JPH02188566A - シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 - Google Patents

シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体

Info

Publication number
JPH02188566A
JPH02188566A JP765689A JP765689A JPH02188566A JP H02188566 A JPH02188566 A JP H02188566A JP 765689 A JP765689 A JP 765689A JP 765689 A JP765689 A JP 765689A JP H02188566 A JPH02188566 A JP H02188566A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
compound
liquid crystal
reaction
toluene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP765689A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruyoshi Takatsu
晴義 高津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority to JP765689A priority Critical patent/JPH02188566A/ja
Priority to DE68920455T priority patent/DE68920455T2/de
Priority to EP89103435A priority patent/EP0331091B1/en
Priority to US07/315,874 priority patent/US4946986A/en
Publication of JPH02188566A publication Critical patent/JPH02188566A/ja
Priority to US08/060,040 priority patent/US5321169A/en
Priority to HK98104360A priority patent/HK1005182A1/xx
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気光学的表示材料として有用なシクロヘキ
セン系3−フルオロ−4−シアノベンゼン誘導体に関す
る。
〔、従来の技術〕
液晶表示セルの代表的なものにジー・エイチ・バイルマ
イヤー(G、 H,Ha i 1m* isr )等C
Appl−Phya、L@tt@rs、 13.46(
1968) )  によって提案された動的散乱効果型
セル(ダイナミック・スキャッタリング・モード・セル
)またはエム番シ+yト(K 5chadt )等(A
ppl、 Phyg、 Letters +18.12
7(1971)〕によって提案された電界効果型セル(
フィールド・エフェクト・モード・セル)またはノー・
エイチ・バイルマイヤー(G、H。
H*11mai書r )等[”Appl、Phya、L
sttsrs、 13 、91(1968))によって
提案されたダスト・ホスト減セル等がある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室@を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共遇して要求され
ているt要な特性である。
このような特性を有する実用可能な液晶材料の多くは、
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
シ高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによりて調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
くは、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高@側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネ1チック相−等方性液
体相(N−I)転移温度の高いネマチック液晶化合物が
必要とされている。
このような要求に応えるために、4−(4’−(4”−
置換シクロヘキシル)シクロヘキシル〕置換ベンゼンの
如き200℃前後にN−I点を有する化合物が提案さn
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、これらの化合物は通常、スメクチック相
を有し、ネマチック相を示す温度範囲の下限であるスメ
クチック相−ネiチック相転移温度(S−N点)が高い
という欠点を有している。
混合液晶のN−I点を上昇させる目的でこれらの8−N
点が高い化合物を現在母体液晶として実用的に汎用され
ているネマチック混合液晶に添加すると、低温領域でス
メクチック相が現出するという好ましからざる性質を有
している。
本発明が解決しようとする問題点は、高いN−1点を有
し、かつスメクチック相を示さない新規な液晶化合物を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記問題点を解決するために、一般式(式中、
Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキ環はトランス配置
である。) で表わされる化合物を提供する。
本発明に係わる式(1)の化合物は、次の製造方法に従
って製造することができる。
第5段階 (上記反応式におけるRは、式fl)におけるRと同じ
意味をもつ、) 第1段階−式(IQの化合物を、無水テトラヒトμ7う
/(以下、T!(Fという、)の如きエーテル系静媒中
で、金属マグネシウム粉末と15〜25℃でl〜2時間
反応させて式(2)の化合物を製造する。
第2段階−式(2)の化合物の溶液に、式■の化合物の
無水THF溶液を5〜20℃で加えて、更に10〜30
℃で30分間反応させた後、反応生成物を飽和基化アン
モニウム水溶液で分解して式(イ)の化合物を製造する
第3段階−式(至)の化合物を、トルエンの如き水不溶
性不活性溶媒中で、p−)ルエンスルホン酸の如き酸性
触媒の存在下に2〜8時間還流温度で反応させる。反応
混合物を冷却した後、溶媒層を飽和炭酸ナトリウム水溶
液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した後、溶媒を留
去する。反応粗生成物をエタノールの如きアルコール系
溶媒から再結晶させて式(ロ)の化合物を製造する。
第4段階−式(至)の化合物を、トルエンの如き不活性
溶媒中で、酸化白金の如き水素化触媒を加え、常温常圧
下で6〜30時間接触還元して、式(至)の化合物を製
造する。
第5段階−式(ロ)の化合物を、トルエンの如き不活性
溶媒中で、希硫駿の如き酸性水溶液と6時間還流温度で
反応させる。反応混合物を冷却した後、溶媒層を水洗、
乾燥し、この溶液から溶媒を留去する6反応粗生成物を
シリカダルカラムクロマトグラフィーによりて精製した
後、さらにn−ヘキサンとトルエンの混合溶媒から再結
晶させて精製して式(Vnl)の化合物を製造する。
第6段階−式■の化合物を、無水ジエチルエーテルの如
きエーテル系溶媒中で、リチウムと還流温度で2〜8時
間反応させてリチウム塩とした後、これに式(Vlll
)の化合物の無水ジエチルエーテルの如きエーテル系溶
媒の溶液′t−−20〜5℃で加えて、更に5〜20℃
で30分間反応させる。反応混合物に水を加えて分解し
1反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、乾燥
後、抽出液から溶媒を留去して大凶の化合物を製造する
第7段階−大凶の化合物を、n−ヘキサンに溶解させ、
この溶液を、アセトニトリル中でクロロトリメチルシラ
ンとヨウ化ナトリウムから調製したヨードトリメチルシ
ランのアセトニトリル溶液中に加えて5〜10℃で30
分間反応させることによって、式(1)の化合物から、
弐幡の化合物、式(xlll −a )及び式(XII
[−b)(7)化合物から成る反応混合物を経て、式(
XIV−a)、式(XIV−b)、式(XV−a)及び
式(xv −b )の化合物から成る反応混合物を製造
する。
この反応混合物K 1,8−ジアザ−ビシクロ(5゜4
.0)ウンデセン−7(以下、 DBUという。)の如
き塩基を加えて、5〜30℃で5〜20時間反応させて
、式(XV −a )又は式(XV−b)の化合物から
式(XIV −a )又は式CXIV−b)の化合物を
各々製造する。
反応混合物に水を加えた後、式(XIV−a)及び式(
XIV−b)の化合物をトルエンで抽出し、抽出液を希
壇酸、飽和酸性亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥した
後、この抽出液から溶媒を留去する。
この式(XIV−a)及び式(XIV−b)の化合物の
混合物をトルエンの如き不活性溶媒中で、p−)ルエン
スルホン酸の如き酸性触媒の存在下に還流温度で1〜8
時間反応させて、シクロヘキサン還をシス配置からトラ
ンス配置に異性化させることにょシ、収率よく式(XM
−a)及び式(XM−b)の化合物の混合物を製造する
ことができる。
第8段階−式(Xlill−a)及び式(XM−b)の
化合物の混合物iN−メチルー2−ピロリドン(以下、
NMPという。)の如き非プロトン性極性溶媒中で、シ
アン化鋼(CuCN)と190〜200℃で8〜12時
間反応させる。反応混合物を冷却した後、反応混合物を
30係アンモニア水中に加え九後、反応生成物をトルエ
ンで抽出する。抽出液t−30係アンモニア水、水、希
塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で
順次洗浄し、乾燥した後、この抽出液からトルエンを留
去する。反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラ
フィーによって精製した後、更にエタノールから再結晶
させて精製し、式(I−a)及び式(1−b)の化合物
を製造する。この混合物を液体クロマトグラフィーを使
用して、この混合物から式(ト1)及び式(1−b)の
化合物を単離した後、単離した化合物を更にエタノール
から各々再結晶させることによりて、本発明に係わる式
(1−&)及び式(1−b)の化合物を製造する。
斯くして製造された本発明に係わる式(I)の化合物の
代表的なものの転移温度を第1表に掲げる。
第  1  表 (表中、Cは結晶相、Nはネマチック相、!は等方性液
体相を夫々表わす。) 本発明に係わる式(1)の化合物は、正の誘[8の異方
性を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば
、負の誘を率の異方性を有する他のネマチック液晶化合
物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材料とし
て使用することができ、また正又は負の誘電率の異方性
を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で
電界効果型表示セルの材料として使用することができる
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−置換フェニルエステル、4−置換
シクロヘキサンカル昶ン酸4′−置換ビフェニルエステ
ル、4−(4−M換シクロヘキサンカルボニルオキシ)
安、t’!酸4’−[it換フェニルエステル、4−(
4−fitmシクoヘキシル)安息香酸4’−[1換フ
エニルエステル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息
香酸4′−置換シクロヘキ/ルエステル、4−置換4′
−置換ビフェニル、4−tl置換ェニル−4′−置換シ
クロヘキサン、4−置換4”−置換ターフェニル、4−
fm1mピフェニル+’−1ik換シクロヘキサン、2
−(4−1it換フエニル)−5−置換ピリミゾンなど
を挙げることができる。
本発明に係わる式(1)の化合物の化学構造に類似して
おり、かつ混合液晶のN−I点を上昇させる材料として
提案されてhる公知化合物(特開昭59−152362
号公報に記載)の転移温度を第2災に示した。
第  2  表 化合物 式        転移温度に) 第1表と第2表の対比から明らかな様に、本発明に係わ
る化合物は、高温駆動性混合液晶の調整に有効な高いN
−1点を有し、しかも公知の類似化合物のようにスメク
チック相を示さない事が理解できる。
実施例1 2−フルオロ−1,4−ジブロモベンゼン57.2.9
(o、z2s2I)を無水TI(F’210mK溶ML
、この溶液を金属マグネシウム粉末6. OO# (0
,247グラム原子)に攪拌しながら15〜23℃で滴
下した後、更に室温(25℃)で2時間反応させて、1
 (0,171%ル)’を無水T11F 53 mlに
溶解し、この溶液を上記反応で調整したグリニヤール試
薬中に攪拌しながら10〜15℃で滴下した後、更に室
温で30分間反応させた。反応終了後、反応混合物を飽
和塩化ア/モニクム水溶液中に加えた後、反応生成物を
トルエンで抽出し、抽出液全水洗、乾燥後、この液から
溶媒を留去して、下記化合物を含む粗生成物25.8I
Iを得た。
この粗生成物をトルエン150m1VCRI解し、この
溶液にp−)ルエンスルホン酸・1水和物0.26Ji
’(0,0014モル)を加えた後、これらを攪拌しな
がら還流温度で4時間脱水反応を行なった。
反応混合物を冷却した後、トルエン層を飽和炭駿水素ナ
トリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾
燥し穴径、トルエンを留去した。得られた反応生成物を
エタノールから再結晶させて精製し、下記化合物20.
4I(0,0652モル)を得た。(収率38,1優) 次に、この化合物20.4#(0,0652モル)をト
ルエ150mK溶解し、この溶液に解媒量の酸化白金を
加え、常温常圧下で攪拌して水素化反応を行なりた。反
応終了後、反応混合物から触媒をP去した後、r液から
トルエンを留去して、下記化合物を含む粗生成物19.
1.9を得九。
物1,7jl(0,011モル)t−無水ジエチルエー
テル6IR1に溶解し、この溶液にリチウム0.15 
j’(0,022グラム原子)を加えた後、攪拌しなが
ら還流温度で4時間反応させた。反応終了後、反応混合
物を冷却し、この反応混合物に、前段階でこの粗生成物
をトルエン7Qdに溶解し、この溶液に10係硫ff1
5 Qmを加え九後、攪拌しながら還流温度で6時間反
応させた。反応終了後、反応混合物を冷却し、トルエン
層を水洗、乾燥した後、トルエンを留去し九。得られた
粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィーによっ
て)官製した後、さらにn−へキサンとトルエンの混合
溶媒から再結晶させて精製し、下記化合物10.2Ii
(0,0326モル)を得た。(収率50.0チ)金物
2.36J9 (0,00871モル)の無水ジエチル
エーテル溶液7Mを−15〜−5℃で滴下した後、更に
室温で30分間反応させた。反応混合物を冷水中に加え
た後、反応生成物をトルエンで抽出し、抽出液を水洗、
乾燥した後、溶媒を留去して下記化合物を含む粗生成物
3.411を得九。
次に、ヨウ化ナトリウム4.6.9(0,031モル)
をアセトニトリル18mJに溶解し、この溶液にクロロ
トリメチルシラン3.4II(0,031モル)全滴下
して得た溶液中に、前段階で得た粗生成物のn−ヘキサ
ン溶液7IILlを、攪拌下に5〜10℃で滴下した後
、更に同温度で30分間反応させた。
反応混合物にDBU 5.3.9 (0,035モル)
を5〜17℃で滴下した後、更に室温(25℃)で18
時間攪拌した。この反応混合物に水を加えた後、反応生
成物をトルエンで抽出し、抽出液を希塩酸、飽和酸性亜
硫酸ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥した後、溶媒を
留去して、反応粗生成物を得た。
この反応粗生成物をトルエン6ILIIlc溶解し、こ
の溶液にp−)ルエンスルホン酸・l水和物0.033
J9 (0,00017モル)を加えた後、これらを攪
拌しながら還流温度で3時間異性化反応を行なった。反
応混合物を冷却した後、トルエン層を飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、次いで乾燥
した後、トルエンを留去して反応粗生成物を得た。この
反応粗生成物を少量のn−ヘキサンを含むエタノールか
ら再結晶させて精製し、下記の2種類の化合物の混合物
1.9N(0,0050モル)を得た。(収率57係)
次に、との混合物をNMP5IILIK−溶解し、Cu
CN0.46.9(0,0051モル)を加えた後、こ
れらを攪拌しながら190〜200℃で11時間反応さ
せた。反応混合物を冷却し、とnらを30係アンモニア
水中に加えた後、反応生成物をトルエンで抽出した。抽
出液を301アンモニア水、水、希塩酸、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、乾燥し
た後、この抽出液からトルエンを留去して反応粗生成物
i、s!iを得た。
この反応粗生成物をシリカダルカラムクロマトグラフィ
ーによって精製した後、エタノールから再結晶させて精
製し、下記の2種類の化合物の混合物o、9zg(0,
0028モル)を得た。(収率56優)この混合物は4
7℃から139℃の間でネマチック相を示した。
この混合物を高速液体クロマトグラフィーを使用して、
この混合物から下記の化合物を夫々単離した後、この単
離した化合物をエタノールから各各回結晶させて精製し
、下記化合物を各々得た。
〔発明の効果〕
本発明に係わる化合物は、高いN−I点を有し、且つス
メクチック相を示さない。従りて、本発明に係わる化合
物を、現在母体液晶として実用的に汎用されているネマ
チック混合液晶に混合することによって混合液晶ON−
工点全土昇させることができ、且つ低温領域で混合液晶
にスメクチック相が現出することを防止できる。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利 転移温度

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状アルキル基を表
    わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化
    学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、シク
    ロヘキサン 環はトランス配置である。) で表わされる化合物。
JP765689A 1988-02-29 1989-01-18 シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体 Pending JPH02188566A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP765689A JPH02188566A (ja) 1989-01-18 1989-01-18 シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体
DE68920455T DE68920455T2 (de) 1988-02-29 1989-02-27 Cyclohexenderivate.
EP89103435A EP0331091B1 (en) 1988-02-29 1989-02-27 Cyclohexene derivatives
US07/315,874 US4946986A (en) 1988-02-29 1989-02-27 Cyclohexene derivatives
US08/060,040 US5321169A (en) 1988-02-29 1993-05-11 Cyclohexane derivatives
HK98104360A HK1005182A1 (en) 1988-02-29 1998-05-20 Cyclohexene derivatives

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP765689A JPH02188566A (ja) 1989-01-18 1989-01-18 シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02188566A true JPH02188566A (ja) 1990-07-24

Family

ID=11671862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP765689A Pending JPH02188566A (ja) 1988-02-29 1989-01-18 シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02188566A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0062470B1 (en) Liquid crystal benzene derivatives
US4439340A (en) Cyano-mono-or diphenylbicyclohexane derivatives
EP0331091B1 (en) Cyclohexene derivatives
JPS63287736A (ja) 新規フッ素系ネマチック液晶化合物
EP0310067B1 (en) Fluorine-substituted cyclohexylcyclohexene derivative
JPS5818326A (ja) 2,4,5−トリフルオロ−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン
JPS588023A (ja) 1,2−ジ−(シクロヘキシルフエニル)エタン誘導体
JPH02188566A (ja) シクロヘキセン系3―フルオロ―4―シアノベンゼン誘導体
EP0198714B1 (en) Liquid cristalline compositions containing cyclohexylcyclohexene derivatives, and their use
JPS6351359A (ja) 光学活性なビフエニルエステル誘導体
JPS6124382B2 (ja)
JPS5916834A (ja) 2,4↓−ジメチル↓−1↓−〔トランス↓−4′↓−(トランス↓−4″↓−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼン
JPS6092228A (ja) 4環からなる4―フルオロビフェニル誘導体
JPS59141527A (ja) 部分還元されたナフタリン誘導体
JP2623729B2 (ja) 四環式シクロヘキシルシクロヘキセン誘導体
JP2829436B2 (ja) シクロブタン誘導体
JPS59193848A (ja) 新規ネマチツク液晶化合物
JP2508166B2 (ja) 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体
JPH01265069A (ja) シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体
JP2853710B2 (ja) フェニルシクロヘキシルシクロヘキサノン誘導体の製造方法
JPH01238547A (ja) 新規塩素系シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体
JPS5832832A (ja) トランス―4’―(トランス―4”―アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシルベンゼン
JPS60204780A (ja) 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸誘導体
JPS59170030A (ja) 液晶性化合物
JPS5913737A (ja) 3,4−ジメチル−1−〔4′−(トランス−4″−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イル〕ベンゼン