JPH01113460A - 感光性重合体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体素子を始めとするエレクトロニクス素
子等に用いられる感光性重合体組成物に関するものであ
る。

（従来の技術） 従来、半導体素子等の表面保護膜や層間絶縁膜としては
、膜形成が容易なこと、平坦化が可能なこと、耐熱性が
高くしかも電気特性９機械特性にすぐれている等の理由
からポリイミドが幅広く用いられている。

また最近では、ポリイミドを用いた膜形成プロセスを合
理化する目的でフォトレジストの機能を兼ね合わせた感
光性重合体組成物の開発検討が数多く行なわれている。

これは、まず、溶液状態で基板に塗布乾燥し。

塗膜形成後所定のマスクを用いて露光し、現儂によって
パターンを形成し１次に２００〜４００℃の温度で硬化
させ最終的にポリイミドとして用いる。

具体的な例として、ポリイミド前駆体のポリアミド酸と
重クロム酸塩からなる系が提案されたが。

この材料は実用的な光感度を有し、膜形成能が高い等の
長所を有する反面、保存安定性に欠けまたポリイミド中
にクロムイオンが残存するなどの欠点があり、実用には
至らなかった。

また式（２）で表わされるポリイミド前駆体に感光基ｔ
−エステル結合で導入した感光性ポリイミド前駆体に増
感剤や光重合開始剤を加える方法や・・・・・・・・・
・・・・・・（２）ポリイミド前駆体のポリアミド酸に
炭素−炭素二重結合を有するアミン化合物及び増感剤を
添加する方法が知られている。

しかし、前者の方法では、パターン形成後、加熱処理に
より感光基を除去してポリイミドにする際、４００〜４
３０℃の熱処理が必要で従来から知られているポリイミ
ド前駆体の耐熱性では、これら熱処理に耐えられず、熱
処理工程で膜が劣化してしまうという問題があった。

また後者の方法では、熱処理による感光基の脱離は容易
であるが、この方法は露光後の現像工程において露光部
分の塗膜も溶解してしまうため。

現像後の露光部分の膜厚管理が困難であるという問題が
あった。

また、上記いずれの方法の場合でも芳香族ポリイミド前
駆体をベースポリマとして用いる場合は。

紫外領域での光の透過性が低いため厚膜形成をするのが
困難である。これを解決する手段として光の透過性を向
上させる目的で脂肪族系を用いた方法が種々性なわれて
いるが、耐熱性が低下してしまうため高い耐熱性が要求
される半導体等電子部品の絶縁膜に適用するのは困難で
あった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記に示した従来技術の問題点を解決した保
存安定性、耐熱性及び現像特性にすぐれ。

かつ厚膜形成可能な感光性重合体組成物を提供するもの
である。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、一般式（１） ％式％（１） （但し式中Ｒ１は２価の有機基であり、Ｒ１は炭素−炭
素二重結合を有する基を示し、Ｘは酸素原子又はＮＨ基
を示し、ｎは１以上の整数を示す。）で表わされる構造
単位を含むポリイミド前駆体および光重合開始剤を含有
してなる感光性重合体組成物に関する。

本発明におけるポリイミド前駆体は９式（３）で表わさ
れるメタ−ターフェニル−λ４．３：４’−テトラ″″
′９°１−　　　　計よ。

を用いて得られる。

この酸無水物は１本発明者らによって得られた新規な化
合物であって、下に示す式（４）のようなダブルクロス
カップリング反応によって得られる。

（但し９式中ＸＩ　、　Ｘｓは、塩素、臭素またはヨウ
素を示す。） 例えば、４−プロモーオルト−キシレンと金属マグネシ
ウムと反応させてグリニヤール試薬としたのチ、ジクロ
ロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジブロモ
ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどのニッケ
ル金属錯体触媒の存在下にメタジハロゲノベンゼンとの
ダブルクロスカン酸塩、硝酸、液相空気酸化によってメ
タ−ターフェニルテトラカルボン酸とし、この後加熱す
るか、あるいは無水酢酸を加えることによってメタ−タ
ーフェニル−λ４３：４’−テトラカルボン酸二無水物
とすることができる。

本発明に用いられる一般式（１）で表わされるポリイミ
ド前駆体は、（３）式で表わされるメタ−ターフェニル
−ａ、　４．　ｆ　４’−テトラカルボ／酸とジアミ／
とを有機溶媒中で反応させて得られる一般式（５）で表
わされるポリアミド酸く ・・・・・・・・・・・・・・・（５）（但し式中Ｒ１
は２価の有機基を示し、ｎは１以上の整数を示す。） 式１６）で表わされる光によシニ量化又は重合可能な炭
素−炭素二重結合を含み、かつポリアミド酸のカルボキ
シル基と容易に反応する反応基を含む化合物を反応させ
ることによって得られる。

（但し式中Ｉ　Ｒ”　＃　Ｒ’及びＲ６は水素原子又は
メチル基、Ｒ・は２価の炭化水素基、ＹはＮＣＯ基又は
ジアミンとしては９例えば４４−ジアミノジフェニルエ
ーテル、ジアミノジフェニルメタン、４゜４′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、４．４′−ジアミノジフェニル
スルフィド、ベンジン、メタ−フェニレンジアミン、パ
ラーフユニレンジアミン、１゜５−ナフタレンジアミ／
、ｚ６−ナフタレンジアミン、ジアミノジフェニルエー
テル−３−スルホンアミド、λ４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル−４−スルホンアミド、λ４′−ジアミノジ
フェニルエーテル−３′−スルホンアミド、＆３′−ジ
アミノジフェニルエーテル−４−スルホンアミド、４４
′−ジアミノジフェニルメタン−３−スルホンアミド、
亀４′−ジアミノジフェニルメタン−４−スルホンアミ
ド、＆４′−ジアミノジフェニルメタン−３′−スルホ
ンアミド、亀３′−ジアミノジフェニルメタン−４−ス
ルホンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン
−３−スルホンアミド、３＋４′−ジアミノジフェニル
スルホン−４−スルホンアミド、３．４′−ジアミノジ
フェニルスルホン−３′−スルホンアミド、３．３’−
ジアミノジフェニルスルホン−４−スルホンアミド、４
４′−ジアミノジフェニルサルファイド−３−スルホン
アミド、　　２４′−ジアミノジフェニルサルファイド
−４−スルホンアミド、＆３′−ジアミンジフェニルサ
ルファイド−４−スルホンアミド、＆４’−ジアミノジ
フェニルサルファイド−３′−スルホ／アミド、１，４
−ジアミノベンゼン−２−スルホンアミド、４．４’−
ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミド。

亀４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−カルｙｉ＋
’／アミド、３．４′−ジアミノジフェニルエーテル−
３′−カルボンアミド、３．３’−ジアミノジフェニル
エーテル−４−カルボンアミド、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン−３−カルボンアミド、　３．４′−ジ
アミノジフェニルメタン−４−カルボンアミド。

３．４′−ジアミノジフェニルメタン−３′−カルボン
アミド、＆３′−ジアミノジフェニルメタン−４−カル
ボンアミド、４４′−ジアミノジフェニルスルホン−３
−カルボンアミド、λ４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン−４−カルボンアミ）”ｅ　３＝　４’　−’）アミ
ノジフェニルスルホン−３′−カルボンアミド。

３、３’　−ジアミノジフェニルスルホン−４−カルボ
ンアミド、４．４’−ジアミノジフェニルサルファイド
−３−カルボンアミド、＆４′−ジアミノジフェニルサ
ルファイド−４−カルボンアミド、３．３’−ジアミノ
ジフェニルサルファイド−４−カルボンアミド、３．４
′−ジアミノジフェニルサルファイド−３′−スルホン
アミド、１．４−ジアミノペンゼ／−２−カルホンアミ
ド、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−＆３′−
スルホンアミド、３，４ニージアミノジフエニルエーテ
ル−４５′−カルボンアミド。

３、３’　−ジアミノジフェニルエーテル−４，４′−
スルホンアミド、４．４′−ジアミノジフェニルメタン
−３，３′−カルボンアミド、＆４′−ジアミノジフェ
ニルメタン−４，５′−スルホンアミドなどがあげられ
る。

この他に９次の一般式け） （但し９式中Ｒ′は２価の炭化水素基、Ｒ・は１価の炭
化水素基でありＲ’、Ｒ−は同じでも異なってもよ＜ｓ
　ｍは１以上の整数である）で表わされろジアミノシロ
キサンを用いることができ、この化合物としては Ｃ５Ｈｓ　　Ｃ５）ｂ ＣＨｓ　　ＣＨｓ　　ＣＨｓ ＣＨｓ　　ＣＨｓ ＣＨｓ　　　ＣＨｓ ＣｓＨｓ　　Ｃ５Ｈｓ ＣＨｓ　　　ＣＨｓ などが拳げられる。

また、ポリアミド酸を得るときに、その他のテトラカル
ボン酸二無水物を併用してもよい。例えばピロメリット
酸二無水物、ａａ：ｔ４’−ベンゾフェノンテトラカル
ポン酸二無水物、３．３：４．４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸
二無水物、１．２，５．６−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、Ｌ３，６．７−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、　　２．＆５．６−ピリシンチトラカルポ
ン酸二無水物、１，４．５．８−ナフタレ／テトラカル
ボン酸二無水物、λ４．９．１０−ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物、４．４’−スルホニルシフタル酸二無
水物、１．３−ビス（λ４−ジカルボキシフェニル）　
−１，１，入ａ−テトラメチルジシロキサンニ無水物、
Ｌ５−ビス（＆４−ジカルボキシフェニル）　−１，１
，λ３，５．５−ヘキサメチルジシロキサン二無水物等
が用いられる。

その他のテトラカルボン酸二無水物を併用する場合には
、ポリイミド前駆体は、上記の構造単位に加えてテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンの反応による構造単位を
含むことになる。

本発明におけるポリイミド前駆体は１例えばＮ−メチル
−２−ピロリドン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、
　　Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチレンホスホルアミド。

テトラメチレンスルホン、ｐ−クロロフェノール。

ｐ−ブロモフェノール等の極性溶媒に前記したジアミン
成分を溶解した後、メタ−ターフェニル−３、４，３：
（−テトラカルボン酸二無水物またはこれを含む酸成分
を加え、８０℃以下、好ましくは室温付近ないしそれ以
下の温度で攪拌しながら反応させることによって得られ
る。酸成分とジアミノ成分とは好ましくは等モルで用い
られる。

その他、この極性溶媒以外に一般的有機溶媒であるケト
ン題、エステル類、ラクトン類、：ｒ−チル類、ハロゲ
ン化炭化水素類、炭化水素類例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジ
エチル、マロン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、ジエ
チルエーテル、エチレンクリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジクロロメタン、１．２−ジクロルエタン、１
．４−ジクロルブタン、トリクロルエタン。

クロルベンゼン、０−ジクロルベンゼン、ヘキサンｔ　
ヘフＩ’ン、オクタン、ベンゼン、トルエン。

キシレン等も使用することができる。ポリイミド前駆体
を完全に溶解させるためにはこれらの一般的有機溶媒は
前記の極性溶媒と混合して用いることが望ましい。この
有機溶媒の使用量は好ましくはポリアミド酸に対して１
０〜９５重量嗟であり。

より好ましくは３０〜８０重量係である。

本発明に用いられる式（６）で表わされるインシアネー
ト化合物としては、イソシアネートエチルアクリレート
、インシアネートプロピルアクリレート、インシアネー
トブチルアクリレート、イソシアネートペンチルアクリ
レート、イソシアネートヘキシルアクリレート、インシ
アネートオクチルアクリレート、インシアネートデシル
アクリレート、インシアネートオクタデシルイソシアネ
ート。

インシアネートエチルメタクリレート、イソシアネート
エチルアクリレート、インシアネートブチルアクリレー
ト、イソシアネートペンチルメタクリレート、イソシア
ネートへキシルメタクリレート、イソシアネートオクチ
ルメタクリレート。

インシアネートデシルメタクリレート、インシアネート
オクタデシルメタクリレート、インシアネートエチルク
ロトネート、インシアネートプロピルクロトネート、イ
ソシアネートヘキシルクロトネート等が挙げられる。市
販品としては、ダウ・ケミカル社製ＩＢＭ（インシアネ
ートエチルメタクリレート）がある。これらの化合物は
、１種類単独でも２種類以上を組み合わせて使用するこ
ともできる。

本発明における一般式（５）で表わされるポリアミド酸
とイソシアネート化合物との反応は、上記のポリアミド
酸の合成に用いた有機溶媒中で１通常０〜１００℃、好
ましくは２０〜７０℃の温度で行なわれる。インシアネ
ート化合物のポリアミド酸に対する割合は１組成物の感
度および塗膜の耐熱性の点から、ポリアミド酸のカルボ
キシル基１モルに対して通常０．１〜０．９モル、好ま
しくは０．４〜０．８モルの範囲とされる。

イソシアネート化合物とこのポリアミド酸との反応は、
トリエチルアミン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、　Ｎ
、Ｎ−ジメチルベンジルアミン、１．４−ジアゾビシク
ロ（２，Ｚ２　］オクタン等のアミン、ジブチルスズジ
ラウレート、ジブチルスズジアセテート等のスズ化合物
などを用いると容易となる。

これらは通常イソシアネート化合物に対して約０．５〜
２５重量憾の範囲で用いることができる。

式（６）で表わされるエポキシ化合物としては。

などが挙げられる。これらの化合物は、　　１．ｔｌＪ
類単独でも２種類以上を組み合わせて使用することもで
きる。

本発明における一般式（５）で表わされるポリアミド酸
とエポキシ化合物との反応は、上記のポリアミド酸の合
成に用い九溶媒中で通常６０〜１２０℃、好ましくは７
０℃〜９０℃の反応温度でトリエタノールアミン、トリ
エチルアミ７、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン、　Ｎ、Ｎ
−ジメチルベンジルアミ／などを触媒として、ポリアミ
ド酸のカルホキフル基１当量に対してエポキシ化合物を
０．１〜０．９七ル、好ましくは０．４〜０．８モル反
応させることによって行なわれる。

また９本発明に用いられる一般式（１）で表わされるポ
リイミド前駆体の合成法として９式（８）で示すように
、メタ−ターフェニル−３，４，３：４’−テトラカル
ボン酸二無水物に、禰蕪ｉ９キ炭素−炭素二重結合を含
むアルコールと反応させてノ・−ブエステルの中間体を
得、こ゛れを二官能のイソシアネート化合物と反応させ
ることによって得ることも可能である。

Ｑ　　　　　　　　　Ｏ （中間体） ・・・・・・・・・・・・・・・（８）（但し式中Ｒ１
は２価の有機基、Ｒｓは炭素−炭素二重結合を有する基
を示し、ｎは１以上の整数を示す）炭素−炭素二重結合
を有する基を含むアルコールトシては、２−ヒドロキシ
エチルシンナメート。

２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒ）”ＣＩキ
シエチルメタクリレートなどが挙げられ、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド。

ジメチルホルムアミド、ベンゼン、キシレン、メチルエ
チルケトン、ｒ−ブチロラクト／等の有機溶媒中でトリ
エチルアミン、　Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン等の
塩基性触媒下で５０℃〜１０．０℃。

好ましくは７０℃〜９０℃の温度の範囲で、メタ−ター
フェニル−＆４３：４１−テトラカルボン酸二無水物と
反応させることＫより中間体のノ・−フエステルを得る
ことができる。

二官能のインシアナート化合物としてはジフェニルメタ
ンジイソシアナート、ジフェニルエーテルジイソシアナ
ート、ビフェニルジイソシアナート、ジフェニルスルフ
ィドジイソシアナートなどがあげられ、これらを前記し
たハーフエステル中間体と５０〜１００℃、好ましくは
７０℃〜９０℃の温度の範囲でトリエチルアミン、　Ｎ
、Ｎ−ジメチルベンジルアミン等の塩基性触媒下で反応
させることによね１本発明における一般式（１）で表わ
されるポリイミド前駆体を得ることができる。

本拠明に用いられる光重合開始剤としては９例えばミヒ
ラーズケトン、ベンゾイン、２−メチルへ／ツイン、ペ
ンツインメチルエーテル、ペンシイ／エチルエーテル、
ベンソインイソグロビルエーテル、ベンゾインブチルエ
ーテル、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１．２−ベン
ゾ−９，１０−アントラキノン、アントラキノン、メチ
ルアントラキノン、４．４’−ビス（ジエチルアミノ）
ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チ
オキサントン、１．５−アセナフテン、ｚ２−ジメトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシク
ロへキシルフェニルケトン、２−メチル−〔４−（メチ
ルチオ）フェニル）−２−モルフォリノ−１−プロパノ
ン、ジアセチル、ベンジル、′ベンジルジメチルケター
ル、ベンジルジエチルケタール、ジフェニルジスルフィ
ド、アントラセン等を挙げることができる。また、さら
に高感度にする目的で光重合開始剤以外に重合性不飽和
化合物を加えても差しつかえない。重合性不飽和化合物
としては各種のものがあるが、アクリル酸系化合物、メ
タクリル酸系化合物などが実用的である。

具体的なアクリル酸系化合物としては、アクリル酸、メ
チルアクリレート、エチルアクリレート。

ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート
、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、
シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、
カルピトールアクリレート。

メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチル
アクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ブチ
レングリコールモノアクリレート、　Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノエチルアクリレ−）、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエ
チルアクリレート。

グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
リレート、ぺ／タエリスリトールモノアクリレート、ト
リメチロールプロパンモノアクリレート、アリルアクリ
レート、１．３−プロピレングリコールジアクリレート
、１．４−ブチレングリコールジアクリレート、１．６
−ヘキサングリコールジアクリレート、ネオペンチルグ
リコールジアクリレート、ジプロピレングリコールジア
クリレート、ｚ２−ビス−（４−アクリロキシジェトキ
シフェニル）プロパン、２．２−ビス−（４−アクリロ
キシプロピルキシフェニル）フロパン、トリメチロール
プロパンジアクリレート、ペンタエリスリトールジアク
リレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリアクリル
ホルマール、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌル酸の
アクリル酸エステル。

Ｏ （ａは１〜３０の整数） −（−ＣＨ冨ＣＨ冨Ｏ→１；Ｃ−ＣＨ＝Ｃ市（ａ、ｂは
ａ＋ｂが２〜３０となる整数）α−Ｂｒ 暑 ＯＣＨｍＢｒ　　　Ｏ− ＯＢｒ　　Ｂｒ 等を挙げることができる。またメタクリル酸系化合物と
しては、メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチル
メタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピ
ルメタクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチル
メタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ぺ／
ジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、エチル
へキシルメタクリレート、メトキシエチルメタクリレー
ト。

エトキシエチルメタクリレート、ブトキシエチルメタク
リレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキ
シプロピルメタクリレート、ヒドロキシブチルメタクリ
レート、ヒドロキシペンチルメタクリレート、　Ｎ、Ｎ
−ジメチルアミノメタクリレート、　Ｎ、Ｎ−ジエチル
アミノメタクリレート。

グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメ
タクリレート、メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ラン、アリルメタクリレート、トリメチロールプロパン
モノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタク
リレート、１．３−ブチレングリコールジメタクリレー
ト、１．６−ヘキサ／グリコールジメタクリレート、ネ
オペンチルグリコールジメタクリレート、ｚ２−ビス−
（４−メタクリロキシジェトキシフェニル）フロパン。

トリメチロールプロパンジメタクリレート、ペンタエリ
スリトールジメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート
、トリス（２−ヒドロキシエチル）インシアヌル酸のメ
タクリル酸エステル。

（Ｃは１〜３０の整数） Ｈｓ （ｃ、ｄはｃ＋ｄが１〜３０となる整数）Ｃ）ｈＢｒ ０　　　　　　　Ｂｒ　　Ｂｒ 等を挙げることができる。ま九りａトン酸ブチル。

グリセリンモノクロネート、ビニルブチレート。

ビニルトリメチルアセテート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルラクテート。

安息香酸ビニル、ジビニルサクシネート、シヒニルフタ
レート、メタクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミ
ド、Ｎ−エチルメタクリルアミド。

Ｎ−アリールメタクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル
−Ｎ−メチルメタクリルアミド０．アクリルアミド、　
　Ｎ−ｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、Ｎ−インブトキシメチルアクリルアミド、
Ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、ダイア七トンアク
リルアミド、ヘキシルビニルエーテル、エチルヘキシル
ビニルエーテル。

ビニルトリルエーテル、多価アルコールのポリビニルエ
ーテル、スチレン誘導体として例えばオルト及ヒハラ位
にアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、カルボ中シル
基、アリル基などの置換基を持ったスチレン、ジビニル
ベンゼン、アリルオキシエタノール、ジカルボン酸のジ
アリルエステル。

Ｎ−ビニルオキサゾリドン、Ｎ−ビニルイミダゾール、
Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカルバゾール等も用
いることができる。これらは単独でまたは混合物として
用いられる。

光重合開始剤及び重合性不飽和化合物の配合割合は、感
光性重合体組成物の感度及び硬化膜の耐熱性の点から、
一般式（１）で表わされるポリイミド前駆体１００重量
部に対して重合性不飽和化合物通常１〜５０重量部、好
ましくは５〜３０重量部とされ、光重合開始剤の使用量
は、一般式（１）で表わされるポリイミド前駆体１００
重量部又はポリイミド前駆体および重合性不飽和化合物
１００″ｉｔ部に対して通常０．０１〜３０重量部、好
ましくは０．１〜１０重量部とされる。

本発明の感光性重合体組成物は１通常の微細加工技術に
よりパターン加工することが可能である。

本発明の感光性重合体組成物を、ガラス基板、シリコー
ンウェー八等の支持基板上に塗布するに際しては、スビ
／ナーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧印刷等の手段が用
いられる。塗布膜厚は塗布手段０本発明の感光性重合体
組成物のワニスの固形分濃度、粘度等により調節可能で
ある。

乾燥工程によシ支持基板上で、被膜となった本発明の感
光性重合体組成物に光源を照射し９次いで未露光部分を
現像液で溶解除去することによシ。

レリーフ・パターンが得られる。この際光源は紫外線、
可視光線、放射線等が用いられる。

現像液としては０例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキンド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメ
チルイミダゾリジノン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリドン
、Ｎ−アセチル−ｅ−カプロラクタム等の非プロトン性
極性溶媒が。

単独でまたはポリアミド酸の非溶媒５例えばメタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール。

ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水
等との混合液として用いられる。

次いで現像により形成されたレリーフ・パターンを、リ
ンス液により洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液と
しては、現像液との混和性のよいポリアミド酸の非溶媒
が用いられ１例えばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン、トルエ／、キシレン、メチ
ルセロソルブ。

水等が挙げられる。

上記処理により得られるレリーフ・パターンの重合体は
ポリイミドの前駆体であり、１５０〜４５０℃の加熱処
理により、イミド環や他の環状基を持つ耐熱性重合体の
レリーフ・パターンとなる。

（実施例） 以下１本発明を実施例、参考例及び比較例を用いて説明
する。

参考例 メタ（ｍ）−ターフェニル−＆４亀′４′−テトラカル
ボン酸およびその無水物の合成例 （１）グリニヤール試薬の製造 アリーン冷却器１滴下ロート、温度計及び攪拌装置を取
付けた２１！の四つロフラスコをアルゴンガス雰囲気下
で十分乾燥させたのち、金属ナトリウムで脱水したｔｏ
ＯｍＩ！のテトラヒドロフラン。

９．７２９の金属マグネシウム及びｔｏ、ｏｇのプロモ
ーオルトーキシレ／（アルドリッチ社製、４−プロモー
オルト−キシレン７５チ及び３−プロモーオルト−キシ
レン２５慢の混合物）を加えた。

反応液かにとり始めて、グリニヤール試薬が生成し始め
たとき９滴下ロートからｓ４．ｏｇのプロモーオルト−
キシレンと１００　ｒｎｌのテトラヒドロフランの混合
液を１時間かけて滴下した。この間。

発熱反応であるので水浴で冷却しながら反応温度を４０
℃に保った。滴下終了後も金属マグネシウムが残ってい
るのでオイルパスで加熱し、温度４０℃のま１５時間攪
拌し、金属マグネシウムを完全に反応させグリニヤール
試薬とした。

（２）　　λ＋、ｔ（−テトラメチル−ｍ−ターフェニ
ルの製造 次に、フラスコ忙ジクロロＣ１，２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）エタン〕ニッケル触媒１．３７’ｇ（上記
のプロモーオルト−キシレンの総量に対し０，５重量％
）加え９滴下ロートから２９．４９（０，２００モル）
のメタ−ジクロロベンゼンを８５ｍ！：のテトラヒドロ
フランに溶解させた溶液を１時間かけて滴下した。この
間反応温度を３５℃に保った。滴下終了後、さらに１時
間３５℃に保ったｆま攪拌を続け、ダブルクロスカップ
リング反応を完結させた。

反応終了液にトルエン３００　ｒｎｌを加え、攪拌しな
がら、イオン交換水１５０ｔｎ／を１時間かけて徐々に
加え九。下層の水層を分液ロートで除去したのち、上層
のトルエン層をロータリーエバポレータでドライアップ
した。放冷後、析出した結晶を取出し、エタノールで結
晶を３回洗浄したのち減圧乾燥したところｅ　　２４．
４　ｇの無色の板状結晶を得た。この結晶の融点は７２
〜７３℃であシ。

この結晶について第１図にプロトン核磁気共鳴（’Ｈ−
ＮＭＲ）スペクトル及び第２図に炭素核磁気共鳴（”Ｃ
−ＮＭＲ）スペクトルの分析結果を示す。第１図におい
て１２９ｍ）Ｐｍと’）、３２ｐ９ｍのメチル基プロト
ンに基づく吸収とベンゼン環プロトンに基づく吸収の積
分強度比は前者：後者が１８０：１５０（＝１２：１０
）であシ、理論値とよく一致している。第２図において
、１２本のピークしか出現しないことから得られた化合
物（理論炭素数２２）は対称構造であることがわかる。

しかも。

式（９） で示される化合物の炭素番号■〜［相］のベンゼン環炭
素のザビツキ−（８ａｖｉｔｓｋｙ）則によるベンゼン
環炭素のケミカルシフトの予想値と良く一致して第２図
中に吸収１〜１０が出現している。

以上よシ、上記結晶がｚ　４．　：（４″−テトラメチ
ル−ｍ−ターフェニルであることが確認された。

（３１ｍ　−、Ｊ−７−Ｃ＝に−３，４，３：４’　−
？ト５カルＮン酸の製造 ＆　４　ａ　４’−テトラメチル−ｍ−ターフェニル１
４．３ｓ（５０ミリモル）、ピリジｙｚｏｏｓ及びイオ
ン交換水２００ｇをアリー／冷却管、温度計及び攪拌装
置を取付けた１ｊ四つロフラスコに仕込み、フラスコ内
を８０℃に加熱し、過マンガン酸カリウム１１０．７９
（７００ミリモル）を３時間かけて徐々に加え、その後
さらＶｃ５時間、８０’ＣＫ保持して攪拌を続けた。反
応で生成した酸化マンガンの沈殿を濾過で除去し、Ｆ液
中のピリジンをロータリエバポレーターで留去した後、
３６憾塩酸で酸析したところ白色の微細結晶が析出した
。この時の溶液のｐＨは１′ｃあった。濾過・水洗を２
回縁シ返したのち、減圧乾燥し、白色粉末状結晶ａｓｇ
を得九。

この結晶の融点は２９６〜２９８℃であった。

この結晶の赤外線吸収スペクトルを第３図に示す。

この結晶０．４ｇＫ対してメタノール５０　ｒｎｌ　及
ヒ９７％硫酸２ｍｌを加え、８時間リフラックスし。

上記結晶のメチルエステル化を行なった。得られたメチ
ルエステル化物の”Ｈ−Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトルの結果を
第４図に示す。第４図において、ａ９１ｐｐｍと１９４
ｐｐｍのメチル基プロトンに基づく吸収と７．７１〜７
．９５ＰＰｆｆＪのベンゼン環プロトンに基づく吸収の
積分強度比は、前者：後者が１７５：　１４７（＝１２
：　１０．０８）であシ１ｍ−ターフｘニルーλｔｒ／
−テトラカルボン酸のメチルエステル化合物の理論値と
よく一致した。

また、上記結晶をｔ素分析した結果は次のとおりであっ
た。

実測値　　炭素：５９．６５％、水素：４．ｔ６４理論
値　　炭素：６５．０３％、水素：３．４７係（ただし
、理論値は９ｍ−ターフェニル−＆　４．　ｓ：４′−
テトラカルボン酸として求めた値である。）元素分析の
結果、実測値と理論値が異なるので。

上記結晶を、５℃／分の昇温速度で、示差熱天秤分析を
行なったところ、２１１℃及び２９８℃に吸熱ピークが
あった。２１１℃で１７重量−の重量減少が認められた
。２９８℃における吸熱ピークは融点によるものである
が、２１１℃の吸熱ピークは脱水によるものである。ｍ
−ターフェニル−ｚｔｔ（−テトラカルボン酸が示差熱
天秤分析中の加熱によって脱水閉環を起こして対応する
酸無水物になっただけであれば重量減少は９％である。

このことから、得られた結晶には結晶水を有すると考え
られ、上記元素分析の実測値は、ｍ−ターフェニル−λ
４．３：４’−テトラカルボン酸に２分子の結晶水が水
和した時の元素分析の理論値炭素５９．７３係、水素４
．１０　％にきわめてよく一致する。

以上より、上記結晶が、ｍ−ターフェニル−λ４、３：
４’−テトラカルボン酸であって結晶水を２分子有する
ものであることを確認した。

（４）ｍ−ターフェニル−３，４３：４＃−テトラカル
ボン酸−λ４．　ｉ　４７−二無水物の製造得うれたｍ
−ターフェニル−λｔａ’４′−テトラカルボ／酸８．
０ｇを１００ｍ／のなす形フラスコに入れ、真空ポンプ
で容器内を２０ｍｍＨｇとし。

１８０℃の油浴に１５時間浸漬し脱水閉環を行なった。

こうして７．２９９の淡かっ色の粉末状結晶を得た。こ
の粉末状結晶の赤外線吸収スペクトル及び’Ｈ−Ｎ　Ｍ
　Ｒスペクトルをそれぞれ第５図及び第６図に示す。

この結晶の融点は２９６〜２９８℃であり９元素分析の
結果、炭素７１．１７％、水素２７９％であり、理論値
の炭素７１．３６％、水素２・７２Ｌ４とよく一致し１
ｍ−ターフェニル−λ４．　（４’−テトラカ＆ホンｒ
ｌＲ−λ４．ｉ（−二無水物であることが確認された。

実施例１ 窒素気流下に４．４′−ジアミノジフェニルエーテル１
９Ｇ（０，０９５モル）及び１．３−ビス（アミ／７’
ロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４９（０，０
０５モル）を、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド１７１
．Ｏｓに溶解してジアミン溶液を調合した。

次に、との溶液を水冷によって約１５℃の温度に保ちな
がら攪拌下に参考例で得られたメタ−ターフェニル−λ
４イｌ−テトラカルボン酸二無水物３７．０９　（０，
１モル）を加え、室温で８時間攪拌を続け、粘稠なポリ
アミド酸溶液を得た。

更に光遮断下の条件でポリアミド酸溶液を４０℃に加熱
させなからＮ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇを
触媒としてイソシアネートエチルメタクリレート７．７
５９（０，０５モル）を徐々に加え２４時間反応させた
。反応中は二酸化炭素が発生した。

この溶液に光遮断下でベンゾフェノン２７ｇ及ヒ４．４
′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．３９を
加え、攪拌混合後、フィルターで濾過し感光性重合体組
成物を得た。

この組成物をスピナーでシリコーンウェーハ上に塗布し
９０℃で６０分乾燥して２０　ａｍ厚の感光性被膜を得
た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞模
様のフォトマスクを用いて５００　ｍＪ　／ａｍ”の紫
外線により密着露光し、その後。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４容、メタノール１容か
ら成る混液で現像し９次いでエタノールでリンスしてレ
リーフパターンを得た。現像後の膜厚は１８μｍであっ
た。

次で窒素雰囲気下１８０℃で３０分　４００℃で６０分
加熱し膜厚１０μｍのポリイミドレリーフパターンを得
九。この時、パターンは強固に基板に密着し、フォトマ
スクのパターンが忠実に転写されてい友。この塗膜の重
量減少開始温度は４３０℃と良好な耐熱性を有するもの
であった。

又、この感光性重合体組成物の溶液状態での粘度安定性
は良好で５℃で６力月後でもほとんど変化は見られなか
った。

実施例２ 実施例１と同様にして、実施例１で得たポリアミド酸溶
液にトリメチロールプロパントリアクリレートを３０９
加え光遮断下でベンジルジメチルケタール１．５ｇ加え
て同様に感光性重合体組成物を調整し実施例１と同様（
して塗布し、膜厚２５μｍの塗膜を得た。この塗膜Ｋ　
３００　ｍＪ／ａｍ”の照射を行い実施例１と同様にし
て現像リンスを行ったところ鮮明なパターンを得るとな
かで龜た。

現像後の膜厚は２３μｍであった。次で実施例１と同様
な方法で加熱処理したとζろ、１５μｍ厚のポリイミド
レリーフパターンを得た。また。

この塗膜の重量減少開始温度は４２０℃と良好な耐熱性
を有するものであった。

又、この感光性重合体組成物の溶液状態での粘度安定性
は良好で５℃６力月後でもほとんど変化は見られなかっ
た。

実施例３ 窒素気流下ｉｃ４．４′−ジアミノジフェニルエーテル
２０９（０，１モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
１７３ｇに溶解してジアミン溶液を調合し之。

次に、この溶液を水冷によって約１５７’Ｃの温度に保
ちながら攪拌下に参考例で得られたメターターフェニル
ａｔａ’４’−テト２カルボン酸二無水物３ａ３ｇ（０
，０９−ｖ−ル）、１．３−ビス（、ｌ−室温で８時間
攪拌を続は粘稠なポリアミド酸溶液を得た。更に光遮断
下の条件でポリアミド酸溶液を４０℃に加熱させながら
、これにＮ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇを触
媒としてインシアネートエチルメタクリレート７、７５
８　（０，０５モル）を徐々に加え２４時間反応させた
。反応中は二酸化炭素が発生した。この溶液に光遮断下
でベンゾフェノンλ０９．４．４−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン０．４ｇを加え攪拌混合後、フィル
ターでろ過して感光性重合体組成物を得た。

この溶液を実施例１と同様な方法でシリコーンウェーハ
上に塗布し膜厚１５μｍの塗膜を得た。

この塗膜に３００　ｍＪ／ｃｍ”の照射を行い、実施例
１と同様に現像リンスを行ったところ鮮明なパターンを
得ることができた。現像後の膜厚は１３μｍであった。

次で１５０℃で１時間、２００℃で３０分。

４００℃で１時間加熱処理したところ、膜厚８μｍのポ
リイミドレリーフパター／を得た。この塗膜の重量減少
開始温度は４４０℃と良好な耐熱性を有するものであっ
た。

実施例４ 実施例３で得たポリアミド酸溶液を７０℃に加熱させな
からＮ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．５９、グリシ
ジルメタクリレート７．１　ｇ　（０，０５モル）を徐
々に加え８時間反応させた。

この溶液に光遮断下でベンジルジメチルケタール２ｇ及
びトリメチロールプロパントリメタクリレートを３０ｇ
加え攪拌混合後フィルターで一過して感光性重合体組成
物を得た。

この塗膜を実施例１と同様にシリコ−７ｆ）工−ハ上に
塗布し、膜厚２０μｍの塗膜を得た。この塗膜Ｋ　５０
０　ｍＪ／ａｎ−の照射を行い、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン５容、メタノール２容の現像液で現像シ、イソプ
ロピルアルコールでリンスを行ったとζろ鮮明なパター
ンを得ることができた。現像後の膜厚は１８μｍであっ
た。

次で１５０℃１時間、２００℃で３０分、４００℃で１
時間加熱処理したところ膜厚１０μｍのポリイミドレリ
ーフパターンを得た。この塗膜の重量減少開始温度は４
３０℃と良好な耐熱性を有するものであった。またこの
感光性重合体組成物の溶液状態での安定性は良好で５℃
６力月後でも変化はしなかった。

実施例５ メタ−ターフェニル−λｔ３：／テトラカルボン酸二無
水物３７９（０，１モル）、２−ヒドロ中シ　　　゛エ
チルメタクリレート２６９（０，２モル）をＮ−メチル
−２−ピロリドンａｓｏｇ中で８０”Ｃ５時間反応させ
１次でＮ、Ｎ−ジフェニルエーテルジイソシアナート２
５．２９（０，１モル）、Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン１
．０９を加え、さらに７０℃で４時間反応させた。反応
中二酸化炭素が発生していた。

次にこの溶液にベンゾフェノン４Ｇ、４．４′−ビス（
ジエチルアミノ）ベンゾフェノン０．６８ｔ”加え攪拌
混合後フィルターで濾過し、感光性重合体組成物とした
。

次にこの組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に
塗布し、８０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被
膜を得た。この被膜に５００ｍＪ／ａｍ”の照射を行い
実施例１と同様にして現像リンスを行つ九ところ鮮明な
パターンを得ることができた。

現像後の膜厚は１８μｍであった。

次で１５０℃で１時間、２００℃で３０分。

４００℃で１時間加熱処理したところ膜厚１０μｍのポ
リイミドレリーフパターンを得た。この塗膜の重量減少
開始温度は４２０℃と良好な耐熱性を有するものであっ
た。

又、この感光性重合体組成物の溶液状態での粘度安定性
は良好で５℃６力月までもほとんど変化は見られなかっ
た。

比較例１ ４．４−ジアミノジフェニルエーテル１９９（０，０９
５そル）、１．３−ビス（アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン１．２４９　（０，００５モル）、ピロ
メリット酸２１．８ｇ（０，１モル）　、　Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド１２６藝を用いて実施例１と同様の
操作方法でポリアミド酸溶液を得た。

この溶液に光遮断下の条件で４０℃に加熱しながらＮ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇをＭ媒としてイソ
シアネートメチルメタクリレート７．７５９（０，０５
モル）を徐々に加え２４Ｉ＃間反応させた。この溶液に
ぺ／シフエノン！７９．４．４’−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン０．３ｇを加え攪拌混合後、フィル
ターで濾過し感光性重合体組成物を得た。

この組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に塗布
し９０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被膜を得
た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞模
様のフォトマスクを用いて３０００　ｍＪ／ａｍ”の紫
外線により密着露光し、その後、　Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド４容、メタノール１容から成る混液で現像し
１次いでエタノールでリンスしてレリーフパターンを得
た。現像後の膜厚は６μｍであった。

次で１８０℃で３０分、４００℃で６０分加熱処理した
ところ得られたポリイミドの膜厚は３μｍであった。こ
の被膜の重量減少開始温度は４００℃で加熱処理したＫ
もかかわらず３５０℃であり硬化膜は劣化していた。

比較例２ ４４′−ジアミノジフェニルエーテル１９ｇ（０，０９
５モル）、１．３−ビス（アミノプロピル）。

テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０，００５モル
）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３Ｌ２　
Ｂ　（０，１％ル）、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
１５７ｇを用いて実施例１と同様の操作方法でポリアミ
ド酸溶液を得た。

この溶液に光遮断下の条件で４０℃に加熱しなからＮ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミンｔ、ｏｇｔ−ｍｓとしてイ
ソシアネートエチルメタクリレ−）７．７５９（０，０
５モル）を徐々に加え、２４時間反応させた。

この溶液にべ／シフエノンλｒｇ、４．４′−ビス（ジ
エチルアミノ）ベンゾフェノン０．３ａｔ加え攪拌混合
後、フィルターで濾過し感光性重合体組成物を得た。

この組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に塗布
し、９０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被膜を
得た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞
模様のフォトマスクを用いて５０００　ｍＪ／ｃｍ”の
紫外線により密着露光し。

その後Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４容、メタノール
１容から成る混液で現像し１次いでエタノールでリンス
してレリーフパターンを得た。現像後の膜厚は４μｍで
あった。

次いで１８０℃で３０分、４００℃で６０分加熱処理し
たところ得られたポリイミドの膜厚は２μｍであった。

この被膜の重量減少開始温度は４００℃で加熱処理した
くもかかわらず、３４０℃であり硬化膜は劣化していた
。

比較例３ ４．４′−ジアミノジフェニルエーテル１９９（０，０
９５モル）、１．３−ビス（アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン１．２４９（０，００５モル）、ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４９（０，１モ
ル）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドｔ４ａ９ｇを用い
て実施例１と同様の操作方法でポリアミド酸溶液を得た
。

との溶液に光遮断下の条件で４０℃に加熱しながらＮ、
Ｎ−ジメチルベンジルアミン１．０ｇを触媒としてイン
シアネートエチルメタクリレート７．７５９（０，０５
モル）を徐々に加え２４時間反応させた。

この溶液にベンゾフェノン１７９．４４’−ビス（ジエ
チルアミノ）ぺ／ゾフエノ７０．３９を加え攪拌混合後
フィルターで濾過し感光性重合体組成物を得た。

この組成物をスピンナーでシリコーンウェーハ上に塗布
し、９０℃で６０分乾燥して２０μｍ厚の感光性被膜を
得た。この被膜を５０μｍのラインアンドスペースの縞
模様のフォトマスクｔ−用いて３０００　ｍＪ／ｃｍ’
の紫外線により密着露光し。

その後Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド４容、メタノール
１容から成る混液で現像し９次いでエタノールでリンス
し、レリーフパターンを得た。現像後の膜厚は６μｍで
あった。

次いで１８０℃で３０分、４００℃で６０分加熱処理し
たところ得られ九ポリイミドの膜厚は３μｍであった。

この被膜の重量減少開始温度は４００℃で加熱処理した
にもかかわらず、３８０℃であり、かつ硬化膜は劣化し
ていた。

実施例１で用いたポリアミド酸溶液および比較例１〜３
で得たポリアミド酸溶液をそれぞれガラス板に塗布乾燥
して得たフィルムの膜厚に対する波長４　Ｑ　５　ｎｍ
の紫外線の透過率を第７図に示す。

実施例１で用いたポリアミド酸は透過率が高いことが示
される。

（発明の効果） 本発明になる感光性重合体組成物は、保存安定性にすぐ
れ、かつポリマ骨格に紫外線の透過率にすぐれたメタ−
ターフェニル−３，４，ｉ　４’−テトラカルボン酸骨
格を用いているためにピロメリット酸二無水物、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物等を用いた系より特に厚い膜を感光
させるためには特に有利であり、かつ耐熱性にすぐれて
いるため。

半導体を始めとする各種電子部品絶縁膜として適用可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は参考例で製造した中間体であるλ４．３：４１
−テトラメチル−ｍ−ターフェニルのＩＨ−ＮＭＲスペ
クトル、第２図はそのλａ、　ｉ　４’−テトラメチル
−ｍ−ターフェニルの”（：：−ＮＭＲスペクトル。 第３図は参考例で製造したｍ−ターフェニル−λ４．３
：／−テトラカルボン酸の赤外線吸収スペクトル、第４
図は参考例で製造したｍ−ターフェニル−λ４．３：　
４’−テトラカルボン酸テトラメチルエステルの”Ｈ−
Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトル、第５図は参考例で製造し九ｍ−
ターフェニル−λ４．３：４’−テトラ力　　゛ルボ／
酸−λ４．　Ｋ　（−二無水物の赤外線吸収スペクトル
及び第６図は参考例で製造したｍ−ターフェニル−λ４
．ａ’／−テトラカルボン酸−３４，ｔ　４’−二無水
物のＩＨ−ＮＭＲスペクトルおよび第７図は実施例１お
よび比較例１〜３で用いたポリアミド酸の紫外線透過率
を示す図である。 二　　　＼

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・（１） （但し式中Ｒ＾１は２価の有機基であり、Ｒ＾２は炭素
   −炭素二重結合を有する基を示し、Ｘは酸素原子又はＮ
   Ｈ基を示し、ｎは１以上の整数を示す。）で表わされる
   構造単位を含むポリイミド前駆体および光重合開始剤を
   含有してなる感光性重合体組成物。