JPH01118513A - 感光性重合体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子を始めとするエレクトロニクス素
子等に用いられる感光性重合体組成物に関するものであ
る。

（従来の技術） 従来、半導体素子等の表面保護膜や層間絶縁膜としては
、膜形成が容易なこと、平坦化が可能なこと、耐熱性が
鳥くしかも電気特性９機械特性にすぐれている等の理由
からポリイミドが幅広く用いられている。

また最近では、ポリイミドを用いた膜形成プロセスを合
理化する目的でフォトレジストの機能を兼ね合わせた感
光性重合体組成物の開発検討が数多く行なわれている。

これは、まず、溶液状態で基板に塗布乾燥し。

塗膜形成後所定のマスクを用いて露光し、現像によって
パターンを形成し１次に２００〜４００℃の温度で硬化
させ最終的にポリイミドとして用いる。

具体的な例として、ポリイミド前駆体のポリアミド酸と
重クロム酸塩からなる系が提案されたが。

この材料は実用的な光感度を有し、膜形成能が高い等の
長所を有する反面、保存安定性に欠けまたポリイミド中
にクロムイオンが残存するなどの欠点があり、実用には
至らなかった。

また式（２）で表わされるポリイミド前駆体に感光基を
エステル結合で導入した感光性ポリイミド前駆体に増感
剤や光重合開始剤を加える方法や・・・・・・・・・（
２） ポリイミド前駆体のポリアミド酸に炭素−炭素二重結合
を有するアミン化合物及び増感剤を添加する方法が知ら
れている。

しかし、前者の方法では、パターン形成後、加熱処理に
よシ感光基を除去してポリイミドにする際、４００〜４
３０℃の熱処理が必要で従来から知られているポリイミ
ド前駆体の耐熱性では、これら熱処理に耐えられず、熱
処理工程で膜が劣化してしまうという問題があった。

また後者の方法では、熱処理による感光基の脱離は容易
であるが、この方法は露光後の現像工程において露光部
分の塗膜も溶解してし塘うため。

現像後の露光部分の膜厚管理が困難であるという問題が
あった。

また、上記いずれの方法の場合でも芳香族ポリイミド前
駆体をペースポリマとして用いる場合は。

紫外領域での光の透過性が低いため厚膜形成をするのが
困難である。これを解決する手段として光の透過性を向
上させる目的で脂肪族系を用いた方法が種々行なわれて
いるが、耐熱性が低下してしまうため高い耐熱性が要求
される半導体等電子部品の絶縁膜に適用するのは困難で
あった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記に示した従来技術の問題点を解決した保
存安定性、耐熱性及び現像特性にすぐれ。

かつ厚膜形成可能な感光性重合体組成物を提供するもの
である。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、一般式（１） ％式％（１１ （但し式中几ｌは２価の有機基で、Ｓシ、几３は炭素−
炭素二重結合を有する基を示し、Ｘは酸素原子又はＮＨ
基を示し、ｎは１以上の整数を示す。）で表わされる構
造単位を含むポリイミド前駆体および光重合開始剤を含
有してなる感光性重合体組成物に関する。

本発明におけるポリイミド前駆体は１式（３）で表わさ
れるパラ−ターフェニル−ａ、　４．　ｙ　４’−テト
ラカルボン酸二無水物 ＯＯ を用いて得られる。

この酸無水物は１本発明者らによって得られた新規な化
合物であって、下に示す式（４）のようなダブルクロス
カップリング反応によって得られる。

（但し９式中Ｘ、、Ｘ、は、塩素、臭素またはヨウ素を
示す。） ｆｌＪ、ｔハ、　　４−プロモーオルトーキシレント金
属マグネシウムと反応させてグリニヤール試薬としたの
ち、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル
、ジブロモビス（）　Ｉ７７二二ルホスフイン）ニッケ
ルなどのニッケル金属錯体触媒の存在下ニバラジハロゲ
ノベンゼンとのダブルクロスカップリング反応によって
３．４に＋’−テトラメチルーバラーターフェニルとす
る。次にこれを過マンガン酸塩、硝酸、液相空気酸化に
よってノ（ラーターフェニルテトラカルボン酸とし、こ
の後加熱するか、あるいは無水酢酸を加えることによっ
て）くラーターフェニル−３４，ａｊ４’−テトラカル
ボン酸二無水物とすることができる。

本発明に用いられる一般式（１）で表わされるポリイミ
ド前駆体は、（３）式で宍わされるパラ−ターフェニル
−λ４９ｇ４′−テトラカルボン酸トジアミンとを有機
溶媒中で反応させて得られる一般式（５）で表わされる
ポリアミド酸に ・・・・・・・・・（５） （但し式中部は２価の有機基を示し、ｎは１以上の整数
を示す。） 式（６）で表わされる光によシニ量化又は１合可能な炭
素−炭素二重結合を含み、かつポリアミド酸　　′のカ
ルボキシル基と容易に反応する反応基を含む化合物を反
応させることによって得られる。

（但し式中、Ｒ”、Ｒ４及びＲｓは水素原子又はメチル
基、Ｒ６は２価の炭化水素基、ＹはＮＣＯ基又はジアミ
ンとしては９例えば４４−ジアミノジフェニルエーテル
、ジアミノジフェニルメタン、４゜４’　−ジアミノジ
フェニルスルホン、　４４’−ジアミノジフェニルスル
フィド、ベンジン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−
フェニレンジアミン、１゜５−す７タレンジアミン、λ
６−す７タレンジアミン、ジアミノジフェニルエーテル
−３−スルホンアミド、亀４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル−４−スルホンアミド、＆４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−３′−スルホンアミド、亀３′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−４−スルホンアミド、４．４’
−ジアミノジフェニルメタン−３−スルホンアミド、亀
４″−ジアミノジフェニルメタン−４−スルホンアミド
、３．４’−ジアミノジフェニルメタンー３′−スルホ
ンアミド、４３′−ジアミノジフェニルメタン−４−ス
ルホンアミド、４＜−ジアミノジフェニルスルホン−３
−スルホンアミド、３．４’−ジアミノジフェニルスル
ホン−４−スルホンアミ）’、　３，４ニージアミノジ
フエニルスルホン−３′−スルホンアミド、＆３′−ジ
アミノジフェニルスルホン−４−スルホンアミド、４４
’−ジアミノジフェニルサルファイド−３−スルホンア
ミド、３．４’−ジアミノジフェニルサルファイド−４
−スルホンアミド、λ３′−ジアミノジフェニルサルフ
ァイド−４−スルホンアミド、亀４′−ジアミノジ７二
二ルサルファイド−３′−スルホンアミド、Ｌ４−ジア
ミノベンゼン−２−スルホンアミド、４．４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル−３−カルボンアミド。

＆４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−カルボンア
ミド、亀４′−ジアミノジフェニルエーテル−３′−カ
ルボンアミド、３．３’−ジアミノジフェニルエーテル
−４−カルボンアミド、４４′−ジアミノジフェニルメ
タン−３−カルボンアミド、３．４’−ジアミノジフェ
ニルメタン−４−カルボンアミド。

３．４′−ジアミノジフェニルメタン−３′−カルボン
アミド、＆３′−ジアミノジフェニルメタン−４−カル
ボンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン−
３−カルボンアミド、＆４′−ジアミノジフェニルスル
ホン−４−カルボンアミド、ペイ−ジアミノジフェニル
スルホン−３′−カルボンアミド。

亀３′−ジアミノジフェニルスルホン−４−カルボンア
ミド、４．４’−ジアミノジフェニルサルファイド−３
−カルボンアミド、亀４′−ジアミノジフェニルサルフ
ァイド−４−カルボンアミド、３．３’−ジアミノジフ
ェニルサルファイド−４−カルボンアミド、亀４′−ジ
アミノジフェニルサルファイド−３′−スルホンアミド
、１．４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド、４
．４’−ジアミノジフェニルエーテル−＆３′−スルホ
ンアミド、３．４’−シフ尺ノジフェニルエーテル−４
，５′−カルボンアミド。

３．３’−シ７ミ）ジフェニルエーテル−４，４′−ス
ルホンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルメタン−
へ３′−カルボンアミド、３．４’−ジアミノジフェニ
ルｙｌ　ｆｉ　７−４．５’−スルホンアミドなどが、
ｌｆ　ラレる。

この他に１次の一般式（７） （但し１式中Ｒ１は２価の炭化水素基、Ｒｌｓは１価の
炭化水素基であｆｉＲ’、Ｒ−は同じでも異なってもよ
く９ｍは１以上の整数である）で表わされるジアミノシ
ロキサンを用いることができ、この化合物としては ＣＨ，ＣＨｓ などが挙げられる。

また、ポリアミド酸を得るときに、その他のテトラカル
ボン酸二無水物を併用してもよい。例えばピロメリット
酸二無水物、３，３：４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、３，３Ｓ４，４’−ヒフェニルテ
トラカルポン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、ス３，６．７−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、λ３，５．６−ピリジンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５．８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、３，４９．１０−ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物、４．４’−スルホニルシフタル酸二無
水物、　　１．３−ヒ、ｔ、（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）　−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン二無水物、１．５−ビス（ミ４−ジカルボキシフェニ
ル”）　−１，１，ａ　＆　５．５−へキサメチルジシ
ロキサン二無水物等が用いられる。

その他のテトラカルボン酸二無水物を併用する場合には
、ポリイミド前駆体は、上記の構造単位に加えてテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンの反応による構造単位を
含むことになる。

本発明におけるポリイミド前駆体は９例えばＮ−メチル
−２−ピロリドン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、
　Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチレンホスホルアミド。

テトラメチレンスルホン、ｐ−クロロフェノール。

ｐ−ブロモフェノール等の極性溶媒に前記したジアミン
成分を溶解した後、パラ−ターフェニル−λ４３ｊ４’
−テトラカルボン酸二無水物またはこれを含む酸成分を
加え、８０℃以下、好ましくは室温付近ないしそれ以下
の温度で攪拌しながら反応させることによって得られる
。酸成分とジアミン成分とは好寸しくけ等モルで用いら
れる。

その他、この極性溶媒以外に一般的有機溶媒であるケト
ン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン
化炭化水素類、炭化水素類例えばアセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュク酸ジエ
チル、マロン酸ジエチル、ｒ−ブチロラクトン、ジエチ
ルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、１．２−ジクロルエタン、１．
４−ジクロルブタン、トリクロルエタン。

クロルベンゼン、Ｏ−ジクロルベンゼン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン、ベンゼン、トルエン。

キシレン等も使用することができる。ポリイミド前駆体
を完全に溶解させるためにはこれらの一般的有機溶媒は
前記の極性溶媒と混合して用いることが望ましい。この
有機溶媒の使用量は好ましくはポリアミド酸に対して１
０〜９５重量％であシ。

より好ましくは３０〜８０重量％である。

本発明に用いられる式（６）で表わされるイソシアネー
ト化合物としては、インシアネートエチルアクリレート
、イソシアネートプロピルアクリレート、イソシアネー
トブチルアクリレート、イソシアネートペンチルアクリ
レート、イソシアネートヘキシルアクリレート、イソシ
アネートオクチルアクリレート、イソシアネートデシル
アクリレート、イソシアネートオクタデシルイソシアネ
ート。

イソシアネートエチルメタクリレート、インシアネート
プロピルメタクリレート、イソシアネートフチルアクリ
レート、イソシアネートペンチルメタクリレート、イソ
シアネートへキシルメタクリレート、インシアネートオ
クチルメタクリレート。

イソシアネートデシルメタクリレート、インシアネート
オクタデシルメタクリレート、イソシアネートエチルク
ロトネート、イソシアネートプロピルクロトネート、イ
ンシアネートへキシルクロトネート等が挙げられる。市
販品としては、ダウ・ケミカル社製ＩＢＭ（イソシアネ
ートエチルメタクリレート）がある。これらの化合物は
、１種類単独でも２糧類以上を組み合わせて使用するこ
ともできる。

本発明における一般式（５）で表わされるポリアミド酸
とイソシアネート化合物との反応は、上記のポリアミド
酸の合成に用いた有機溶媒中で９通常θ〜１００℃、好
ましくは２０〜７０℃の温度で行なわれる。イソシアネ
ート化合物のポリアミド酸に対する割合は０組成物の感
度および塗膜の耐熱性の点から、ポリアミド酸のカルボ
キシル基１モルに対して通常０．１〜０．９モル、好ま
しくは０．４〜０．８モルの範囲とされる。

イソシアネート化合物とこのポリアミド酸との反応は、
トリエチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、　Ｎ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミン、１．４−ジアゾビシクロ
〔スス２〕オクタン等のアミン、ジブチルスズジラウレ
ート、ジブチルスズジアセテート等のスズ化合物などを
用いると容易となる。

これらは通常インシアネート化合物に対して約０．５〜
２５重量−の範囲で用いることができる。

式（６）で表わされるエポキシ化合物としては。

リ などが挙げられる。これらの化合物は、１種類単独でも
２８１類以上を組み合わせて使用することもできる。

本発明における一般式（５）で表わされるポリアミド酸
とエポキシ化合物との反応は、上記のポリアミド酸の合
成に用いた溶媒中で通常６０〜１２０℃、好ましくは、
７０℃〜９０℃の反応温度でトリエタノールアミン、ト
リエチルアミン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、　Ｎ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミンなどを触媒として、ポリア
ミド酸のカルボキシル基１当量に対してエポキシ化合物
を０．１〜０．９モル、好ましくは０．４〜０．８モル
反応させることによって行なわれる。

また９本発明に用いられる一般式（１）で表わされるポ
リイミド前駆体の合成法として９式（８）で示すように
、バラ−ター７二二ルーヘ４，３：４′−テトラカルボ
ン酸二無水物に、炭素−炭素二重結合を含むアルコール
と反応させてハーフエステルの中間体を得、これを二官
能のインシアネート化合物と反応させることによって得
ることも可能である。

（中間体） ・・・・・・・・・（８） （但し式中Ｒ，ｌは２価の有機基、Ｐは炭素−炭素二重
結合を有する基を示し、ｎは１以上の整数を示す）炭素
−炭素二重結合を有する基を含むアルコールとしては、
２−ヒドロキシエチルシンナメート。

２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエ
チルメタクリレートなどが挙げられ、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、ジメチルアセトアミド。

ジメチルホルムアミド、ベンゼン、キシレン、メチルエ
チルケトン、γ−ブチロラクトン等の有機溶媒中でトリ
エチルアミン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン等の
塩基性触媒下で５０℃〜１００℃。

好ましくは７０℃〜９０℃の温度の範囲で、バラ−ター
フェニル−３，４，３ｊ４’−テトラカルボン酸二無水
物と反応させることにより中間体のハーフエステルを得
ることができる。

二官能のイソシアナート化合物としてはジフェニルメタ
ンジイノシアナート、ジフェニルエーテルジイソシアナ
ート、ビフェニルジインシアナート、ジフェニルスルフ
ィドジイソシアナートなどがあげられ、これらを前記し
たハーフエステル中間体と５０〜１００℃、好ましくは
７０’Ｃ〜９０℃の温度の範囲でトリエチルアミン、　
Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン等の塩基性触媒下で反
応させることにより９本発明における一般式（１）で表
わされるポリイミド前駆体を得ることができる。

本発明に用いられる光重合開始剤としては１例えばミヒ
ラーズケトン、ベンゾイン、２−メチルベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエ
ーテル、２−ｔ−７’チルアントラキノン、１，２−ベ
ンゾ−９，１０−アントラキノン、アントラキノン、メ
チルアントラキノン、４．４’−ビス（ジエチルアミノ
）ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、
チオキサントン、１，５−アセナフテン、２．２−ジメ
トキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシ
シクロへキシルフェニルケトン、２−メチル−（４−（
メチルチオ）フェニル〕−２−そルアオリノー１−プロ
パノン、ジアセチル、ベンジル。

ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール
、ジフェニルジスルフィド、アントラセン等を挙げるこ
とができる。また、さらに高感度にする目的で光重合開
始剤以外に重合性不飽和化合物を加えても差しつかえな
い。重合性不飽和化合物としては各種のものがあるが、
アクリル酸系化合物、メタクリル酸系化合物などが実用
的である。

具体的なアクリル酸系化合物としては、アクリル酸、メ
チルアクリレート、エチルアクリレート。

ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート
、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、
シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、
カルピトールアクリレート。

メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチル
アクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ブチ
レングリコールモノアクリレート、　Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノエチルアクリレ−）、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエ
チルアクリレート。

グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
リレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、ト
リメチロールプロパンモノアクリレート、アリルアクリ
レート、Ｌ３−プロピレングリコールジアクリレート、
１．４−ブチレングリコールジアクリレート、１．６−
ヘキサングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリ
コールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアク
リレート、ス２−ビス−（４−アクリロキシジェトキシ
フェニル）プロパン、２．２−ヒス−（４−７り’１７
０キシプロピルキシフェニル）プロパン、トリメチロー
ルプロパンジアクリレート、ペンタエリスリトールジア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレード
、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリアクリ
ルホルマール、テトラメチロールメタンテトラアクリレ
ート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌル酸
のアクリル酸エステル。

（ａは１〜３０の整数） （ａ、ｂはａ−）−ｂが２〜３０となる整数）ＣＨ，Ｂ
ｒ ■ 等を挙げることができる。またメタクリル酸系化合物と
しては、メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチル
メタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピ
ルメタクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチル
メタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベン
ジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、エチル
へキシルメタクリレート、メトキシエチルメタクリレー
ト。

エトキシエチルメタクリレート、ブトキシエチルメタク
リレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキ
シプロピルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタク）
Ｊレート、ヒドロキシペンチルメタクリレート、　Ｎ、
Ｎ−ジメチルアミノメタクリレート、　Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルアミノメタクリレート。

グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメ
タクリレート、メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ラン、アリルメタクリレート、トリメチロールプロパン
モノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタク
リレート、１．３−プチレングリコールジメタクリレー
）、１．６−ヘキサングリコールジアクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジメタクリレート、　　２．２−ヒ
ｘ−（４−メタクリロキシジェトキシフェニル）プロパ
ン。

トリメチロールプロパンジメタクリレート、ペンタエリ
スリトールジメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート
、トリス（２−ヒドロキシエチル）インシアヌル酸のメ
タクリル酸エステル。

（Ｃは１〜３０の整数） −セＣＨ，ＣＨ，Ｏう；７Ｃ−Ｃ＝ＣＨ。

ＣＨ８ （ｃ、ｄはｅ　＋ｄが１〜３０七なる整数）ＣＨ，Ｂｒ 等を挙げることができる。またクロトン酸ブチル。

グリセリンモノクロネート、ビニルブチレート。

ビニルトリメチルアセテート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルラクテート。

安息香酸ビニル、ジビニルサクシネート、ジビニルフタ
レート、メタクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミ
ド、Ｎ−エチルメタクリルアミド。

Ｎ−アリールメタクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル
−Ｎ−メチルメタクリルアミド、アクリルアミド、Ｎ−
ｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルア
ミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ブ
トキシメチルアクリルアミド、ダイア七トンアクリルア
ミド、ヘキシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニル
エーテル。

ビニルトリルエーテル、多価アルコールのポリビニルエ
ーテル、スチレン誘導体として例えばオルト及びパラ位
にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、カルボキシル
基、アリル基などの置換基を持ったスチレン、ジビニル
ペ／ゼ／、了りルオキシエタノール、ジカルボン酸のジ
アリルエステル。

Ｎ−ビニルオキサゾリドン、Ｎ−ビニルイミダゾール、
Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカルバゾール等電用
い°ることかできる。これらは単独でまたは混合物とし
て用いられる。

光重合開始剤及び重合性不飽和化合物の配合割合は、感
光性重合体組成物の感度及び硬化膜の耐熱性の点から、
一般式（１）で表わされるポリイミド前駆体１００重量
部に対して重合性不飽和化合物通常１〜５０重量部、好
ましくは５〜３０重量部とされ、光重合開始剤の使用量
は、一般式（１）で表わされるポリイミド前駆体１００
重量部又はポリイミド前駆体および重合性不飽和化合物
１００重量部に対して通常０．０１〜３０重量部、好ま
しくは０．１〜１０重量部とされる。

本発明の感光性重合体組成物は１通常の微細加工技術に
よりパターン加工することが可能である。

本発明の感光性重合体組成物を、ガラス基板、シリコー
ンウェーハ等の支持基板上に塗布するに際しては、スピ
ンナーを用かた回転塗布°、浸漬、噴霧印刷等の手段が
用いられる。塗布膜厚は塗布手段９本発明の感光性重合
体組成物のフェスの固形分濃度、粘度等によシ調節可能
である。

乾燥工糧により支持基板上で、被膜となった本発明の感
光性重合体組成物に光源を照射し１次いで未露光部分を
現像液で溶解除去することにより。

レリーフ・パターンが得られる。この際光源は紫外線、
可視光線、放射線等が用いられる。

現像液としては１例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホ午シト、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメ
チルイミダゾリジノン、Ｎ−ヘンシル−２−ピロリドン
、Ｎ−アセチル−８−カプロラクタム等の非プ０）７性
極性溶媒が。

単独でまたはポリアミド酸の非溶媒９例えばメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール。

へ７セ７、　　トルエン、キシレン、メチルセロソルブ
、水等との混合液として用いられる。

次いで現像により形成されたレリーフ・パターンを、す
／ス液により洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液と
しては、現像液との混和性のよいポリアミド酸の非溶媒
が用いられ９例えばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチ
ルセロソルブ。

水等が挙げられる。

上記処理により得られるレリーフ・パターンの重合体は
ポリイミドの前駆体であり、１５０〜４５０℃の加熱処
理により、イミド環や他の環状基を持つ耐熱性重合体の
レリーフ・パターンとなる。

（実施例） 以下１本発明を実施例、参考例及び比較例を用いて説明
する。

参考例 パラ（ｐ）−ターフェニル−３，４，３：４’−テトラ
カルボン酸およびその無水物の合成例 （１）グリニヤール試薬の製造 了り一ン冷却器１滴下ロート、温度計及び攪拌装置を取
付けた２Ｉ！の四つロフラスコをアルゴンガス雰囲気下
で十分乾燥させたのち、金属ナトリウムで脱水した１０
０ｍＩ！のテトラヒドロフラン。

９、７２９の金属マグネシウム及び１０．０９のプロモ
ーオルト−キシレン（アルドリッチ社製、４−プロモー
オルト−キシレン７５チ及び３−プロモーオルト−キシ
レン２５俤の混合物）を加えた。

反応液かにとり始めて、グリニヤール試薬が生成し始め
たとき９滴下ロートから６４．０９のプロモーオルト−
キシレンと１００ｍＩ！のテトラヒドロ７ランの混合液
を１時間かけて滴下した。この間。

発熱反応であるので水浴で冷却しながら反応温度を４０
℃に保った。滴下終了後も金属マグネシウムが残ってい
るのでオイルパスで加熱し、温度４０℃のま１５時間攪
拌し、金属マグネシウムを完全に反応させグリニヤール
試薬とした。

＋２１　　λ４．τ４′−テトラメチルーｐ−ターフェ
ニルの製造　゛ 次に、フラスコにジクロロ（：１，２−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）エタン〕ニッケル触媒ｔ−０，３７ｇ（
上記のプロモーオルト−キシレンの総量に対し０．５重
量憾）加え９滴下ロートから２９．４９（０，２００モ
ル）ツバラージクロロベンゼンを８５ｍ１！のテトラヒ
ドロフランに溶解させた溶液を１時間かけて滴下した。

この間反応温度を３５℃に保った。滴下終了後、さらに
１時間３５℃に保ったまま攪拌を続け、ダブルクロスカ
ップリング反応を完結させた。

反応終了液にトルエン３００　ｍ／を加え、攪拌しなが
ら、イオン交換水ｘｓＯｍＩ！を１時間かけて徐々に加
えた。下層の水層を分液ロートで除去したのち、上層の
トルエン層を加熱し、熱時−過しＦ液を放冷すると無色
の箔片状結晶が析出した。

声過により結晶を取出し、減圧乾燥したところ。

２６、８９の結晶を得た。この結晶の融点は１６８〜１
６９℃であり、この結晶について第１図にプロトン核磁
気共鳴（”Ｈ−ＮＭＲ，）スペクトル及び第２図に炭素
核磁気共鳴（”Ｃ−ＮＭＲ）スペクトルの分析結果を示
す。第１図において１２９９９ｍと２３２９９ｍのメチ
ル基プロトンに基づく吸収と７．１７〜７．６５ｐｐｍ
のべ／ゼン環プロトンに基づく吸収の積分強度比は前者
：後者が１８０：１５０（＝１２：１０）であり、理論
値とよく一致している。第２図において、１０本のピー
クしか出現しないことから得られた化合物（理論炭素数
２２）は対称構造であることがわかる。しかも。

で示される化合物の炭素番号■〜■のベンゼン環炭素の
ザビッキ−（８ａｖｉｔｓｋｙ）則によるベンゼン環炭
素のケミカルシフトの予想値と良く一致して第２図中に
吸収１〜８が出現している。

以上より、上記結晶がａ、　４．　ａ’　４’−テトラ
メチル−ｐ−ターフェニルであることが確認された。

（３）ｐ−ターフェニル−ａ　ｔ　ｔ　４’−テトラカ
ルボン酸の製造 λ４．　Ｋ　４’−テトラメチル−パラ−ターフェニル
１４．３９（５０ミリモル）、ピリジン２００ｇ及びイ
オン交換水２００ｇをアリーン冷却管、温度計及び攪拌
装置を取付けたＩＩ！四つロフラスコに仕込み、フラス
コ内を８０℃に加熱し、過マンガン酸カリウム１１０．
７９（７００ミリモル）を３時間かけて徐々に加え、そ
の後さらに５時間、８０℃に保持して攪拌を続けた。反
応で生成した酸化マンガンの沈殿を濾過で除去し、Ｐ液
中のピリジンをロータリエバポレーターで留去した後、
３６憾塩酸で酸析したところ白色の微細結晶が析出した
。この時の溶液のｐＨは１であった。濾過・水洗を２回
繰り返したのち、減圧乾燥し、白色粉末状結晶１１．６
９を得た。

この結晶の融点は３１１〜３１３℃であった。

この結晶の赤外線吸収スペクトルを第３図に示す。

この結晶０．４９１Ｃ対してメタノール５０ｍ１！及ヒ
９７％硫酸２ｒｎｌを加え、８時間リフラックスし。

上記結晶のメチルエステル化を行なった。得られたメチ
ルエステル化物の”Ｈ−ＮＭＲスペクトルの結果を第４
図に示す。第４図において、３．９１ｐｐｍと３．９４
１）ｐｍ　のメチル基プロトンに基づく吸収と７．７１
〜７．９５１）Ｐｍ　のベンゼン環プロトンに基づく吸
収の積分強度比は、前者：後者が１８０：１５１（−１
２：１０．０７）であシ、ｐ−ターフェニル−３，４３
：４′−テトラカルボン酸のメチルエステル化合物の理
論値とよく一致した。

また、上記結晶を元素分析した結果は次のとおシであっ
た。

実測値　　炭素：５９．６７％、水素：４．１５％理論
値　　炭素：６５．０３％、水素：３．４７％（ただし
、理論値は、ｐ−ターフェニル−３，４，ｓ：４′−テ
トラカルボン酸として求めた値である。）元素分析の結
果、実測値と理論値が異なるので。

上記結晶を、５℃／分の昇温速度で、示差熱天秤分析を
行なったところ、１６０℃、２３０℃及び３１０℃に吸
熱ピークがあった。１６０℃及び２３０℃で１７重量幅
の重量減少が認められた。

３１０℃における吸熱ピークは融点によるものであるが
、１６０℃及び２３０℃の吸熱ピークは脱水によるもの
である。ｐ−ターフェニル−ａｔＳ：４′−テトラカル
ボン酸が示差熱天秤分析中の加熱によって脱水閉環を起
こして対応する酸無水物になっただけであれば重量減少
は９憾である。このことから、得られた結晶には結晶水
を有すると考えられ、上記元素分析の実測値は、ｐ−タ
ーフェニル−＆　４．　ｔ　／−テトラカルボン酸に２
分子の結晶水が水和した時の元素分析の理論値炭素５９
．７３チ、水素４．１０％にきわめてよく一致する。

以上より、上記結晶が、ｐ−ターフェニル−λ４、ａ’
４′−テトラカルボ／酸であって結晶水を２分子有する
ものであることを確認した。

（４）ｐ−ターフェニル−＆４．ごｌ−テトラカルボン
酸−ａｔｅ／−二無水物の製造 得られたｐ−ターフェニル−ａ　４．３：（−テトラカ
ルボン酸１０．０９と無水酢酸４００ｇとをＩＩ！のな
す形フラスコに入れ、３０分間加熱還流して溶解したの
ち熱−過し放冷したところ、淡カッ色の粉末状微細結晶
が析出した。−過し減圧乾燥して６．９９の粉末状結晶
を得た。この粉末状結晶の赤外線吸収スペクトル及び”
Ｈ−ＮＭＲスペクトルをそれぞれ第５図及び第６図に示
す。

この結晶の融点は３１１〜３１３℃であり９元素分析の
結果、炭素７１．２８％、水素２．７６９６であり、理
論値の炭素７１．３６％、水素２７２係とよく一致し、
ｐ−ターフェニル−＆４．３：（−テトラカルボ／酸−
３，４，３：４’−二無水物であることが確認された。

実施例１ 窒素気流下Ｋ　４．４’−ジアミノジフェニルエーテル
１９９（０，０９５モル）及び１．３−ビス（アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４９（ｏ、ｏ
ｏｓモル）を、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１７１
．０９に溶解してジアミン溶液を調合した。

次に、この溶液を氷冷によって約１５℃の温度に保ちな
がら攪拌下に参考例で得られたパラ−ターフェニル−ａ
、　４．３：ｅ−テトラカルボン酸二無水物３７．０９
（０，１モル）を加え、室温で８時間攪拌を続け、粘稠
なポリアミド酸溶液を得た。

更に光遮断下の条件でポリアミド酸溶液を４０℃に加熱
させなからＮ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇを
触媒としてイソシアネートエチルメタクリレート７．７
５ｇ（０，０５モル）を徐々に加え２４時間反応させた
。反応中は二酸化炭素が発生した。

この溶液に光遮断下でベンゾフェノン２７ｇ及び４．４
′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．３ｇを
加え、攪拌混合後、フィルターで濾過し感光性重合体組
成物を得た。

この組成物をスピナーでシリコーンウェーノー上に塗布
し９０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被膜を得
た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞模
様のフォトマスクを用いて５００　ｍＪ　／ａｍ”の紫
外線により密着露光し、その後。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４容、メタノール１容か
ら成る混液で現像し１次いでエタノールでリンスしてレ
リーフパターンを得た。現像後の膜厚は１８μｍであっ
た。

次で窒素雰囲気下１８０℃で３０分　４００℃で６０分
加熱し膜厚１０μｍのポリイミドレリーフパターンを得
た。この時、パターンは強固に基板に密着し、フォトマ
スクのパターンが忠実に転写されていた。この塗膜の重
量減少開始温度は４３０℃と良好な耐熱性を有する本の
であった。

又、この感光性重合体組成物の溶液状態での粘度安定性
は良好で５℃で６力月後でもほとんど変化は見られなか
った。

実施例２ 実施例１と同様にして、実施例１で得たポリアミド酸溶
液にトリメチロールプロパントリアクリレートを３０ｇ
加え光遮断下でベンジルジメチルケタール１．５ｇ加え
て同様に感光性重合体組成物を調整し実施例１と同様に
して塗布し、膜厚２５μｍの塗膜を得た。この塗膜に３
００　ｍＪ／ｃｍ’の照射を行い実施例１と同様にして
現像リンスを行ったところ鮮明なパターンを得ることが
できた。

現像後の膜厚は２３μｍであった。次で実施例１と同様
な方法で加熱処理したところ、１５μｍ厚のボリイきド
レリーフパターンを得た。また。

この塗膜の重量減少開始温度は４２０℃と良好な耐熱性
を有するものであった。

又、この感光性重合体組成物の溶液状態での粘度安定性
は良好で５℃６力月後でも＃１とんど変化は見られなか
った。

実施例３ 窒素気流下１ｃ　４．４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル２０９（０，１モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド１７３ｇに溶解してジアミン溶液を調合した。

次に、この溶液を水冷によって約１５℃の温度に保ちな
がら攪拌下に参考例で得られたパラーターフェニル亀４
．　ｔ　４’−テトラカルボン酸二無水物３３．３９（
０，０９モル）、１．３−ビス（亀４−ジカルボキシフ
ェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
ニ無水物４．２７９（０，０１モル）を加え、室温で８
時間攪拌を続は粘稠なポリアミド酸溶液を得た。更に光
遮断下の条件でポリアミド酸溶液を４０℃に加熱させな
がら、これＶｃＮ、Ｎ　−ジメチルベンジルアミン１．
０ｇを触媒としてイソシアネートエチルメタクリレート
７．７５９（０，０５モル）を徐々に加え２４時間反応
させた。反応中は二酸化炭素が発生し九。この溶液に光
遮断下でベンゾフェノン２．０９，４．４−ビス（ジエ
チルアミノ）ベンゾフェノン０．４ｇを加え攪拌混合後
。

フィルターでろ過して感光性重合体組成物を得た。

この溶液を実施例１と同様な方法でシリコーンウェーハ
上に塗布し膜厚１５μｍの塗膜を得た。

この塗膜Ｋ　３００　ｍＪ　／ｃｍ”の照射を行い、実
施例１と同様に現像リンスを行ったところ鮮明なパター
ンを得ることができた。現像後の膜厚は１３μｍであっ
た。

次で１５０℃で１時間、２００℃で３０分。

４００℃で１時間加熱処理したところ、膜厚８μｍのポ
リイミドレリーフパターンを得た。この塗膜の重量減少
開始温度は４４０℃と良好な耐熱性を有するものであっ
た。

実施例４ 実施例３で得たポリアミド酸溶液を７０℃に加熱させな
からＮ、Ｎ−ジメチルベ／ジルアミン０．５９．グリシ
ジルメタクリレート７．１９（０，０５モル）を徐々に
加え８時間反応させた。

この溶液に光遮断下でベンジルジメチルケタール２ｇ及
びトリメチロールプロパントリメタクリレートを３０ｇ
加え攪拌混合後フィルターで一過して感光性重合体組成
物を得た。

この塗膜を実施例１と同様にシリコーンウェーハ上に塗
布し、膜厚２０μｍの塗膜を得た。この塗膜に５００　
ｍＪ　／ｃｍ’の照射を行い、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン５容、メタノール２容の現像液で現像し、イングロ
ビルアルコールでリンスを行ったところ鮮明なパターン
を得ることができた。

現像後の膜厚は１８μｍであった。

次で１５０℃１時間餐２００℃で３０分、４００℃で１
時間加熱処理したところ膜厚ｌＯμｍのポリイミドレリ
ーフパターンを得た。この塗膜の重量減少開始温度は４
３０℃と良好な耐熱性を有するものであった。またこの
感光性重合体組成物の溶゛液状態での安定性は良好で５
℃６力月後でも変化はしなかった。

実施例５ パラ−ターフェニル−３，４，３：４’テトラ力ルボ／
酸二無水物３７ｇ（０，１モル）、２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート２６９（０，２モル）をＮ−メチル−
２−ピロリドン３５０ｇ中で８０℃５時間反応させ０次
でＮ、Ｎ−ジフェニルエーテルシイソシアナー）　２５
．２９　（０，１モル）、Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン１
．Ｏｇを加え、さらに７０℃で４時間反応させた。反応
中二酸化炭素が発生してい友。

次にこの溶液にぺ／シフエノン４９．４．４′−ビス（
ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．６ｇｔ−加え攪拌
混合後フィルターで一過し、感光性重合体組成物とした
。

次にこの組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に
塗布し、８０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被
膜を得九。この被膜に５００ｍＪ　／ｃｍ”の照射を行
い実施例１と同様にして現像リンスを行ったところ鮮明
なパターンを得ることができた。

現像後の膜厚は１８μｍであった。

次で１５０℃で１時間、２００℃で３０分。

４００℃で１時間加熱処理したところ膜厚１０μｍのポ
リイミドレリーフパターンを得た。この塗膜の重量減少
開始温度は４２０℃と良好な耐熱性を有するものであっ
た。

又、この感光性重合体組成物の溶液状態での粘度安定性
は良好で５℃６力月までもほとんど変化は見られなかっ
た。

比較例１ ４．４−ジアミノジフェニルエーテル１９９（０，０９
５モル）、１．３−ビス（アミノプロピル）テトラメチ
ルジ、シロキサン１．２４ｇ（０゜００５そル）、ピロ
メリット＃２１．８９（０，１モル）、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド１２６ｇを用いて実施例１と同様の操作
方法でポリアミド酸醇液を得た。

この溶液に光遮断下の条件で４０℃に加熱しなからＮ、
Ｎ−ジメチルベ／ジルアミン１．０９を触媒としてイソ
シアネートメチルメタクリレート７．７５９　（０，０
５モル）を徐々に加え２４時間反応させた。この溶液に
ベンゾフェノンＺ　７　ｇ　ｍ　４．４’−ビス（ジエ
チルアミノ）ベンゾフェノン０．３ｇを加え攪拌混合後
、フィルターで濾過し感光性重合体組成物を得た。

この組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に塗布
し９０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被膜を得
た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞模
様のフォトマスクを用いて３０００　ｍＪ　／ｃｍ”の
紫外線により密着露光し、その後、　Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド４容、メタノール１容から成る混液で現像
し１次いでエタノールでリンスしてレリーフパターンを
得た。現像後の膜厚は６μｍであった。

次で１８０℃で３０分、４００℃で６０分加熱処理した
ところ得られたポリイミドの膜厚は３μｍであった。こ
の被膜の重量減少開始温度は４００℃で加熱処理したに
もかかわらず３５０℃であシ硬化膜は劣化していた。

比較例２ ４、４：　−ジアミノジフェニルエーテル１９Ｇ（０，
０９５モル）、Ｌ３−ビス（アミノプロピル）。

テトラメチルジシロキサン１．２４９　（０，ＯＯ５モ
ル）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．
２ｇ（０，１モル）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１
５７ｇを用いて実施例１と同様の操作方法でポリアミド
酸溶液を得た。

この溶液に光遮断下の条件で４０℃に加熱しなからＮ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇを触媒としてイソ
シアネートエチルメタクリレ−）７．７５９（０，０５
モル）を徐々に加え、２４時間反応させた。

この溶液にベンゾフェノンＺ７９．４．４’−ビス（ジ
エチルアミノ）ベンゾフェノｙ　０．３　ｇｔ加り攪拌
混合後、フィルターで濾過し感光性重合体組成物を得た
。

この組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に塗布
し、９０℃で６０分乾燥して２０８℃厚の感光性被膜を
得た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞
模様のフォトマスクを用いて５０００　ｍＪ　／ａｍ’
の紫外線により密着露光し。

その後Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４容、メタノール
１容から成る混液で現像し９次いでエタノールでリンス
してレリーフッくターンを得た。現像後の膜厚は４μｍ
であった。

次いで１８０℃で３０分、４００℃で６０分加熱処理し
たところ得られたポリイミドの膜厚は２μｍであった。

この被膜の重績減少開始温度は４００℃で加熱処理した
にもかかわらず、３４０℃であり硬化膜は劣化していた
。

比較例３ ４．４′−ジアミノジフェニルエーテル１９９（０，０
９５モル）、１．３−ビス（アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン１．２４　ｇ（０，ＯＯ５モル）、ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４９（０，１
モル）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１４８．９９を
用いて実施例１と同様の操作方法でポリアミド酸溶液を
得た。

この溶液に光遮断下の条件で４０℃に加熱しなからＮ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇを触媒としてイン
シアネートエチルメタクリレート７．７５９　（０，０
５モル）を徐々に加え２４時間反応させた。

この溶液にベンゾフェノン２７ｇ＊４．４’−ビス（ジ
エチルアミノ）ベンゾフェノン０．３ｇを加え攪拌混合
後フィルターで濾過し感光性重合体組成物を得た。

この組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に塗布
し、９０℃で６０分乾燥して２０８℃厚の感光性被膜を
得た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞
模様のフォトマスクを用いて３　Ｑ　ＯＱ　ｍＪ／ｃｍ
”の紫外線により密着露光し。

その後Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４容、メタノール
１容から成る混液で現像し１次いでエタノールでリンス
し、レリーフパターンを得た。現像後の膜厚は６μｍで
あった。

次いで１８０℃で３０分、４００℃で６０分加熱処理し
たところ得られたポリイミドの膜厚は３μｍであった。

この被膜の重肴減少開始温度は４００℃で加熱処理した
にもかかわらず、３８０℃であり、かつ硬化膜は劣化し
ていた。

実施例１で用いたポリアミド酸溶液および比較例１〜３
で得たポリアミド酸溶液をそれぞれガラス板に塗布乾燥
して得たフィルムの膜厚に対する波長４　ｒ）　５　ｎ
ｍの紫外線の透過率を第７図に示す。

実施例１で用いたポリアミド酸は透過率が高いことが示
される。

（発明の効果） 本発明になる感光性重合体組成物は、保存安定性にすぐ
れ、かつポリマ骨格に紫外線の透過率にすぐれたパラ−
ターフェニル−＆４．４’４’−ｆト５カルボン酸骨格
を用いているためにピロメリット酸二無水物、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物等を用いた系より特に厚い膜を感光さ
せるためには特に有利であり、かつ耐熱性にすぐれてい
るため。

半導体を始めとする各種電子部品絶縁膜として適用可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は参考例で製造した中間体であるａ、　４．３：
４′−テトラメチル−ｐ−ターフェニルの”Ｈ−ＮＭＲ
スペクトル、第２図はそのλ４．３：４’−テトラメチ
ルーｐ−ターフェニルの”Ｃ−ＮＭＲスペクトル。 第３図は参考例で製造したｐ−ターフェニル−λ４、τ
４′−テトラカルボン酸の赤外線吸収スペクトル、第４
図は参考例で製造したｐ−ターフェニル−ａ、　４．３
：　４’−テトラカルボン紫テトラメチルエステルの”
Ｈ−Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトル、第５図は参考例で製造した
ｐ−ターフェニル−３，４，３７４’−テトラカルボン
酸−λ４．３：４′−二無水物の赤外線吸収スペクトル
及び第６図は参考例で製造したｐ−ターフェニル−ａ、
　４．　ｔ　４’−テトラカルボン酸−ａ　４．　ｔ　
４’−二無水物の”Ｈ−Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトル訃よび第
７図は実施例１および比較例１〜３で用いたポリアミド
酸の紫外線透過率を示す図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
   （１） （但し式中Ｒ＾１は２価の有機基であり、Ｒ＾２は炭素
   −炭素二重結合を有する基を示し、Ｘは酸素原子又はＮ
   Ｈ基を示し、ｎは１以上の整数を示す。）で表わされる
   構造単位を含むポリイミド前駆体および光重合開始剤を
   含有してなる感光性重合体組成物。