JPS6363662A - 新規含ハロゲンピリジン誘導体 - Google Patents
新規含ハロゲンピリジン誘導体Info
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- JPS6363662A JPS6363662A JP61207686A JP20768686A JPS6363662A JP S6363662 A JPS6363662 A JP S6363662A JP 61207686 A JP61207686 A JP 61207686A JP 20768686 A JP20768686 A JP 20768686A JP S6363662 A JPS6363662 A JP S6363662A
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Landscapes
- Pyridine Compounds (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学表示材料として有用な新規な含ハ0グ
ンビリジン誘専体に関する。
ンビリジン誘専体に関する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M、
5ehadt)等[APPLIED PHYSIC3I
、ETTER81旦。
5ehadt)等[APPLIED PHYSIC3I
、ETTER81旦。
127〜128(1971)) によって提案された
電界効ffi Wセル(フィールド・エフェクト・モー
ド・セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(G、H
。
電界効ffi Wセル(フィールド・エフェクト・モー
ド・セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(G、H
。
He l 1mejtr )等(pRocEEDxNa
OF THE 1.E、E、E、 56グ・モード・
セル〕又社ノー・エイチ・バイルマイヤー(G、H,H
e11m會i句r)等(APPLIED P)ffsI
csLETTER31−二≦、、91(1968ン〕あ
るいはディー・エル・ホワイト(D、L、 Whit@
)等(JOURNAL 0FAPPIJED P)ff
sIcs長、471g(1974)) によって提案
されたダスト・ホスト型セルなどがおる。
OF THE 1.E、E、E、 56グ・モード・
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されたダスト・ホスト型セルなどがおる。
囲でネマチック相を有することは各8L&示セルに共通
して要求されている重要な特性である。このよりな特性
を有する実用可能な材料の多くは、通常、室温付近にネ
マチック相t−Vする化合物と室温より高い温度領域に
ネマチック相を有する化合物から成る数種又はそれ以上
の成分を混合することによって調製される。現在実用的
に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘ってネマチ、り相
を有することが要求されている。かかる要求を満すため
に、室温より高い温度領域にネマテ、り相を有する化合
物として、4.4′−置換ターフェニル、4.4’装置
Jビフェニルシクロヘキサン、4.4’−[換ベンゾイ
ルオキシ安息香酸フェニルエステルの如き、約100℃
の1姑晶相−ネマチック相転移温度(、C−,8点)を
有すると共に約200℃のネマチ、り相−等方性液体相
転移温度(N−I点)を有する化合物か使用される場合
が多い。しかしながら、これらの化合物は、混合液晶の
N−I点を65℃又はそれ以上の温度とするのに充分な
量を混合した場合、1Gられる混合液晶のしきい値電圧
を上昇せしめ、このことによって動作電圧を上げてしま
う好ましからざる性質を有している。
して要求されている重要な特性である。このよりな特性
を有する実用可能な材料の多くは、通常、室温付近にネ
マチック相t−Vする化合物と室温より高い温度領域に
ネマチック相を有する化合物から成る数種又はそれ以上
の成分を混合することによって調製される。現在実用的
に使用される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘ってネマチ、り相
を有することが要求されている。かかる要求を満すため
に、室温より高い温度領域にネマテ、り相を有する化合
物として、4.4′−置換ターフェニル、4.4’装置
Jビフェニルシクロヘキサン、4.4’−[換ベンゾイ
ルオキシ安息香酸フェニルエステルの如き、約100℃
の1姑晶相−ネマチック相転移温度(、C−,8点)を
有すると共に約200℃のネマチ、り相−等方性液体相
転移温度(N−I点)を有する化合物か使用される場合
が多い。しかしながら、これらの化合物は、混合液晶の
N−I点を65℃又はそれ以上の温度とするのに充分な
量を混合した場合、1Gられる混合液晶のしきい値電圧
を上昇せしめ、このことによって動作電圧を上げてしま
う好ましからざる性質を有している。
〔つ9明が農夫しようとすb問題点〕
五元明の目的は母体液晶に添加した場合、母体液晶のし
きい値電圧を上昇させずにN−I点を上昇させる新規な
ネマチック液晶化合物の提供にある。
きい値電圧を上昇させずにN−I点を上昇させる新規な
ネマチック液晶化合物の提供にある。
本発明は、上記問題点を解決するためt′こ一般式で表
わされる新規な含ハロゲンピリノンLり導体を提供する
ものである。
わされる新規な含ハロゲンピリノンLり導体を提供する
ものである。
本発明に係る式(1)の化合物は次02J遣方法)′c
従って製造することができる。
従って製造することができる。
(式巾、RおよびXは前記の通シである。〕き塩基存在
下、N−1−アルクニルピペリジンと反応させて、式(
U)の化合物を単離し、次いで過塩フh〉及び酢設アン
モニウムで処理することによシ、式(1)の化合物を製
造する。
下、N−1−アルクニルピペリジンと反応させて、式(
U)の化合物を単離し、次いで過塩フh〉及び酢設アン
モニウムで処理することによシ、式(1)の化合物を製
造する。
斯くして製造される式(1)の代表的な化合物の転移温
度を第1表に掲ける。
度を第1表に掲ける。
第 1 表
本発明に係る式(1)の化合物は弱い正のNN異方性を
有する液晶化合物であり、例えば正又は負の誘電異方性
を有する他のネマチ、り液晶化合物との混合物の状態で
電界効果匿表示素子の材料として使用することができる
。又、カイラルスメクチ、り液晶化合物との混合物の状
態で強誘電性液晶表示素子の材料として、さらに熱書込
み液晶ディスプレイの材料として使用することができる
。
有する液晶化合物であり、例えば正又は負の誘電異方性
を有する他のネマチ、り液晶化合物との混合物の状態で
電界効果匿表示素子の材料として使用することができる
。又、カイラルスメクチ、り液晶化合物との混合物の状
態で強誘電性液晶表示素子の材料として、さらに熱書込
み液晶ディスプレイの材料として使用することができる
。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’ −tim 7 エニルエステル、
4−誼pシクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニ
ルエステル、’ −(4−Wpシク。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’ −tim 7 エニルエステル、
4−誼pシクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニ
ルエステル、’ −(4−Wpシク。
ヘキサンカルボニルオキシ〕安息香酸4’ −置Q フ
ェニルエステル、4−(4−ffiPシクロヘキシルク
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−置換
シクロヘキシルク安息香酸4′−置換シクロヘキシルエ
ヌテル、4.4’−ピフェニル、4.4’ −フェニル
ジクコヘキサン、4*4’−置換ターフェニル、414
’−t”フェニルシクロヘキサン、2− (4’ 置’
Aフェニル)−5−置換ピリミゾンなどを挙げることが
できる。
ェニルエステル、4−(4−ffiPシクロヘキシルク
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−置換
シクロヘキシルク安息香酸4′−置換シクロヘキシルエ
ヌテル、4.4’−ピフェニル、4.4’ −フェニル
ジクコヘキサン、4*4’−置換ターフェニル、414
’−t”フェニルシクロヘキサン、2− (4’ 置’
Aフェニル)−5−置換ピリミゾンなどを挙げることが
できる。
第2には、ネマチック液晶材料として現在汎用さnてい
る母体液晶(4)の90重量%と第1表に示した式(1
)の化合物、ぢ1の10重量%とから成る混合液晶につ
いて測定されたN−I点としきい値電圧(Vth)を掲
示し、比校のために母体液晶囚並びに母体液晶(N90
重量%と現在一般的にN−I点を上昇させる目的で使用
されている下記の化合物(a) 10重u%とから成る
混合液晶について測定されたN−I点とVthを掲示し
たものでおる。
る母体液晶(4)の90重量%と第1表に示した式(1
)の化合物、ぢ1の10重量%とから成る混合液晶につ
いて測定されたN−I点としきい値電圧(Vth)を掲
示し、比校のために母体液晶囚並びに母体液晶(N90
重量%と現在一般的にN−I点を上昇させる目的で使用
されている下記の化合物(a) 10重u%とから成る
混合液晶について測定されたN−I点とVthを掲示し
たものでおる。
尚、母体液晶(A)は、
及び
から成るものであり、化合物(a)は次式で表わさh−
るものである。
るものである。
第2表
混合液晶 )J−I点(℃〕 しきい値電圧
(至)(A) 54.5 1
.70(A)十<zぢ1 ) 66.2
1.65い)+(a)
65.1 1.82第2表から、式(1)の
化合物は母体液晶囚のN−I点を上昇させ、かつ、しき
い値電圧を低下せしめる(うに対し、N−I点を上昇さ
せる目的で使用されている上記の公知化合物(a) H
母体液晶(4)のN−I点を上昇させるもののしきい値
電圧を上昇させることが理解できる。この結果から、母
体液晶のN−I点上昇としきい値電圧低下を同時に起こ
させる技術効果において、本発明に係る化合物の優位性
は明らかである。
(至)(A) 54.5 1
.70(A)十<zぢ1 ) 66.2
1.65い)+(a)
65.1 1.82第2表から、式(1)の
化合物は母体液晶囚のN−I点を上昇させ、かつ、しき
い値電圧を低下せしめる(うに対し、N−I点を上昇さ
せる目的で使用されている上記の公知化合物(a) H
母体液晶(4)のN−I点を上昇させるもののしきい値
電圧を上昇させることが理解できる。この結果から、母
体液晶のN−I点上昇としきい値電圧低下を同時に起こ
させる技術効果において、本発明に係る化合物の優位性
は明らかである。
実D’、4 vAl
4′−フルオロビフェニル−β−クロロビニルケトン5
.5F(0,021モル)を無水エーテル40mに溶解
する。室温攪拌下、N−1−ブテニルピペリノン3.5
P (0,025モル〕とトリエチルアミン3.5j
’(0,035モル)を無水エーテル15:nJ!に溶
解した混液を滴下し、10時間室温で1)拌を続ける0
反応終了後、水80r!Llを加えた後、エーテルを減
圧留去し、析出した結晶を水洗、乾燥し、下記化合物4
.6F(0,013モル)を得た。
.5F(0,021モル)を無水エーテル40mに溶解
する。室温攪拌下、N−1−ブテニルピペリノン3.5
P (0,025モル〕とトリエチルアミン3.5j
’(0,035モル)を無水エーテル15:nJ!に溶
解した混液を滴下し、10時間室温で1)拌を続ける0
反応終了後、水80r!Llを加えた後、エーテルを減
圧留去し、析出した結晶を水洗、乾燥し、下記化合物4
.6F(0,013モル)を得た。
次いで40チ過塩素酸50−に上記化合物を加え、1時
間加熱還流する。今後、過塩素酸をデカンテーク1ンで
除去し、酢酸50 xiと酢酸アンモニウム4P(0,
050モル〕を加え、5時間加熱還流する0反応終了後
、酢酸エチルで抽出、水洗、乾燥し、溶媒を減圧留去後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ベンゼ
ン溶媒で分Ha々製後、n−へキサンで再結晶精製して
、下記化合物2.8F(0,010モル)を得た。
間加熱還流する。今後、過塩素酸をデカンテーク1ンで
除去し、酢酸50 xiと酢酸アンモニウム4P(0,
050モル〕を加え、5時間加熱還流する0反応終了後
、酢酸エチルで抽出、水洗、乾燥し、溶媒を減圧留去後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ベンゼ
ン溶媒で分Ha々製後、n−へキサンで再結晶精製して
、下記化合物2.8F(0,010モル)を得た。
収率 48係 転移温度 158℃(Cps)178℃
(S;:N) 183℃(N、:!I) 〔発弧の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、一般的な混合液晶に
添加した時、混合液晶のN−I点を上昇させ、かつ、し
きい値電圧を低下せしめることのできる化合物でおる。
(S;:N) 183℃(N、:!I) 〔発弧の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、一般的な混合液晶に
添加した時、混合液晶のN−I点を上昇させ、かつ、し
きい値電圧を低下せしめることのできる化合物でおる。
従って、本発明に係る式(1)の化合物(・ゴ高温゛領
域で駆動できる低電圧駆動の液晶表示セルを装作するた
めの材料として極めて有用である。
域で駆動できる低電圧駆動の液晶表示セルを装作するた
めの材料として極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Rは炭素原子数1〜20の直鎖状アルキル基を表
わし、XはF又はClを表わす。)で表わされる化合物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207686A JPS6363662A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 新規含ハロゲンピリジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207686A JPS6363662A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 新規含ハロゲンピリジン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6363662A true JPS6363662A (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=16543897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61207686A Pending JPS6363662A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 新規含ハロゲンピリジン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6363662A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4002860A1 (de) * | 1990-02-01 | 1991-08-08 | Merck Patent Gmbh | P-halogenphenyl-substituierte heterocyclen |
EP3428986A1 (en) * | 2004-07-07 | 2019-01-16 | Universal Display Corporation | Stable and efficient electroluminescent materials |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61207686A patent/JPS6363662A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4002860A1 (de) * | 1990-02-01 | 1991-08-08 | Merck Patent Gmbh | P-halogenphenyl-substituierte heterocyclen |
EP3428986A1 (en) * | 2004-07-07 | 2019-01-16 | Universal Display Corporation | Stable and efficient electroluminescent materials |
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