JPH0121798B2 - - Google Patents

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JPH0121798B2
JPH0121798B2 JP57166832A JP16683282A JPH0121798B2 JP H0121798 B2 JPH0121798 B2 JP H0121798B2 JP 57166832 A JP57166832 A JP 57166832A JP 16683282 A JP16683282 A JP 16683282A JP H0121798 B2 JPH0121798 B2 JP H0121798B2
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JP
Japan
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ring
cyanine dye
copolymer
optical recording
residue
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Noryoshi Nanba
Shigeru Asami
Akihiko Kuroiwa
Shiro Nakagawa
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TDK Corp
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Publication of JPH0121798B2 publication Critical patent/JPH0121798B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光
記録媒体に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため種々の光記
録媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室による画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その1例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツトと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ものである。 そして、このようなピツト形成型の媒体の1例
として、基体上に、光吸収色素からなる記録層を
設層して、色素を融解してピツトを形成するもの
や、ニトロセルロース等の自己酸化性化合物と光
吸収色素とを含む記録層を設層し、ニトロセルロ
ース等を分解させてピツトを形成するものや、熱
可塑性樹脂と光吸収色素とからなる記録層を塗設
し、樹脂および色素を融解してピツトを形成する
ものなどが知られている。 ところで、光吸収色素の1つとして、シアニン
色素が知られている。 しかし、シアニン色素を用いるときには、光に
対する媒体の生保存性と記録後の記録保存性が悪
く、光の存在下で保存すると書き込み不能となつ
たり、S/N比が劣化したりして、実用に耐えな
い。特に、記録層の層厚が0.2μm程度以下にまで
うすくなると、このような不都合がきわめて顕著
である。 ところで、一般に光による劣化は紫外域の光に
よるものと考えられ、耐光性を改良するために
は、記録層などに、紫外線吸収剤を含有させるこ
とが考えられる。しかし、シアニン色素を含む記
録層に紫外線吸収剤を、含有させても、耐光性は
さして向上しないことが確認された。 そこで、本発明者らは、耐光性の波長依存を調
べてみたところ、シアニン色素を含む記録層の保
存性を悪いものとしているのは、特に、赤色ない
し、近赤外領域の波長光であることが判明した。 なお、上記のような事情から、シアニン色素を
用いた媒体では、赤色〜近赤外領域の読み出し光
を用いたときの再生劣化も大きく、読み出し光の
くりかえし照射によつて読み出しのS/N比が劣
化する。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、赤色ないし近赤外
領域の光に対する保存性と再生劣化とが改良され
たシアニン色素を含む記録層を有する光記録媒体
を提供することにある。 本発明者らは、このような目的につき種々検討
を行い、保存性の悪化と再生劣化の増大とは、赤
色ないし近赤外光によつて励起したシアニン色素
が、基底状態酸素にエネルギーを移動することに
よつて生成する一重項酸素によつてアニン色素が
酸化劣化するのではないかとの着想を得た。 そこで、本発明者らは、一重項酸素クエンチヤ
ーを記録層に含有させたところ、保存性と再生劣
化とが格段と向上することを見出し、本発明をな
すに到つた。 すなわち、本発明は、基体上に、下記式[]
で示されるシアニン色素と、一重項酸素クエンチ
ヤーとを含む記録層を有することを特徴とする光
記録媒体である。 式〔〕 φ―L=ψ(X-n {上記式〔〕において、φおよびψは、それ
ぞれシアニン色素を形成するためのヘテロ環残基
を表わすが、φがインドレニン環またはベンゾイ
ンドレニン環の残基であるとき、ψはインドレニ
ン環またはベンゾインドレニン環の残基となるこ
とはなく、Lは、シアニン色素を形成するための
連結基を表わし、 X-は陰イオンを表わし、 mは0または1の整数である。} また第2の発明は、基体上に、上記式〔〕で
示されるシアニン色素と、一重項酸素クエンチヤ
ーと、自己酸化性化合物または熱可塑性樹脂とを
含むを記録層を有することを特徴とする光記録媒
体である。 なお、本出願の先願である特開昭59―24692号、
特開昭58―194595号、特開昭58―218055号、特開
昭58―114989号、特開昭58―112790号、特開昭58
―105442号には、シアニン色素を含む記録層を有
する光記録媒体が開示されている。 しかし、これらには、本発明における例えば遷
移金属キレート化合物で代表されるような一重項
酸素クエンチヤーを併用する旨の開示も示唆もな
い。 また、特開昭57―105442号、同56―92095号、
同58―175693号には、本発明における一重項酸素
クエンチヤーの1つである遷移金属キレート化合
物を用いた光記録媒体が開示されている。 しかし、これらにはシアニン色素と併用する旨
も、その際のシアニン色素の再生劣化防止の効果
も一切開示されていない。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。 本発明における光吸収色素は、シアニン色素で
ある。 シアニン色素としては、種々のものであつてよ
いが、特に、本発明の効果がより高いものとなる
のは、下記式〔〕で示される化合物である場合
である。 式〔〕 φ―L=ψ(X-n 上記式[]において、φおよびψは、それぞ
れシアニン色素を形成するためのヘテロ環残基表
わす。 ただし、一方のφがインドレニン環またはベン
ゾインドレニン環の残基であるときには、ψがイ
ンドレニン環またはベンゾインドレニン環の残基
となることはない。 このような場合、φおよびψは、それぞれ、ベ
ンゼン環またはナフタレン環等が縮合してもよい
チアゾール環、オキサゾール環、セレナゾール
環、イミダゾール環またはピリジン環の残基であ
ることが好ましい。 この場合、φおよびψは、φがこれら各環のN
原子に+電荷を有し、ψのN原子が中性であるも
のである。そして、それぞれは互いに同一でも、
異なつていてもよく、種々の置換基が結合してい
てよい。 これらのうちでは、φおよびψは同一であるこ
とが好ましく、特に、下記式〔〕〜〔XII〕であ
ることが好ましい。なお、下記においては、φの
形で表示する。 上記において、R1およびR2は、それぞれ、置
換または非置換のアルキル基またはアリール基を
あらわす。この場合、アルキル基の炭素原子数
は、1〜5であることが好ましく、また好ましい
置換基としては、スルホン酸基、アルキルカルボ
キシオキシ基、アルキルアミド基、アルキルオキ
シ基、水酸基等をあげることができる。なお、後
述のmが0であるときには、φのR1は一電荷を
もつ。 また、R1′,R2′,R3′,R4′,R5′,R6′,R6′,
R7′,R8′,R9′,およびR10は、それぞれ、置換基
をあらわすが、アルキル基、アリール基、複素環
残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アルキルヒドロキシカルボニル基、カルボ
ン酸基等であることが好ましい。そして、p,
q,r,s,t,u,u′,v,w,x,yおよび
zは、それぞれ、0または1以上の整数である
が、通常0〜4程度である。 他方、Lは、カルボシアニン、ジカルボシアニ
ン、トリカルボシアニンまたはテトラカルボシア
ニン等のシアニン色素形成するための連結基を表
わすが、特に式〔〕〜〔XI〕のいずれかで
あることが好ましい。 ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わ
す。この場合、1価の基としては、メチル基等の
低級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ
基、ジメチルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メ
チルフエニルアミノ基、モルホリノ基、イミダゾ
リジン基、エトキシカルボニルピペラジン基など
のジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアルキルカ
ルボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキルチ
オ基、シアノ基、ニトロ基、Br,Cl等のハロゲ
ン原子などであることが好ましい。 なお、これら式〔〕〜〔〕の中では、
トリカルボシアニン連結基、特に式〔〕〜
〔〕が好ましい。 さらに、X-は陰イオンであり、その好ましい
例としては、I-,Br-,ClO4 -,BF4 -
【式】等を挙げることができ る。 なお、mは0または1であるが、mが0である
ときには、通常、φのR1が−電荷をもち、分子
内塩となる。 次に本発明の光吸収色素の具体例を挙げるが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
【表】
【表】 このようなカルボシアニン色素は、レーザー研
究8(4)色素レーザー用有機化合物総覧、 大有機化学(朝倉書点)含窒素複素環化合物
IP432等に記載されており、公知の方法によつて
合成することができる。 特にヘプタメテン系の場合には、ピリンジ誘導
体の開裂を利用したいわゆるZINCK
(DICKMANN)反応により、容易に合成するこ
とができる。 このような色素は、単独で記録層を構成する。
あるいは、記録層中に、自己酸化性化合物または
熱可塑性樹脂とともに含有される。後者では、色
素単独で記録層を形成するときと比較して、層中
での結晶化がおさえられて、膜物性が良好とな
る。 記録層に含有される自己酸化性化合物は、昇温
したとき、酸化的な分解を生じるものである。 このような自己酸化性化合物の例としては、特
願昭55―99202号に記載したようなものを挙げる
ことができるが、これらのうち、特にニトロセル
ロースが好適である。 また、自己酸化性化合物にかえて、あるいは、
場合いによつては、これに加えて含有される熱可
塑性樹脂は、記録光を吸収した光吸収体の昇温に
より、軟化するものであり、熱可塑性樹脂として
は、公知の種々のものを用いることができる。 これらのうち、特に好適に用いることができる
熱可塑性樹脂には、以下のようなものがある。 ポリオレフイン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4―メチ
ルペンテン―1など。 ポリオレフイン共重合体 例えば、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチ
レン―アクリレート共重合体、エチレン―アクリ
ル酸共重合体、エチレン―プロピレン共重合体、
エチレン―ブテン―1共重合体、エチレン―無水
マレイン酸共重合体、エチレンプロピレンターポ
リマー(EPT)など。 この場合、コモノマーの重合比は任意のものと
することができる。 塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル―塩化ビニル共重合体、塩
化ビニル―塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル
―無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エステル
ないしメタアクリル酸エステルと塩化ビニルとの
共重合体、アクリルニトリル―塩化ビニル共重合
体、塩化ビニルエーテル共重合体、エチレンない
しプロピレン―塩化ビニル共重合体、エチレン―
酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重合
したものなど。 この場合、共重合比は任意のものとすることが
できる。 塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン―塩化ビニル共重合体、塩化ビ
ニリデン―塩化ビニル―アクリルニトリル共重合
体、塩化ビニリデン―ブタジエン―ハロゲン化ビ
ニル共重合体など。 この場合、共重合比は、任意のものとすること
ができる。 ポリスチレン スチレン共重合体 例えば、スチレン―アクリルニトリル共重合体
(AS樹脂)、スチレン―アクリルニトリル―ブタ
ジエン共重合体(ABS樹脂)、スチレン―無水マ
レイン酸共重合体(SMA樹脂)、スチレン―アク
リルエステル―アクリルアミド共重合体、スチレ
ン―ブタジエン共重合体(SBR)、スチレン―塩
化ビニリデン共重合体、スチレン―メチルメタア
クリレート共重合体など。 この場合、共重合比は任意のものとすることが
できる。 スチレン型重合体 例えば、p―メチルスチレン、2,5―ジクロ
ルスチレン、α,β―ビニルナフタレン、α―ビ
ニルピリジン、アセナフテン、ビニルアントラセ
ンなど、あるいはこれらの共重合体。 クマロン―インデン樹脂 クマロン―インデン―スチレンの共重合体。 テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α―ピネンから得られるリモネンの重
合体であるテルペン樹脂や、β―ピネンから得ら
れるピコライト。 アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ま
しい。 式 上記式において、R10は、水素原子またはアル
キル基を表わし、R20は、置換または非置換のア
ルキル基を表わす。この場合、上記式において、
R10は、水素原子または炭素原子数1〜4の低級
アルキル基、特に水素原子またはメチル基である
ことが好ましい。また、R20は、置換、非置換い
ずれのアルキル基であつてもよいが、アルキル基
の炭素原子数は1〜4あることが好ましく、ま
た、R20が置換アルキル基であるときには、アル
キル基を置換する置換基は、水酸基、ハロゲン原
子またはアミノ基(特に、ジアルキルアミノ基)
であることが好ましい。 このような上記式で示される原子団は、他のく
りかえし原子団とともに、共重合体を形成して各
種アクリル樹脂を構成してもよいが、通常は、上
記式で示される原子団の1種または2種以上をく
りかえし単位とする単独重合体または共重合体を
形成してアクリル樹脂を構成することになる。 ポリアクリルニトリル アクリルニトリル共重合体 例えば、アクリルニトリル―酢酸ビニル共重合
体、アクリルニトリル―塩化ビニル共重合体、ア
クリルニトリル―スチレン共重合体、アクリルニ
トリル―塩化ビニリデン共重合体、アクリルニト
リル―ビニルピリジン共重合体、アクリルニトリ
ル―メタクリル酸メチル共重合体、アクリルニト
リル―ブタジエン共重合体、アクリロニトリル―
アクリル酸ブチル共重合体など。 この場合、共重合比は任意のものとすることが
できる。 ダイアセトンアクリルアミドポリマー アクリルニトリルにアセトンを作用させたダイ
アセトンアクリルアミドポリマー。 ポリ酢酸ビニル 酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテ
ル、エチレン、塩化ビニル等との共重合体など。 共重合比は任意のものであつてよい。 ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニ
ルエチルエーテル、ポリビニルブチルエーテルな
ど。 ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン6、
ナイロン66、ナイロン610、ナイロン612、ナイロ
ン9、ナイロン11、ナイロン12、ナイロン13等の
通常のホモナイロンの他、ナイロン6/66/610、
ナイロン6/66/12、ナイロン6/66/11等の共
重合体や、場合によつては変性ナイロンであつて
もよい。 ポリエステル 例えば、シユウ酸、コハク酸、マレイン酸、ア
ジピン酸、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あ
るいはイソフタル酸、テレフタル酸などの芳香族
二塩基酸などの各種二塩基酸と、エチレングリコ
ール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレ
ングリコール等のグリコール類との縮合物や、共
縮合物が好適である。そして、これらのうちで
は、特に脂肪族二塩基酸とグリコール類との縮合
物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸との共縮合
物は、特に好適である。 さらに、例えば、無水フタル酸とグリセリンと
の縮合物であるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然
樹脂等でエステル化変性した変性グリプタル樹脂
等も好適に使用される。 ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得
られるポリビニルホルマール、ポリビニルアセタ
ール系樹脂はいずれも好適に使用される。 この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセ
タール化度は任意のものとすることができる。 ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹
脂。 特に、グリコール類とジイソシアネート類との
縮合によつて得られるポリウレタン樹脂、就中ア
ルキレングリコールとアルキレンジイソシアネー
トとの縮合によつて得られるポリウレタン樹脂が
好適である。 ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開
環重合物、ポリエチレンオキサイドおよびグリコ
ール、ポリプロピレンオキサイドおよびグリコー
ル、プロピレンオキサイド―エチレンオキサイド
共重合体、ポリフエニレンオキサイドなど。 セルロース誘導体 有機酸エステル、エーテルないしこれらの混合
体。 ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフエニルメタンカーボ
ネート、ポリジオキシジフエニルエタンカーボネ
ート、ジオキシジフエニルプロパーボネート等の
各種ポリカーボネート。 上記〜の2種以上のブレンド
体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド
体。 なお、自己酸化性化合物および熱可塑性樹脂の
分子量等は種々のものであつてよい。 このような自己酸化性化合物または熱可塑性樹
脂と、前記の色素とは、通常、重量比で1対0.1
〜100の広範な量比にて設層される。さらには、
記録層には、一重項酸素クエンチヤーが含有され
る。 一重項酸素クエンチヤーとしては、種々のもの
を用いることができるが、特に、安定性や耐光性
の向上が大きいこと、長波長の書き込みレーザー
光の吸収が増大すること、さらには再生劣化が減
少すること、そして、色素との相溶性が良好であ
ることなどから、遷移金属キレート化合物である
ことが好ましい。 この場合、中心金属としては、Ni,Co,Cu,
Mn,Pd,Pt等が好ましく、特に、下記の化合物
が好適である。 なお、遷移金属キレート化合物としては、700
〜850mmに吸収をもつもの、特にそのうち、700〜
850mmに極大吸収波長をもつものであることが好
ましい。 1 アセチルアセトナートキレート系 Q1 Ni()アセチルアセトナート Q2 Cu()アセチルアセトナート Q3 Mn()アセチルアセトナート Q4 Co()アセチルアセトナート 2 ビスジチオ―α―ジケトン系 ここに、R(1)〜R(4)は、置換ないし非置換のア
ルキル基またはアリール基を表わし、Mは、Ni,
Co,Cu,Pd,Pt等の遷移金属原子を表わす。 この場合、Mは−電荷をもち、4級アンモニウ
ムイオン等のカチオンと塩を形成してもよい。 Q5 Ni()ジチオベンジル Q6 Ni()ジチオビアセチル 3 ビスフエニルジチオール系 ここにR(5)およびR(6)は、メチル基などのアル
キル基、あるいはClなどのハロゲン原子等を表わ
し、Mは、Ni,Co,Cu,Pd,Pt等の遷移金属原
子を表わす。さらに、aおよびbは、それぞれ、
0または4以下の整数である。 また、上記構造のMは−電荷をもつて、カチオ
ンと塩を形成してもよく、さらにはMの上下に
は、さらに他の配位子が結合していてもよい。 このようなものとしては、下記のものがある。 Q10 PA―1001(商品名 三井東圧フアイン株式
会社製) Q11 PA―1002[商品名 Ni―ビス(トルエンジ
チオール)テトラ(n―ブチル)アンモニウ
ム] Q12 PA―1003(商品名) Q13 PA―1005[商品名 Ni―ビス(ジクロロベ
ンゼン)テトラ(n―ブチル)アンモニウム] Q14 PA―1006[商品名 Ni―ビス(トリクロロ
ベンゼンジチオール)テトラ(n―ブチル)ア
ンモニウム] Q15 Co―ビス(ベンゼン―1,2―ジチオー
ル)テトラブチルアンモニウム Q16 Co―ビス(0―キシレン―4,5―ジチオ
ール)テトラブチルアンモニウム Q17 Ni―ビス(ベンゼン―1,2―ジチオー
ル)テトラブチルアンモニウム Q18 Ni―ビス(0―キシレン―4,5―ジチオ
ール)テトラブチルアンモニウム Q19 Ni―ビス(5―クロロベンゼン―1,2―
ジチオール)テトラブチルアンモニウム Q20 Ni―ビス(3,4,5,6,―テトラメチ
ルベンゼン―1,2ジチオール)テトラブチル
アンモニウム Q21 Ni―ビス(3,4,5,6―テトラクロロ
ベンゼン―1,2ジチオール)テトラブチルア
ンモニウム 4 サリチルアルデヒドオキシム系 ここに、R(7)およびR(8)はアルキル基を表わし、
Mは、Ni,Co,Cu,Pd,Ptなどの遷移金属原子
を表わす。 Q22 Ni()0―(N―イソプロピルホルムイ
ミドイル)フエノール Q23 Ni()0―(N―ドデシルホルムイミド
イル)フエノール Q24 Co()0―(N―ドデシルホルムイミド
イル)フエノール Q25 Cu()0―(N―ドデシルホルムイミド
イル)フエノール Q26 Ni()2,2′―[エチレンビス(ニトリ
ロメチリジン)]―ジフエノール Q27 Co()2,2′―[エチレンビス(ニトリ
ロメチリジン)]―ジフエノール Q28 Ni()2,2′―[1,8―ナフチレンビ
ス(ニトリロメチリジン)]―ジフエノール Q29 Ni()―(N―フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q30 Co()―(N―フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q31 Cu()―(N―フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q32 Ni()サリチルアルデヒドフエニルヒド
ラゾン Q33 Ni()サリチルアルデヒドオキシム 5 チオビスフエノレートキレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R(9)および
R(10)は、アルキル基を表わす。またMは−電荷を
もち、カチオンと塩を形成していてもよい。 Q34 Ni()n―ブチルアミノ[2,2′―チオ
ビス(4―tert―オクチル)―フエノレート]
[Cyasorb―UV―1084(アメリカン シアナミ
ドCo.,Ltd.)] Q35 Co()n―ブチルアミノ[2,2′―チオ
ビス(4―tert―オクチル)―フエノレート] Q36 Ni()―2,2′―チオビス(4―tert―オ
クチル)―フエノレートこのような一重項酸素
クエンチヤーは、公知の方法に従い合成され
る。 そして、一重項酸素クエンチヤーは、前記色素
1モルあたり、一般に0.05〜12モル、特に0.1〜
1.2モル程度含有される。 このような記録層を設層するには、一般に常法
に従い塗設すればよく、その厚さは、一般に0.03
〜2μm程度とされる。あるいは、色素単独で記録
層を形成するときには、蒸着、スパツタリング等
によつてもよい。 なお、このような記録層には、この他、他のポ
リマーないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性
剤、帯電防止剤、滑剤、難燃性、安定剤、分散剤
等が含有されていてもよい。 なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エ
チル、カルビトールアセテート、ブチルカルビト
ールアセテート等のエステル系、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のエーテル系、ないしト
ルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロエタン
等のハロゲン化アルキル系などを用いればよい。 このような記録層を設層する基体の材質には特
に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミツク
ス、金属等いずれであつてもよい。 また、その形状は使用用途に応じ、テープ、デ
イスク、ドラム、ベルト等いずれであつてもよ
い。 なお、基体は、必要に応じ、反射層等の下地層
や蓄熱層などを有するものであつてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を
用いるときに裏面として機能する反射層や、各種
最上層保護層、ハーフミラー層などを設けること
もできる。 本発明の媒体は、このような基体の一面上に上
記の記録層を有するものであつてもよく、その両
面に記録層を有するものであつてもよい。また、
基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用
い、それらを記録層が向かいあうようにして、所
定の間隙をもつて対向させ、それを密閉したりし
て、ホコリやキズがつかないようにすることもで
きる。 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、
記録光をパルス状に照射する。このとき、記録層
中の色素の発熱により、自己酸化性化合物が分解
するか、あるいは熱可塑性樹脂や、色素が融解
し、ピツトが形成される。 この場合、特に、トリないしテトラカルボシア
ニン色素を用いるときには、750、780、830nmの
波長の記録半導体レーザー、ダイオードなどを用
いたとき、きわめて良好な書き込みを行うことが
できる。 このように形成されたピツトは、やはり媒体の
走行ないし回転下、上記の波長の読み出し光の反
射光ないし透過光、特に反射光を検出することに
より読み出される。 なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときに
は、一旦記録層に形成したピツトを光ないし熱で
消去し、再書き込みを行うこともできる。 また、記録ないし読み出し光としては、He―
Neレーザー等を用いることもできる。 V 発明の具体的効果 本発明によれば、赤色〜近赤外光の存在下で保
存するようなときでも、シアニン色素の励起状態
によつて生じる一重項酸素が、クエンチヤーによ
つて3重項状態に有効に変換されるので、シアニ
ン色素の酸化劣化がきわめて少なく、生保存性お
よび記録保存性は格段と向上する。 また、読み出し光による再生劣化もきわめて小
さくなる。 V 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例 1 下記表1に示される色素D、樹脂R、一重項酸
素クエンチヤーQとを用い、これを表1に示され
る割合にて所定の溶媒中に溶解し、直径15cmのア
クリルデイスク基板上に、0.2μmの厚さに塗布設
層して、各種媒体を得た。 この場合、表1において、NCは、窒素含有量
11.5〜12.2%、JISK6703にもとづく粘度20秒のニ
リロセルロースである。 また、CIは、クマロン―インデン樹脂(日鉄
化学社製V―120数平約分子量730)、NYは、6,
6―ナイロン(数平均分子量3万)、ECは、エチ
ルセルロース(数平均分子量3万、アセチル化度
30%)、PSは、ポリスチレン(数平均分子量3
万)をそれぞれ表わす。 さらに、用いた色素は、上記にて例示したNo.の
ものを用い、比較用色素としては、クエンチヤー
Q14として示した近赤外吸収色素PA―1006(三井
東圧化学社製)を用いた。 加えて、用いたクエンチヤーは、上記にて例示
したもののNo.で示される。 そして、表1には、R/Dの重量比と、Q/D
のモル比とが併記される。 このようにして作成した各媒体につき、これを
1800rpmで回転させながら、AlGaAs―GaAs半
導体レーザー記録光(830nm)を1μmφに集光し
(集光部出力10mV)、パルス巾100nsec、所定周
波数で、パルス列状に照射して、書き込みを行つ
た。 この後、1mWの半導体レーザー(830nm)読
み出し光を1μsec巾、3KHzのパルスとして照射し
て、デイスク表面におけるピーク―ピークー間の
当初のS/N比と5分間照射後のS/N比を測定
した。 さらに、これとは別に、書き込み後の媒体を暗
中にて、60℃、相対湿度90%の条件下で500時間
保存し、保存後のS/N比を測定した。 また、書き込みの後の媒体に、250wの赤外線
ランプを40cmの距離で5時間照射し、照射後の
S/N比を測定した。 これらの結果を表1に示す。
【表】 表1に示される結果から、本発明の媒体No.2〜
7,11,13,15,17,19、と比較用の媒体No.8〜
10,12,14,16,18との比較において、本発明の
効果があきらかである。 実施例 2 実施例1の媒体No.11,13,15,17,19を用い、
実施例1と同様に書き込みを行つたのち、赤外線
ヒーターを用い、媒体を150℃、15秒間加熱して
消去を行つたところ、各媒体とも、くりかえし複
数回の消去、再書き込みが良好にできることが確
認された。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基体上に、下記式[]で示されるシアニン
    色素と、一重項酸素クエンチヤーとを含む記録層
    を有することを特徴とする光記録媒体。 式〔〕 φ―L=ψ(X-n {上記式〔〕において、φおよびψは、それ
    ぞれシアニン色素を形成するためのヘテロ環残基
    を表わすが、φがインドレニン環またはベンゾイ
    ンドレニン環の残基であるとき、ψはインドレニ
    ン環またはベンゾインドレニン環の残基となるこ
    とはなく、Lは、シアニン色素を形成するための
    連結基を表わし、 X-は陰イオンを表わし、 mは0または1の整数である。} 2 φおよびψは、それぞれベンゼン環またはナ
    フタレン環が縮合してもよいチアゾール環、セレ
    ナゾール環、イミダゾール環またはピリジン環の
    残基を表わす特許請求の範囲第1項に記載の光記
    録媒体。 3 一重項酸素クエンチヤーが、遷移金属キレー
    ト化合物である特許請求の範囲第1項または第2
    項に記載の光記録媒体。 4 基体上に、下記式〔〕で示されるシアニン
    色素と、一重項酸素クエンチヤーと、自己酸化性
    化合物または熱可塑性樹脂とを含むを記録層を有
    することを特徴とする光記録媒体。 式〔〕 φ―L=ψ(X-n {上記式〔〕において、 φおよびψは、それぞれシアニン色素を形成す
    るためのヘテロ環またはベンゾインドレニン環の
    残基であるとき、ψがインドレニン環またはベン
    ゾインドレニン環の残基となることはなく、 Lは、シアニン色素を形成するための連結基を
    表わし、 X-は陰オンを表わし、 mは0または1の整数である。} 5 一重項酸素クエンチヤーが、遷移金属キレー
    ト化合物である特許請求の範囲第4項に記載の光
    記録媒体。
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