JPH01319433A - 四環式シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
四環式シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体Info
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- JPH01319433A JPH01319433A JP63151107A JP15110788A JPH01319433A JP H01319433 A JPH01319433 A JP H01319433A JP 63151107 A JP63151107 A JP 63151107A JP 15110788 A JP15110788 A JP 15110788A JP H01319433 A JPH01319433 A JP H01319433A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用な新規四環式
シクロへキセニルシクロヘキサン誘導体に関する。
シクロへキセニルシクロヘキサン誘導体に関する。
液晶表示セルの代表的なものにジー・エイチ・バイルマ
イヤー(G、H,He i 1me 1er)等(Ap
pl−Phys、 Letters、 13+ 46
(1968) )によって提案された動的散乱効果型セ
ル(ダイナミック・スキャ、タリング拳モード・セル)
またはエム9シヤyト(M、5chadt)等(App
l、 Phys、 Letters+巳、127 (1
971)、1によって提案された電界効果型セル(フィ
ールド・エフェクト・モード・−i=ル)またHノー・
エイチ・バイルマイヤー(G、H。
イヤー(G、H,He i 1me 1er)等(Ap
pl−Phys、 Letters、 13+ 46
(1968) )によって提案された動的散乱効果型セ
ル(ダイナミック・スキャ、タリング拳モード・セル)
またはエム9シヤyト(M、5chadt)等(App
l、 Phys、 Letters+巳、127 (1
971)、1によって提案された電界効果型セル(フィ
ールド・エフェクト・モード・−i=ル)またHノー・
エイチ・バイルマイヤー(G、H。
Heilmeler )等(Appl、 Phys、
Letterst I L91(1968))によって
提案されたダスト・ホスト型セル等がある。
Letterst I L91(1968))によって
提案されたダスト・ホスト型セル等がある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ているM要な特性である。
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ているM要な特性である。
このような特性を有する実用可能な液晶材料の多くは、
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
り高い温度領域にネマチ、り相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによって調整さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
りてネマチ、り相を有することが要求されている。
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
り高い温度領域にネマチ、り相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによって調整さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
りてネマチ、り相を有することが要求されている。
しかしながら、液晶表示セルの応用製品の多様化に伴な
い、ネマチ、り液晶温度範囲を更に高温側に拡張した液
晶材料が要望されている。
い、ネマチ、り液晶温度範囲を更に高温側に拡張した液
晶材料が要望されている。
本発明が解決しようとする課題は、現在母体液晶として
実用的に汎用されているネマチック混合液晶に添加する
ことによって、混合液晶のネマチ、り相−等方性液体相
転移温度(以下、N−1点という。)を大巾に上昇させ
ることができる新規な化合物を提供することにある。
実用的に汎用されているネマチック混合液晶に添加する
ことによって、混合液晶のネマチ、り相−等方性液体相
転移温度(以下、N−1点という。)を大巾に上昇させ
ることができる新規な化合物を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するためK、一般式(式中、
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表わし、M
はf又は である場合には、Xは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ
ル基を表わし、Yは水素原子を表わす。
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表わし、M
はf又は である場合には、Xは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ
ル基を表わし、Yは水素原子を表わす。
塩素原子、炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又はア
ルコキシル基を表わし、Yはフッ素原子又は水素原子を
表わすが、Xが7.素原子である場合はフッ素原子を表
わす。シクロヘキサン環はトランス配置である。) で表わされる化合物を提供する。
ルコキシル基を表わし、Yはフッ素原子又は水素原子を
表わすが、Xが7.素原子である場合はフッ素原子を表
わす。シクロヘキサン環はトランス配置である。) で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式(1)の化合物は、次の製造方法に従
って製造することができる。
って製造することができる。
第1段階−式(n)の化合物を、無水テトラヒドロフラ
ン(以下THFという。)の如きエーテル系溶媒中で、
切削片状マグネシウムと20〜60℃で1〜2時間反応
させて、式(卯の化合物を製造する。
ン(以下THFという。)の如きエーテル系溶媒中で、
切削片状マグネシウムと20〜60℃で1〜2時間反応
させて、式(卯の化合物を製造する。
第2段階−式(2)の化合物の溶液に、式(転)の化合
物の無水T)IF浴溶液10〜40℃で加えて、更に1
0〜30℃で1時間反応させた後、反応生成物を飽和塩
化アンモニウム水溶液で分解して式(V)の化合物を製
造する。
物の無水T)IF浴溶液10〜40℃で加えて、更に1
0〜30℃で1時間反応させた後、反応生成物を飽和塩
化アンモニウム水溶液で分解して式(V)の化合物を製
造する。
第3段階−式(■の化合物を、トルエンの如き水不溶性
不活性溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性触
媒の存在下KO05〜1時間還流温度で反応させる。反
応混合物を冷却した後、溶媒層を飽和炭酸ナトIJウム
水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、溶媒
を留去する。反応粗生成物をエタノールの如きアルコー
ル系溶媒から再結晶させて式(至)の化合物を製造する
。
不活性溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性触
媒の存在下KO05〜1時間還流温度で反応させる。反
応混合物を冷却した後、溶媒層を飽和炭酸ナトIJウム
水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、溶媒
を留去する。反応粗生成物をエタノールの如きアルコー
ル系溶媒から再結晶させて式(至)の化合物を製造する
。
第4段階−式(至)の化合物を、エタノールと酢酸エチ
ルの混合溶液中で、ラネー・ニッケルの如き水素化触媒
をカロえ、3 kg / an” 以下の水素圧下に、
室温で接触還元して、式(Vll)の化合物を製造する
。
ルの混合溶液中で、ラネー・ニッケルの如き水素化触媒
をカロえ、3 kg / an” 以下の水素圧下に、
室温で接触還元して、式(Vll)の化合物を製造する
。
第5段階−式(周)の化合物ヲ、トルエンの如き不活性
溶媒中で、希硫酸の如き酸性水液液と、酢酸の存在下に
還流温度で12時間反応させる。反応混合物を冷却した
後、溶媒層を水洗、乾燥し、この溶液から溶媒を留去す
る。反応粗生成物をn−ヘキサンから再結晶させて精製
して式(■)の化合物を製造する。
溶媒中で、希硫酸の如き酸性水液液と、酢酸の存在下に
還流温度で12時間反応させる。反応混合物を冷却した
後、溶媒層を水洗、乾燥し、この溶液から溶媒を留去す
る。反応粗生成物をn−ヘキサンから再結晶させて精製
して式(■)の化合物を製造する。
第6段階−式(IX)の化合物を、無水ジエチルエーテ
ル中でリチウムと還流温度で4〜9時間反応させてリチ
ウム塩とした後、これに、式(■)の化合物の無水1,
2−ジメトキシエタンの如キエーテル系溶媒の溶液ft
10〜20℃で加えて、更に10〜25℃で30分間反
応させる。反応混合物を冷水中に加えて加水分解し1反
応生成物をトルエンで抽出し九後、抽出液を水洗、乾燥
し、抽出液から溶媒を留去して式(X)の化合物を製造
する。
ル中でリチウムと還流温度で4〜9時間反応させてリチ
ウム塩とした後、これに、式(■)の化合物の無水1,
2−ジメトキシエタンの如キエーテル系溶媒の溶液ft
10〜20℃で加えて、更に10〜25℃で30分間反
応させる。反応混合物を冷水中に加えて加水分解し1反
応生成物をトルエンで抽出し九後、抽出液を水洗、乾燥
し、抽出液から溶媒を留去して式(X)の化合物を製造
する。
第7段階−式■の化合物を、n−ヘキサン又はトルエン
に溶解させ、この溶液を、アセトニトリル中でクロロト
リメチルシランとヨウ化ナトリウムから調製し九ヨード
トリメチルシランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜
10℃で30分〜1時間反応させることによって1式(
X)の化合物から、式(X[)の化合物1式(Xll)
−a)及び式(X[ll−b) tv 化合物から成る
反応混合物を経て1式(XIV−a) 、式(XIV−
b)、式(XV−a)及び式<xv−b>の化合物から
成る反応混合物を製造する。
に溶解させ、この溶液を、アセトニトリル中でクロロト
リメチルシランとヨウ化ナトリウムから調製し九ヨード
トリメチルシランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜
10℃で30分〜1時間反応させることによって1式(
X)の化合物から、式(X[)の化合物1式(Xll)
−a)及び式(X[ll−b) tv 化合物から成る
反応混合物を経て1式(XIV−a) 、式(XIV−
b)、式(XV−a)及び式<xv−b>の化合物から
成る反応混合物を製造する。
この反応混合物に1.8−シアデービシクロ(5゜4、
O)ウンデセン−7(以下、DBUという。ンの如き塩
基を加えて、5〜30℃で5〜20時間反応させて、式
(XV−a)又は式(XV−b)の化合物から式(I−
m)又は式(1−b)の化合物を各々製造する。反応混
合物に水を加えた後、式(1−a)及び式(1−b)の
化合物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性
亜硫酸ナトリウム水浴液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液
から溶媒を留去する。
O)ウンデセン−7(以下、DBUという。ンの如き塩
基を加えて、5〜30℃で5〜20時間反応させて、式
(XV−a)又は式(XV−b)の化合物から式(I−
m)又は式(1−b)の化合物を各々製造する。反応混
合物に水を加えた後、式(1−a)及び式(1−b)の
化合物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性
亜硫酸ナトリウム水浴液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液
から溶媒を留去する。
反応粗生成物をシリカグル力乏ムクロマトグラフィーに
よって精製した後、更にn−ヘキサン又はn−ヘキサン
とエタノールの混合溶媒から再結晶させて精製する。次
いで、液体クロマトグラフィーを使用して、この精製物
から式(1−a)及び式(I−b)の化合物を夫々単離
した後、この単離した化合物をn−ヘキサン又はn−ヘ
キサンとエタノールの混合溶媒から各々再結晶させるこ
とによって1本発明に係わる式(1−a)及び式(1−
b)の化合物を製造する。
よって精製した後、更にn−ヘキサン又はn−ヘキサン
とエタノールの混合溶媒から再結晶させて精製する。次
いで、液体クロマトグラフィーを使用して、この精製物
から式(1−a)及び式(I−b)の化合物を夫々単離
した後、この単離した化合物をn−ヘキサン又はn−ヘ
キサンとエタノールの混合溶媒から各々再結晶させるこ
とによって1本発明に係わる式(1−a)及び式(1−
b)の化合物を製造する。
斯くして製造された本発明に係わる式(1)の化合物の
代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
ツク相、工は等方性液体相を夫々表わす。)本発明に係
る式(1)の化合物は極弱い正、正又は弱い負の誘電率
異方性を有するネマチック液晶化合物であシ、従って例
えば、負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化
合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料と
して使用することができ、また正又は負の誘電率異方性
を有する他のネマチ、り液晶化合物との混合物の状態で
電界効果凰表示セルの材料として使用することができる
。
る式(1)の化合物は極弱い正、正又は弱い負の誘電率
異方性を有するネマチック液晶化合物であシ、従って例
えば、負の誘電率異方性を有する他のネマチック液晶化
合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料と
して使用することができ、また正又は負の誘電率異方性
を有する他のネマチ、り液晶化合物との混合物の状態で
電界効果凰表示セルの材料として使用することができる
。
このように、式(旬の化合物と混合して使用することの
できる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息香
酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキサ
ンカルデン酸4’−置換フェニルエステル、4−fl換
シクロヘキサンカルメンt#、4′−置換ビフェニルエ
ステル、 4− (4−を換ンクロヘキ丈ンカル?ニル
オキシ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(
4−ifi7クロヘキシル) 安息香酸4’−k換フェ
ニルエステル、4−(4−置換ンクロヘキンル)安息香
酸4′−置換ノクロヘキシルエステル、4−4−1t’
−R換ビフェニル、4−fl換フェニル−4′−fit
換シクシクロヘキサン−置換4”−置換ターフェニル、
4−ffi換ビアビフェニル4′換7クロヘキサン、2
−(4’−置換フェニル)−5−i換ピリミノンなどを
挙げることができる。
できる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息香
酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキサ
ンカルデン酸4’−置換フェニルエステル、4−fl換
シクロヘキサンカルメンt#、4′−置換ビフェニルエ
ステル、 4− (4−を換ンクロヘキ丈ンカル?ニル
オキシ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(
4−ifi7クロヘキシル) 安息香酸4’−k換フェ
ニルエステル、4−(4−置換ンクロヘキンル)安息香
酸4′−置換ノクロヘキシルエステル、4−4−1t’
−R換ビフェニル、4−fl換フェニル−4′−fit
換シクシクロヘキサン−置換4”−置換ターフェニル、
4−ffi換ビアビフェニル4′換7クロヘキサン、2
−(4’−置換フェニル)−5−i換ピリミノンなどを
挙げることができる。
第2表は・ネマチック液晶材料として現在母体液晶とし
て実用的に汎用されている混合液晶囚の90重t%と第
1表に示した式(1)の化合物/161の5重量%及び
化合物置2の5重量%とから成る混合液晶(B)につい
て測定されたN−I点を掲示し。
て実用的に汎用されている混合液晶囚の90重t%と第
1表に示した式(1)の化合物/161の5重量%及び
化合物置2の5重量%とから成る混合液晶(B)につい
て測定されたN−I点を掲示し。
比較のために混合液晶(A)について測定されたN−I
点を掲示したものである。
点を掲示したものである。
尚、混合液晶囚は、
から成るものである。
第 2 表
第2表に掲示したデータから、式(1)の化合物は、混
合液晶(A)のN−1点を大幅に上昇させることが理解
できる。
合液晶(A)のN−1点を大幅に上昇させることが理解
できる。
実施例1
g(0,0961モル)を無水THF135JnlK溶
解し。
解し。
この溶液を切削片状マグネシウム2.57 F(0,1
06グラム原子)に攪拌しながら30〜40℃で滴下し
た後、更に室温(25℃)で2時間反応させて、た。
06グラム原子)に攪拌しながら30〜40℃で滴下し
た後、更に室温(25℃)で2時間反応させて、た。
g(0,0962モル)を無水THE’ 45ゴに溶解
し、この溶液を上記反応で調整したグリニヤール試薬中
に攪拌しながら33〜38℃で滴下した後、更に室温で
1時間反応させた。反応終了後、反応混合物を飽和塩化
アンモニウム水溶液中に加えた佐。
し、この溶液を上記反応で調整したグリニヤール試薬中
に攪拌しながら33〜38℃で滴下した後、更に室温で
1時間反応させた。反応終了後、反応混合物を飽和塩化
アンモニウム水溶液中に加えた佐。
反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗。
乾燥後、この液から弓媒を留去して、下記化合物を含む
粗生成物4&6gを得た。
粗生成物4&6gを得た。
この粗生成物をトルエン250dに溶解し、この溶液に
p−トルエンスルホン酸・1水和物0.18g(0,9
5ミ!Jモル)を加えた後、これらを攪拌しながら還流
温度で50分間脱水反応を行なった。
p−トルエンスルホン酸・1水和物0.18g(0,9
5ミ!Jモル)を加えた後、これらを攪拌しながら還流
温度で50分間脱水反応を行なった。
反応混合物を冷却した後、トルエン層を飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液及び飽和大塩水で順次洗浄し、次いで乾
燥した後、トルエンを留去した。得られた反応生成物を
エタノールから再結晶させて精製し、下記化合物21.
7 g(0,0638モル)を得た。(収率66%) 次に、この化合物をエタノール170dと酢酸エチル9
Qdの混合溶媒Kg解し、この溶液に触媒量のラネー・
ニッケルを加え、加圧下(3,0kg/ CM”以下)
室温で攪拌して水素化反応を行なった。
トリウム水溶液及び飽和大塩水で順次洗浄し、次いで乾
燥した後、トルエンを留去した。得られた反応生成物を
エタノールから再結晶させて精製し、下記化合物21.
7 g(0,0638モル)を得た。(収率66%) 次に、この化合物をエタノール170dと酢酸エチル9
Qdの混合溶媒Kg解し、この溶液に触媒量のラネー・
ニッケルを加え、加圧下(3,0kg/ CM”以下)
室温で攪拌して水素化反応を行なった。
反応終了後1反応混合物から触媒をP去した後、F液か
ら溶媒を留去して、下記化合物を含む粗生成物23.8
gを得た。
ら溶媒を留去して、下記化合物を含む粗生成物23.8
gを得た。
この粗生成物をトルエン10(lに溶解し、この溶液に
10チ硫酸50ゴと酢酸25−を加えた後、攪拌しなが
ら還流温度で12時間反応させた。
10チ硫酸50ゴと酢酸25−を加えた後、攪拌しなが
ら還流温度で12時間反応させた。
反応終了後1反応混合物を冷却し、トルエン層を水洗、
乾燥した後、トルエンを留去した。得られた粗生成物を
n−ヘキサンから再結晶させてf′lv製し、下記化合
物15.8 g(0,0530モル)を得た。
乾燥した後、トルエンを留去した。得られた粗生成物を
n−ヘキサンから再結晶させてf′lv製し、下記化合
物15.8 g(0,0530モル)を得た。
(収率83%)
(0,012モル)を無水ジエチルエーテル5I++7
に溶解し、この溶液にリチウム0.17 fl (0,
025グラム原子)を加えた後、攪拌しながら還流温度
で3時間反応させた。反応終了後1反応混合物を冷却し
、この反応混合物に、前段階で得られた式3.0g(0
,010モル)の無水1.2−ノメトキシエタン溶液2
0mjを10〜18℃で滴下し死後・更に室温で30分
間反応させた。反応混合物を冷水中に加えた後1反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥した後、
溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物4.19を得
た。
に溶解し、この溶液にリチウム0.17 fl (0,
025グラム原子)を加えた後、攪拌しながら還流温度
で3時間反応させた。反応終了後1反応混合物を冷却し
、この反応混合物に、前段階で得られた式3.0g(0
,010モル)の無水1.2−ノメトキシエタン溶液2
0mjを10〜18℃で滴下し死後・更に室温で30分
間反応させた。反応混合物を冷水中に加えた後1反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥した後、
溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物4.19を得
た。
次に、ヨウ化ナトリウムa1g(0,041モル)をア
セトニトリル24m1に浴解し、この溶解にクロロトリ
メチルシラン4311(0,040モル)を滴下して得
た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサン溶液
28mを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後、更に同温
度で1時間反応させた。反応混合物にDBU 6.81
7 (0,045モル)を5〜12℃で滴下した後、更
に室@(25℃)で13時間攪拌した。この反応混合物
に水を加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出
液を希塩酸、飽和酸性亜硫酸す) IJウム水溶液、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し
、次いで乾燥した後、溶媒を留去して、反応粗生成物を
得た。
セトニトリル24m1に浴解し、この溶解にクロロトリ
メチルシラン4311(0,040モル)を滴下して得
た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサン溶液
28mを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後、更に同温
度で1時間反応させた。反応混合物にDBU 6.81
7 (0,045モル)を5〜12℃で滴下した後、更
に室@(25℃)で13時間攪拌した。この反応混合物
に水を加えた後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出
液を希塩酸、飽和酸性亜硫酸す) IJウム水溶液、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し
、次いで乾燥した後、溶媒を留去して、反応粗生成物を
得た。
この反応粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーによって精製した後、n−へキサンとエタノールの混
合溶媒から再結晶させて精製し、下記の2種類の化合物
の混合物1.5g(0,0040モル)を得た。(収率
40チ) この混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを使
用して分離した後、分離した化合物をn−ヘキサンとエ
タノールの混合溶媒から各々再結晶させて精製し、下記
化合物を各々得た。
ーによって精製した後、n−へキサンとエタノールの混
合溶媒から再結晶させて精製し、下記の2種類の化合物
の混合物1.5g(0,0040モル)を得た。(収率
40チ) この混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを使
用して分離した後、分離した化合物をn−ヘキサンとエ
タノールの混合溶媒から各々再結晶させて精製し、下記
化合物を各々得た。
本発明に係わる式(1)の化合物は、現在母体液晶とし
て実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合す
ることによって、混合液晶のN−I点を大幅に上昇させ
ることができる化合物である。
て実用的に汎用されているネマチック混合液晶に混合す
ることによって、混合液晶のN−I点を大幅に上昇させ
ることができる化合物である。
従って1本発明に係わる式(1)の化合物は、高温駆動
性に優れた液晶表示セルを製造するための材料として有
用である。
性に優れた液晶表示セルを製造するための材料として有
用である。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わす。▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化
学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。▲数式、
化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があ
ります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わ
す。 ▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学式、
表等があります▼である場合には、Xは炭素原子数1〜
9の直鎖状アルキル基を表わし、Yは水素原子を表わす
。▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学式
、表等があります▼である場合には、Xはフッ素原子、
塩素原子、炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基又はア
ルコキシル基を表わし、Yはフッ素原子又は水素原子を
表わすが、Xがフッ素原子である場合には、Yはフッ素
原子を表わす。シクロヘキサン環はトランス配置である
。) で表わされる化合物。 2、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記載の化合物。 3、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記 載の化合物。 4、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項2記 載の化合物。 5、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項1記 載の化合物。 6、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼である請求項2記 載の化合物。 7、Rがメチル基であり、Xがn−プロピル基である請
求項4記載の化合物。 8、Rがメチル基であり、Xがn−プロピル基である請
求項6記載の化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63151107A JPH01319433A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 四環式シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63151107A JPH01319433A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 四環式シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01319433A true JPH01319433A (ja) | 1989-12-25 |
Family
ID=15511504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63151107A Pending JPH01319433A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 四環式シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01319433A (ja) |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63151107A patent/JPH01319433A/ja active Pending
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