JPH02188566A - シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 - Google Patents
シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体Info
- Publication number
- JPH02188566A JPH02188566A JP765689A JP765689A JPH02188566A JP H02188566 A JPH02188566 A JP H02188566A JP 765689 A JP765689 A JP 765689A JP 765689 A JP765689 A JP 765689A JP H02188566 A JPH02188566 A JP H02188566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- compound
- liquid crystal
- reaction
- toluene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- GDHXJNRAJRCGMX-UHFFFAOYSA-N 2-fluorobenzonitrile Chemical class FC1=CC=CC=C1C#N GDHXJNRAJRCGMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 63
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 17
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- WNSNPGHNIJOOPM-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromo-2-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC(Br)=CC=C1Br WNSNPGHNIJOOPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- JRNLGJQIFQFJHM-UHFFFAOYSA-L copper;dicyanate Chemical compound N#CO[Cu]OC#N JRNLGJQIFQFJHM-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 75
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 15
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 13
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- -1 4-substituted benzoic acid Chemical class 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 8
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 6
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000002498 deadly effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 2
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl iodide Chemical compound C[Si](C)(C)I CSRZQMIRAZTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical class [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-VQEHIDDOSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C[13CH]=C1 WPYMKLBDIGXBTP-VQEHIDDOSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 3-phenylprop-2-enoate Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OC1CCCCC1 GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004682 monohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用なシクロヘキ
セン系3−フルオロ−4−シアノベンゼン誘導体に関す
る。
セン系3−フルオロ−4−シアノベンゼン誘導体に関す
る。
液晶表示セルの代表的なものにジー・エイチ・バイルマ
イヤー(G、 H,Ha i 1m* isr )等C
Appl−Phya、L@tt@rs、 13.46(
1968) ) によって提案された動的散乱効果型
セル(ダイナミック・スキャッタリング・モード・セル
)またはエム番シ+yト(K 5chadt )等(A
ppl、 Phyg、 Letters +18.12
7(1971)〕によって提案された電界効果型セル(
フィールド・エフェクト・モード・セル)またはノー・
エイチ・バイルマイヤー(G、H。
イヤー(G、 H,Ha i 1m* isr )等C
Appl−Phya、L@tt@rs、 13.46(
1968) ) によって提案された動的散乱効果型
セル(ダイナミック・スキャッタリング・モード・セル
)またはエム番シ+yト(K 5chadt )等(A
ppl、 Phyg、 Letters +18.12
7(1971)〕によって提案された電界効果型セル(
フィールド・エフェクト・モード・セル)またはノー・
エイチ・バイルマイヤー(G、H。
H*11mai書r )等[”Appl、Phya、L
sttsrs、 13 、91(1968))によって
提案されたダスト・ホスト減セル等がある。
sttsrs、 13 、91(1968))によって
提案されたダスト・ホスト減セル等がある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室@を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共遇して要求され
ているt要な特性である。
特性が要求されるが、室@を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共遇して要求され
ているt要な特性である。
このような特性を有する実用可能な液晶材料の多くは、
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
シ高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによりて調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高@側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネ1チック相−等方性液
体相(N−I)転移温度の高いネマチック液晶化合物が
必要とされている。
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
シ高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによりて調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高@側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネ1チック相−等方性液
体相(N−I)転移温度の高いネマチック液晶化合物が
必要とされている。
このような要求に応えるために、4−(4’−(4”−
置換シクロヘキシル)シクロヘキシル〕置換ベンゼンの
如き200℃前後にN−I点を有する化合物が提案さn
ている。
置換シクロヘキシル)シクロヘキシル〕置換ベンゼンの
如き200℃前後にN−I点を有する化合物が提案さn
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、これらの化合物は通常、スメクチック相
を有し、ネマチック相を示す温度範囲の下限であるスメ
クチック相−ネiチック相転移温度(S−N点)が高い
という欠点を有している。
を有し、ネマチック相を示す温度範囲の下限であるスメ
クチック相−ネiチック相転移温度(S−N点)が高い
という欠点を有している。
混合液晶のN−I点を上昇させる目的でこれらの8−N
点が高い化合物を現在母体液晶として実用的に汎用され
ているネマチック混合液晶に添加すると、低温領域でス
メクチック相が現出するという好ましからざる性質を有
している。
点が高い化合物を現在母体液晶として実用的に汎用され
ているネマチック混合液晶に添加すると、低温領域でス
メクチック相が現出するという好ましからざる性質を有
している。
本発明が解決しようとする問題点は、高いN−1点を有
し、かつスメクチック相を示さない新規な液晶化合物を
提供することにある。
し、かつスメクチック相を示さない新規な液晶化合物を
提供することにある。
本発明は上記問題点を解決するために、一般式(式中、
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ環はトランス配置
である。) で表わされる化合物を提供する。
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ環はトランス配置
である。) で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式(1)の化合物は、次の製造方法に従
って製造することができる。
って製造することができる。
第5段階
(上記反応式におけるRは、式fl)におけるRと同じ
意味をもつ、) 第1段階−式(IQの化合物を、無水テトラヒトμ7う
/(以下、T!(Fという、)の如きエーテル系静媒中
で、金属マグネシウム粉末と15〜25℃でl〜2時間
反応させて式(2)の化合物を製造する。
意味をもつ、) 第1段階−式(IQの化合物を、無水テトラヒトμ7う
/(以下、T!(Fという、)の如きエーテル系静媒中
で、金属マグネシウム粉末と15〜25℃でl〜2時間
反応させて式(2)の化合物を製造する。
第2段階−式(2)の化合物の溶液に、式■の化合物の
無水THF溶液を5〜20℃で加えて、更に10〜30
℃で30分間反応させた後、反応生成物を飽和基化アン
モニウム水溶液で分解して式(イ)の化合物を製造する
。
無水THF溶液を5〜20℃で加えて、更に10〜30
℃で30分間反応させた後、反応生成物を飽和基化アン
モニウム水溶液で分解して式(イ)の化合物を製造する
。
第3段階−式(至)の化合物を、トルエンの如き水不溶
性不活性溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性
触媒の存在下に2〜8時間還流温度で反応させる。反応
混合物を冷却した後、溶媒層を飽和炭酸ナトリウム水溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、溶媒を留
去する。反応粗生成物をエタノールの如きアルコール系
溶媒から再結晶させて式(ロ)の化合物を製造する。
性不活性溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性
触媒の存在下に2〜8時間還流温度で反応させる。反応
混合物を冷却した後、溶媒層を飽和炭酸ナトリウム水溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、溶媒を留
去する。反応粗生成物をエタノールの如きアルコール系
溶媒から再結晶させて式(ロ)の化合物を製造する。
第4段階−式(至)の化合物を、トルエンの如き不活性
溶媒中で、酸化白金の如き水素化触媒を加え、常温常圧
下で6〜30時間接触還元して、式(至)の化合物を製
造する。
溶媒中で、酸化白金の如き水素化触媒を加え、常温常圧
下で6〜30時間接触還元して、式(至)の化合物を製
造する。
第5段階−式(ロ)の化合物を、トルエンの如き不活性
溶媒中で、希硫駿の如き酸性水溶液と6時間還流温度で
反応させる。反応混合物を冷却した後、溶媒層を水洗、
乾燥し、この溶液から溶媒を留去する6反応粗生成物を
シリカダルカラムクロマトグラフィーによりて精製した
後、さらにn−ヘキサンとトルエンの混合溶媒から再結
晶させて精製して式(Vnl)の化合物を製造する。
溶媒中で、希硫駿の如き酸性水溶液と6時間還流温度で
反応させる。反応混合物を冷却した後、溶媒層を水洗、
乾燥し、この溶液から溶媒を留去する6反応粗生成物を
シリカダルカラムクロマトグラフィーによりて精製した
後、さらにn−ヘキサンとトルエンの混合溶媒から再結
晶させて精製して式(Vnl)の化合物を製造する。
第6段階−式■の化合物を、無水ジエチルエーテルの如
きエーテル系溶媒中で、リチウムと還流温度で2〜8時
間反応させてリチウム塩とした後、これに式(Vlll
)の化合物の無水ジエチルエーテルの如きエーテル系溶
媒の溶液′t−−20〜5℃で加えて、更に5〜20℃
で30分間反応させる。反応混合物に水を加えて分解し
1反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、抽出液から溶媒を留去して大凶の化合物を製造する
。
きエーテル系溶媒中で、リチウムと還流温度で2〜8時
間反応させてリチウム塩とした後、これに式(Vlll
)の化合物の無水ジエチルエーテルの如きエーテル系溶
媒の溶液′t−−20〜5℃で加えて、更に5〜20℃
で30分間反応させる。反応混合物に水を加えて分解し
1反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、抽出液から溶媒を留去して大凶の化合物を製造する
。
第7段階−大凶の化合物を、n−ヘキサンに溶解させ、
この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチルシラ
ンとヨウ化ナトリウムから調製したヨードトリメチルシ
ランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜10℃で30
分間反応させることによって、式(1)の化合物から、
弐幡の化合物、式(xlll −a )及び式(XII
[−b)(7)化合物から成る反応混合物を経て、式(
XIV−a)、式(XIV−b)、式(XV−a)及び
式(xv −b )の化合物から成る反応混合物を製造
する。
この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチルシラ
ンとヨウ化ナトリウムから調製したヨードトリメチルシ
ランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜10℃で30
分間反応させることによって、式(1)の化合物から、
弐幡の化合物、式(xlll −a )及び式(XII
[−b)(7)化合物から成る反応混合物を経て、式(
XIV−a)、式(XIV−b)、式(XV−a)及び
式(xv −b )の化合物から成る反応混合物を製造
する。
この反応混合物K 1,8−ジアザ−ビシクロ(5゜4
.0)ウンデセン−7(以下、 DBUという。)の如
き塩基を加えて、5〜30℃で5〜20時間反応させて
、式(XV −a )又は式(XV−b)の化合物から
式(XIV −a )又は式CXIV−b)の化合物を
各々製造する。
.0)ウンデセン−7(以下、 DBUという。)の如
き塩基を加えて、5〜30℃で5〜20時間反応させて
、式(XV −a )又は式(XV−b)の化合物から
式(XIV −a )又は式CXIV−b)の化合物を
各々製造する。
反応混合物に水を加えた後、式(XIV−a)及び式(
XIV−b)の化合物をトルエンで抽出し、抽出液を希
壇酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した
後、この抽出液から溶媒を留去する。
XIV−b)の化合物をトルエンで抽出し、抽出液を希
壇酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した
後、この抽出液から溶媒を留去する。
この式(XIV−a)及び式(XIV−b)の化合物の
混合物をトルエンの如き不活性溶媒中で、p−)ルエン
スルホン酸の如き酸性触媒の存在下に還流温度で1〜8
時間反応させて、シクロヘキサン還をシス配置からトラ
ンス配置に異性化させることにょシ、収率よく式(XM
−a)及び式(XM−b)の化合物の混合物を製造する
ことができる。
混合物をトルエンの如き不活性溶媒中で、p−)ルエン
スルホン酸の如き酸性触媒の存在下に還流温度で1〜8
時間反応させて、シクロヘキサン還をシス配置からトラ
ンス配置に異性化させることにょシ、収率よく式(XM
−a)及び式(XM−b)の化合物の混合物を製造する
ことができる。
第8段階−式(Xlill−a)及び式(XM−b)の
化合物の混合物iN−メチルー2−ピロリドン(以下、
NMPという。)の如き非プロトン性極性溶媒中で、シ
アン化鋼(CuCN)と190〜200℃で8〜12時
間反応させる。反応混合物を冷却した後、反応混合物を
30係アンモニア水中に加え九後、反応生成物をトルエ
ンで抽出する。抽出液t−30係アンモニア水、水、希
塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液からトルエンを留
去する。反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラ
フィーによって精製した後、更にエタノールから再結晶
させて精製し、式(I−a)及び式(1−b)の化合物
を製造する。この混合物を液体クロマトグラフィーを使
用して、この混合物から式(ト1)及び式(1−b)の
化合物を単離した後、単離した化合物を更にエタノール
から各々再結晶させることによりて、本発明に係わる式
(1−&)及び式(1−b)の化合物を製造する。
化合物の混合物iN−メチルー2−ピロリドン(以下、
NMPという。)の如き非プロトン性極性溶媒中で、シ
アン化鋼(CuCN)と190〜200℃で8〜12時
間反応させる。反応混合物を冷却した後、反応混合物を
30係アンモニア水中に加え九後、反応生成物をトルエ
ンで抽出する。抽出液t−30係アンモニア水、水、希
塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液からトルエンを留
去する。反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラ
フィーによって精製した後、更にエタノールから再結晶
させて精製し、式(I−a)及び式(1−b)の化合物
を製造する。この混合物を液体クロマトグラフィーを使
用して、この混合物から式(ト1)及び式(1−b)の
化合物を単離した後、単離した化合物を更にエタノール
から各々再結晶させることによりて、本発明に係わる式
(1−&)及び式(1−b)の化合物を製造する。
斯くして製造された本発明に係わる式(I)の化合物の
代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
第 1 表
(表中、Cは結晶相、Nはネマチック相、!は等方性液
体相を夫々表わす。) 本発明に係わる式(1)の化合物は、正の誘[8の異方
性を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば
、負の誘を率の異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率の異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
。
体相を夫々表わす。) 本発明に係わる式(1)の化合物は、正の誘[8の異方
性を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば
、負の誘を率の異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率の異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−置換フェニルエステル、4−置換
シクロヘキサンカル昶ン酸4′−置換ビフェニルエステ
ル、4−(4−M換シクロヘキサンカルボニルオキシ)
安、t’!酸4’−[it換フェニルエステル、4−(
4−fitmシクoヘキシル)安息香酸4’−[1換フ
エニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息
香酸4′−置換シクロヘキ/ルエステル、4−置換4′
−置換ビフェニル、4−tl置換ェニル−4′−置換シ
クロヘキサン、4−置換4”−置換ターフェニル、4−
fm1mピフェニル+’−1ik換シクロヘキサン、2
−(4−1it換フエニル)−5−置換ピリミゾンなど
を挙げることができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−置換フェニルエステル、4−置換
シクロヘキサンカル昶ン酸4′−置換ビフェニルエステ
ル、4−(4−M換シクロヘキサンカルボニルオキシ)
安、t’!酸4’−[it換フェニルエステル、4−(
4−fitmシクoヘキシル)安息香酸4’−[1換フ
エニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息
香酸4′−置換シクロヘキ/ルエステル、4−置換4′
−置換ビフェニル、4−tl置換ェニル−4′−置換シ
クロヘキサン、4−置換4”−置換ターフェニル、4−
fm1mピフェニル+’−1ik換シクロヘキサン、2
−(4−1it換フエニル)−5−置換ピリミゾンなど
を挙げることができる。
本発明に係わる式(1)の化合物の化学構造に類似して
おり、かつ混合液晶のN−I点を上昇させる材料として
提案されてhる公知化合物(特開昭59−152362
号公報に記載)の転移温度を第2災に示した。
おり、かつ混合液晶のN−I点を上昇させる材料として
提案されてhる公知化合物(特開昭59−152362
号公報に記載)の転移温度を第2災に示した。
第 2 表
化合物
式 転移温度に)
第1表と第2表の対比から明らかな様に、本発明に係わ
る化合物は、高温駆動性混合液晶の調整に有効な高いN
−1点を有し、しかも公知の類似化合物のようにスメク
チック相を示さない事が理解できる。
る化合物は、高温駆動性混合液晶の調整に有効な高いN
−1点を有し、しかも公知の類似化合物のようにスメク
チック相を示さない事が理解できる。
実施例1
2−フルオロ−1,4−ジブロモベンゼン57.2.9
(o、z2s2I)を無水TI(F’210mK溶ML
、この溶液を金属マグネシウム粉末6. OO# (0
,247グラム原子)に攪拌しながら15〜23℃で滴
下した後、更に室温(25℃)で2時間反応させて、1
(0,171%ル)’を無水T11F 53 mlに
溶解し、この溶液を上記反応で調整したグリニヤール試
薬中に攪拌しながら10〜15℃で滴下した後、更に室
温で30分間反応させた。反応終了後、反応混合物を飽
和塩化ア/モニクム水溶液中に加えた後、反応生成物を
トルエンで抽出し、抽出液全水洗、乾燥後、この液から
溶媒を留去して、下記化合物を含む粗生成物25.8I
Iを得た。
(o、z2s2I)を無水TI(F’210mK溶ML
、この溶液を金属マグネシウム粉末6. OO# (0
,247グラム原子)に攪拌しながら15〜23℃で滴
下した後、更に室温(25℃)で2時間反応させて、1
(0,171%ル)’を無水T11F 53 mlに
溶解し、この溶液を上記反応で調整したグリニヤール試
薬中に攪拌しながら10〜15℃で滴下した後、更に室
温で30分間反応させた。反応終了後、反応混合物を飽
和塩化ア/モニクム水溶液中に加えた後、反応生成物を
トルエンで抽出し、抽出液全水洗、乾燥後、この液から
溶媒を留去して、下記化合物を含む粗生成物25.8I
Iを得た。
この粗生成物をトルエン150m1VCRI解し、この
溶液にp−)ルエンスルホン酸・1水和物0.26Ji
’(0,0014モル)を加えた後、これらを攪拌しな
がら還流温度で4時間脱水反応を行なった。
溶液にp−)ルエンスルホン酸・1水和物0.26Ji
’(0,0014モル)を加えた後、これらを攪拌しな
がら還流温度で4時間脱水反応を行なった。
反応混合物を冷却した後、トルエン層を飽和炭駿水素ナ
トリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾
燥し穴径、トルエンを留去した。得られた反応生成物を
エタノールから再結晶させて精製し、下記化合物20.
4I(0,0652モル)を得た。(収率38,1優) 次に、この化合物20.4#(0,0652モル)をト
ルエ150mK溶解し、この溶液に解媒量の酸化白金を
加え、常温常圧下で攪拌して水素化反応を行なりた。反
応終了後、反応混合物から触媒をP去した後、r液から
トルエンを留去して、下記化合物を含む粗生成物19.
1.9を得九。
トリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾
燥し穴径、トルエンを留去した。得られた反応生成物を
エタノールから再結晶させて精製し、下記化合物20.
4I(0,0652モル)を得た。(収率38,1優) 次に、この化合物20.4#(0,0652モル)をト
ルエ150mK溶解し、この溶液に解媒量の酸化白金を
加え、常温常圧下で攪拌して水素化反応を行なりた。反
応終了後、反応混合物から触媒をP去した後、r液から
トルエンを留去して、下記化合物を含む粗生成物19.
1.9を得九。
物1,7jl(0,011モル)t−無水ジエチルエー
テル6IR1に溶解し、この溶液にリチウム0.15
j’(0,022グラム原子)を加えた後、攪拌しなが
ら還流温度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合
物を冷却し、この反応混合物に、前段階でこの粗生成物
をトルエン7Qdに溶解し、この溶液に10係硫ff1
5 Qmを加え九後、攪拌しながら還流温度で6時間反
応させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、トルエン
層を水洗、乾燥した後、トルエンを留去し九。得られた
粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィーによっ
て)官製した後、さらにn−へキサンとトルエンの混合
溶媒から再結晶させて精製し、下記化合物10.2Ii
(0,0326モル)を得た。(収率50.0チ)金物
2.36J9 (0,00871モル)の無水ジエチル
エーテル溶液7Mを−15〜−5℃で滴下した後、更に
室温で30分間反応させた。反応混合物を冷水中に加え
た後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、
乾燥した後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物
3.411を得九。
テル6IR1に溶解し、この溶液にリチウム0.15
j’(0,022グラム原子)を加えた後、攪拌しなが
ら還流温度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合
物を冷却し、この反応混合物に、前段階でこの粗生成物
をトルエン7Qdに溶解し、この溶液に10係硫ff1
5 Qmを加え九後、攪拌しながら還流温度で6時間反
応させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、トルエン
層を水洗、乾燥した後、トルエンを留去し九。得られた
粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィーによっ
て)官製した後、さらにn−へキサンとトルエンの混合
溶媒から再結晶させて精製し、下記化合物10.2Ii
(0,0326モル)を得た。(収率50.0チ)金物
2.36J9 (0,00871モル)の無水ジエチル
エーテル溶液7Mを−15〜−5℃で滴下した後、更に
室温で30分間反応させた。反応混合物を冷水中に加え
た後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、
乾燥した後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物
3.411を得九。
次に、ヨウ化ナトリウム4.6.9(0,031モル)
をアセトニトリル18mJに溶解し、この溶液にクロロ
トリメチルシラン3.4II(0,031モル)全滴下
して得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサ
ン溶液7IILlを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後
、更に同温度で30分間反応させた。
をアセトニトリル18mJに溶解し、この溶液にクロロ
トリメチルシラン3.4II(0,031モル)全滴下
して得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサ
ン溶液7IILlを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後
、更に同温度で30分間反応させた。
反応混合物にDBU 5.3.9 (0,035モル)
を5〜17℃で滴下した後、更に室温(25℃)で18
時間攪拌した。この反応混合物に水を加えた後、反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性亜
硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、溶媒を
留去して、反応粗生成物を得た。
を5〜17℃で滴下した後、更に室温(25℃)で18
時間攪拌した。この反応混合物に水を加えた後、反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性亜
硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、溶媒を
留去して、反応粗生成物を得た。
この反応粗生成物をトルエン6ILIIlc溶解し、こ
の溶液にp−)ルエンスルホン酸・l水和物0.033
J9 (0,00017モル)を加えた後、これらを攪
拌しながら還流温度で3時間異性化反応を行なった。反
応混合物を冷却した後、トルエン層を飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥
した後、トルエンを留去して反応粗生成物を得た。この
反応粗生成物を少量のn−ヘキサンを含むエタノールか
ら再結晶させて精製し、下記の2種類の化合物の混合物
1.9N(0,0050モル)を得た。(収率57係)
次に、との混合物をNMP5IILIK−溶解し、Cu
CN0.46.9(0,0051モル)を加えた後、こ
れらを攪拌しながら190〜200℃で11時間反応さ
せた。反応混合物を冷却し、とnらを30係アンモニア
水中に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出した。抽
出液を301アンモニア水、水、希塩酸、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥し
た後、この抽出液からトルエンを留去して反応粗生成物
i、s!iを得た。
の溶液にp−)ルエンスルホン酸・l水和物0.033
J9 (0,00017モル)を加えた後、これらを攪
拌しながら還流温度で3時間異性化反応を行なった。反
応混合物を冷却した後、トルエン層を飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥
した後、トルエンを留去して反応粗生成物を得た。この
反応粗生成物を少量のn−ヘキサンを含むエタノールか
ら再結晶させて精製し、下記の2種類の化合物の混合物
1.9N(0,0050モル)を得た。(収率57係)
次に、との混合物をNMP5IILIK−溶解し、Cu
CN0.46.9(0,0051モル)を加えた後、こ
れらを攪拌しながら190〜200℃で11時間反応さ
せた。反応混合物を冷却し、とnらを30係アンモニア
水中に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出した。抽
出液を301アンモニア水、水、希塩酸、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥し
た後、この抽出液からトルエンを留去して反応粗生成物
i、s!iを得た。
この反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィ
ーによって精製した後、エタノールから再結晶させて精
製し、下記の2種類の化合物の混合物o、9zg(0,
0028モル)を得た。(収率56優)この混合物は4
7℃から139℃の間でネマチック相を示した。
ーによって精製した後、エタノールから再結晶させて精
製し、下記の2種類の化合物の混合物o、9zg(0,
0028モル)を得た。(収率56優)この混合物は4
7℃から139℃の間でネマチック相を示した。
この混合物を高速液体クロマトグラフィーを使用して、
この混合物から下記の化合物を夫々単離した後、この単
離した化合物をエタノールから各各回結晶させて精製し
、下記化合物を各々得た。
この混合物から下記の化合物を夫々単離した後、この単
離した化合物をエタノールから各各回結晶させて精製し
、下記化合物を各々得た。
本発明に係わる化合物は、高いN−I点を有し、且つス
メクチック相を示さない。従りて、本発明に係わる化合
物を、現在母体液晶として実用的に汎用されているネマ
チック混合液晶に混合することによって混合液晶ON−
工点全土昇させることができ、且つ低温領域で混合液晶
にスメクチック相が現出することを防止できる。
メクチック相を示さない。従りて、本発明に係わる化合
物を、現在母体液晶として実用的に汎用されているネマ
チック混合液晶に混合することによって混合液晶ON−
工点全土昇させることができ、且つ低温領域で混合液晶
にスメクチック相が現出することを防止できる。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
転移温度
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化
学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、シク
ロヘキサン 環はトランス配置である。) で表わされる化合物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP765689A JPH02188566A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 |
DE68920455T DE68920455T2 (de) | 1988-02-29 | 1989-02-27 | Cyclohexenderivate. |
EP89103435A EP0331091B1 (en) | 1988-02-29 | 1989-02-27 | Cyclohexene derivatives |
US07/315,874 US4946986A (en) | 1988-02-29 | 1989-02-27 | Cyclohexene derivatives |
US08/060,040 US5321169A (en) | 1988-02-29 | 1993-05-11 | Cyclohexane derivatives |
HK98104360A HK1005182A1 (en) | 1988-02-29 | 1998-05-20 | Cyclohexene derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP765689A JPH02188566A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02188566A true JPH02188566A (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=11671862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP765689A Pending JPH02188566A (ja) | 1988-02-29 | 1989-01-18 | シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02188566A (ja) |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP765689A patent/JPH02188566A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0062470B1 (en) | Liquid crystal benzene derivatives | |
US4439340A (en) | Cyano-mono-or diphenylbicyclohexane derivatives | |
EP0331091B1 (en) | Cyclohexene derivatives | |
JPS63287736A (ja) | 新規フッ素系ネマチック液晶化合物 | |
EP0310067B1 (en) | Fluorine-substituted cyclohexylcyclohexene derivative | |
JPS5818326A (ja) | 2,4,5−トリフルオロ−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン | |
JPS588023A (ja) | 1,2−ジ−(シクロヘキシルフエニル)エタン誘導体 | |
JPH02188566A (ja) | シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 | |
EP0198714B1 (en) | Liquid cristalline compositions containing cyclohexylcyclohexene derivatives, and their use | |
JPS6351359A (ja) | 光学活性なビフエニルエステル誘導体 | |
JPS6124382B2 (ja) | ||
JPS5916834A (ja) | 2,4↓−ジメチル↓−1↓−〔トランス↓−4′↓−(トランス↓−4″↓−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼン | |
JPS6092228A (ja) | 4環からなる4―フルオロビフェニル誘導体 | |
JPS59141527A (ja) | 部分還元されたナフタリン誘導体 | |
JP2623729B2 (ja) | 四環式シクロヘキシルシクロヘキセン誘導体 | |
JP2829436B2 (ja) | シクロブタン誘導体 | |
JPS59193848A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
JP2508166B2 (ja) | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
JPH01265069A (ja) | シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
JP2853710B2 (ja) | フェニルシクロヘキシルシクロヘキサノン誘導体の製造方法 | |
JPH01238547A (ja) | 新規塩素系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
JPS5832832A (ja) | トランス―4’―(トランス―4”―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン | |
JPS60204780A (ja) | 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸誘導体 | |
JPS59170030A (ja) | 液晶性化合物 | |
JPS5913737A (ja) | 3,4−ジメチル−1−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン |