JPH01157610A - 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 - Google Patents
振動発生素子を有する封止部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH01157610A JPH01157610A JP62316613A JP31661387A JPH01157610A JP H01157610 A JPH01157610 A JP H01157610A JP 62316613 A JP62316613 A JP 62316613A JP 31661387 A JP31661387 A JP 31661387A JP H01157610 A JPH01157610 A JP H01157610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- sealing resin
- generating element
- vibration generating
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title abstract 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 89
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 8
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229910013637 LiNbO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N sodium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [Na+].[O-][Nb](=O)=O UYLYBEXRJGPQSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
- B29C2045/7343—Heating or cooling of the mould heating or cooling different mould parts at different temperatures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カラーテレビジョン受像機やビデオテープレ
コーダー等に使用されるＶＩＰ表面波フィルターやＲＦ
表面波発振子等のフィルターや発振子などの振動発生素
子を有する封止部品の製造方法に関するものである。
コーダー等に使用されるＶＩＰ表面波フィルターやＲＦ
表面波発振子等のフィルターや発振子などの振動発生素
子を有する封止部品の製造方法に関するものである。
従来の技術
例えば、ＶＩＰ表面波フィルターは、第５図に示す様な
構造のものが一般的である。その製造方法は、ニオブ酸
ナトリウム（ＬｉＮｂＯ２）、クンタル酸リチウム（Ｌ
ｉＴａＯ２）等の圧電物質で形成した圧電体２１０表面
にフォ） ＩＪングラフィ技術により形成した入力電極
対２２、出力電極対２３、アース電極２４、及び、印刷
工法によジェポキシ樹脂等の樹脂を塗布することにより
形成した吸収材２５から々る表面波素子３ｏを金属製の
ステム２６にエポキシ樹脂等の接着剤を用いて接着固定
し、ステム２６のリード端子２７と、前記入力電極対２
２、出力電極対２３およびアース電極２４とをワイヤー
２８にて結線し、キャップ２９とステム２６とを溶接し
た構造から成シ作られる。このキャップ２９により表面
波素子３０の振動を阻害し々い空間が形成されていた。
構造のものが一般的である。その製造方法は、ニオブ酸
ナトリウム（ＬｉＮｂＯ２）、クンタル酸リチウム（Ｌ
ｉＴａＯ２）等の圧電物質で形成した圧電体２１０表面
にフォ） ＩＪングラフィ技術により形成した入力電極
対２２、出力電極対２３、アース電極２４、及び、印刷
工法によジェポキシ樹脂等の樹脂を塗布することにより
形成した吸収材２５から々る表面波素子３ｏを金属製の
ステム２６にエポキシ樹脂等の接着剤を用いて接着固定
し、ステム２６のリード端子２７と、前記入力電極対２
２、出力電極対２３およびアース電極２４とをワイヤー
２８にて結線し、キャップ２９とステム２６とを溶接し
た構造から成シ作られる。このキャップ２９により表面
波素子３０の振動を阻害し々い空間が形成されていた。
発明が解決しようとする問題点
この様な従来の工法では、金属製のステムと金属製のキ
ャップを用いてハウジング構成としていたが、ステムは
、穴孔き金属にリード端子をガラス材で固定した構造で
、価格的にも高価である。
ャップを用いてハウジング構成としていたが、ステムは
、穴孔き金属にリード端子をガラス材で固定した構造で
、価格的にも高価である。
しかも、表面波素子を、外気から保膿するため、ステム
とキャップを通常、抵抗加熱による溶接をして外気を遮
断している。しかし、前記抵抗加熱溶接では、瞬時にか
つ同時にキャップの周囲に加熱を一様に発生させるのは
、むつかしく加熱にムラが有シ、更に、はこシや塵など
のゴミをはさむと、−層加熱にムラが発生するなど外気
との遮断５７、７ が完全でないという問題があり、安価で信頼性の高い高
生産性の樹脂封止が望まれ開発が検討されたが遅々とし
て進展してい彦いのが現状であった。
とキャップを通常、抵抗加熱による溶接をして外気を遮
断している。しかし、前記抵抗加熱溶接では、瞬時にか
つ同時にキャップの周囲に加熱を一様に発生させるのは
、むつかしく加熱にムラが有シ、更に、はこシや塵など
のゴミをはさむと、−層加熱にムラが発生するなど外気
との遮断５７、７ が完全でないという問題があり、安価で信頼性の高い高
生産性の樹脂封止が望まれ開発が検討されたが遅々とし
て進展してい彦いのが現状であった。
つまり、樹脂封止（ＩＣ等の様にダイレクトで封止する
タイプ）の開発、実用化を阻げる要因は、フィルターあ
るいは発振子の振動を阻害しない空間を形成することに
あり、この工法（製造方法）の開発が、最大のポイント
であった。まだ、従来の缶封止の様に、あらかじめキャ
ップ等を作る方法においては、その微小キャップ作成の
難しさ、さらにその組立工程の難しさからチップ化が困
難なものであった。
タイプ）の開発、実用化を阻げる要因は、フィルターあ
るいは発振子の振動を阻害しない空間を形成することに
あり、この工法（製造方法）の開発が、最大のポイント
であった。まだ、従来の缶封止の様に、あらかじめキャ
ップ等を作る方法においては、その微小キャップ作成の
難しさ、さらにその組立工程の難しさからチップ化が困
難なものであった。
本発明は、前述の様な問題点を解決するもので、生産性
が高く低価格で、しかも気密性の高い高信頼性で、チッ
プ化が可能なフィルターおよび発振子の製造方法を提供
するものである。
が高く低価格で、しかも気密性の高い高信頼性で、チッ
プ化が可能なフィルターおよび発振子の製造方法を提供
するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の第１の発明は、振動発生素子を配設したリード
フレームを金型中に配置し、成形収縮性がありかつ低接
着性の封止樹脂を用いて射出成形６ 、、−； により封止する工程と、前記振動発生素子の成形品を金
型中から取り出しだ後に、前記リードと封止樹脂の界面
へ真空含浸により、液状封止樹脂を含浸させ、その後、
前記液状封止樹脂を、含浸させ、その後、前記液状封止
樹脂を硬化させる工程から成るものである。
フレームを金型中に配置し、成形収縮性がありかつ低接
着性の封止樹脂を用いて射出成形６ 、、−； により封止する工程と、前記振動発生素子の成形品を金
型中から取り出しだ後に、前記リードと封止樹脂の界面
へ真空含浸により、液状封止樹脂を含浸させ、その後、
前記液状封止樹脂を、含浸させ、その後、前記液状封止
樹脂を硬化させる工程から成るものである。
また、本発明の第２の発明は、振動発生素子を配設した
リードフレームを、金型上下の温度が異なり、素子面に
対向する金型の方が低い温度の金型中に配置し、成形収
縮性がありかつ低接着性の封止樹脂を用いて射出成形に
より封止する工程と、前記振動発生素子の成形品を金型
中から取り出した後に、前記リードと封止樹脂の界面へ
真空含浸により、液状封止樹脂を含浸させ、その後、前
記液状封止樹脂を硬化させる工程から成るものである。
リードフレームを、金型上下の温度が異なり、素子面に
対向する金型の方が低い温度の金型中に配置し、成形収
縮性がありかつ低接着性の封止樹脂を用いて射出成形に
より封止する工程と、前記振動発生素子の成形品を金型
中から取り出した後に、前記リードと封止樹脂の界面へ
真空含浸により、液状封止樹脂を含浸させ、その後、前
記液状封止樹脂を硬化させる工程から成るものである。
また、本発明の第３の発明は、振動発生素子を配設した
リードフレームを、金型の樹脂充填部分の素子面に対向
する部分の形状がヒゲを生じないＲ形状または凸形状を
した金型中に配置し、成形７１、−７ 収縮性がありかつ低接着性の封止樹禰台奔編垂蒜脂を用
いて射出成形により封止する工程と、前記振動発生素子
の成形品を金型中から取り出した後に、前記リードと封
止樹脂の界面へ真空含浸により、液状封止樹脂を含浸さ
せ、その後前記、液状封止樹脂を硬化させる工程から成
るものである。
リードフレームを、金型の樹脂充填部分の素子面に対向
する部分の形状がヒゲを生じないＲ形状または凸形状を
した金型中に配置し、成形７１、−７ 収縮性がありかつ低接着性の封止樹禰台奔編垂蒜脂を用
いて射出成形により封止する工程と、前記振動発生素子
の成形品を金型中から取り出した後に、前記リードと封
止樹脂の界面へ真空含浸により、液状封止樹脂を含浸さ
せ、その後前記、液状封止樹脂を硬化させる工程から成
るものである。
まだ、本発明の第４の発明は、振動発生素子を配設した
リードフレームを、金型上下の温度が異なり素子面に対
向する部分の形状がヒゲを生じないＲ形状または６珍状
をした金型中に、前記素子を配置し、成形収縮性があり
かつ低接着性の封止樹脂を用いて射出成形により封止す
る工程と、前記振動発生素子の成形品を金型中から取り
出した後に、前記リードと封止樹脂界面へ真空含浸によ
り、液状封止樹脂を含浸させ、その後、前記液状封止樹
脂を硬化させる工程から成るものである。
リードフレームを、金型上下の温度が異なり素子面に対
向する部分の形状がヒゲを生じないＲ形状または６珍状
をした金型中に、前記素子を配置し、成形収縮性があり
かつ低接着性の封止樹脂を用いて射出成形により封止す
る工程と、前記振動発生素子の成形品を金型中から取り
出した後に、前記リードと封止樹脂界面へ真空含浸によ
り、液状封止樹脂を含浸させ、その後、前記液状封止樹
脂を硬化させる工程から成るものである。
作 用
本発明の第１の発明の作用は、上記した方法により、金
型中に配設された振動発生素子を成形収縮性がありかつ
低接着性の封止樹脂により封止成形することにより、封
止樹脂の密着性の悪さから、素子面に付着した封止樹脂
が、素子面から冷却過程の収縮、ヒゲ等の応力により、
剥離現象を起こし、封止樹脂と素子面に、剥離ギャップ
が発生し素子の振動を阻害しない空間を形成できるもの
である。また、封止樹脂の密着性の低さから、リードフ
レームへの密着も当然のごとく低いため、封止樹脂とリ
ードの界面部のギャップが生ずるが、これを液状封止樹
脂にて真空含浸によりシールする事により、耐湿等の信
頼性を向上させるものである。
型中に配設された振動発生素子を成形収縮性がありかつ
低接着性の封止樹脂により封止成形することにより、封
止樹脂の密着性の悪さから、素子面に付着した封止樹脂
が、素子面から冷却過程の収縮、ヒゲ等の応力により、
剥離現象を起こし、封止樹脂と素子面に、剥離ギャップ
が発生し素子の振動を阻害しない空間を形成できるもの
である。また、封止樹脂の密着性の低さから、リードフ
レームへの密着も当然のごとく低いため、封止樹脂とリ
ードの界面部のギャップが生ずるが、これを液状封止樹
脂にて真空含浸によりシールする事により、耐湿等の信
頼性を向上させるものである。
本発明の第２の発明の作用は、上記した方法により、素
子の空間の欲しい面に対して、金型温度が、上下で異な
り、低い方の面が、前記素子面に対向する様に配設され
封止樹脂により封止される工程により、前記、封止樹脂
の収縮、ヒゲ等の応力により剥離現象を起こし、封止樹
脂と素子面に剥離ギャップがよシ発生し素子の振動を阻
害し々い空間を形成できるものである。
子の空間の欲しい面に対して、金型温度が、上下で異な
り、低い方の面が、前記素子面に対向する様に配設され
封止樹脂により封止される工程により、前記、封止樹脂
の収縮、ヒゲ等の応力により剥離現象を起こし、封止樹
脂と素子面に剥離ギャップがよシ発生し素子の振動を阻
害し々い空間を形成できるものである。
本発明の第３の発明の作用は、上記した方法に９ ７、
−、。
−、。
より、素子に対向する部分の金型のキャビィティ形状が
、Ｒ形状の曲率または、凸形状を程している部分に封止
樹脂により封止される工程により、前記、封止樹脂の収
縮、ヒゲ等の応力により、剥離現象を起こし、封止樹脂
と素子面に剥離ギャップがさらによく発生し素子の振動
を阻害しない空間を形成できるものである。
、Ｒ形状の曲率または、凸形状を程している部分に封止
樹脂により封止される工程により、前記、封止樹脂の収
縮、ヒゲ等の応力により、剥離現象を起こし、封止樹脂
と素子面に剥離ギャップがさらによく発生し素子の振動
を阻害しない空間を形成できるものである。
本発明の第４の発明の作用は、上記した方法により、素
子の空間の欲しい面に対して、金型温度が、上下で異カ
リ、低い方の面が、前記素子面に対向する様に配設され
ると共に、素子に対向する部分の金型のキャビィティ形
状が、Ｒ形状の曲率または、凸形状を程している部分に
封止樹脂により封止される工程によれ、前記、封止樹脂
の収縮。
子の空間の欲しい面に対して、金型温度が、上下で異カ
リ、低い方の面が、前記素子面に対向する様に配設され
ると共に、素子に対向する部分の金型のキャビィティ形
状が、Ｒ形状の曲率または、凸形状を程している部分に
封止樹脂により封止される工程によれ、前記、封止樹脂
の収縮。
ヒゲ等の応力により剥離現象を起こし、封止樹脂と素子
面に剥離キャップが増々発生し素子の振動を阻害しない
空間を形成できるものである。
面に剥離キャップが増々発生し素子の振動を阻害しない
空間を形成できるものである。
実施例
以下、本発明の一実施例の表面波フィルターの製造方法
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
１０ ／・−１・
第１図は本発明の第１の実施例における表面波フィルタ
ーの項迄方法を示すものである。
ーの項迄方法を示すものである。
第１図ａは、表面波フィルター素子１をリードフレーム
２のアイランド部分３にボンディング配設し、素子１の
それぞれの電極４とリード２の端子５とをワイヤボンデ
ィング等によりそれぞれ金ワイヤ−６にて接続して導通
を確保する。しかる後に、第１図すに示す様に、素子１
を配設したリードフレーム２を上型γと下型８から成る
金型内にインサートし、成形収縮性がありかつ低接着性
の封止樹脂９（例えば、ポリフェニレンサルノアイド）
を金型のキャビィティ１０中に射出して封止成形を行な
い、第１図Ｃに示す様々モールディング１１されたリー
ドフレーム２を得る。しかる後、前記リードフレーム２
を第１図ｄに示す真空槽１２の中で１分間真空中に放置
した後、真空槽１２の中に置かれた液状封止樹脂（例え
ば、嫌気＋紫外線硬化型接着剤）１３の入った受器１４
の中に、前記リードフレーム２を浸漬した後、真空槽１
２を大気圧にもどし、１分間放置した後り−１１ ・−
７ ドフレーム２を取り出す。次に、第１図ｅに示す様に、
有機溶剤１４の入った洗浄槽１６の中でブラッシングモ
ーター１６にて洗浄し、余分な樹脂分を除去した後に、
第１図ｆに示した半断面の一部の様に、紫外線ランプ１
７のもとて紫外線の反射鏡１８を利用して、リードフレ
ーム２の上下方向から紫外線を照射し、第１図ｑに示す
様に、封止樹脂９とリードフレーム２の金属の界面に含
浸した液状封止樹脂１３の端部Ａを硬化させる。その後
、必要なリードフレーム２の端子５のＡ部を残して切断
し、封止樹脂形状にそってその底面部まで曲げて、第１
図りに示す表面波フィルターを得だ。
２のアイランド部分３にボンディング配設し、素子１の
それぞれの電極４とリード２の端子５とをワイヤボンデ
ィング等によりそれぞれ金ワイヤ−６にて接続して導通
を確保する。しかる後に、第１図すに示す様に、素子１
を配設したリードフレーム２を上型γと下型８から成る
金型内にインサートし、成形収縮性がありかつ低接着性
の封止樹脂９（例えば、ポリフェニレンサルノアイド）
を金型のキャビィティ１０中に射出して封止成形を行な
い、第１図Ｃに示す様々モールディング１１されたリー
ドフレーム２を得る。しかる後、前記リードフレーム２
を第１図ｄに示す真空槽１２の中で１分間真空中に放置
した後、真空槽１２の中に置かれた液状封止樹脂（例え
ば、嫌気＋紫外線硬化型接着剤）１３の入った受器１４
の中に、前記リードフレーム２を浸漬した後、真空槽１
２を大気圧にもどし、１分間放置した後り−１１ ・−
７ ドフレーム２を取り出す。次に、第１図ｅに示す様に、
有機溶剤１４の入った洗浄槽１６の中でブラッシングモ
ーター１６にて洗浄し、余分な樹脂分を除去した後に、
第１図ｆに示した半断面の一部の様に、紫外線ランプ１
７のもとて紫外線の反射鏡１８を利用して、リードフレ
ーム２の上下方向から紫外線を照射し、第１図ｑに示す
様に、封止樹脂９とリードフレーム２の金属の界面に含
浸した液状封止樹脂１３の端部Ａを硬化させる。その後
、必要なリードフレーム２の端子５のＡ部を残して切断
し、封止樹脂形状にそってその底面部まで曲げて、第１
図りに示す表面波フィルターを得だ。
封止樹脂に、ポリフェニレンサルファイド（ｐｐｓ ）
を用いる事により、その密着性の悪さから、キャビィテ
ィ中で、ＰＰＳが冷却、収縮。
を用いる事により、その密着性の悪さから、キャビィテ
ィ中で、ＰＰＳが冷却、収縮。
固化する過程で、第２図に示す様な収縮の力１９が働き
結果的に素子１０表面で剥離現象を起こし、素子１の表
面との間に数μの空間２０が生じ、素子１の振動を阻害
することが無くなシ、所期の特性の発現を得ることが出
来るものである。
結果的に素子１０表面で剥離現象を起こし、素子１の表
面との間に数μの空間２０が生じ、素子１の振動を阻害
することが無くなシ、所期の特性の発現を得ることが出
来るものである。
ｔだ、ＰＰＳ単体の封止ではリードフレームの金属と密
着性が悪いため、信頼性試験、特に耐湿試験（６０℃、
９０〜９５乃）において信頼性が不十分々ものであった
が、液状封止樹脂にて密着性の悪い部分に含浸すること
により、湿気の進入経路の密着性を向上させる事が可能
となり、信頼性が飛躍的に向上した。
着性が悪いため、信頼性試験、特に耐湿試験（６０℃、
９０〜９５乃）において信頼性が不十分々ものであった
が、液状封止樹脂にて密着性の悪い部分に含浸すること
により、湿気の進入経路の密着性を向上させる事が可能
となり、信頼性が飛躍的に向上した。
ここに、液状封止樹脂は、耐熱性が高く嫌気効果を待っ
たものが良い傾向を示しだ。まだ含浸条件等は、封止の
肉厚等により、適宜、真空圧１時間、含浸時間等の条件
を選択することが望ましい。
たものが良い傾向を示しだ。まだ含浸条件等は、封止の
肉厚等により、適宜、真空圧１時間、含浸時間等の条件
を選択することが望ましい。
また、前記実施例は、フープ・ツー・フープ等のライニ
化が図れるタクトとなり、生産性の高い製造方法である
。
化が図れるタクトとなり、生産性の高い製造方法である
。
次に、本発明の第２の実施例を説明する。前記第１の実
施例における表面波フィルターの製造方法において、第
１図すに示す金型（上型７、下型８）の温度を、上下、
異なる温度、つまシ、本実施例においては、上型１５０
℃、下型１７０℃と、１３６−ノ 素子１に対向する面の金型（本実施例においては、上型
７）の方を、低い温度にして、封止樹脂（ｐｐｓ：ポリ
フェニレンサルファイド）９を射出し封止成形を行なっ
た。
施例における表面波フィルターの製造方法において、第
１図すに示す金型（上型７、下型８）の温度を、上下、
異なる温度、つまシ、本実施例においては、上型１５０
℃、下型１７０℃と、１３６−ノ 素子１に対向する面の金型（本実施例においては、上型
７）の方を、低い温度にして、封止樹脂（ｐｐｓ：ポリ
フェニレンサルファイド）９を射出し封止成形を行なっ
た。
その結果、流入樹脂の冷却速度の差が、上型と下型キャ
ピテイで異なり、収縮応力に差が発生し、よシ素子１と
の間に剥離が生じ、空間２ｏがより大きく発生し、素子
１の振動を阻害することが無く、安定して表面波フィル
ターの初期特性の発現を得ることが出来だものである。
ピテイで異なり、収縮応力に差が発生し、よシ素子１と
の間に剥離が生じ、空間２ｏがより大きく発生し、素子
１の振動を阻害することが無く、安定して表面波フィル
ターの初期特性の発現を得ることが出来だものである。
次に、本発明の第３の実施例を、説明する。
前記第１の実施例における表面波フィルターの製造方法
において、第１図すに示す金型（上型７゜下型８）の形
状を第３図ａ、ｂに概略断面図を示すように、上型７の
キャビティの形状をＲ形状にして、封止樹脂（ＰＰＳ：
ポリフェニレンサルファイド）９を射出し、封止成形を
行なった。
において、第１図すに示す金型（上型７゜下型８）の形
状を第３図ａ、ｂに概略断面図を示すように、上型７の
キャビティの形状をＲ形状にして、封止樹脂（ＰＰＳ：
ポリフェニレンサルファイド）９を射出し、封止成形を
行なった。
また、第４図に示す凸形状の金型７，８、ギヤ４テイ１
０に、同様に封止樹脂（ＰＰＳ）９を射出し、封止成形
を行った。
０に、同様に封止樹脂（ＰＰＳ）９を射出し、封止成形
を行った。
１４ ヘ−ノ
その結果、Ｒ形状、凸形状共に、収縮の方向が、外周部
からの収縮を抑えられるだめに、素子面からの剥離力が
向上し、さらに空間が形成され、表面波フィルターの初
期特性をより良く安定して得ることが出来だ。
からの収縮を抑えられるだめに、素子面からの剥離力が
向上し、さらに空間が形成され、表面波フィルターの初
期特性をより良く安定して得ることが出来だ。
まだ、このＲ形状あるいは凸形状が素子の両面に対向す
る金型を使用した製造方法では、素子の両面に空間がよ
シ大きく形成されることが分った。
る金型を使用した製造方法では、素子の両面に空間がよ
シ大きく形成されることが分った。
次に本発明の第４の実施例を説明する。
前記第３の実施例における表面波フィルターの製造方法
において、第３図又は第４図に示す金型（上型７．下型
８）の温度を、上工具なる温度、つまシ本実施例におい
ては上型１５０℃、下型１７０℃とし、素子１に対向す
る面の金型（本実施例においては、上型７）を、低い温
度にして、封止樹脂（ＰＰＳ）９を射出し封止成形を行
なった。その結果、金型温度差による上型と下型キャ鴨
ティの封止樹脂の冷却固化速度の違いによる収縮の差お
よびキヤ論ティのＲ形状、また別な凸形状による収縮の
方向の制御相乗効果により、飛躍１５ １、：、−ｉ 的に素子面からの封止樹脂の剥離が促進されると同時に
空間が形成され、表面波フィルターの初期特性が、飛躍
的に向上し、安定して得ることが出来た。
において、第３図又は第４図に示す金型（上型７．下型
８）の温度を、上工具なる温度、つまシ本実施例におい
ては上型１５０℃、下型１７０℃とし、素子１に対向す
る面の金型（本実施例においては、上型７）を、低い温
度にして、封止樹脂（ＰＰＳ）９を射出し封止成形を行
なった。その結果、金型温度差による上型と下型キャ鴨
ティの封止樹脂の冷却固化速度の違いによる収縮の差お
よびキヤ論ティのＲ形状、また別な凸形状による収縮の
方向の制御相乗効果により、飛躍１５ １、：、−ｉ 的に素子面からの封止樹脂の剥離が促進されると同時に
空間が形成され、表面波フィルターの初期特性が、飛躍
的に向上し、安定して得ることが出来た。
発明の効果
以上述べたように、本発明の第１の発明によれば、成形
収縮性がありかつ低接着性の封止樹脂で成形する事によ
り、振動発生素子表面に、空間を形成することが可能と
なシ結果、素子の振動を阻げる事が無くなシ、優れた特
性を発現しうるものである。まだ樹脂によるダイレクト
封止のため、缶封止等に比べ安価であり、またチップ部
品化も簡単に出来るものである。さらに、耐湿試験等の
信頼性面で最大のウィークポイントである封止樹脂とリ
ード金属との界面部よ）浸入する水分等を別な液状封止
樹脂で真空含浸し、硬化させる事により防止し、信頼性
の向上が図れるものである。
収縮性がありかつ低接着性の封止樹脂で成形する事によ
り、振動発生素子表面に、空間を形成することが可能と
なシ結果、素子の振動を阻げる事が無くなシ、優れた特
性を発現しうるものである。まだ樹脂によるダイレクト
封止のため、缶封止等に比べ安価であり、またチップ部
品化も簡単に出来るものである。さらに、耐湿試験等の
信頼性面で最大のウィークポイントである封止樹脂とリ
ード金属との界面部よ）浸入する水分等を別な液状封止
樹脂で真空含浸し、硬化させる事により防止し、信頼性
の向上が図れるものである。
また、本発明の第２の発明によれば、封止成形時の金型
温度に差をつけることにより、封止樹脂の冷却固化の差
により、素子面により大きな空間を形成でき結果として
より安定した特性を持った樹脂封止部品が簡単に出来る
ものである。
温度に差をつけることにより、封止樹脂の冷却固化の差
により、素子面により大きな空間を形成でき結果として
より安定した特性を持った樹脂封止部品が簡単に出来る
ものである。
まだ本発明の第３の発明によれば、封止成形時の金型の
キャビィティ形状を、素子面に対向してＲ形状、または
凸形状にして封止樹脂で成形する製造方法により、増々
、封止樹脂のキャビィティ中での冷却固化の過程で、収
縮の方向がより素子面と対抗する形に発生し、素子面に
より大きな空間を形成させることができ、より安定した
特性を持ったフィルター等が簡単に出来るものである。
キャビィティ形状を、素子面に対向してＲ形状、または
凸形状にして封止樹脂で成形する製造方法により、増々
、封止樹脂のキャビィティ中での冷却固化の過程で、収
縮の方向がより素子面と対抗する形に発生し、素子面に
より大きな空間を形成させることができ、より安定した
特性を持ったフィルター等が簡単に出来るものである。
また本発明の第４の発明によれば、封止成形時の金型に
温度差をつけ、さらに金型のキャビィティ形状をＲ形状
あるいは凸形状にして封止樹脂で成形する製造方法によ
り、最大の素子面への空間を形成することができ、最高
の安定した特性を得られるものである。
温度差をつけ、さらに金型のキャビィティ形状をＲ形状
あるいは凸形状にして封止樹脂で成形する製造方法によ
り、最大の素子面への空間を形成することができ、最高
の安定した特性を得られるものである。
第１図ａ −ｈは本発明の第１実施例における表面波フ
ィルターの製造工程を示す概略図、第２図は封止樹脂の
収縮方向を示す説明図、第３図ａ。 １了、−ノ ｂは本発明の第３実施例の金型のキャビィティ形状を示
す縦断正面図と縦断側面図、第４図は同変形側の縦断側
面図、第５図は従来例の製造方法で作られた缶封止の概
略図である。 １・・・・・・素子、２・・・・・・リードフレーム、
７・・・・・上型、８・・・・・・下型、９・・・・・
・封止樹脂、１０・・・・・・キャビィティ、１２・・
・・・・真空槽、１３・・・・・・液状封止樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名□Ｃ
） 第１図 （αン
（ｂン■
ィルターの製造工程を示す概略図、第２図は封止樹脂の
収縮方向を示す説明図、第３図ａ。 １了、−ノ ｂは本発明の第３実施例の金型のキャビィティ形状を示
す縦断正面図と縦断側面図、第４図は同変形側の縦断側
面図、第５図は従来例の製造方法で作られた缶封止の概
略図である。 １・・・・・・素子、２・・・・・・リードフレーム、
７・・・・・上型、８・・・・・・下型、９・・・・・
・封止樹脂、１０・・・・・・キャビィティ、１２・・
・・・・真空槽、１３・・・・・・液状封止樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名□Ｃ
） 第１図 （αン
（ｂン■
Claims (4)
- （１）振動発生素子を配設したリードフレームを金型中
に配置し、成形収縮性がありかつ低接着性の封止樹脂を
用いて射出成形により封止する工程と、前記振動発生素
子の成形品を金型中から取り出した後に、前記リードと
封止樹脂の界面へ真空含浸により、液状封止樹脂を含浸
させ、その後、前記液状封止樹脂を硬化させる工程から
成る振動発生素子を有する封止部品の製造方法。 - （２）振動発生素子を配設したリードフレームを、金型
上下の温度が異なり、素子面に対向する金型の方が低い
温度の金型中に配置し、成形収縮性がありかつ低接着性
の封止樹脂を用いて射出成形により封止する工程と、前
記振動発生素子の成形品を金型中から取り出した後に、
前記リードと封止樹脂の界面へ真空含浸により、液状封
止樹脂を含浸させ、その後、前記液状封止樹脂を硬化さ
せる工程から成る振動発生素子を有する封止部品の製造
方法。 - （３）振動発生素子を配設したリードフレームを、金型
の樹脂充填部分の素子面に対向する部分の形状が、ヒゲ
を生じないＲ形状または凸形状をした金型中に配置し、
成形収縮性がありかつ低接着性の封止樹脂を用いて射出
成形により封止する工程と、前記振動発生素子の成形品
を金型中から取り出した後に、前記リードと封止樹脂の
界面へ真空含浸により、液状封止樹脂を含浸させ、その
後、前記液状封止樹脂を硬化させる工程から成る振動発
生素子を有する封止部品の製造方法。 - （４）振動発生素子を配設したリードフレームを、金型
上下の温度が異なり素子面に対向する金型の方が低い金
型であり、なおかつ樹脂充填部分の素子面に対向する部
分の形状が、ヒゲを生じないＲ形状または凸形状をした
金型中に、前記振動発生素子を配置し、成形収縮性があ
りかつ低接着性の封止樹脂を用いて射出成形により封止
する工程と、前記振動発生素子の成形品を金型中から取
り出した後に、前記リードと封止樹脂の界面へ真空含浸
により、液状封止樹脂を含浸させ、その後、前記液状封
止樹脂を硬化させる工程から成る振動発生素子を有する
封止部品の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62316613A JPH01157610A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 |
| KR1019880016549A KR940000430B1 (ko) | 1987-12-15 | 1988-12-13 | 진동발생소자를 가진 전자부품의 제조방법 |
| US07/284,427 US4927580A (en) | 1987-12-15 | 1988-12-14 | Method for manufacturing electronic device including a vibration generating element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62316613A JPH01157610A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157610A true JPH01157610A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18079014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62316613A Pending JPH01157610A (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4927580A (ja) |
| JP (1) | JPH01157610A (ja) |
| KR (1) | KR940000430B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531344U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-23 | 京セラ株式会社 | ラダー型フイルタ |
| US11503893B2 (en) * | 2020-03-20 | 2022-11-22 | Crystal International (Group) | Shock absorbing cosmetic compact |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322543A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-30 | Siemens Ag | 電子デバイスの被覆方法及び装置 |
| ATE130803T1 (de) * | 1990-08-03 | 1995-12-15 | Canon Kk | Farbstrahlaufzeichnungskopfherstellungsverfahre . |
| US5218759A (en) * | 1991-03-18 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Method of making a transfer molded semiconductor device |
| EP0562556A1 (en) * | 1992-03-24 | 1993-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| US5768813A (en) * | 1992-05-13 | 1998-06-23 | Reboul; Jerome | Carrier for an electronic identification device |
| US5248467A (en) * | 1992-07-27 | 1993-09-28 | Cushman William B | Injection of molding material into molds that may contain cores and/or fibers |
| JPH06325322A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-11-25 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH07183317A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造装置及び製造方法 |
| DE4427309C2 (de) * | 1994-08-02 | 1999-12-02 | Ibm | Herstellung eines Trägerelementmoduls zum Einbau in Chipkarten oder andere Datenträgerkarten |
| US5702775A (en) * | 1995-12-26 | 1997-12-30 | Motorola, Inc. | Microelectronic device package and method |
| US5892417A (en) * | 1996-12-27 | 1999-04-06 | Motorola Inc. | Saw device package and method |
| DE19926181C1 (de) * | 1999-06-09 | 2000-12-14 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Magazin für mikrostrukturierte Formteile und Verfahren zu dessen Herstellung |
| NL1026407C2 (nl) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het beheersbaar omhullen van elektronische componenten. |
| US7162388B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-01-09 | Fci Americas Technology, Inc. | Vehicle air bag electrical system |
| US7905650B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Backlight suitable for display devices |
| CN103994845B (zh) * | 2013-02-19 | 2019-09-10 | 精工爱普生株式会社 | 力检测装置、机械手、以及移动体 |
| JP2015184005A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 力検出装置、およびロボット |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL42363A0 (en) * | 1972-07-04 | 1973-07-30 | Lepetit Spa | 1,2,4-oxadiazole derivatives |
| JPS6029227B2 (ja) * | 1977-08-22 | 1985-07-09 | 株式会社日立製作所 | リ−ドフレ−ム |
| US4641418A (en) * | 1982-08-30 | 1987-02-10 | International Rectifier Corporation | Molding process for semiconductor devices and lead frame structure therefor |
| JPS5961934A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の樹脂モ−ルド方法および樹脂モ−ルド構造 |
| JPS59111334A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-27 | Toshiba Corp | モ−ルド金型 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP62316613A patent/JPH01157610A/ja active Pending
-
1988
- 1988-12-13 KR KR1019880016549A patent/KR940000430B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-12-14 US US07/284,427 patent/US4927580A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531344U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-23 | 京セラ株式会社 | ラダー型フイルタ |
| US11503893B2 (en) * | 2020-03-20 | 2022-11-22 | Crystal International (Group) | Shock absorbing cosmetic compact |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4927580A (en) | 1990-05-22 |
| KR940000430B1 (ko) | 1994-01-20 |
| KR890011063A (ko) | 1989-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01157610A (ja) | 振動発生素子を有する封止部品の製造方法 | |
| US3981074A (en) | Method for producing plastic base caps for split cavity type package semi-conductor units | |
| JP6451117B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| WO1998029942A1 (en) | Saw device package and method | |
| JPH08288776A (ja) | プラスチック封止ｓａｗ装置および方法 | |
| JP2867954B2 (ja) | チップ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0258804B2 (ja) | ||
| JPH03257734A (ja) | 電子スイッチ | |
| JP2001237142A (ja) | フィルムコンデンサ及び樹脂成形部品 | |
| JP3014873B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0232787B2 (ja) | ||
| JP2662015B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58148438A (ja) | プラスチツクｉｃチツプパツケ−ジ | |
| JPH04299609A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2003249605A (ja) | 半導体装置、その製造方法、及びその金型 | |
| JPH0237752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02222551A (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH02222552A (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2000153545A (ja) | 電子コンポ―ネントの製造方法 | |
| JP2002103370A (ja) | 電子部品の封止方法 | |
| JPH0346358A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002289717A (ja) | リードフレーム、電子部品装置及びその製造方法 | |
| JPS6355945A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH03178151A (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58132917A (ja) | 樹脂充填型コンデンサの製造方法 |