JPH01157923A - 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体Info
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- JPH01157923A JPH01157923A JP31517587A JP31517587A JPH01157923A JP H01157923 A JPH01157923 A JP H01157923A JP 31517587 A JP31517587 A JP 31517587A JP 31517587 A JP31517587 A JP 31517587A JP H01157923 A JPH01157923 A JP H01157923A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用な新規のシク
ロヘキセニルシクロヘキサン誘導体に関するO 〔従来の技術〕 液晶表示セルの代表的なものにジー・エイチ・バイルマ
イヤー(G、H,Heilmeier )等(: Ap
pl。
ロヘキセニルシクロヘキサン誘導体に関するO 〔従来の技術〕 液晶表示セルの代表的なものにジー・エイチ・バイルマ
イヤー(G、H,Heilmeier )等(: Ap
pl。
Phys、L@tt@rm、 13 、46 (196
8) )によって提案された動的散乱効果型セル(ダイ
ナミック・スキャッタリング・モード・セル)l+タハ
エム・シャツ ト (M、5chadt ) 等(A
ppl、Phys、Lett@rs、 1 8 r
127(1971))によって提案された電界効果型セ
ル(フィールド・エフェクト・モード・セル)またはジ
ー・エイチ・バイルマイヤー(G、H。
8) )によって提案された動的散乱効果型セル(ダイ
ナミック・スキャッタリング・モード・セル)l+タハ
エム・シャツ ト (M、5chadt ) 等(A
ppl、Phys、Lett@rs、 1 8 r
127(1971))によって提案された電界効果型セ
ル(フィールド・エフェクト・モード・セル)またはジ
ー・エイチ・バイルマイヤー(G、H。
Heilmeier )等(Appl、Phy@、Le
ttera、 13 、91(1968))によって提
案されたダスト・ホスト型セル等がある。
ttera、 13 、91(1968))によって提
案されたダスト・ホスト型セル等がある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各徨表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各徨表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な液晶材料の多くは、
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
り高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによって調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高温側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネマチック相−等方性液
体相転移温度(N−I点)の高いネマチック液晶化合物
が必要とされている。
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
り高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによって調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高温側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネマチック相−等方性液
体相転移温度(N−I点)の高いネマチック液晶化合物
が必要とされている。
このような要求に応えるために、特開昭57−1653
28号公報には、4−置換ビシクロヘキシル4′−置換
ぺ/ゼンの如き200℃前後にN−I点を有する化合物
が提案されている。
28号公報には、4−置換ビシクロヘキシル4′−置換
ぺ/ゼンの如き200℃前後にN−I点を有する化合物
が提案されている。
しかしながら、これらの化合物は通常、スメクチック相
を有し、ネマチック相を示す温度範囲の下限であるスメ
クチック相−ネマチック相転移温度(S−N点)が高い
という欠点を有している。
を有し、ネマチック相を示す温度範囲の下限であるスメ
クチック相−ネマチック相転移温度(S−N点)が高い
という欠点を有している。
混合液晶のN−I点を上昇させる目的でこれらのS−N
点が高い化合物を現在母体液晶として実用的に汎用され
ているネマチック混合液晶に添加すると、低温領域でス
メクチック相が現出するという好ましからざる性質を有
している。
点が高い化合物を現在母体液晶として実用的に汎用され
ているネマチック混合液晶に添加すると、低温領域でス
メクチック相が現出するという好ましからざる性質を有
している。
本発明が解決しようとする問題点は、高いN−1点を有
し、かつスメクチック相を示さない新規な液晶化合物を
提供することにある。
し、かつスメクチック相を示さない新規な液晶化合物を
提供することにある。
本発明は上記問題点を解決するために、一般式(式中、
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ1〜9の直鎖状ア
ルキル基又はアルコキシル基を表わし、シクロヘキサン
環はトランス(エカトリアルーエカ) IJアル)配置
である。)で表わされる化合物を提供する。
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ1〜9の直鎖状ア
ルキル基又はアルコキシル基を表わし、シクロヘキサン
環はトランス(エカトリアルーエカ) IJアル)配置
である。)で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式(【)の化合物は、次の製造方法に従
って製造することができる。
って製造することができる。
(上記式(II)〜(IV)におけるR及びR′は夫々
、式(I)におけるR及びR′と同じ意味をもつ。)第
1段階−式(n)の化合物を、無水ジエチルエーテル中
でリチウムと還流温度で2〜8時間反応させてリチウム
塩とした後、これに式(Ill)の無水ジエチルエーテ
ルの如きエーテル系溶媒の溶液を0〜15℃で加えて、
更に5〜20Cで30分間反応させる。反応混合物を冷
水中に加えて分解し、反応生成物をトルエ/で抽出した
後、抽出液を水洗、乾燥し、抽出液から溶媒を留去して
式(M)の化合物を製造する。
、式(I)におけるR及びR′と同じ意味をもつ。)第
1段階−式(n)の化合物を、無水ジエチルエーテル中
でリチウムと還流温度で2〜8時間反応させてリチウム
塩とした後、これに式(Ill)の無水ジエチルエーテ
ルの如きエーテル系溶媒の溶液を0〜15℃で加えて、
更に5〜20Cで30分間反応させる。反応混合物を冷
水中に加えて分解し、反応生成物をトルエ/で抽出した
後、抽出液を水洗、乾燥し、抽出液から溶媒を留去して
式(M)の化合物を製造する。
第2段階−式(F/)の化合物を、n−へキサンに溶解
させ、この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチ
ルシランとヨウ化ナトリウムから調製したヨードトリメ
チルシランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜10℃
で30分間反応させた後、この反応混合物に1.8−シ
アデービシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、
DBUという。)の如き塩基を加えて、5〜30℃で5
〜20時間反応させる。反応混合物に水を加えた後、反
応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸
性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、この抽出
液から溶媒を留去する。反応粗生成物をトルエンの如き
溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性触媒の存
在下に還流温度で1〜8時間反応させて、シクロヘキサ
ン環を7ス配置からトランス配置に異性化させることに
より、収率よく式(I−a)及び式(1−b)の化合物
の混合物を製造することができる。反応終了後、トルエ
ン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液からトルエンを留
去する。反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラ
フィーによって精製した後、更にエタノールから再結晶
させて精製し、この再結晶された混合物を液体クロマト
グラフィーによって分離し、分離された化合物を更にエ
タノールから各々再結晶させることによって、本発明に
係わる式(1−a )及び式(+−b)の化合物を製造
する。
させ、この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチ
ルシランとヨウ化ナトリウムから調製したヨードトリメ
チルシランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜10℃
で30分間反応させた後、この反応混合物に1.8−シ
アデービシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、
DBUという。)の如き塩基を加えて、5〜30℃で5
〜20時間反応させる。反応混合物に水を加えた後、反
応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸
性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、この抽出
液から溶媒を留去する。反応粗生成物をトルエンの如き
溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性触媒の存
在下に還流温度で1〜8時間反応させて、シクロヘキサ
ン環を7ス配置からトランス配置に異性化させることに
より、収率よく式(I−a)及び式(1−b)の化合物
の混合物を製造することができる。反応終了後、トルエ
ン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液からトルエンを留
去する。反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラ
フィーによって精製した後、更にエタノールから再結晶
させて精製し、この再結晶された混合物を液体クロマト
グラフィーによって分離し、分離された化合物を更にエ
タノールから各々再結晶させることによって、本発明に
係わる式(1−a )及び式(+−b)の化合物を製造
する。
斯くして製造された本発明に係わる式(1)の化合物の
代表的−なものの転移温度を第1表に掲げる。
代表的−なものの転移温度を第1表に掲げる。
q″′
7/
、−
/−′
第 1 表
(表中、Cは結晶相、Nはネマチック相、■は等方性液
体相を夫々表わす。) 本発明に係わる式(1)の化合物は、極弱い正または弱
い負の誘電率の異方性を有するネマチック液晶化合物で
あシ、従って例えば、負又は弱い正の誘電率の異方性を
有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で動
的光散乱型表示セルの材料として使用することができ、
また強い正の誘電率の異方性を有する他のネマチック液
晶化合物との混合物の状態で電界効果型表示セルの材料
として使用することができる。
体相を夫々表わす。) 本発明に係わる式(1)の化合物は、極弱い正または弱
い負の誘電率の異方性を有するネマチック液晶化合物で
あシ、従って例えば、負又は弱い正の誘電率の異方性を
有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で動
的光散乱型表示セルの材料として使用することができ、
また強い正の誘電率の異方性を有する他のネマチック液
晶化合物との混合物の状態で電界効果型表示セルの材料
として使用することができる。
このように、式(I)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−置換フェニルエステル、 4−
K換シクロヘキサンカル?ンe 4/ −置換ビフェニ
ルエステル、4−(4−fl換シクロヘキサンカルゲニ
ルオキシ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−
(4−[換シクロヘキノル)安息香酸4′−置換フェニ
ルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル〕安息香酸
4′−置換シクロヘキシルエステル、4−[換4’−1
1換ビフェニル、4−ft換フェニル−4′−置換シク
ロヘキサン、4−置換4′−置換ターフェニル、4−置
換ビ7エー#4”fi置換シクロヘキサン2−(4−[
換フェニル)−5−置換ピリミジンなどを挙げることが
できる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−置換フェニルエステル、 4−
K換シクロヘキサンカル?ンe 4/ −置換ビフェニ
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ルオキシ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−
(4−[換シクロヘキノル)安息香酸4′−置換フェニ
ルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル〕安息香酸
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ロヘキサン、4−置換4′−置換ターフェニル、4−置
換ビ7エー#4”fi置換シクロヘキサン2−(4−[
換フェニル)−5−置換ピリミジンなどを挙げることが
できる。
本発明に係わる式(1)の化合物の化学構造に類似して
おり、かつ混合液晶のN−1点を上昇させる目的で使用
されている材料の中で特に優れた公知化合物(特開昭5
7−165328号公報に記載〕の転移温度を第2表に
示した。
おり、かつ混合液晶のN−1点を上昇させる目的で使用
されている材料の中で特に優れた公知化合物(特開昭5
7−165328号公報に記載〕の転移温度を第2表に
示した。
第 2 表
第1表と第2表の対比から明らかな様に、本発明に係わ
る化合物は、高温駆動性混合液晶の調整に有効な高いN
−I点を有し、しかも公知の類似化合物のようにスメク
チック相を示さない事が埋解できる。
る化合物は、高温駆動性混合液晶の調整に有効な高いN
−I点を有し、しかも公知の類似化合物のようにスメク
チック相を示さない事が埋解できる。
実施例1
モル)を無水ジエチルエーテル18R/に溶解し、この
溶液にリチウム0.41 p(0,059グラム原子)
を加えた後、攪拌しながら還流温度で4時間反応させた
。反応終了後、反応混合物を冷却し、これ5.3%(0
,027モル)の無水ジエチルエーテル溶液20!E/
を10〜15℃で滴下した後、更に室温(25℃)で3
0分間反応させた。反応混合物を冷水中に加えた後、反
応生成物をトルエンで抽出した。抽出液を水洗、乾燥し
た後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物8.4
1を得た。
溶液にリチウム0.41 p(0,059グラム原子)
を加えた後、攪拌しながら還流温度で4時間反応させた
。反応終了後、反応混合物を冷却し、これ5.3%(0
,027モル)の無水ジエチルエーテル溶液20!E/
を10〜15℃で滴下した後、更に室温(25℃)で3
0分間反応させた。反応混合物を冷水中に加えた後、反
応生成物をトルエンで抽出した。抽出液を水洗、乾燥し
た後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物8.4
1を得た。
O
次に、ヨウ化ナトリウム14%(0,093モル)をア
セトニトリル56117に溶解し、この溶液にクロロト
リメチル7ラン1054(0,092モル)を滴下して
得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサン溶
液25−を、攪拌下に5〜10℃で滴下した後、更に同
温度で30分間反応させた。反応混合物にDBU 16
p(0,110モル)を10〜15℃で滴下した後、
更に室温(25C)で20時間攪拌した。この反応混合
物に水を加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽
出液を希塩酸、飽和酸性亜硫酸す) IJウム水溶液、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄
し、次いで乾燥した後、溶媒を留去して、反応粗生成物
を得た。
セトニトリル56117に溶解し、この溶液にクロロト
リメチル7ラン1054(0,092モル)を滴下して
得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサン溶
液25−を、攪拌下に5〜10℃で滴下した後、更に同
温度で30分間反応させた。反応混合物にDBU 16
p(0,110モル)を10〜15℃で滴下した後、
更に室温(25C)で20時間攪拌した。この反応混合
物に水を加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽
出液を希塩酸、飽和酸性亜硫酸す) IJウム水溶液、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄
し、次いで乾燥した後、溶媒を留去して、反応粗生成物
を得た。
この反応粗生成物をトルエン301に溶解し、この溶液
にp−)ルエンスルホン酸・1水和物0.10SL(0
,00053モル)を加えた後、これらを攪拌しながら
還流温度で8時間異性化反応を行なった。反応混合物を
冷却した後、トルエン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、ト
ルエンを留去して反応粗生成物を得た。この反応粗生成
物をシリカダルカラムクロマトグラフィーによって精製
した後、エタノールから再結晶させて精製し、下記の2
種類の化合物5.47(0,018モル)を得た。
にp−)ルエンスルホン酸・1水和物0.10SL(0
,00053モル)を加えた後、これらを攪拌しながら
還流温度で8時間異性化反応を行なった。反応混合物を
冷却した後、トルエン層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、ト
ルエンを留去して反応粗生成物を得た。この反応粗生成
物をシリカダルカラムクロマトグラフィーによって精製
した後、エタノールから再結晶させて精製し、下記の2
種類の化合物5.47(0,018モル)を得た。
(収率67%)
この混合物は、53℃から115℃の間でネマチック相
を示した。
を示した。
この混合物全高速液体クロマトグラフィーによって分離
した後、分離した化合物ヲエタノールから各々再結晶さ
せて精製し、下記化合物を各々得た。
した後、分離した化合物ヲエタノールから各々再結晶さ
せて精製し、下記化合物を各々得た。
実施例2
実施例1と同様にして下記の2橿漬の化合物の混合物を
得た。(収率59%) この混合物は、62℃から146℃の間でネマチック相
を示した。この混合物を高速液体クロマトグラフィーに
よって分離した後、分離した化合物をエタノールから各
々再結晶させて精製し、下記化合物を各々得た。
得た。(収率59%) この混合物は、62℃から146℃の間でネマチック相
を示した。この混合物を高速液体クロマトグラフィーに
よって分離した後、分離した化合物をエタノールから各
々再結晶させて精製し、下記化合物を各々得た。
本発明に係わる化合物は、高いN−I点を有し、且つス
メクチック相を示さない。
メクチック相を示さない。
従って、本発明に係わる化合物を、現在母体液晶として
実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合する
ことによって、混合液晶のN−I点を上昇させることが
でき、且つ低温領域で混合液晶にスメクチック相が現出
することを防止することができる。
実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合する
ことによって、混合液晶のN−I点を上昇させることが
でき、且つ低温領域で混合液晶にスメクチック相が現出
することを防止することができる。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化
学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、R′
は炭素原子数 1〜9の直鎖状アルキル基又はアルコキシル基を表わし
、シクロヘキサン環はトランス(エカトリアル−エカト
リアル)配置である。) で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31517587A JP2508166B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31517587A JP2508166B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157923A true JPH01157923A (ja) | 1989-06-21 |
JP2508166B2 JP2508166B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=18062323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31517587A Expired - Fee Related JP2508166B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2508166B2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31517587A patent/JP2508166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2508166B2 (ja) | 1996-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |