JPS62267265A - シクロヘキシルピリジン誘導体 - Google Patents
シクロヘキシルピリジン誘導体Info
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- JPS62267265A JPS62267265A JP61110111A JP11011186A JPS62267265A JP S62267265 A JPS62267265 A JP S62267265A JP 61110111 A JP61110111 A JP 61110111A JP 11011186 A JP11011186 A JP 11011186A JP S62267265 A JPS62267265 A JP S62267265A
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Landscapes
- Pyridine Compounds (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用なシクロへキシ
ルピリジン誘導体に関し、更に詳細に言えば低電圧で駆
動し且つ応答速度の速い液晶表示セルの製作に有用なピ
リジン誘導体に関する。
ルピリジン誘導体に関し、更に詳細に言えば低電圧で駆
動し且つ応答速度の速い液晶表示セルの製作に有用なピ
リジン誘導体に関する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャフト(M、
5hacht)等(APPLIED P)IYSIC3
LETTER51B 。
5hacht)等(APPLIED P)IYSIC3
LETTER51B 。
127〜128 (1971) )によって提案された
電界効果型セル(フィールド・エフェクト・モード・セ
ル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(G・11 t
leilmeier)等(PROCE[!DING O
F THE 1.E、E、E。
電界効果型セル(フィールド・エフェクト・モード・セ
ル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(G・11 t
leilmeier)等(PROCE[!DING O
F THE 1.E、E、E。
旦、 1162〜1171 (1968) )によって
提案された動的光散乱型セル(ダイナミック・スキャソ
タリング・モード・セル)又はジー・エイチ・パイルマ
イヤー(G ・II Heilmeier)等(APP
LIED Pi(YSIC3LETTER313,91
(1968) )あるいはディー・エル・ホワイト(D
L White)等(JOURNAL OF^PPL
I[!D PIIYSIC5□、 4718 (197
4) )によって提案されたゲスト・ホスト型セルなど
がある。
提案された動的光散乱型セル(ダイナミック・スキャソ
タリング・モード・セル)又はジー・エイチ・パイルマ
イヤー(G ・II Heilmeier)等(APP
LIED Pi(YSIC3LETTER313,91
(1968) )あるいはディー・エル・ホワイト(D
L White)等(JOURNAL OF^PPL
I[!D PIIYSIC5□、 4718 (197
4) )によって提案されたゲスト・ホスト型セルなど
がある。
これらの液晶表示セルには種々の特性が要求されている
が、高速応答性と低いしきい値電圧(Vい)は特に重要
な要求特性である。低いしきい値電圧を有する液晶表示
セルは低電圧駆動が可能となる。
が、高速応答性と低いしきい値電圧(Vい)は特に重要
な要求特性である。低いしきい値電圧を有する液晶表示
セルは低電圧駆動が可能となる。
応答時間(τ)は液晶材料の粘度(η)と比例関係(τ
Xη)にあることから、粘度の低い液晶材料を使用すれ
ば高速応答の液晶表示セルを作製することができる。現
在、このような目的で用いられている優れた粘度低下剤
には で表わされる化合物等がある。
Xη)にあることから、粘度の低い液晶材料を使用すれ
ば高速応答の液晶表示セルを作製することができる。現
在、このような目的で用いられている優れた粘度低下剤
には で表わされる化合物等がある。
しかし、上記の化合物(alは粘度を低下させるが、一
方に於いてしきい値電圧を上昇させるという欠点をもっ
ていた。
方に於いてしきい値電圧を上昇させるという欠点をもっ
ていた。
本発明の目的は、母体液晶に添加した場合、母体液晶の
粘稟及びしきい値電圧を効果的に低下せしめる新規化合
物を提供することにある。
粘稟及びしきい値電圧を効果的に低下せしめる新規化合
物を提供することにある。
本発明は、
一般式
で表わされる化合物を提供するものである。
本発明の式(1)の化合物は、次の製造方法に従って製
造することができる。
造することができる。
C7!
式(II)、 (I[[)、 (IV)及び(V)にお
けるR及びR′は式(I)におけるR及びR′と同じ意
味を持つ。
けるR及びR′は式(I)におけるR及びR′と同じ意
味を持つ。
第1段階
式(n)のトランス−4−n−フルキルシクロヘキサン
−カルボニルクロライドに四塩化炭素の如き溶液中でア
セチレンを反応させて式(1)の化合物を製造する。
−カルボニルクロライドに四塩化炭素の如き溶液中でア
セチレンを反応させて式(1)の化合物を製造する。
第2段階
式(III)の化合物をエーテル等の溶液中でトリエチ
レンアミンの如き塩基の存在下で式(IV)のエナミン
と反応させた後、酸で処理し式(V)の化合物を製造す
る。
レンアミンの如き塩基の存在下で式(IV)のエナミン
と反応させた後、酸で処理し式(V)の化合物を製造す
る。
第3段階
式(V)の化合物に酢酸等の溶媒中で酢酸アンモニウム
を反応させて式(1)の化合物を製造す゛る。
を反応させて式(1)の化合物を製造す゛る。
斯くして製造される式(1)の化合物の代表的なものの
融点を第1表に掲げる。
融点を第1表に掲げる。
第 1 表
1 n−Cd5− n
−C3)L+−4’l n−Cd5− n−C5L
1−−4本発明に係る式(1)の化合物はネマチック相
を示さないが、例えば、負の誘電率異方性を有する他の
ネマチック液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型
表示セルの材料として使用することができ、また正又は
負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用
することができきる。
−C3)L+−4’l n−Cd5− n−C5L
1−−4本発明に係る式(1)の化合物はネマチック相
を示さないが、例えば、負の誘電率異方性を有する他の
ネマチック液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型
表示セルの材料として使用することができ、また正又は
負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用
することができきる。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4′−置換フェニルエステル、4−置換
シクロヘキサン力ルボ7酸4 ’−1ffimビフェニ
ルエステル、4− (4−置換シクロヘキサンカルボニ
ルオキシ)安息香酸4’−置換フェニルエステル、4−
(4−1mシクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェ
ニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香
酸4’i!換シクロヘキシルエステル、4−置換4’−
置換ビフェニル、4−411フェニル−4’−置換シク
ロヘキサン、4−置換4′−置換ターフェニル、4−置
換ビフェニル4′−置換シクロヘキサン、2−(4’−
置換フェニル)−5−置換ピリミジンなどを挙げること
ができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4′−置換フェニルエステル、4−置換
シクロヘキサン力ルボ7酸4 ’−1ffimビフェニ
ルエステル、4− (4−置換シクロヘキサンカルボニ
ルオキシ)安息香酸4’−置換フェニルエステル、4−
(4−1mシクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェ
ニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香
酸4’i!換シクロヘキシルエステル、4−置換4’−
置換ビフェニル、4−411フェニル−4’−置換シク
ロヘキサン、4−置換4′−置換ターフェニル、4−置
換ビフェニル4′−置換シクロヘキサン、2−(4’−
置換フェニル)−5−置換ピリミジンなどを挙げること
ができる。
第2表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶(A)の90重量%と
第1表に示した式(I)の化合物阻1とN112のそれ
ぞれ10重量%とから成る各混合液晶について測定され
た粘度としきい値電圧(Vい)を掲示し、比較のために
母体液晶(A)、母体液晶(A)90重量%と優れた粘
度低下剤として一般的に使用されている下記の化合物f
at 10重量%とから成る混合液晶について測定され
た粘度とVtl、を掲示したものである。尚、母体液晶
(A)は、及び、 第2表から式(1)の化合物は母体液晶(A)の粘度を
低下させ、且つ、しきい値電圧を顕著に低下せしめるこ
とが理解できる。
して現在汎用されている母体液晶(A)の90重量%と
第1表に示した式(I)の化合物阻1とN112のそれ
ぞれ10重量%とから成る各混合液晶について測定され
た粘度としきい値電圧(Vい)を掲示し、比較のために
母体液晶(A)、母体液晶(A)90重量%と優れた粘
度低下剤として一般的に使用されている下記の化合物f
at 10重量%とから成る混合液晶について測定され
た粘度とVtl、を掲示したものである。尚、母体液晶
(A)は、及び、 第2表から式(1)の化合物は母体液晶(A)の粘度を
低下させ、且つ、しきい値電圧を顕著に低下せしめるこ
とが理解できる。
この優位性は粘度低下剤として一般的に使用されている
化合物talと比較すると、特にしきい値電圧の低下に
おいて明確である。
化合物talと比較すると、特にしきい値電圧の低下に
おいて明確である。
実施例1
無水塩化アルミニウム6.5 g (49mmolを四
塩化炭素30mn中に加え、これらを攪拌しながら、ト
ランス−4−n−プロピルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド7.7 g (41mmo7りの四塩化炭素
溶液15e+βを5°〜10乙で滴下した。この混合物
中にアセチレンを5°〜10℃で吹き込み7時間反応さ
せた。
塩化炭素30mn中に加え、これらを攪拌しながら、ト
ランス−4−n−プロピルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライド7.7 g (41mmo7りの四塩化炭素
溶液15e+βを5°〜10乙で滴下した。この混合物
中にアセチレンを5°〜10℃で吹き込み7時間反応さ
せた。
反応混合物を冷希塩酸中に加えた後、反応生成物をエー
テルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエー
テルを留去し、下記化合物を含む粗生成物8.5gを得
た。
テルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエー
テルを留去し、下記化合物を含む粗生成物8.5gを得
た。
この粗生成物のジエチルエーテル溶液10n+Ilヲ、
N−(n−ペンチニル−1)−ピペリジン1−4 g
(48mmoIl)とトリエチルアミン5.4g(53
mmo7りのジエチルエーテル溶液10mj?中に、攪
拌しながら室温で滴下した後、さらに室温で16時間反
応させた。
N−(n−ペンチニル−1)−ピペリジン1−4 g
(48mmoIl)とトリエチルアミン5.4g(53
mmo7りのジエチルエーテル溶液10mj?中に、攪
拌しながら室温で滴下した後、さらに室温で16時間反
応させた。
反応混合物に水を加えた後、反応生成物をエーテルで抽
出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエーテルを留
去した。
出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエーテルを留
去した。
残留物に酢酸16m1lを加えて溶かした後、5N I
C7! 20 mitを攪拌しながら加え、さらに室温
で1時間反応させた。
C7! 20 mitを攪拌しながら加え、さらに室温
で1時間反応させた。
次に、酢酸アンモニウム31 g (0,040mob
)を、この反応液に加えた後、7時間還流温度で反応さ
せた。
)を、この反応液に加えた後、7時間還流温度で反応さ
せた。
冷却後、反応混合物を水で希釈し、反応生成物をエーテ
ルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエーテ
ルを留去した。
ルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥後、この液からエーテ
ルを留去した。
得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーによって分離、精製した後、さらにn−ヘキサンか
ら再結晶させて精製し、下記化合物3.4 g (14
mmojりを得た。
ィーによって分離、精製した後、さらにn−ヘキサンか
ら再結晶させて精製し、下記化合物3.4 g (14
mmojりを得た。
実施例2
実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
本発明に係る式(I)の化合物は、一般的に混合液晶に
添加した場合、混合液晶の粘度を低下させ、且つ、しき
い値電圧を効果的に低下せしめることのできる化合物で
あり、しかも一般的な混合液晶にきわめて溶解性がよい
という特色をもっている。従って、本発明に係る式(I
)の化合物は高速応答且つ低電圧駆動の液晶表示セルを
製作するための材料として極めて有用である。
添加した場合、混合液晶の粘度を低下させ、且つ、しき
い値電圧を効果的に低下せしめることのできる化合物で
あり、しかも一般的な混合液晶にきわめて溶解性がよい
という特色をもっている。従って、本発明に係る式(I
)の化合物は高速応答且つ低電圧駆動の液晶表示セルを
製作するための材料として極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R及びR′は各々独立的に炭素原子数1〜10
の直鎖状アルキル基を表わす。] で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61110111A JPS62267265A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | シクロヘキシルピリジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61110111A JPS62267265A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | シクロヘキシルピリジン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62267265A true JPS62267265A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14527318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61110111A Pending JPS62267265A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | シクロヘキシルピリジン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62267265A (ja) |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61110111A patent/JPS62267265A/ja active Pending
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