JP3257000B2 - 銅酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
銅酸化物超電導体及びその製造方法Info
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Description
その製造方法に関するものである。
製には、一般に、Bi系超電導体が用いられている。例
えば、第4回国際超電導シンポジウムのワイヤー、テー
プ、バルクのセクションでは、銅酸化物超電導体の線
材、テープ材等の作製について、Y系超電導体を用いた
報告が3件であったのに対し、Bi系超電導体を用いた
報告は13件であった。これは、Bi系超電導体の結晶
粒が偏平状の粒子形状を有し、機械的加工により容易に
粒子配向し、超電導電流の流れる方向がそろい大きな臨
界電流密度が得られるためである。実際に、この手法で
104(A/cm2)以上の臨界電流密度が77Kにおいて
得られている(WBP−27、30、39参照)。
体を用いて作製された超電導線材やテープ材に対し、Y
系銅酸化物超電導体を用いた場合、その粒子は塊状で、
機械的加工によって粒子配向せず、従って、その臨界電
流密度は小さいことが知られている。前述の3件の報告
は、Y系銅酸化物超電導体の一種である123型超電導
体についてのものであるが、このうち2件は、このよう
な、超電導体を形成してからの機械的加工を行わず、ゲ
ル状態から直接線材を形成したり(WBP−21)、薄
膜形成の手法で支持担体テープ上に超電導テープ材を直
接形成している(WBP−36)。残りの1件は、超電
導体を形成してから銀粉末を添加してロール加圧してい
る(WBP−22)が、臨界電流密度については磁化特
性から算出した値2.1×104(A/cm2)(77Kに
おいて)のみが記され、実際に電流を流して測定した値
は記されていない。磁化測定から算出された臨界電流密
度は一つ一つの粒子内の臨界電流密度を反映したもので
あり、特に、部分溶融プロセスを経た試料において、実
際に電流を流して測定した値(弱結合を含む試料全体と
しての臨界電流密度)よりもかなり大きいことが知られ
ている。従って、このロール加圧された試料の臨界電流
密度は、前記の値よりもかなり小さいと予想される。つ
まり、Y系銅酸化物超電導体の場合、通常その粒子は、
偏平形状でなく、機械的加工により、線材化、テープ化
する手法では、粒子配向せず、従って臨界電流密度の大
きな超電導線材、テープ材あるいは薄板等を作製できな
かった。Y系銅酸化物超電導体123型超電導体につい
て、1件だけ板状結晶が作製されたとの報告がある(尾
崎ら 日経超電導 1988年7月25日号 p9)。
しかしながら、そのゼロ抵抗温度Tc(R=0)は約80K
と液体窒素温度(77K)での応用を考えた場合、満足
のいくものではなかった。
れたものである。
一種である124型超電導体及び123型超電導体の線
材化、テープ化において、液体窒素温度で高い臨界電流
密度を有する超電導線材やテープ材等を実現させるため
の、機械的加工により粒子配向しやすい偏平状粒子の1
24型超電導体(R1-xCax)(Ba1-yAy)2(Cu
1-zMz)4O8及び123型超電導体(R1-xCax)(B
a1-yAy)2(Cu1-zMz)3O7の材料ならびにその製
造方法を提供することにある。
規な特徴は、本明細書及び添付図面によって明らかにす
る。
に、本発明の(1)の手段は、(R1-xCax)(Ba
1-yAy)2(Cu1-zMz)4O8の化学組成でRがNd、
Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、L
uの希土類元素とYのうち少なくとも1種類からなり、
AがCa、Sr、Laのうち少なくとも1種類からな
り、MがAl、Fe、Co、Ga、Pbのうち少なくと
も1種類からなり、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.
2、0≦y≦0.3、0≦z≦0.2である銅酸化物超電
導体であって、その結晶粒が広いc面を有する偏平状粒
子であり、そのc面の面積の平方根のc方向厚みに対す
る比が6.7以上71以下の値を有することを特徴とす
る。
x)(Ba1−yAy)2(Cu1−zMz)3O7の
化学組成でRがLa、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、
Ho、Er、Tm、Yb、Luの希土類元素とYのうち
少なくとも1種類、AがCa、Sr、Laのうち少なく
とも1種類、MがAl、Fe、Co、Gaのうち少なく
とも1種類からなり、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.
2、0≦y≦0.2、0≦z≦0.1である銅酸化物超
電導体であって、その結晶粒が広いc面を有する偏平状
粒子であり、そのc面の面積が2.8μm 2 以上であ
り、且つc面の面積の平方根のc方向厚みに対する比が
8.4以上65以下の値を有することを特徴とする。
(2)の手段の銅酸化物超電導体の製造方法において、
前記銅酸化物超電導体を構成する各金属のアルコキシド
が溶解した混合溶液を作製し、この混合溶液を加水分解
した後、得られたゲル粉を乾燥し、焼成することを特徴
とする。
段の銅酸化物超電導体の製造方法において、銅原子にブ
トキシ基及び水酸基が配位した銅アルコキシドであるこ
とを特徴とする。
3型超電導体は、その結晶粒が広いc面を有する偏平状
粒子であり、そのc面の面積の平方根のc方向厚みに対
する比が124型超電導体においては6.7以上71以
下で、123型超電導体においては8.4以上65以下
であることを特徴とする。
導体及び123型超電導体は、広いc面を有する偏平状
粒子を形成しており、その粉末をガラス製サンプルホル
ダーのくぼみに押しつけて通常の粉末X線回折測定(θ
−2θスキャン)をした結果、124相あるいは123
相の(00l:lは小文字のエルである)ピークが、同
じ粉末をアセトンでランダムに分散させて測定された1
24相あるいは123相の(00l:lは小文字のエル
である)ピークより非常に大きかった。つまり、本発明
の124型超電導体及び123型超電導体の粒子は、外
部からの機械的な力によって容易にc軸配向するという
ことである。本発明の偏平状粒子のCaを含む124型
超電導体(超電導転移開始温度;Tc(on)=89K、ゼ
ロ抵抗温度;Tc(R=0)=84K)の粉末及び123型
超電導体(超電導転移開始温度;Tc(on)=92K、ゼ
ロ抵抗温度;Tc(R=0)=88K)の粉末を用い、金型
プレス後熱処理により超電導薄膜板を作製した場合、偏
平状でない粒子を用いて作製した薄板よりも10倍以上
大きな臨界電流密度を有する超電導薄板が作製できた。
より超電導線材、テープ材、厚膜、薄板等を作製する手
法において、本発明の124型超電導体及び123型超
電導体偏平状粒子を用いた場合、通常の偏平状でない粒
子を用いた場合よりも高度な粒子配向が実現され、液体
窒素温度において非常に大きな臨界電流密度を有する1
24型銅酸化物超電導体及び123型超電導体の線材、
テープ材、厚膜、薄板等を作製することができる。
に説明する。
合成方法の実施例1及びこの実施例1により作製された
124型超電導体の超電導特性及び粒子形状について説
明する。図1は、実施例1による本発明の124型超電
導体の結晶構造を示す模式構造図であり、1はBa、2
はCu、3は交差上にある酸素、4はY又はCaであ
る。
するための実施例1のフローチャートである。図2に示
すように、銅原子にセカンダリーブトキシ基と水酸基が
配位した銅アルコキシドのブタノール溶液とそれぞれ
Y、Ca、Baのブトキサイドが溶解した3つの溶液と
をY:Ca:Ba:Cuが0.9:0.1:2:4となる
ように計量し(ステップ101)、70℃、アルゴン気
流中で20時間混合した(ステップ102)。この溶液
に室内の空気を50ml/分の流量で30分間導入し加
水分解を起こさせた(ステップ103)。懸濁した液を
120℃で真空に引きながら蒸発乾固させた(ステップ
104)。得られたゲル粉を真空中500℃で1時間乾
燥させて乾燥粉末とした(ステップ105)。そして乾
燥粉末を金型成形し(ステップ106)、750℃、酸
素気流中で40時間焼成した(ステップ107)。
パターンを示す図である。図3により、焼成した試料
は、124相によるシャープな回折ピークを示し、不純
物相による回折ピークは、ほとんど認められないことが
わかる。
性を示す図である。この図4により、この試料は、Tc
(on)=89K、Tc(R=0)=84Kと高い温度でシャー
プに超電導移転することがわかる。
示す図である。この試料は、磁気的にも高い温度Tcm
ag(on)=90Kからのシャープな超電導転移を示し、
X線回折、電気抵抗率の温度依存性測定の結果と合わせ
て考えると、この試料は、結晶性の良好な124相のほ
ぼ単一相であることがわかる。
の走査型電子顕微鏡(SEM)写真のコピーである。こ
のコピーにより、粒子は偏平状であることがわかる。粒
子は平均として平坦な面は15μm×15μm程度の面
積を有し、厚みは0.3μmの寸法を有している。この
平坦な面が結晶学的にどのような面であるのかを調べる
ために、試料を粉砕し、粉末をガラス製サンプルホルダ
ーのくぼみに押しつけて通常の粉末X線回折測定(θ−
2θスキャン)をした。参考のために、同じ粉末をアセ
トンでランダムに分散させてサンプルホルダーに固定し
て同じように測定した。
ルダーのくぼみに押しつけたものは、アセトンでランダ
ムに分散させたものに対して124相の(00l:lは
小文字のエルである)ピークが非常に強くなっている。
この結果より、本発明の124型超電導体偏平状粒子の
平坦な面はBi系超電導体の偏平状粒子と同様c面であ
ることがわかる。
合成方法の実施例2及びこの実施例2により作製された
123型超電導体の超電導特性及び粒子形状について説
明する。図8は、本実施例2により作製された123型
超電導体の結晶構造を示す模式構造図であり、1はB
a、2はCu、3は交差上にある酸素(O)、5はYで
ある。本実施例2の123型超電導体の合成方法は、前
記実施例1と同様の方法で、銅原子にセカンダリーブト
キシ基と水酸基が配位した銅アルコキシドのブタノール
溶液とそれぞれY、Baのブトキサイドが溶解した2つ
の溶液とをY:Ba:Cuが1:2:3となるように計
量し、70℃、アルゴン気流中で20時間混合した。こ
の溶液に室内の空気を50ml/分の流量で30分間導
入し加水分解を起こさせた。懸濁した液を120℃で真
空に引きながら蒸発乾固させた。得られたゲル粉を真空
中500℃で1時間乾燥させて乾燥粉末とした。そして
乾燥粉末を金型成形し、600℃、アルゴン気流中で4
0時間焼成の後、500℃、酸素気流中で5時間アニー
ルした。
パターンは、認められなかった。
性を示す図ある。図9により、Tc(on)=91K、Tc
(R=0)=88Kと高い温度でシャープに超電導移転する
ことがわかる。これらの結果より、この試料は、超電導
体としての特性の良好な123相のほぼ単一相であるこ
とがわかる。
ころ、粒子は偏平状であった。粒子の平坦な面は14μ
m×14μm程度の面積を有し、厚みは0.3μmの寸
法を有していた。この平坦な面が結晶学的にどのような
面であるのかを調べるために、実施例1と同じように、
試料を粉砕し、粉末をガラス製サンプルホルダーのくぼ
みに押しつけて通常の粉末X線回折測定(θ−2θスキ
ャン)を行った。また、同じ粉末をアセトンでランダム
に分散させてサンプルホルダーに固定した測定も行っ
た。サンプルホルダーのくぼみに押しつけたものは、ア
セトンでランダムに分散させたものに対して123相の
(00l:lは小文字のエルである)ピークが非常に強
かった。この結果から、本発明の123型超電導体偏平
状粒子も、その平坦な面はBi系超電導体や実施例1の
Y系124型超電導体と同様c面であることがわかる。
そして、この超電導体のゼロ抵抗温度は88Kと高く、
液体窒素温度においても超電導体として良好な特性が得
られた。
び123型超電導体の合成方法の実施例3ならびにこの
実施例3により作製された124型超電導体及び123
型超電導体の超電導特性ならびに粒子形状について説明
する。
例2の合成方法で、Y、Ca、Baの出発原料溶液をそ
れぞれのブロポキサイドのブロパノール溶液に変更して
実施例1あるいは実施例2と同じ組成の124型超電導
体あるいは123型超電導体合成した。電気抵抗率の温
度依存性測定の結果、超電導転移温度は、124型超電
導体がTc(on)=89K、Tc(R=0)=81K、123
型超電導体がTc(on)=92K、Tc(R=0)=86Kで
あった。
より、実施例3による124型超電導体ならびに123
型超電導体の結晶粒は、実施例1あるいは実施例2と同
様、偏平状粒子であった。実施例1あるいは実施例2と
同じように、粉末をガラス製サンプルホルダーのくぼみ
に押しつけて通常の粉末X線回折測定(θ−2θスキャ
ン)をした結果、実施例1あるいは実施例2の粉末と同
様124型超電導体あるいは123型超電導体のほぼ単
一相でそれぞれの(00l:lは小文字のエルである)
ピークが強く、偏平状粒子の広い面はc面であることが
わかった。この結果より、本発明の偏平状粒子の124
型超電導体及び123型超電導体は、金属アルコキシド
を用いたゾルゲル法により合成されることがわかる。
用いた薄板及びその作製方法である実施例4を説明す
る。
4型超電導体と、高圧法により作製した同じ組成の12
4型超電導体を様々な条件で粉砕した粉末を用意し、そ
れぞれを用いて、金型プレスにより幅3mm、厚み0.5
〜1mmの薄板状成形体を作製した。これら成形体を、粒
子同士の接合のために酸素気流中、700℃で10時間
熱処理し、超電導体薄板とした。電流の流れる断面積を
小さくするために中央部に切り込みを入れた後、これら
を液体窒素中に入れ、通常の四端子法により臨界電流密
度を測定した。表1にその結果を示す。臨界電流密度
は、表1中の寸法比が大きいほど大きく、特に寸法比が
10以上のものについては、臨界電流密度増大の効果が
著しく高圧法により作製したものより10倍以上大きか
った。
粒子の124型超電導体を用いて作製した試料の臨界電
流密度は、高圧法により作製したものに対し8倍であっ
た。粒子の偏平の程度は、粉砕された粉末のSEM写真
から見積もられた平均的な粒子寸法を用いて算出し、表
1中の寸法比に記した。高圧法により作製した試料の粒
子は、SEM観察の結果3×3×5μm3程度の寸法を
有する柱状であり、偏平の程度としては最大面積(3×
5μm2)の平方根対最小長さ(3μm)の比として寸
法比を1.3と見積もった。これらの結果より、124
型超電導体においても、粒子を偏平形状にすることによ
り、特にc面面積の平方根のc方向厚みに対する比を
6.7以上とすることにより、偏平でない粒子を用いた
場合の8倍以上の大きな臨界電流密度を有する超電導体
薄板を作製できた。
ax)(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)4O8の化学組成式
中のyを0、zを0とし、Rを様々な元素で置き換え、
Caの量を変化させた薄板を作製した結果を表2に示
す。表2中数字の第1項は、液体窒素温度における臨界
電流密度で、第2項は用いた粉末粒子の寸法比である。
RがLa、Ce、Prの1種のみの場合には124型超
電導体は形成されなかった。臨界電流密度は、Ca量x
が大きくなるに従い大きくなるがxが0.3になると小
さくなった。x=0.3の粉末は、X線回折によるとx
がそれより小さい粉末より、不純物のピークが顕著であ
り、超電導電流の流れる有効断面積が小さいために臨界
電流密度が小さくなったと考えられる。R元素依存性
は、同程度のx、寸法比の場合、Rのイオン半径が小さ
いほど臨界電流密度は大きかった。これはRが複数の元
素で構成されたときも、その平均イオン半径を用いると
同じふるまいであった。寸法比依存性は、同じ組成の場
合、寸法比が大きいほど臨界電流密度は大きかった。
(Cu1-zMz)4O8の化学組成式中のRをY、xを0.
1、zを0とし、Aを様々な元素で置き換え、その量を
変化させた薄板を作製した結果を示す。臨界電流密度
は、いずれもyが0.3までは比較的大きな値を有する
が、yが0.4になると急に小さくなるか、あるいは全
く超電導電流が流れなくなった。これはy=0.4で
は、超電導転移温度(Tc(R=0)が下がり、77Kに近
い温度あるいは77Kよりも低い温度になったためであ
る。
(Cu1-zMz)4O8の化学組成式中のRをY、xを0.
1、yを0とし、Mを様々な元素で置き換え、その量を
変化させた薄板を作製した結果を示す。臨界電流密度
は、いずれもzが0.2までは比較的大きな値を有する
が、yが0.3になると急に小さくなるか、あるいは全
く超電導電流が流れなくなった。これはA元素を変化さ
せた場合と同様y=0.3では、超電導転移温度Tc(R=
0)が下がり、77Kに近い温度あるいは77Kよりも低
い温度になったためである。
(Cu1-zMz)4O8の化学組成式中のRを0.2、yを
0.3、zを0.2とし、xを変化させ、A、Mを様々な
元素で置き換えた薄板を作製した結果を示す。表6に同
様にRをNdにした場合の結果を示す。臨界電流密度
は、いずれも比較的大きな値を有し、(R1-xCax)
(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)4O8の化学組成で、R
がNd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、
Yb、Luの希土類元素とYのうち少なくとも1種類、
AがCa、Sr、Laのうち少なくとも1種類、MがA
l、Fe、Co、Gaのうち少なくとも1種類からな
り、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.2、0≦y≦0.
3、0≦z≦0.2で、その結晶粒が広いc面を有する
偏平状粒子であり、そのc面の面積の平方根のc方向厚
みに対する比が6.7以上71以下の範囲の粉末を用い
た場合、臨界電流密度の大きな超電導薄板が作製される
ことがわかった。
用いた薄板及びその作製方法である実施例5を説明す
る。
体と、通常の固相反応法により作製した同じ組成の12
3型超電導体を様々な条件で粉砕した粉末を用意し、そ
れぞれを用いて、金型プレスにより幅3mm、厚み0.5
〜1mmの成形体を作製した。これら成形体を、粒同士の
接合のために酸素気流中、900℃で10時間熱処理し
た。電流の流れる断面積を小さくするために中央部に切
り込みを入れた後、これらを液体窒素中に入れ、通常の
四端子法により臨界電流密度を測定した。表6にその結
果を示す。臨界電流密度は、表7中の寸法比が大きいほ
ど大きかった。本発明の製品である寸法比8.4の偏平
状粒子の123型超電導体を用いて作製した試料の臨界
電流密度は、通常の固相反応法により作製したものより
10倍以上大きかった。粒子の偏平の程度は、実施例4
と同じ様に算出した。これらの結果より、123型超電
導体においても、粒子を偏平形状にすることにより、特
にc面面積の平方根のc方向厚みに対する比を8.4以
上とすることにより、偏平でない粒子を用いた場合の1
0倍以上の大きな臨界電流密度を有する超電導体薄板を
作製できた。
ax)(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)3O7の化学組成の
yを0、zを0とし、Rを様々な元素で置き換え、Ca
の量を変化させた薄板を作製した結果を表8に示す。臨
界電流密度はCa量xが大きくなるに従いしだいに小さ
くなったが、xが0.3になると急激に小さくなり(5
00A/cm2以下となり)、ものによっては液体窒素温
度では超電導電流が流れなくなった。これはTc(R=0)
が77K近くあるいはそれ以下になったためである。R
元素依存性は、同程度のx、寸法比の場合、Rのイオン
半径が大きいほど臨界電流密度は大きかった。これはR
が複数の元素で構成されたときも、その平均イオン半径
を用いると同じふるまいであった。これは、Tc(R=0)
が同じようにふるまうことから、Tc(R=0)と77Kの
差である温度マージンに依存しているものと解釈でき
る。寸法比依存性は、同じ組成の場合、寸法比が大きい
ほど臨界電流密度は大きかった。
ax)(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)3O7の化学組成式
中のRをY、zを0とし、Aを様々な元素で置き換え、
その量を変化させた薄板を作製した結果を表7に示す。
臨界電流密度はyが0.2までは比較的大きい値を有す
るが、yが0.3になると急に小さくなるか、あるいは
全く超電導電流が流れなくなった。これはy=0.3で
は、超電導転移温度Tc(R=0)が下がり、77K近いあ
るいは77Kより低い温度になったためである。
u1-zMz)3O7の化学組成式中のRをY、xを0、yを
0とし、Mを様々な元素で置き換え、その量を変化させ
た薄板を作製した結果を表10に示す。臨界電流密度
は、いずれもzが0.1までは比較的大きい値を有する
が、yが0.2になると急に小さくなるか、あるいは超
電導電流が流れなくなった。これはA元素を変化させた
場合と同様にy=0.2では、超電導転移温度Tc(R=0)
が下がり、77K近いあるいは77Kより低い温度にな
ったためである。
u1-zMz)3O7の化学組成式中のxを0.2、yを0.
3、yを0.2とし、R,A,Mを様々な元素で置き換
えた薄板を作製した結果を11表に示す。臨界電流密度
は、いずれも比較的大きい値を有し、(R1-xCax)
(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)3O7の化学組成で、R
がNd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、
Yb、Luの希土類元素とYのうち少なくとも1種類、
AがCa、Sr、Laのうち少なくとも1種類、MがA
l、Fe、Co、Gaのうち少なくとも1種類からな
り、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.2、0≦y≦0.
2、0≦z≦0.1で、その結晶粒が広いc面を有する
偏平状粒子であり、そのc面の面積の平方根のc方向厚
みに対する比が8.4以上65以下の範囲の粉末を用い
た場合、臨界電流密度の大きな超電導薄板が作製される
ことがわかった。
Ba2Cu4O8粉末の組成と、それらを用いて作製され
た薄板の77Kにおける臨界電流密度の一覧表である。
ax)Ba2Cu4O8粉末の組成と、それらを用いて作製
された薄板の77Kにおける臨界電流密度の一覧表であ
る。
0.1)(Ba1-yAy)2Cu4O8粉末の組成と、それらを
用いて作製された薄板の77Kにおける臨界電流密度の
一覧表である。
0.1)Ba2(Cu1-zMz)4O8粉末の組成比と、それら
を用いて作製された薄板の77Kにおける臨界電流密度
の一覧表である。
ax)(Ba0.7A0.3)2(Cu0.8M0.z)4O8粉末の組
成と、それらを用いて作製された薄板の77Kにおける
臨界電流密度の一覧表である。
ax)(Ba0.7A0.3)2(Cu0.8M0.z)4O8粉末の組
成と、それらを用いて作製された薄板の77Kにおける
臨界電流密度の一覧表である。
O8粉末の組成と、それらを用いて作製された薄板の7
7Kにおける臨界電流密度の一覧表である。
ax)Ba2Cu3O7粉末の組成と、それらを用いて作製
された薄板の77Kにおける臨界電流密度の一覧表であ
る。
Ay)2Cu3O7粉末の組成と、それらを用いて作製され
た薄板の77Kにおける臨界電流密度の一覧表である。
2(Cu1-zMz)3O7粉末の組成と、それらを用いて作
製された薄板の77Kにおける臨界電流密度の一覧表で
ある。
a0.2)(Ba0.8A0.2)2(Cu0.9M0.1)3O7粉末の
組成と、それらを用いて作製された薄板の77Kにおけ
る臨界電流密度の一覧表である。
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能なことは言うまでもない。
123型超電導体による線材、テープ材の作製において
も、その粒子を偏平形状にすることにより、機械的加工
での配向を可能にし、大きな臨界電流密度を有する超電
導材料が作製できるという効果を有することは勿論であ
る。
ば、124型超電導体及び123型超電導体を用いた機
械的加工による線材、テープ材の作製において、その粒
子を偏平形状にすることにより、機械的加工での配向を
可能にし、大きな臨界電流密度を有する超電導材料が作
製できる。
O8の結晶構造を説明するための図、
実施例1のフロチャート、
焼成した試料の粉末X線回折図形、
焼成した試料の抵抗率−温度特性図、
焼成した試料の磁化率−温度特性図、
焼成した試料の金属組織を表す破断面のSEM写真、
焼成した試料の粉末を試料ホルダーに押しつけた場合
と、アセトンでランダムに分散させた場合のX線回折図
形、
説明するための図、
料の抵抗率−温度特性図。
又はCa、5…Y。
Claims (4)
- 【請求項1】 (R1−xCax)(Ba1−yAy)
2(Cu1−zMz)4O8の化学組成でRがNd、S
m、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
の希土類元素とYのうち少なくとも1種類、AがCa、
Sr、Laのうち少なくとも1種類、MがAl、Fe、
Co、Gaのうち少なくとも1種類からなり、組成範囲
がそれぞれ0≦x≦0.2、0≦y≦0.3、0≦z≦
0.2である銅酸化物超電導体であって、その結晶粒が
広いc面を有する偏平状粒子であり、そのc面の面積の
平方根のc方向厚みに対する比が6.7以上71以下の
値を有することを特徴とする銅酸化物超電導体。 - 【請求項2】 (R1−xCax)(Ba1−yAy)
2(Cu1−zMz)3O7の化学組成でRがLa、N
d、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Y
b、Luの希土類元素とYのうち少なくとも1種類、A
がCa、Sr、Laのうち少なくとも1種類、MがA
l、Fe、Co、Gaのうち少なくとも1種類からな
り、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.2、0≦y≦0.
2、0≦z≦0.1である銅酸化物超電導体であって、
その結晶粒が広いc面を有する偏平状粒子であり、その
c面の面積が2.8μm 2 以上であり、且つc面の面積
の平方根のc方向厚みに対する比が8.4以上65以下
の値を有することを特徴とする銅酸化物超電導体。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の銅酸化物超電導
体の製造方法において、前記銅酸化物超電導体を構成す
る各金属のアルコキシドが溶解した混合溶液を作製し、
この混合溶液を加水分解した後、得られたゲル粉を乾燥
し、焼成することを特徴とする銅酸化物超電導体の製造
方法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の銅酸化物超電導体の製
造方法において、銅のアルコキシドが、銅原子にブトキ
シ基及び水酸基が配位した銅アルコキシドであることを
特徴とする銅酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32440091A JP3257000B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 銅酸化物超電導体及びその製造方法 |
EP92310918A EP0549148B1 (en) | 1991-11-28 | 1992-11-30 | A copper oxide superconductor, a process for its production, and a copper complex used therein |
DE69224605T DE69224605T2 (de) | 1991-11-28 | 1992-11-30 | Kupferoxid-Supraleiter, Verfahren zu seiner Herstellung und dabei verwendete Kupferverbindung |
US08/344,741 US5504226A (en) | 1991-11-28 | 1994-11-23 | Copper oxide superconductor, a process for its production, and a copper complex used therein |
US08/345,229 US5578553A (en) | 1991-11-28 | 1994-11-28 | 1-2-4 copper oxide superconductor, a process for its production, and a copper used therein |
US08/357,100 US5563117A (en) | 1991-11-28 | 1994-12-15 | Copper oxide superconductor, a process for its production, and a copper used therein |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32440091A JP3257000B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 銅酸化物超電導体及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH08143311A JPH08143311A (ja) | 1996-06-04 |
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JP32440091A Expired - Fee Related JP3257000B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-12-09 | 銅酸化物超電導体及びその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3257000B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101540220B (zh) * | 2008-03-20 | 2011-05-04 | 中国科学院物理研究所 | 一种铁基空穴型超导材料及其制备方法 |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP32440091A patent/JP3257000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
KRAMER S.A.et al.,"Highly oriented superconducting thin films derived from the sol−gel process," Applied Physics Letters,Vol.53,No.2,11 July 1988,pp.156−158 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101540220B (zh) * | 2008-03-20 | 2011-05-04 | 中国科学院物理研究所 | 一种铁基空穴型超导材料及其制备方法 |
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