピーク強度Ｉ、あるいは２θ＝ ４６．
５ｃｍ−’付近の（００６）面と（２００）面の合成ピ
ーク強度Ｉ２のＬ／Ｉｏおよび／またはＩｚ／Ｉ２／Ｉ
０で表わされるピーク強度比が０．５以上、特に０．８
以上であることを特徴とする。これは、ＲＥ＋ＢａｚＣ
ｕ３０ｖ−／の板状結晶がａ−ｂ面方向に配向している
ことを意味し、前記強度比はその配向の度合を示すもの
である。本発明によれば、この強度比を前述した条件に
設定することにより、臨界温度Ｔｃを８Ｂ以上に維持し
つつ、臨界電流密度を０磁場で３ Ｘ １０’Ａ／ｃｍ
２以上に高めることができる。
本発明の酸化物超電導体の製法によれば、原料粉末とし
てＲＥｌＢａｚＣｕＪ、−／ Ｍｉ成の混合粉末或いは
合成原料を用いる。混合粉末は一般に０．５モルのＲｕ
２Ｏ：ｌ と２モルのＢａＯ、あるいはＢａＣＯ３と、
３モルのＣｕＯとからなるもので、一方、合成原料は固
相反応法、共沈法、ゾル−ゲル法、気相合成法等により
合成され、これらのいずれでも用いることができるが、
好ましくは平均粒径０．５μｍ〜３．０μｍのものを用
いる。
てＲＥｌＢａｚＣｕＪ、−／ Ｍｉ成の混合粉末或いは
合成原料を用いる。混合粉末は一般に０．５モルのＲｕ
２Ｏ：ｌ と２モルのＢａＯ、あるいはＢａＣＯ３と、
３モルのＣｕＯとからなるもので、一方、合成原料は固
相反応法、共沈法、ゾル−ゲル法、気相合成法等により
合成され、これらのいずれでも用いることができるが、
好ましくは平均粒径０．５μｍ〜３．０μｍのものを用
いる。
本発明によれば、まず上記の原料粉末を９００℃〜９７
０℃、特に９２０℃〜９５０℃の酸化性雰囲気で仮焼を
行う。
０℃、特に９２０℃〜９５０℃の酸化性雰囲気で仮焼を
行う。
この仮焼工程は、主に原料粉末中に含まれる未反応生成
物、例えばＢａＣ０＋、 ＲＥＪａＣｕＯｓ、 ＢａＣ
ｕＯ２，ＣｕＯ等の単体が残存しなくなるまで行われ、
通常３００〜１２００分間行われる。得られる仮焼粉末
は高純度のＲＥ１ＢａｚＣｕ３０７−／結晶粉末である
ことが望まれ、具体的にはＸ線回折において、ＲＥ＋Ｂ
ａｚＣＩＩ＋０７−／の主ピークである（１１０）面と
（０１３）面の合成ピーク強度をＸｏとし、未反応生成
物であるＢａＣｕＯ□の（６００）面のピーク強度、ま
たはＲＥｚＢａ、Ｃｕ、０５の（１３１）面のピーク強
度、またはＲｕ２Ｏ：＋（２２２）面のピーク強度、ま
たはＣｕＯの（１１１）面のピーク強度のうち最も大き
いピーク強度をＸとした時、Ｘ／Ｘ２／Ｉ０で表わされ
る強度比が０．１以下、特に０．０５以下であることが
望ましい。仮焼粉末中に未反応生成物が多量に残存し、
強度比で０．１を越える量で含まれると最終的焼結体中
の粒界に未反応生成物が析出し、粒界ポテンシャルが高
くなり、臨界電流密度を低下させる要因となる。
物、例えばＢａＣ０＋、 ＲＥＪａＣｕＯｓ、 ＢａＣ
ｕＯ２，ＣｕＯ等の単体が残存しなくなるまで行われ、
通常３００〜１２００分間行われる。得られる仮焼粉末
は高純度のＲＥ１ＢａｚＣｕ３０７−／結晶粉末である
ことが望まれ、具体的にはＸ線回折において、ＲＥ＋Ｂ
ａｚＣＩＩ＋０７−／の主ピークである（１１０）面と
（０１３）面の合成ピーク強度をＸｏとし、未反応生成
物であるＢａＣｕＯ□の（６００）面のピーク強度、ま
たはＲＥｚＢａ、Ｃｕ、０５の（１３１）面のピーク強
度、またはＲｕ２Ｏ：＋（２２２）面のピーク強度、ま
たはＣｕＯの（１１１）面のピーク強度のうち最も大き
いピーク強度をＸとした時、Ｘ／Ｘ２／Ｉ０で表わされ
る強度比が０．１以下、特に０．０５以下であることが
望ましい。仮焼粉末中に未反応生成物が多量に残存し、
強度比で０．１を越える量で含まれると最終的焼結体中
の粒界に未反応生成物が析出し、粒界ポテンシャルが高
くなり、臨界電流密度を低下させる要因となる。
このようにして得られた仮焼粉末は次にドクターブレー
ド法によりテープ状に成形される。ドクターブレード法
によれば、まず、仮焼粉末にトルエン等の有機溶媒とバ
インダーを加え、回転ミル等で数時間混合し、粘度１５
〜５０ボイズのスラリーを調製する。その後、ドクター
ブレードを用いてこのスラリーをテープ化し、乾燥する
ことによりテープ状成形体が得られる。この成形工程は
最終的にＲＥＩＢａｚＣｕＪｔ−／結晶を一方向に積層
させる上で重要であり、成形体の厚みが大きすぎると焼
成時に結晶の配向が困難となる傾向にあり、また薄すぎ
ると焼結体の強度が低下する傾向にある。
ド法によりテープ状に成形される。ドクターブレード法
によれば、まず、仮焼粉末にトルエン等の有機溶媒とバ
インダーを加え、回転ミル等で数時間混合し、粘度１５
〜５０ボイズのスラリーを調製する。その後、ドクター
ブレードを用いてこのスラリーをテープ化し、乾燥する
ことによりテープ状成形体が得られる。この成形工程は
最終的にＲＥＩＢａｚＣｕＪｔ−／結晶を一方向に積層
させる上で重要であり、成形体の厚みが大きすぎると焼
成時に結晶の配向が困難となる傾向にあり、また薄すぎ
ると焼結体の強度が低下する傾向にある。
よって、本発明では成形体の厚みは０．０５ｍｍ乃至０
゜５Ｏｎ＋ｍ特に０．０８ｍｍ乃至０．１５ｍｍの範囲
に設定されることが望ましい。
゜５Ｏｎ＋ｍ特に０．０８ｍｍ乃至０．１５ｍｍの範囲
に設定されることが望ましい。
また、成形体中の粉末粒子が大きすぎると、結晶の配向
が困難となる１頃向にあり、また小さすぎても結晶の配
向が困難となる傾向にある。よって、本発明によれば、
仮焼粉末の平均粒径を０．５μｍ乃至５．０μｍ１特に
１．０ｍｍ乃至５．０ μｍに設定することが望ましい
。
が困難となる１頃向にあり、また小さすぎても結晶の配
向が困難となる傾向にある。よって、本発明によれば、
仮焼粉末の平均粒径を０．５μｍ乃至５．０μｍ１特に
１．０ｍｍ乃至５．０ μｍに設定することが望ましい
。
このような、仮焼粉末の粒度調整は乾式ミル、湿式ミル
等で行えば良い。
等で行えば良い。
このようにして得られた成形体は酸化性雰囲気下で９０
０〜１２００’Ｃの温度で３〜１２００分間焼成ずろ。
０〜１２００’Ｃの温度で３〜１２００分間焼成ずろ。
具体的には大気中で９００〜９５０“Ｃ，酸素気流中で
９２０〜９７０℃で特に３００〜６００分焼成する。こ
の焼成段階で成形体中のＲＥ＋ＢａｚＣｕ：＋Ｏ□−１
粒子は下記式 ％式％ ら成る液相成分とに分離し、ＲＥｚＢａ、Ｃｕ１０５結
晶を液相成分が取り囲んだ状態となる。その後、冷却過
程で包晶反応によりＲＥＪａ、ＣｕＩＯ３とＢａＣｕＯ
２とＣｕＯが再結合し、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕ１Ｏ，−ｔが
再生成される。
９２０〜９７０℃で特に３００〜６００分焼成する。こ
の焼成段階で成形体中のＲＥ＋ＢａｚＣｕ：＋Ｏ□−１
粒子は下記式 ％式％ ら成る液相成分とに分離し、ＲＥｚＢａ、Ｃｕ１０５結
晶を液相成分が取り囲んだ状態となる。その後、冷却過
程で包晶反応によりＲＥＪａ、ＣｕＩＯ３とＢａＣｕＯ
２とＣｕＯが再結合し、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕ１Ｏ，−ｔが
再生成される。
この時、ＲＥ、ＢａｚＣｕ３０７−ｚ結晶はａ−ｂ面方
向に粒成長し易いと言われるが、本発明によれば前述し
たようなドクターブレード法によって得られた成形体に
対し、上記焼成工程を施すと、テープ状成形体の面方向
に平行してａ−ｂ面方向に粒成長し、結果として第２図
の結晶構造の顕微鏡写真に示すように板状結晶が密に積
層した構造の超電導体が生成されるのである。
向に粒成長し易いと言われるが、本発明によれば前述し
たようなドクターブレード法によって得られた成形体に
対し、上記焼成工程を施すと、テープ状成形体の面方向
に平行してａ−ｂ面方向に粒成長し、結果として第２図
の結晶構造の顕微鏡写真に示すように板状結晶が密に積
層した構造の超電導体が生成されるのである。
上述した説明中、ＲＥ１Ｂａ２ＣｕｉＯ７−／ 、ＲＥ
ｚＢａ＋Ｃｕ＋Ｏｓ、 ＲＥｚＯｉの化学式中のＲＥは
いずれも希土類元素を示すものであり、具体的にはＹ、
Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｉｌｏ、Ｄｙ。
ｚＢａ＋Ｃｕ＋Ｏｓ、 ＲＥｚＯｉの化学式中のＲＥは
いずれも希土類元素を示すものであり、具体的にはＹ、
Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｉｌｏ、Ｄｙ。
Ｇｄ＋ Ｅｕ＋ Ｓｍ、 Ｎｄ等が挙げられる。
また、本発明はＲＥ＋ＢａｚＣＬＩｚＯｔ”／のみに限
定されるものでなく 、ＲＥ、Ｂａ、ｅｕ、Ｏの各元素
を他の元素で置換したもの、例えばＢａ元素の一部をＳ
ｒで置換したもの、０元素の一部をＦで置換したもの、
あるいはこれらの組合わせから成るＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３
Ｏ７−／系全般の超電導体に対しても適用し得ることは
言うまでもない。
定されるものでなく 、ＲＥ、Ｂａ、ｅｕ、Ｏの各元素
を他の元素で置換したもの、例えばＢａ元素の一部をＳ
ｒで置換したもの、０元素の一部をＦで置換したもの、
あるいはこれらの組合わせから成るＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３
Ｏ７−／系全般の超電導体に対しても適用し得ることは
言うまでもない。
以下、本発明を次の例で説明する。
実施例ｌ
Ｙ２Ｏ３粉末３０．２６ ｇ ＋ Ｂ ａ ＣＯ３粉末
１０５．７８ｇ、 ＣｕＯ粉末１７．３４ｇを秤量し、
混合した後、８８０℃で５時間仮焼し、その後、メノー
乳鉢で粉砕し、さらに９２０℃で２０時間仮焼し平均粒
径４．８μｍの仮焼粉末を得た。得られた仮焼粉末はＸ
線回折によりＹ 、 Ｂａ ｚ（：ｕ：ｌＯ？−／結晶
であることを確認した。
１０５．７８ｇ、 ＣｕＯ粉末１７．３４ｇを秤量し、
混合した後、８８０℃で５時間仮焼し、その後、メノー
乳鉢で粉砕し、さらに９２０℃で２０時間仮焼し平均粒
径４．８μｍの仮焼粉末を得た。得られた仮焼粉末はＸ
線回折によりＹ 、 Ｂａ ｚ（：ｕ：ｌＯ？−／結晶
であることを確認した。
この粉末に有機溶媒としてトルエン、バインダーとして
アクリル酸共重合体を添加し、回転ミルにて３時間部合
し、粘度２５ボイズのスラリーを得た。
アクリル酸共重合体を添加し、回転ミルにて３時間部合
し、粘度２５ボイズのスラリーを得た。
このスラリーをポリエチレンシート上にドクターブレー
ド法で厚さ０．１ｍｍのテープ状の成形体を作成した。
ド法で厚さ０．１ｍｍのテープ状の成形体を作成した。
これを乾燥後、シートより剥がし２ｍｍ×２５１の短冊
状に切り出し、焼成試料とした。
状に切り出し、焼成試料とした。
この試料をジルコニア焼成セッター上にのせ、上杭加熱
管状炉にて焼成した。焼成は室温より９７０℃まで酸素
ガスを流しながら２００℃／ｈｒで界温し、最高温度で
１０時間保持した後、室温まで２００’Ｃ／ｈｒの速度
で冷却した。
管状炉にて焼成した。焼成は室温より９７０℃まで酸素
ガスを流しながら２００℃／ｈｒで界温し、最高温度で
１０時間保持した後、室温まで２００’Ｃ／ｈｒの速度
で冷却した。
得られた試料に対しＳＥ’Ｍ（走査型電子顕微鏡）にて
Ｍｉ織観察を行った。
Ｍｉ織観察を行った。
電流密度は４端子法に従い、試料の両端を折り、破面を
露出された両端に金蒸着し、その部分に電流リード線を
銀ペーストで取付けた。電圧測定端子も同様な方法で１
０ｍｍの巾でリード線を取り付けた。試料を銅製ブロッ
クに固定し、液体窒素中に浸し、温度が安定した段階で
電流を流し始め、徐々にその値を大きくし、電圧が急激
に発生したときの電流値をＩｃとし、それを断面積で割
った値を臨界電流密度Ｊｃとした。
露出された両端に金蒸着し、その部分に電流リード線を
銀ペーストで取付けた。電圧測定端子も同様な方法で１
０ｍｍの巾でリード線を取り付けた。試料を銅製ブロッ
クに固定し、液体窒素中に浸し、温度が安定した段階で
電流を流し始め、徐々にその値を大きくし、電圧が急激
に発生したときの電流値をＩｃとし、それを断面積で割
った値を臨界電流密度Ｊｃとした。
また、Ｘ線回折（Ｃｕ−にα線）により、成形体の段階
でのＹ＋ＢａｚＣｕ３（１＋−／ （１１０）面と（０
１３）面の合成ピーク強度Ｘｏと、未反応生成物のピー
ク強度Ｘとの強度比をＸ／Ｘｏを算出し、また焼結後の
Ｙ、Ｂａ。
でのＹ＋ＢａｚＣｕ３（１＋−／ （１１０）面と（０
１３）面の合成ピーク強度Ｘｏと、未反応生成物のピー
ク強度Ｘとの強度比をＸ／Ｘｏを算出し、また焼結後の
Ｙ、Ｂａ。
Ｃｕｚ（１＋−／の（１１０）面と（０１３）面の合成
ピーク強度１ｏと、（００５）面と（０１４）面の合成
ピーク強度１１＋ （００６）面と（２００）面の合成
ピーク強度■２を測定し、Ｌ／Ｔｏ、Ｉｚ／Ｔｏの強度
比を算出した。
ピーク強度１ｏと、（００５）面と（０１４）面の合成
ピーク強度１１＋ （００６）面と（２００）面の合成
ピーク強度■２を測定し、Ｌ／Ｔｏ、Ｉｚ／Ｔｏの強度
比を算出した。
実施例２
実施例１において得られた仮焼粉末に対し、ボールミル
で湿式粉砕し、平均粒径４．１ μｍの仮焼微粉末を得
る以外は全く同様にして試料を作成した。
で湿式粉砕し、平均粒径４．１ μｍの仮焼微粉末を得
る以外は全く同様にして試料を作成した。
実施例３
実施例１において得られた仮焼粉砕に対し、ジェットミ
ルで乾式粉砕し、平均粒径１．６μｍの仮焼微粉末を得
る以外は全く同様にして試料を作成した。
ルで乾式粉砕し、平均粒径１．６μｍの仮焼微粉末を得
る以外は全く同様にして試料を作成した。
実施例４．８
実施例１において焼成条件を変え、実施例４では大気中
、９２０°Ｃで１０時間、実施例８では酸素中、９４０
℃で１０時間焼成する以外は実施例１と全く同様にして
試料を作成した。
、９２０°Ｃで１０時間、実施例８では酸素中、９４０
℃で１０時間焼成する以外は実施例１と全く同様にして
試料を作成した。
実施例５
実施例１において得られた仮焼粉末を成形圧５０Ｋｇ／
ｃｍ２でプレス成形した後、大気中で９２０°Ｃで２０
時間仮焼後、粉砕したものを用い、実施例１と同様にし
て厚さ０．１ｍｍのシート状に成形して試料を得た。
ｃｍ２でプレス成形した後、大気中で９２０°Ｃで２０
時間仮焼後、粉砕したものを用い、実施例１と同様にし
て厚さ０．１ｍｍのシート状に成形して試料を得た。
実施例６
原料としてＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−／の共沈原料（平均
粒径０．８μｍ）を用い、これを９００ ’Ｃの大気中
で１０時間仮焼し、この仮焼粉末（平均粒径２．５μｍ
）を用いて実施例１と同様な方法で成形焼成し試料を作
成した。
粒径０．８μｍ）を用い、これを９００ ’Ｃの大気中
で１０時間仮焼し、この仮焼粉末（平均粒径２．５μｍ
）を用いて実施例１と同様な方法で成形焼成し試料を作
成した。
実施例７
実施例１ においてドクターブレード法で成形体の厚み
を０．４ｍｍに変える以外は全く同様にして試料を作成
した。
を０．４ｍｍに変える以外は全く同様にして試料を作成
した。
実施例９〜１１
実施例１において、ＹＺＯ：１３０．２６ｇの代わりに
ｌｌ。
ｌｌ。
２０：＋ ４４．１９ｇ（実施例９ ） 、Ｄｙｚ（ｈ
４３．５５ｇ（実施例１０） 、Ｅｒｚ（ｈ ４４．
８４ｇ（実施例１１）を用いる以外は、全く同様にして
試料を作成した。
４３．５５ｇ（実施例１０） 、Ｅｒｚ（ｈ ４４．
８４ｇ（実施例１１）を用いる以外は、全く同様にして
試料を作成した。
比較例１
実施例１においてドクターブレード法の代わりにプレス
成形法に従い１５００Ｋｇ／ｃｍ”の圧力で成形し１２
Ｘ１２Ｘ１ ｍｍの成形体を得、これを実施例１と同様
な条件で焼成した。
成形法に従い１５００Ｋｇ／ｃｍ”の圧力で成形し１２
Ｘ１２Ｘ１ ｍｍの成形体を得、これを実施例１と同様
な条件で焼成した。
比較例２
実施例１において９２０℃×２０時間の仮焼を全く行わ
ない以外は全く同様にして試料を作成した。
ない以外は全く同様にして試料を作成した。
比較例３
実施例１ おいて、焼成温度を１０５０℃にする以外は
全く同様にして試料を作成した。
全く同様にして試料を作成した。
比較例４
実施例１において焼成温度を８５０°Ｃにする以外は全
く同様にして試料を作成した。
く同様にして試料を作成した。
なお第１表の試料中、第１図に実施例１の焼結体のＸ線
回折のチャート図及び第２図に実施例１の試料の破断面
の電子顕微鏡写真（Ｘ５００倍）を示した。また、第２
表の試料中、第３図に比較例１ のＸ線回折チャート図
を示した。
回折のチャート図及び第２図に実施例１の試料の破断面
の電子顕微鏡写真（Ｘ５００倍）を示した。また、第２
表の試料中、第３図に比較例１ のＸ線回折チャート図
を示した。
第２表の結果によれば、従来の成形法であるプレス成形
法で成形した試料（比較例１）ではＹ、ＢａｚＣｕ：＋
Ｏｔ−／結晶の配向は認められず、かつＬ／Ｉｏ。
法で成形した試料（比較例１）ではＹ、ＢａｚＣｕ：＋
Ｏｔ−／結晶の配向は認められず、かつＬ／Ｉｏ。
Ｉｚ／Ｉｏの値はいずれも低く、臨界電流密度も低いも
のであった。また、ドクターブレード法を用いる場合に
おいても調合原料に対し仮焼を行わない場合（比較例２
）は、成形体のＸ／Ｘｏ比が大きくなった。これは成形
体に不純物が多く残存していることを示し、最終焼結体
中にＣｕｂ、 ＢａＣ０，が検出された。しかも配向は
一部にした認められず、Ｊｃも低いものであった。また
、焼成温度が１０００°Ｃを越える場合（比較例３）、
焼結体中から溶出が認められ、焼結体中にＹＪａｚＣｕ
、Ｏｓ、ＢａＣｕ０ｚ、ＣｕＯが残存しており、超電汚
現象は認められなかった。さらに、焼成温度が８５０°
Ｃより低い場合（比較例４）では、結晶の配向が認めら
れずＪｃ値の向上は認められなかった。
のであった。また、ドクターブレード法を用いる場合に
おいても調合原料に対し仮焼を行わない場合（比較例２
）は、成形体のＸ／Ｘｏ比が大きくなった。これは成形
体に不純物が多く残存していることを示し、最終焼結体
中にＣｕｂ、 ＢａＣ０，が検出された。しかも配向は
一部にした認められず、Ｊｃも低いものであった。また
、焼成温度が１０００°Ｃを越える場合（比較例３）、
焼結体中から溶出が認められ、焼結体中にＹＪａｚＣｕ
、Ｏｓ、ＢａＣｕ０ｚ、ＣｕＯが残存しており、超電汚
現象は認められなかった。さらに、焼成温度が８５０°
Ｃより低い場合（比較例４）では、結晶の配向が認めら
れずＪｃ値の向上は認められなかった。
これに対し、第１表の本発明の試料（実施例１〜１１）
はいずれも成形体中の不純物が少なく、ＸＺＸｏ比は０
．１以下と低く、焼結体中には第２図に示すように結晶
の配向が認められた。また、Ｉ ＋ ／ Ｉ ｏ ＋１
、／Ｉｏはいずれも０．５以上であり、Ｊｃ値は３００
０Ａ／ｃｍ”以上が達成された。
はいずれも成形体中の不純物が少なく、ＸＺＸｏ比は０
．１以下と低く、焼結体中には第２図に示すように結晶
の配向が認められた。また、Ｉ ＋ ／ Ｉ ｏ ＋１
、／Ｉｏはいずれも０．５以上であり、Ｊｃ値は３００
０Ａ／ｃｍ”以上が達成された。
以上、詳述した通り、本発明によれば、ＲＥ 、 Ｂａ
。
。
Ｃｕ３０７−／系酸化物超電導体の臨界温度Ｔｃを劣化
させることなく、臨界電流密度Ｊｃを向上させることが
でき、磁気コイルや電子デバイス或いはジョセフソンコ
ンピュータの回路基板等への実用化をさらに推進するこ
とが可能となる。
させることなく、臨界電流密度Ｊｃを向上させることが
でき、磁気コイルや電子デバイス或いはジョセフソンコ
ンピュータの回路基板等への実用化をさらに推進するこ
とが可能となる。
第１図は本発明の試料（実施例１）の超電導体のＸ線回
折チャート図、第２図は実施例Ｉの試料の結晶の組織構
造を示す電子顕微鏡写真、第３図は比較例１のＸ線回折
チャート図をそれぞれ示す。
折チャート図、第２図は実施例Ｉの試料の結晶の組織構
造を示す電子顕微鏡写真、第３図は比較例１のＸ線回折
チャート図をそれぞれ示す。
Claims (5)
- （１）ＲＥ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（ＲＥ
：希土類元素）系組成の板状結晶粒が同一方向に積層し
た組織構造を呈した焼結体であり、該焼結体の表面Ｘ線
回折において、該ＲＥ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−
＿δの（００５）及び（０１４）の合成ピーク強度をＩ
＿１、（００６）及び（２００）の合成ピーク強度をＩ
＿２、（１１０）及び（０１３）の合成ピーク強度をＩ
＿０とした時、Ｉ＿１／Ｉ＿０及び／またはＩ＿２／Ｉ
＿０で表されるピーク強度比が０．５以上である臨界電
流密度（Ｊｃ）が３×１０＾３Ａ／ｃｍ＾２以上の酸化
物超電導体。 - （２）ＲＥ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ （Ｒ
Ｅ：希土類元素）系の組成の混合粉末もしくは合成原料
を９００℃〜９７０℃の酸化雰囲気で仮焼する工程と、
該仮焼粉末をスラリー化し、ドクターブレード法により
テープ状に成形する工程と、該成形体を８７０〜１００
０℃の酸化雰囲気で焼成する工程とを具備した酸化物超
電導体の製法。 - （３）仮焼粉末のＸ線回折においてＲＥ＿１Ｂａ＿２Ｃ
ｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δの主ピークのピーク強度をＸ＿ｏ
、未反応生成物の主ピークのピーク強度をＸとした時、
Ｘ／Ｘ＿ｏで表わされるピーク強度比が０．１以下であ
る特許請求の範囲第２項記載の酸化物超電導体の製法。 - （４）成形体の厚みが０．０５ｍｍ乃至０．５０ｍｍで
ある特許請求の範囲第２項記載の酸化物超電導体の製法
。 - （５）仮焼粉末の平均粒子径が０．５μｍ乃至５．０μ
ｍである特許請求の範囲第２項記載の酸化物超電導体の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63104990A JPH01275426A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63104990A JPH01275426A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275426A true JPH01275426A (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=14395534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63104990A Pending JPH01275426A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01275426A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277555A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 酸化物超電導性セラミックス焼結体及びその製造方法 |
| JPS6473791A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd | Oxide superconductive paste |
| JPH01100021A (ja) * | 1987-05-31 | 1989-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜 |
| JPH01203217A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導酸化物薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP63104990A patent/JPH01275426A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277555A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 酸化物超電導性セラミックス焼結体及びその製造方法 |
| JPH01100021A (ja) * | 1987-05-31 | 1989-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜 |
| JPS6473791A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd | Oxide superconductive paste |
| JPH01203217A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導酸化物薄膜の製造方法 |
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