JP7524924B2 - 音響共振器、フィルタ及び音響共振器の製造方法 - Google Patents

音響共振器、フィルタ及び音響共振器の製造方法 Download PDF

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Description

（著作権及びトレードドレスの通知）
本特許文書の開示の一部分は、著作権の保護を受ける材料を含む。本特許文書は、所有者のトレードドレスである事項又はトレードドレスとなり得る事項を図示及び／又は記載することができる。著作権及びトレードドレスの所有者は、その特許開示が米国特許商標庁の特許出願書類又は記録内にあるので、当該特許開示を任意の者が複製することに異議はないが、それ以外は何であれ、全ての著作権及びトレードドレス権を保有するものである。
（関連出願情報）
本特許は、以下の仮特許出願、すなわち、２０２１年４月３０日に出願された「ＯＸＩＤＥ ＳＴＲＩＰ ＡＣＯＵＳＴＩＣ ＣＯＮＦＩＮＥＭＥＮＴ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＦＯＲ Ｚ－ＣＵＴ ＬＮ」と題する第６３／１８２，４６５号、２０２１年５月１２日に出願された「ＤＵＡＬ ＯＸＩＤＥ ＳＴＲＩＰ ＡＣＯＵＳＴＩＣ ＣＯＮＦＩＮＥＭＥＮＴ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＦＯＲ Ｚ－ＣＵＴ ＬＮ」と題する第６３／１８７，９３２号、２０２１年５月２１日に出願された「ＢＥＳＴ ＰＲＡＣＴＩＣＥＳ ＦＯＲ ＯＸＩＤＥ ＳＴＲＩＰ ＡＣＯＵＳＴＩＣ ＣＯＮＦＩＮＥＭＥＮＴ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」と題する第６３／１９１，８９７号、及び２０２１年６月９日に出願された「ＣＨＩＲＰＥＤ ＷＩＤＥ ＯＸＩＤＥ ＳＴＲＩＰ ＡＣＯＵＳＴＩＣ ＣＯＮＦＩＮＥＭＥＮＴ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」と題する第６３／２０８，５０３号の優先権を主張する。これらの出願の内容は、参照によりここに組み込まれるものとする。
本開示は、弾性波共振器を用いた無線周波フィルタに関し、特に通信機器に使用するためのフィルタに関する。
無線周波（ＲＦ）フィルタは、一部の周波数を通過させ、他の周波数を阻止させるように構成された２ポートデバイスであり、「通過」は比較的低い信号損失で送信することを意味し、「阻止」はブロックすること又は大幅に減衰させることを意味する。フィルタを通過する周波数の範囲は、フィルタの「通過帯域」と呼ばれる。このようなフィルタによって阻止される周波数の範囲は、フィルタの「阻止帯域」と呼ばれる。一般的なＲＦフィルタは、少なくとも１つの通過帯域と、少なくとも１つの阻止帯域を有する。通過帯域又は阻止帯域の特定の要件は、特定の用途に依存する。例えば、「通過帯域」は、フィルタの挿入損失が１ｄＢ、２ｄＢ、又は３ｄＢなどの定義された値よりも良好な周波数範囲として定義されてもよい。「阻止帯域」は、フィルタの拒否が用途に応じて２０ｄＢ、３０ｄＢ、４０ｄＢ、又はそれ以上などの定義された値よりも大きい周波数範囲として定義されてもよい。
ＲＦフィルタは、情報が無線リンクを介して送信される通信システムで使用されている。例えば、ＲＦフィルタは、セルラーベースステーション、携帯電話及びコンピューティングデバイス、衛星トランシーバ及び地上局、ＩｏＴ（モノのインターネット）デバイス、ラップトップコンピュータ及びタブレット、固定ポイント無線リンク、及び他の通信システムのＲＦフロントエンドで見られる。ＲＦフィルタは、レーダ、電子及び情報戦システムでも使用されている。
ＲＦフィルタは、通常、特定の用途ごとに、挿入損失、拒否、絶縁、電力処理、直線性、サイズ及びコストなどの性能パラメータ間の最良の妥協点を実現するために多くの設計上のトレードオフを必要とする。特定の設計及び製造方法と機能強化は、これらの要件の１つ又は幾つかを同時に実現できる。
無線システムにおけるＲＦフィルタの性能の強化は、システム性能に幅広い影響を与える可能性がある。ＲＦフィルタの改善を活用して、セルサイズの拡大、バッテリ寿命の延長、データレートの向上、ネットワーク容量の拡大、コストの削減、セキュリティの強化、信頼性の向上などのシステム性能の改善を実現できる。これらの改善は、無線システムの多くのレベルで、例えば、ＲＦモジュール、ＲＦトランシーバ、モバイル又は固定サブシステム、又はネットワークレベルなどで、個別でも、組み合わせてでも実現できる。
現在の通信システム用の高性能ＲＦフィルタは、一般に、表面弾性波（ＳＡＷ）共振器、バルク弾性波（ＢＡＷ）共振器、フィルムバルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）、及びその他のタイプの音響共振器を含む弾性波共振器を組み込んでいる。しかしながら、これらの既存技術は、将来の通信ネットワークで提案されているより高い周波数及び帯域幅での使用には適していない。
通信チャネルの帯域幅をより広くしたいという要望は、必然的に高い周波数の通信帯域を使用することになる。モバイル電話ネットワークの無線アクセス技術は、３ＧＰＰ（３ｒｄ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ Ｐｒｏｊｅｃｔ）（登録商標）によって標準化されてきた。第五世代（５Ｇ）モバイルネットワークの無線アクセス技術は、５Ｇ ＮＲ（ｎｅｗ ｒａｄｉｏ）規格で定義されている。５Ｇ ＮＲ規格では、いくつかの新しい通信帯域が定義されている。この新しい通信帯域のうちの２つが、３３００ＭＨｚ～４２００ＭＨｚの周波数帯域を使用するｎ７７と、４４００ＭＨｚ～５０００ＭＨｚの周波数帯域を使用するｎ７９である。帯域ｎ７７及び帯域ｎ７９は両方とも時分割多重（ＴＤＤ）を採用しており、帯域ｎ７７及び／又は帯域ｎ７９で動作する通信機器は、アップリンクとダウンリンクの両方の送信で同じ周波数を使用する。帯域ｎ７７と帯域ｎ７９のバンドパスフィルタは、通信機器の送信電力に対応できるものでなければならない。５ＧＨｚ及び６ＧＨｚのＷｉＦｉ帯域も高い周波数と広い帯域を必要とする。５Ｇ ＮＲ規格では、２４．２５ＧＨｚ～４０ＧＨｚの周波数を有するミリ波通信帯域も定義されている。
横方向励起フィルムバルク音響共振器（ＸＢＡＲ）は、マイクロ波フィルタに使用するための音響共振器構造である。ＸＢＡＲは、「ＴＲＡＮＳＶＥＲＳＥＬＹ ＥＸＣＩＴＥＤ ＦＩＬＭ ＢＵＬＫ ＡＣＯＵＳＴＩＣ ＲＥＳＯＮＡＴＯＲ」と題する特許文献１に記載されている。ＸＢＡＲ共振器は、単結晶圧電材料の薄い浮遊層又はダイアフラム上に形成されたインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を含む。ＩＤＴは、第一のバスバーから延びる第一のセットの平行フィンガと、第二のバスバーから延びる第二のセットの平行フィンガとを含む。第一及び第二の平行フィンガは、インターリーブされている。ＩＤＴに印加されたマイクロ波信号により、圧電ダイアフラムに剪断一次弾性波が励起される。ＸＢＡＲ共振器は、非常に高い電気機械的結合と高い周波数性能を提供する。ＸＢＡＲ共振器は、バンドリジェクトフィルタ、バンドパスフィルタ、デュプレクサ、マルチプレクサなど、様々なＲＦフィルタに使用することができる。ＸＢＡＲは、３ＧＨｚを超える周波数を有する通信帯域用フィルタで使用するのに非常に適している。マトリックスＸＢＡＲフィルタは、１ＧＨｚ～３ＧＨｚの周波数のフィルタにも適している。
米国特許第１０４９１２９１号明細書
図１は、横方向励起フィルムバルク音響共振器（ＸＢＡＲ）の概略平面図、２つの概略断面図、及び詳細図を含む。 図２Ａは、音響共振器の等価回路モデルである。 図２Ｂは、理想的な音響共振器のアドミタンスの大きさを示したグラフである。 図３は、代表的なＸＢＡＲのアドミタンスとＢｏｄｅ Ｑを周波数の関数として示したグラフである。 図４は、酸化物ストリップ音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲの概略平面図及び拡大概略断面図を含む。 図５は、図４の音響閉じ込め構造の詳細断面図である。 図６は、別の音響閉じ込め構造の詳細断面図である。 図７は、異なる音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑを比較するグラフである。 図８は、異なる音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑを比較するグラフである。 図９は、異なる音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑを比較するグラフである。 図１０は、別の音響閉じ込め構造の詳細断面図である。 図１１は、異なる音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑを比較するグラフである。 図１２は、音響共振器を使用するバンドパスフィルタの概略ブロック図である。 図１３は、音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲと、音響閉じ込め構造を有しないＸＢＡＲとを使用して実装されたバンドパスフィルタの性能を比較するグラフである。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、酸化物ストリップ音響閉じ込め構造の異なる実施形態の概略平面図である。 図１５は、ＸＢＡＲを製造するための方法のフローチャートである。
この説明全体を通して、図に表示される要素には、３桁又は４桁の参照番号が割り当てられる。ここで、下２桁は要素に固有であり、上１桁又は上２桁は要素が最初に導入された図番号である。図と共に説明されていない要素は、同じ参照番号を有する前述の要素と同じ特性及び機能を有すると推定され得る。
（装置の説明）
図１は、横方向励起フィルムバルク音響共振器（ＸＢＡＲ）１００の簡略化された概略上面図、直交断面図、及び詳細断面図を示す。共振器１００などのＸＢＡＲ共振器は、バンドリジェクトフィルタ、バンドパスフィルタ、デュプレクサ、及びマルチプレクサを含む様々なＲＦフィルタで使用してもよい。ＸＢＡＲは、周波数が３ＧＨｚを超える通信帯域のフィルタでの使用に特に適している。
ＸＢＡＲ１００は、それぞれ平行な前面１１２及び背面１１４を有する圧電板１１０の表面上に形成された薄膜導体パターンから構成される。圧電板は、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ケイ酸ランタンガリウム、窒化ガリウム、又は窒化アルミニウムなどの圧電材料の薄い単結晶層である。圧電板は、前面と背面に対するＸ、Ｙ、Ｚ結晶軸の配向が既知で一貫しているようにカットされる。この特許で提示されている例では、圧電板はＺカットされている。つまり、Ｚ軸は前面１１２及び背面１１４に垂直である。しかしながら、ＸＢＡＲは、他の結晶学的配向を有する圧電板上に製造されてもよい。
圧電板１１０の背面１１４は、基板に形成されたキャビティ１４０にまたがるダイアフラム１１５を形成する圧電板１１０の部分を除いて、基板１２０の表面に取り付けられている。キャビティにまたがる圧電板の部分は、マイクロフォンのダイアフラムに物理的に類似しているため、本明細書では「ダイアフラム」１１５と呼ばれる。図１に示すように、ダイアフラム１１５は、キャビティ１４０の周囲１４５の全ての周りで圧電板１１０の残りの部分と隣接している。この文脈において、「隣接している（ｃｏｎｔｉｇｕｏｕｓ）」とは、「介在物なしで連続的に接続されている」ことを意味する。他の構成では、ダイアフラム１１５は、キャビティ１４０の周囲１４５の少なくとも５０％の周りで圧電板と隣接していてもよい。
基板１２０は、圧電板１１０に機械的支持を提供する。基板１２０は、例えば、シリコン、サファイア、石英、若しくは他の何らかの材料、又は材料の組み合わせであってもよい。圧電板１１０は、ウェーハボンディングプロセスを用いて基板１２０に結合してもよい。あるいは、圧電板１１０は、基板１２０上に成長させても、他の何らかの方法で基板に取り付けてもよい。圧電板１１０は、基板に直接取り付けても、あるいは１つ以上の中間材料層を介して基板１２０に取り付けてもよい（図１に図示せず）。
「キャビティ」は、「中実体内の空いた空間」という従来の意味を有する。キャビティ１４０は、（断面Ａ－Ａ及び断面Ｂ－Ｂに示すように）基板１２０を完全に貫通する穴であってもよいし、ダイアフラム１１５の下の基板１２０の凹部であってもよい。キャビティ１４０は、例えば、圧電板１１０と基板１２０とが取り付け合わされる前又は後に、基板１２０を選択的にエッチングすることによって形成されてもよい。
ＸＢＡＲ１００の導体パターンは、インターデジタル変換器（ＩＤＴ）１３０を含む。ＩＤＴ１３０は、第一のバスバー１３２から延びるフィンガ１３６などの第一の複数の平行なフィンガと、第二のバスバー１３４から延びる第二の複数のフィンガとを含む。第一及び第二の複数の平行なフィンガは、インターリーブされる。インターリーブされたフィンガは、一般にＩＤＴの「アパーチャ」と呼ばれる距離ＡＰにわたって重なり合う。ＩＤＴのフィンガに平行な方向は、本明細書で、「アパーチャ方向」と呼ぶことにする。ＩＤＴ１３０の最側のフィンガ間の中心間距離Ｌは、ＩＤＴの「長さ」である。ＩＤＴのフィンガに垂直な方向は、本明細書で、「長さ方向」と呼ぶことにする。
第一及び第二のバスバー１３２、１３４は、ＸＢＡＲ１００の端子として機能する。ＩＤＴ１３０の２つのバスバー１３２、１３４の間に印加される無線周波信号又はマイクロ波信号は、圧電板１１０内の一次音響モードを励起する。以下で詳述するように、一次音響モードは、音響エネルギーが圧電板１１０の表面に実質的に直交する方向に沿って伝播するバルク剪断モードであり、これはまた、ＩＤＴフィンガによって生成された電界の方向に垂直又は横方向である。したがって、ＸＢＡＲは、横方向励起フィルムバルク波共振器と見なされる。
ＩＤＴ１３０は、少なくともＩＤＴ１３０のフィンガがキャビティ１４０にまたがっている、又はその上に懸架されているダイアフラム１１５上に配置されるように、圧電板１１０上に配置される。図１に示すように、キャビティ１２５は、アパーチャＡＰ及びＩＤＴ１３０の長さＬよりも広い範囲を有する長方形の形状を有する。ＸＢＡＲのキャビティは、正多角形又は不等辺多角形など、様々な形状をしていてもよい。ＸＢＡＲのキャビティは、辺の数が４つを上回っても、下回ってもよく、それらの辺は直線であっても、曲線であってもよい。
図１の提示を容易にするために、ＩＤＴフィンガの幾何学的ピッチ及びマーク（「マーク」とは、ＩＤＴフィンガなどの導体の長軸に垂直な方向の寸法を指す一般的な用語である）は、ＸＢＡＲの長さ（寸法Ｌ）及びアパーチャ（寸法ＡＰ）に関して著しく誇張されている。一般的なＸＢＡＲは、ＩＤＴ１１０に１０を超える平行なフィンガを有する。ＸＢＡＲは、ＩＤＴ１１０に数百、場合によっては数千の平行なフィンガを有してもよい。同様に、断面図のフィンガの太さは、著しく誇張されている。
詳細な概略断面図（詳細Ｃ）を参照すると、前面誘電体層１５０は、圧電板１１０の前面に、任意選択で形成することができる。ＸＢＡＲの「前面」は、定義上、基板とは反対側を向いている表面である。前面誘電体層１５０は、ＩＤＴフィンガ（例えば、ＩＤＴフィンガ１３８ｂ）の間にのみ形成されてもよいし、あるいは誘電体層がＩＤＴフィンガ（例えば、ＩＤＴフィンガ１３８ａ）の間及び上の両方に形成されるようにブランケット層として堆積されてもよい。前面誘電体層１５０は、二酸化ケイ素、又は窒化ケイ素などの非圧電誘電体材料であってもよい。前面誘電体層の厚さは、典型的には、圧電板の厚さ以下である。前面誘電体層１５０は、２つ以上の材料の複数の層から形成されてもよい。
ＩＤＴフィンガ１３８ａ、１３８ｂは、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、ベリリウム、金、タングステン、モリブデン、又は他の導電性材料であってもよい。ＩＤＴフィンガは、アルミニウム又は少なくとも５０％のアルミニウムを含む合金から形成されている場合、「実質的にアルミニウム」であると見なされる。ＩＤＴフィンガは、銅又は少なくとも５０％の銅を含む合金から形成されている場合、「実質的に銅」であると見なされる。クロム又はチタンなどの金属の薄い（導体の総厚に対して）層を、フィンガと圧電板１１０との間の接着を改善するために、及び／又はフィンガを不動態化又はカプセル化するために、及び／又はパワーハンドリングを改善するために、フィンガの下及び／又は上、及び／又はフィンガ内の層として形成してもよい。ＩＤＴのバスバー１３２、１３４は、フィンガと同じ材料で製造しても、異なる材料で製造してもよい。
寸法ｐは、ＩＤＴフィンガの中心間の間隔又は「ピッチ」であり、これはＩＤＴのピッチ及び／又はＸＢＡＲのピッチと呼ばれる場合がある。寸法ｍは、ＩＤＴフィンガの「マーク」である。
詳細Ｃに示すように、ＩＤＴフィンガ１３８ａは台形断面形状を有し、ＩＤＴフィンガ１３８ｂは長方形断面形状を有する。ＩＤＴフィンガ１３８ａ，１３８ｂは、Ｔ字型又は段差型など、他の断面を有していてもよい。ＩＤＴフィンガ１３８ａ、１３８ｂは、アルミニウム又は何らかの他の金属であり得る単層構造として示されている。ＩＤＴフィンガは、複数の材料層を含んでもよく、これらの材料層は、異なる音響損失及び／又は異なる音響インピーダンスを有するように選択されてもよい。複数の材料層を使用する場合、層の断面形状は異なっていてもよい。さらに、ＩＤＴフィンガ１３８ａ、１３８ｂと圧電板１１０との間に、チタン又はクロムなどの別の材料の薄い接着層が形成されてもよい。図１には示されていないが、一部又は全部のＩＤＴフィンガは、圧電板１１０を部分的に又は完全に貫通して延びる溝又はスロットに配置されてもよい。
剪断弾性波共振に基づく音響共振器は、現在の最先端の表面弾性波（ＳＡＷ）、フィルムバルク音響共振器（ＦＢＡＲ）及び、ソリッドマウント共振器バルク弾性波（ＳＭＲ ＢＡＷ）デバイスよりも優れた性能を達成できる。特に、剪断波ＸＢＡＲ共振の圧電結合は、他の音響共振器と比較して高くすることができる（＞２０％）。高い圧電結合によって、かなりの帯域幅を有する様々なタイプのマイクロ波及びミリ波フィルタの設計と実装が可能になる。
ＸＢＡＲを含む音響共振器の基本的な挙動は、図２Ａに示すようなＢｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ Ｖａｎ Ｄｙｋｅ（ＢＶＤ）回路モデルを用いて一般的に説明される。ＢＶＤ回路モデルは、運動アームと静的アームとから構成される。運動アームは、運動インダクタンスＬｍ、運動容量Ｃｍ、及び抵抗Ｒｍを含む。静的アームには、静電容量Ｃ０と抵抗Ｒ０が含まれる。ＢＶＤモデルは音響共振器の挙動を完全に記述するものではないが、バンドパスフィルタ、デュプレクサ、マルチプレクサ（マルチプレクサは複数の通過帯域がある３つ以上の入力ポート又は出力ポートを有するフィルタ）の設計に使用される２つの主共振をモデル化するには適している。
ＢＶＤモデルの第一の主共振は、運動インダクタンスＬｍと運動容量Ｃｍの直列結合によって生じる運動共振である。ＢＶＤモデルの第二の主共振は、運動インダクタンスＬｍ、運動容量Ｃｍ、及び静電容量Ｃ０の組み合わせによって生じる反共振である。無損失共振器（Ｒｍ＝Ｒ０＝０）では、運動共振の周波数Ｆｒは、
Figure 0007524924000001
 で与えられる。反共振の周波数Ｆａは、
Figure 0007524924000002
 で与えられる。ここで、γ＝Ｃ０／Ｃｍは共振器構造、圧電材料の種類及び結晶軸の配向に依存する。
図２Ｂは、理論的な無損失音響共振器の性能のグラフ２００である。具体的には、実線の曲線２１０は、周波数の関数として音響共振器のアドミタンスの大きさをプロットしたものである。音響共振器は、共振器のアドミタンスが無限大に近づく共振周波数において、共振２１２を有する。この共振は、図２ＡのＢＶＤモデルにおける運動インダクタンスＬｍと運動容量Ｃｍの直列結合に起因するものである。また、音響共振器は、共振器のアドミタンスがゼロに近づく反共振２１４を示す。反共振は、運動インダクタンスＬｍ、運動容量Ｃｍ、及び静電容量Ｃ０の組み合わせによって引き起こされる。無損失共振器（Ｒｍ＝Ｒ０＝０）において、共振の周波数Ｆｒは、
Figure 0007524924000003
 で与えられる。反共振の周波数Ｆａは、
Figure 0007524924000004
 で与えられる。
過度に簡略化すると、無損失音響共振器は、共振周波数２１２で短絡し、反共振周波数２１４で開回路であると考えることができる。図２Ｂの共振周波数及び反共振周波数は代表的なものであり、音響共振器は他の周波数に対して設計することもできる。
図３は、例示的なＸＢＡＲの性能を示すグラフ３００である。図３及び後続の全てのグラフのデータは、有限要素３次元シミュレーション技術を使用する例示的なＸＢＡＲデバイスのシミュレーションから得られる。
具体的には、実線の曲線３１０は、周波数の関数として例示的なＸＢＡＲのアドミタンスの大きさをプロットしたものである。破線３２０は、ＸＢＡＲのアドミタンスの実成分をプロットしたものである。曲線３１０及び３２０は、左側の縦軸を使用して読み取られる。例示的なＸＢＡＲは、０．３６８μｍの厚さを有するＺカットのニオブ酸リチウム圧電板を含む。ＩＤＴピッチは４．４μｍであり、ＩＤＴフィンガマークは０．９６μｍである。ＩＤＴのマーク／ピッチ比は０．２２である。ＩＤＴはアルミニウムが主体で、総厚は０．４９１μｍである。ＩＤＴのフィンガ端と隣接するバスバーとのギャップは５．０μｍである。ＸＢＡＲは、約４２５０ＭＨｚの共振周波数（図示せず）及び約４６８０ＭＨｚの反共振周波数を有する。例示的なＸＢＡＲは、例えば、帯域ｎ７９バンドパスフィルタのためのシャント共振器であってもよい。グラフ３００の周波数範囲は、ＸＢＡＲの反共振におけるアドミタンス最小値を含む４４００ＭＨｚから５０００ＭＨｚまでのｎ７９帯域にまたがる。
一点鎖線３３０は、ＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑファクタをプロットしたものである。ＢｏｄｅＱファクタは、共振器の効率の尺度であり、入力信号のサイクル中に蓄積されたピークエネルギーの２π倍を、そのサイクル中に散逸された総エネルギーで除したものに等しくなる。曲線３３０は、右側の縦軸に対して読み取られる。
図４は、横方向に励起されたフィルムバルク音響共振器（ＸＢＡＲ）４００の簡略化した概略上面図及び拡大断面図である。ＸＢＡＲ４００は、第一の誘電体ストリップ音響閉じ込め構造（ＡＣＳ）４５２及び第二の誘電体ストリップＡＣＳ４５４を追加した図１のＸＢＡＲ１００と概して類似している。
ＸＢＡＲ４００は、圧電板４１０の表面上に形成された薄膜導体パターンを含む。圧電板４１０は、単結晶の圧電材料の薄板であってもよい。圧電板４１０の材料及び結晶方位は、先に説明したとおりであってもよい。
圧電板４１０の裏面は、基板に形成されたキャビティ４４０にまたがるダイアフラム４１５を形成する圧電板４１０の部分を除いて、基板４２０の表面に付着している。基板４２０は、例えば、シリコン、サファイア、石英、又は何らかの他の材料、あるいは材料の組み合わせであってもよい。圧電板４１０及び基板４２０は、先に説明したように、接着又は付着されてもよい。
ＸＢＡＲ４００の導体パターンは、インターデジタル変換器（ＩＤＴ）４３０を含む。ＩＤＴ４３０は、第一のバスバー４３２から延びるフィンガ４３６などの第一の複数の平行なフィンガと、第二のバスバー４３４から延びる第二の複数のフィンガとを含む。第一及び第二の複数の平行なフィンガは、インターリーブされる。インターリーブされたフィンガは、一般にＩＤＴの「アパーチャ」と呼ばれる距離ＡＰにわたって重なり合う。ＩＤＴのフィンガに平行な方向は、本明細書で、「アパーチャ方向」と呼ぶことにする。ＩＤＴ４３０の最も外側のフィンガの間の中心間距離Ｌは、ＩＤＴの「長さ」である。ＩＤＴのフィンガに垂直な方向は、本明細書で、「長さ方向」と呼ぶことにする。ＩＤＴ４３０は、少なくともＩＤＴ４３０のフィンガが振動板４１５上に配置されるように、圧電板４１０上に配置される。導体パターンの材料は、前述したとおりでよい。
各誘電体ストリップＡＣＳ４５２、４５４は、アパーチャのマージンにおいてＩＤＴフィンガに重なり合い、ＩＤＴフィンガの端部と隣接するバスバーとの間のギャップに延びる誘電体材料のストリップである。この文脈では、用語「マージン」は、「何かの極端なエッジと、特にこのエッジに平行ですぐ隣接して横たわる領域で、特に、より奥に横たわる残りの領域と何らかの方法で区別される場合」を意味する。この場合、アパーチャのマージンは、ＩＤＴフィンガに重なる誘電体ストリップＡＣＳの存在によって区別される。
第一のバスバー４３２に近接している第一の誘電体ストリップＡＣＳ４５２は、アパーチャの第一のマージンにおいてＩＤＴフィンガに重なり合う。第一の誘電体ストリップＡＣＳ４５２は、第一のバスバーと、第二のバスバーから延びるＩＤＴフィンガの端部との間のギャップに延びる。第二の誘電体ストリップＡＣＳ４５４は、アパーチャの第二のマージンにおいてＩＤＴフィンガに重なる。第二の誘電体ストリップＡＣＳ４５４は、第二のバスバーと、第一のバスバーから延びるＩＤＴフィンガの端部との間のギャップに延在する。
第一及び第二の誘電体ストリップＡＣＳ４５２，４５４は、ＩＤＳ４３０の全長にわたって延びており、つまり、ＡＣＳはＩＤＴの全てのフィンガの端部と重なり合う。ＡＣＳ４５２、４５４は、図４に示すように、ＩＤＴ４３０の長さを超えて延在していてもよい。誘電体ストリップは、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化チタン、ダイヤモンド、又は何らかの他の誘電体材料であってもよい。以下の全ての実施例において、誘電体ストリップは、二酸化ケイ素である。
図５は、図４において「詳細Ｅ」として識別されるＸＢＡＲ４００の部分の詳細断面図である。図５は、圧電板４１０及び基板４２０の一部を示す。ＩＤＴフィンガ４３６及び第二のバスバー４３４の一部４３４ａは、第一の導体レベルに形成されている。バスバー４３４は、典型的には、第二の導体レベル４３４ｂを含む。ＩＤＴフィンガ４３６の端部と、バスバーの一部４３４ａとの間のギャップ５３８は幅ｇを有する。用語「幅」は、アパーチャ方向（ＩＤＴフィンガの長さ方向に平行に測定）の寸法を意味する。
誘電体ストリップＡＣＳ４５４は、全幅ｄｓを有し、そのうち幅ｄｏｌの第一の部分はアパーチャのマージンでＩＤＴフィンガ４３６に重なり、幅ｄｇの第二の部分はギャップ５３８でダイアフラム４１０上に配置される。ｄｇは、誘電体ストリップＡＣＳ４５４の第二の部分がギャップ５３８にかからないように、ｇより小さくなっている。誘電体ストリップＡＣＳの厚さｔｓは、４ｎｍ～３０ｎｍの間であってもよい。圧電板４１０の厚さｔｄは、１００ｎｍ～１０００ｎｍの間であってもよい。誘電体ストリップＡＣＳの厚さの効果については、後述する。
図６は、別のＸＢＡＲ６００の一部の詳細断面図である。ＸＢＡＲ６００は、図５に示すＸＢＡＲ４００と同様であるが、ダイアフラム４１０及びＩＤＴフィンガ４３６の表面上に誘電体層６５０を追加している。ＸＢＡＲ６００の他の全ての要素及び寸法は、ＸＢＡＲ４００の対応する要素と同じである。
図６の例では、ＡＣＳ６５４は誘電体層９５０の上に（すなわち、圧電板４１０からさらに上に）あり、これはＡＣＳ６５４が誘電体層６５０の後に形成されたことを示唆する。誘電体層６５０がＡＣＳ９５４の上にある逆も、また可能である。いくつかの実施形態では、第一の誘電体層６５０がＡＣＳ９５４の下にあってもよく、第二の誘電体層（図示せず）がＡＣＳ６５４の上にあってもよい。例えば、第一の誘電体層は、特許ＵＳ１０，９１７，０７０に記載されているような周波数設定層であってもよく、第二の誘電体層は、導体パターン及びＸＢＡＲ６００の他の表面を封止するためのパッシベーション層であってもよい。
図７、図８、図９及び図１１の例では、圧電板４１０は、厚さ３７０ｎｍのＺカットニオブ酸リチウムである。誘電体層６５０は、厚さ１３０ｎｍの二酸化ケイ素である。ダイアフラムの全厚ｔｄは５００ｎｍである。
図７は、誘電体ストリップＡＣＳの利点を説明するグラフ７００を示す。具体的には、実線の曲線７１０は、ＡＣＳのない例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。曲線７１０は、図３の曲線３３０と同じであるが、縦軸の目盛りが異なる。
ＸＢＡＲデバイスの特性は、周波数に比例する。周波数は、圧電板と誘電体層を含むダイアフラムの厚さに反比例して変化する。本特許の全ての例で使用されているｎ７９シャント共振器以外の用途及び周波数に対するＸＢＡＲの設計を容易にするために、ダイアフラムの厚さｔｄに対する寸法を表現することが便利である。本特許の全ての実施例では、ダイアフラムの厚さｔｄは、０．５０μｍである。
破線の曲線７２０は、アパーチャのマージンに誘電体ストリップを有する同様のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。誘電体ストリップは、０．６８μｍの幅を有し、ＩＤＴフィンガの端部とバスバーとの間のギャップには延在しない。図５に定義された寸法を参照すると、この誘電体ストリップは、ｄｓ＝ｄｏｌ＝０．６８μｍ＝１．３６ｔｄ、及びｄｇ＝０を有する。
一点鎖線の曲線７３０は、ＩＤＴフィンガの端部とバスバーとの間のギャップにのみ誘電体ストリップを有する同様のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。誘電体ストリップは、１μｍの幅を有し、ＩＤＴフィンガの端部から０．２μｍに位置決めされる。図５に定義された寸法を参照すると、この誘電体ストリップは、ｄｏｌ＝０、及びｄｓ＝ｄｇ＝１．０μｍ＝２．０ｔｄを有する。
二点鎖線の曲線７４０は、図５に示すように、ＩＤＴフィンガの端部に重なり、ギャップ内に延びる誘電体ストリップＡＣＳを有する同様のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑのプロットを示したものである。図５に定義された寸法を参照すると、この誘電体ストリップは、ｄｓ＝２．２μｍ＝４．４ｔｄ、ｄｏｌ＝１．０μｍ＝２．０ｔｄ、及びｄｇ＝１．２μｍ＝２．４ｔｄを有する。
曲線７１０、７２０、７３０、及び７４０を比較すると、ＩＤＴフィンガ上又はギャップ（曲線７２０、７３０）内のいずれかに狭い（すなわちｄｓ＝２．０ｔｄ）誘電体ストリップを追加することで、低帯域端付近のＢｏｄｅ Ｑに改善をもたらすことが分かる。ＩＤＴフィンガの端部に重なり、ギャップ内に延びる広い誘電体ストリップ（ｄｓ＝４．４ｔｄ、曲線７４０）は、狭い誘電体ストリップのいずれよりも低い帯域端付近で高いＢｏｄｅ Ｑを提供する。
誘電体ストリップＡＣＳが存在することで、共振周波数と反共振周波数との間のＢｏｄｅ Ｑが改善されるが、共振より低く、反共振より高い周波数でＢｏｄｅ Ｑを減少させる可能性がある。全体として、これは、有益なトレードオフとなり得る。低帯域端でのフィルタ伝達関数の鋭さは、共振と反共振との間のシャント共振器のＢｏｄｅ Ｑにほぼ依存するが、直列共振器の寄与は、低帯域端のＢｏｄｅ Ｑが低すぎると、制限されることがある。同様に、直列共振器のＢｏｄｅ Ｑは高帯域端で最も大きいが、シャント共振器のＢｏｄｅ Ｑが低すぎると、高帯域端での鋭さは制限されることがある。フィルタの設計は、各共振器上の誘電体ストリップＡＣＳの幾何学的形状を含む要因の連続的なトレードオフである。
Ｚカットのニオブ酸リチウム圧電板を使用するＸＢＡＲの場合、共振と反共振との間のＢｏｄｅ Ｑを制限する主な効果は、有限アパーチャデバイスにおける不要な斜め進行波の励起である。誘電体ストリップＡＣＳを追加することで、不要な斜め波の励起を抑制することができる。斜め進行波の励起による損失は、電界のｙ成分への結合とは無関係である。これは、別個の比較的無視できる損失源であり、斜め波の励起と比較すると矮小である。斜め進行波が励起されるのは、ＩＤＴとギャップ領域との間の機械的な違いによるもので、誘電体ストリップがそれに対応する。
図８は、Ｂｏｄｅ Ｑと誘電体ストリップＡＣＳの厚さとの間の関係を説明するグラフ８００を示す。具体的には、実線の曲線８１０は、ＡＣＳのない例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。曲線８１０は、図３の曲線３３０と同じであるが、縦軸の目盛りが異なる。他の３つの曲線は、ＩＤＴフィンガの端部に重なり、ギャップ内に延び、異なる厚さの広い誘電体ストリップＡＣＳを有する同様のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑのプロットである。曲線７２０、７３０、及び７４０のＡＣＳの寸法は、ｄｓ＝５．３ｔｄ、ｄｏｌ＝１．３ｔｄ、及びｄｇ＝４．０ｔｄである。
破線の曲線８２０は、厚さｔｓが４ｎｍ又は０．００８ｔｄに等しい幅広誘電体ストリップＡＣＳを有する同様のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。一点鎖線の曲線８３０は、厚さｔｓ＝８ｎｍ又は０．０１６ｔｄを有する同様の誘電体ストリップＡＣＳを有する別のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。二点鎖線の曲線８４０は、厚さｔｓ＝１５ｎｍ又は０．０３０ｔｄを有する別のＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。
曲線８１０、８２０、８３０、及び８４０を比較すると、わずか０．００８ｔｄの厚さの広い誘電体ストリップＡＣＳが、低帯域端付近のＢｏｄｅ Ｑに著しい改善をもたらすことが分かる。誘電体ストリップの厚さを０．０３０ｔｄまで厚くすると、低帯域端付近のＢｏｄｅ Ｑが改善される。誘電体ストリップが厚い場合には、Ｂｏｄｅ Ｑがさらに少し改善するが、ｔｓ＞０．０６ｔｄの誘電体ストリップでは、他の損失が大きくなる可能性がある。
図９は、Ｂｏｄｅ Ｑと、ＸＢＡＲのＩＤＴフィンガと誘電体ストリップＡＣＳの重なりとの間の関係を説明するグラフ８００を示す。具体的には、曲線９１０、９２０、９３０、及び９４０は、寸法（図５で定義される）ｄｇ＝２．２μｍ＝４．４ｔｄ、及びｔｓ＝１５ｎｍ＝０．０３ｔｄを有する誘電体ストリップＡＣＳを有する例示的なＸＢＡＲＳのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。
実線の曲線９１０は、ｄｏｌ＝０．３μｍ＝０．６０ｔｄを有する誘電体ストリップＡＣＳを有する例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。破線の曲線９２０は、ｄｏｌ＝０．７μｍ＝１．４０ｔｄを有する例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。一点鎖線の曲線９３０は、ｄｏｌ＝１．０μｍ＝２．０ｔｄを有する例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。二点鎖線の曲線９４０は、ｄｏｌ＝１．５μｍ＝３．０ｔｄを有する誘電体ストリップＡＣＳを有する例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。曲線９１０、９２０、９３０、９４０を比較すると、特にｎ７９帯域の下端付近の周波数について、０．６ｔｄ≦ｄｏｌ≦３．０ｔｄ及び４．０ｔｄ≦ｄｓ≦８．０ｔｄの範囲にわたって、Ｂｏｄｅ Ｑの重複距離ｄｏｌへの依存がほとんどないことが分かる。
図１０は、別のＸＢＡＲ１０００の一部の詳細断面図である。ＸＢＡＲ１０００は、図５に示したＸＢＡＲ４００と同様であるが、ＡＣＳが、アパーチャのマージンにおいてＩＤＴ導体４３６上の端部に重なる第一の部分１０５４と、ＩＤＴフィンガ４３６の端部とバスバー４３４との間のギャップにおいてダイアフラム４１０の表面上にある第二の部分１０５６に分離されていることが異なる。第一の部分１０５４と第二の部分１０５６とは、隣接していないが、わずかな距離だけ離れている。第一の部分のアパーチャ方向における幅はｄｏｌであり、第二の部分の幅はｄｇである。第一の部分１０５４と第二の部分１０５６との間の距離は、ｄｏｓである。ＸＢＡＲ１０００の他の全ての要素及び寸法は、ＸＢＡＲ４００の対応する要素と同じである。
図１１は、図１０に示すように、Ｂｏｄｅ Ｑと、２つの部分に分割された誘電体ストリップＡＣＳの寸法との間の関係を説明するグラフ１１００を示す。具体的には、実線の曲線１１１０は、誘電体ストリップＡＣＳのない例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。破線の曲線１１２０は、ｄｏｌ＝２．０μｍ＝４．０ｔｄ、ｄｏｓ＝０．２μｍ＝０．４ｔｄ、ｄｇ＝２．０μｍ＝４．０ｔｄ、及びｔｓ＝１５ｎｍ＝０．０３ｔｄを有する例示的なＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。一点鎖線の曲線１１３０は、ｄｏｌ＝２．０μｍ＝４．０ｔｄ、ｄｏｓ＝２．０μｍ＝４．０ｔｄ、ｄｇ＝２．０μｍ＝４．０ｔｄ、及びｔｓ＝３０ｎｍ＝０．０６ｔｄの例示的ＸＢＡＲのＢｏｄｅ Ｑをプロットしたものである。
図１２は、ＸＢＡＲを使用する高周波バンドパスフィルタ１２００の概略回路図及びレイアウトである。フィルタ２００は、３つの直列共振器１２１０Ａ、１２１０Ｂ、１２１０Ｃ及び２つのシャント共振器１２２０Ａ、１２２０Ｂを含む従来のラダーフィルタアーキテクチャを有する。直列共振器１２１０Ａ、１２１０Ｂ、及び１２１０Ｃは、第一のポートと第二のポートとの間に直列に接続されている（したがって、「直列共振器」という用語）。図１２に、第一のポート及び第二のポートは、それぞれ「Ｉｎ」及び「Ｏｕｔ」とラベル付けされている。しかしながら、フィルタ２００は双方向でであり、いずれのポートもフィルタの入力又は出力として機能する。２つのシャント共振器１２２０Ａ、１２２０Ｂは、直列共振器間のノードから接地に接続されている。フィルタは、図１２に示されていないコンデンサ及び／又はインダクタなどの追加のリアクティブコンポーネントを含んでもよい。全てのシャント共振器及び直列共振器は、ＸＢＡＲである。３つの直列共振器と２つのシャント共振器を含むことは、例示的なものである。フィルタは、合計で共振器を５つより多く又は少なく、直列共振器を３つより多く又は少なく、及びシャント共振器を２つより多く又は少なく有することもある。典型的には、全ての直列共振器は、フィルタの入力と出力の間で直列に接続される。全てのシャント共振器は、典型的には、接地と、入力、出力、又は２つの直列共振器間のノードのうちの１つとの間に接続される。
例示的なフィルタ１２００では、フィルタ１２００の３つの直列共振器１２１０Ａ、１２１０Ｂ、１２１０Ｃ及び２つのシャント共振器１２２０Ａ、１２２０Ｂは、シリコン基板（図示せず）に結合された圧電材料の単一の板１２３０上に形成される。一部のフィルタでは、直列共振器とシャント共振器とは、圧電材料の異なる板上に形成されてもよい。各共振器は、それぞれのＩＤＴ（図示せず）を含み、ＩＤＴの少なくともフィンガが基板のキャビティ上に配置されている。この文脈及び同様の文脈では、「それぞれ」という用語は、「モノをそれぞれに関連付ける」ことを意味し、つまり、一対一の対応である。図１２において、キャビティは、破線の長方形（長方形１２３５など）として概略的に示されている。この例では、各ＩＤＴはそれぞれのキャビティ上に配置されてもよい。他のフィルタでは、２つ以上の共振器のＩＤＴが単一のキャビティ上に配置されてもよい。
フィルタ１２００の共振器１２１０Ａ、１２１０Ｂ、１２１０Ｃ、１２２０Ａ、１２２０Ｂのそれぞれは、共振器のアドミタンスが非常に高くなる共振と、共振器のアドミタンスが非常に低くなる反共振を有している。共振及び反共振は、それぞれ共振周波数及び反共振周波数で発生し、フィルタ１２００の様々な共振器について同じであることも、異なることもある。過度に単純化された意味合いでは、各共振器は、その共振周波数で短絡回路であり、その反共振周波数で開回路であると見なすことができる。入出力伝達関数は、シャント共振器の共振周波数でも、直列共振器の反共振周波数でもゼロに近い値になる。一般的なフィルタでは、シャント共振器の共振周波数はフィルタの通過帯域の下端の下に、直列共振器の反共振周波数は通過帯域の上端の上に位置する。一部のフィルタでは、シャント共振器の共振周波数を直列共振器の共振周波数に対して低く設定するために、点線の長方形１２７０で表される前面誘電体層（「周波数設定層」とも呼ばれる）がシャント共振器上に形成されてもよい。他のフィルタでは、直列共振器は、シャント共振器よりも薄い圧電板を有してもよい。一部のフィルタでは、直列共振器とシャント共振器は、異なる圧電板の厚さを有する別々のチップ上に製造されてもよい。
図１３は、広い誘電体ストリップＡＣＳの利点を説明するグラフ１３００である。具体的には、実線の曲線１３１０は、いかなる音響閉じ込め構造も有しないＸＢＡＲを含む帯域ｎ７９バンドパスフィルタの最大利用可能利得をプロットしたものである。破線の曲線１３２０及び一点鎖線の曲線１３３０は、誘電体ストリップ音響閉じ込め構造を有するＸＢＡＲを含む２つの類似の帯域ｎ７９バンドパスフィルタの最大利用可能利得をプロットしたものである。全ての曲線は、有限要素法を用いたバンドパスフィルタのシミュレーションから生成された。
実線の曲線１３１０は、全ての共振器上に誘電体ストリップＡＣＳを有する帯域ｎ７９バンドパスフィルタの最大利用可能利得のプロットである。圧電板の厚さは、これまでの実施例と同様に３７０ｎｍである。シャント共振器の誘電体層の厚さは１３０ｎｍで、直列共振器の誘電体層の厚さは３０ｎｍである。全ての共振器の誘電体ストリップＡＣＳの厚さｔｓは、１５ｎｍ又はシャント共振器で０．０３ｔｄ、直列共振器で０．０３７５ｔｄである。各共振器の誘電体ストリップＡＣＳの全幅ｄｔは個別に最適化され、６ｔｄ≦ｄｔ≦１５ｔｄとなるように３μｍ～６μｍの間で変化する。一般に、直列共振器のｄｔは、シャント共振器のｄｔより大きくなる傾向がある。実線の曲線１３１０と破線の曲線１３２９とを比較すると、フィルタのＸＢＡＲの全てに誘電体ストリップＡＣＳを組み込むことで、最大利用可能利得が低帯域端で０．６ｄＢ、高帯域端で０．３ｄＢ増加することが分かる。
一点鎖線の曲線１３３０は、直列共振器上の誘電体ストリップＡＣＳの厚さｔｓを２５ｎｍ又は０．０６２５ｔｄに厚くした、前の例と同様の帯域ｎ７９バンドパスフィルタの最大利用可能利得をプロットしたものである。直列共振器上の誘電体ストリップＡＣＳの厚さを厚くすると、通過帯域の振幅及びスパーの数が増える代わりに、高帯域端で最大利用可能利得がさらに０．２ｄＢ増加する。
広い誘電体ストリップＡＣＳの組み込みは、バンドパスフィルタの帯域端における損失を低減することができるが、ＡＣＳは、破線の曲線１３２０のスパー１３２５、一点鎖線の曲線１３３０のスパー１３３２及び１３３４など、フィルタの通過帯域内にスパー又はリップルを導入することがある。このようなスパーは、誘電体ストリップＡＣＳに限定される音響モードによって引き起こされることがある。
誘電体ストリップＡＣＳによって導入されるスパーは、除去されないにしても、フィルタ内の様々な共振器内及び共振器間のＡＣＳ構造を変えることによって、最小化することができる。例えば、図１２のフィルタ１２００において、共振器１２１０Ａ、１２１０Ｂ、１２１０Ｃ、１２２０Ａ、及び１２２０Ｂの一部又は全部は、誘電体ストリップＡＣＳを有していてもよい。第一の共振器は、第一の寸法（すなわち、図５に定義されるようなｄｏｌ、ｄｇ、ｔｓ）を有する誘電体ストリップＡＣＳを有してよく、第二の共振器は、第一の共振器の対応する寸法と少なくとも異なる寸法を有する誘電体ストリップＡＣＳを有してもよい。共振器間でＡＣＳ構造を変更すると、より広い周波数範囲にスプリアスが広がり、その結果、任意の特定の周波数におけるスプリアスの大きさが減少する。
さらに、誘電体ストリップＡＣＳの寸法は、共振器内で変化させてもよい。例えば、図１４Ａは、ＩＤＴ１４００Ａの一部の平面図であり、この一部は、バスバー１４３２の一部、フィンガ１４３６などのＩＤＴフィンガの一部、及び誘電体ストリップＡＣＳ１４５４Ａを含む。誘電体ストリップＡＣＳのアパーチャ方向における幅は、最小値ｔｓｍｉｎから最大値ｔｓｍａｘまで線形に変化している。図１４Ｂは、同様のＩＤＴ１４００Ｂの一部の平面図であり、この一部では、誘電体ストリップＡＣＳ１４５４Ｂのアパーチャ方向の幅が、最小値ｔｓｍｉｎから最大値ｔｓｍａｘまで周期的に変化する。図１４Ａ及び図１４Ｂは、ＩＤＳの長さに沿った位置の線形関数として変化するＡＣＳ幅を図示しているが、ＡＣＳ幅は、位置の非線形関数であってもよい。ＡＣＳのアパーチャ方向の幅は、２つ以上の値の間のステップで変化してもよい。これらのステップは、ＩＤＴフィンガと整合していてもよいし、非同期であってもよい。ＩＤＳの２つのバスバーに隣接するＡＣＳの構造は、同じであっても、異なっていてもよい。
複数のＸＢＡＲを有するフィルタにおいて、様々なＸＢＡＲの誘電体ストリップＡＣＳは、同じであってもよく、異なっていてもよい。ＸＢＡＲの一部又は全部は、異なる全幅ｄｓ又はＩＤＴフィンガとの異なる重なりｄｏｌを有する誘電体ストリップＡＣＳを有していてもよい。フィルタ内のＸＢＡＲの一部又は全部が、それぞれのＩＤＴの長さに沿って変化する誘電体ストリップＡＣＳを有することも、全部が有しないこともあり。それぞれのＩＤＴの長さに沿って変化する誘電体ストリップＡＣＳを有するＸＢＡＲは、異なる様式で変化してもよい。
（方法の説明）
図１５は、音響エネルギー漏れを低減するための構造を有するＸＢＡＲを組み込んだフィルタデバイスを製造するためのプロセス１５００を要約した簡略化されたフローチャートである。具体的には、プロセス１５００は、複数のＸＢＡＲを含むフィルタデバイスを製造するためのものであり、そのうちのいくつかは、周波数設定誘電体層又はコーティング層を含んでもよい。プロセス１５００は、１５０５でデバイス基板と、犠牲基板上に配置された圧電材料の薄い板とから開始される。プロセス１５００は、１５９５で、完成したフィルタデバイスで終了する。図１５のフローチャートには、主要なプロセスステップのみが含まれている。様々な従来のプロセスステップ（例えば、表面処理、洗浄、検査、ベーキング、アニーリング、監視、試験など）は、図１５に示されるステップの前、間、後、及び最中に実行されてもよい。
図１５は、一般に、単一のフィルタデバイスを製造するためのプロセスを説明しているが、複数のフィルタデバイスは、（基板に結合された圧電板からなる）共通のウェーハ上に同時に製造され得る。この場合、プロセス１５００の各ステップは、ウェーハ上の全てのフィルタデバイス上で同時に実行されてもよい。
図１５のフローチャートは、デバイス基板にいつ、どのようにキャビティを形成するかが異なるＸＢＡＲを製造するためのプロセス１５００の３つの変形例を捕らえている。キャビティは、ステップ１５１０Ａ、１５１０Ｂ、又は１５１０Ｃで形成されてもよい。これらのステップのうちの１つだけが、プロセス１５００の３つの変形例のそれぞれにおいて実行される。
圧電板は、典型的には、回転ＺＹカットニオブ酸リチウムであり得る。圧電板は、何らかの他の材料及び／又は何らかの他のカットであってもよい。デバイス基板は、好ましくは、シリコンであってもよい。デバイス基板は、エッチング又は他の処理によって深いキャビティの形成を可能にする何らかの他の材料であってもよい。
プロセス１５００の１つの変形例では、１５１５で圧電板が基板に結合される前に、１５１０Ａで、１つ以上のキャビティがデバイス基板に形成される。フィルタデバイスの各共振器に対して別個のキャビティを形成してもよい。また、２つ以上の共振器が１つのキャビティ上の１つのダイアフラムに存在できるように、キャビティを成形及び形成することができる。ダイアフラムを共有するこれらの共振器は、音響トラック上で音響的に結合される。１つ以上のキャビティは、従来のフォトリソグラフィー及びエッチング技術を使用して形成してもよい。典型的には、１５１０Ａで形成されたキャビティは、デバイス基板を貫通しない。
１５１５で、圧電板がデバイス基板に結合される。圧電板とデバイス基板とは、ウェーハボンディングプロセスによって結合されてもよい。通常、デバイス基板と圧電板との合わせ面は、高度に研磨されている。酸化物又は金属などの中間材料の１つ以上の層が、圧電板及びデバイス基板の片方又は両方の合わせ面上に形成又は堆積されてもよい。片方又は両方の合わせ面は、例えば、プラズマ処理を使用して活性化されてもよい。次に、圧電板とデバイス基板又は中間材料層との間に分子結合を確立するために、合わせ面をかなりの力で一緒に押圧してもよい。
１５２０で、犠牲基板を除去してもよい。例えば、圧電板及び犠牲基板は、圧電板となるものと犠牲基板との間の境界を定義する平面に沿って結晶構造に欠陥を作り出すためにイオン注入された圧電材料のウェーハであってもよい。１５２０で、ウェーハは、例えば、熱衝撃によって欠陥面に沿って分割されてもよく、犠牲基板を分離し、圧電板をデバイス基板に結合したままにする。圧電板の露出面は、犠牲基板が取り外された後、何らかの方法で研磨又は処理されてもよい。
各ＸＢＡＲのＩＤＴを含む第一の導体パターンは、圧電板の前面側に１つ以上の導体層を堆積して、パターン化することによって１５３０で形成される。導体層は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、又は何らかの他の導電性金属であってもよい。任意選択で、他の材料の１つ以上の層が、導体層の下（すなわち、導体層と圧電板の間）及び／又は導体層の上に配置されてもよい。例えば、チタン、クロム、又は他の金属の薄膜を使用して、導体層と圧電板との間の接着を改善してもよい。第一の導体パターンの一部（例えば、ＩＤＴバスバー及びＩＤＴ間の相互接続部）の上に、金、アルミニウム、銅又は他の導電性の高い金属の第二の導体パターンを形成してもよい。
各導体パターンを、圧電板の表面上に導体層と、任意選択で、１つ以上の他の金属層を順に堆積させることによって、１５３０で形成してもよい。その後、過剰な金属を、パターン化されたフォトレジストを介してエッチングすることによって除去してもよい。導体層は、例えば、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、湿式化学エッチング、又は他のエッチング技術によってエッチングすることができる。
あるいは、各導体パターンを、リフトオフプロセスを使用して１５３０で形成してもよい。フォトレジストを圧電板上に堆積して、導体パターンを規定するようにパターン化してもよい。導体層と、任意選択で、１つ以上の他の層とを、圧電板の表面上に順番に堆積してもよい。その後、フォトレジストを除去して、これにより、余分な材料を除去し、導体パターンを残してもよい。
１５４０で、誘電体ストリップＡＣＳを形成してもよい。先に説明したように、誘電体ストリップＡＣＳは、アパーチャのマージンにおいてＩＤＴフィンガの端部に重なり、ＩＤＴフィンガの端部と隣接するバスバーとの間のギャップに延在してもよい。誘電体ストリップＡＣＳは、エッチング又はリフトオフ技術のいずれかを用いて、誘電体薄膜を堆積させ、パターニングすることによって形成されてもよい。誘電体ストリップＡＣＳは、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、又は何らかの他の誘電体材料であってもよい。誘電体ストリップＡＣＳは、異なる材料の複数の層であってもよく、２つ以上の材料の混合物であってもよい。
１５５０で、１つ以上の周波数設定誘電体層が、圧電板の前面上に誘電体材料の１つ以上の層を堆積させることによって形成されてもよい。例えば、誘電体層は、シャント共振器の上に形成して、直列共振器の周波数に対してシャント共振器の周波数を下げることができる。１つ以上の誘電体層を、物理的気相成長法、原子層堆積法、化学的気相成長法、又は他の方法などの従来の堆積技術を使用して堆積してもよい。誘電体層の堆積を圧電板の選択された領域に限定するために、（フォトマスクを使用する）１つ以上のリソグラフィプロセスを使用してもよい。例えば、シャント共振器のみを覆うように誘電体層を限定するために、マスクを用いてもよい。１５５０における１つ以上の周波数設定層の形成を、１５４０で誘電体ストリップＡＣＳを形成する前又は後に（図示のように）実施してもよい。
１５５５で、パッシベーション／チューニング誘電体層が、圧電板及び導体パターンの上に堆積される。パッシベーション／チューニング誘電体層は、フィルタの外部の回路への電気接続のためのパッドを除いて、フィルタの全表面を覆ってもよい。プロセス１５００のいくつかの実施形態では、パッシベーション／チューニング誘電体層は、デバイス基板内のキャビティが１５１０Ｂ又は１５１０Ｃのいずれかでエッチングされた後に形成されてもよい。
プロセス１５００の第二の変形例では、１５１０Ｂで、１つ以上のキャビティがデバイス基板の背面に形成される。フィルタデバイスの各共振器に対して別個のキャビティを形成してもよい。また、２つ以上の共振器が１つのキャビティ上の１つのダイアフラムに存在できるように、キャビティを成形及び形成することができる。ダイアフラムを共有するこれらの共振器は、音響トラック上で音響的に結合される。１つ以上のキャビティは、異方性又は配向依存性のドライ又はウェットエッチングを使用して、デバイス基板の背面から圧電板までの穴を開けて形成されてもよい。この場合、得られる共振器デバイスは、図１に示すような断面を有することになる。
プロセス１５００の第三の変形例では、１５１０Ｃで、圧電板の開口部を介して導入されるエッチング剤を用いて基板をエッチングすることにより、デバイス基板に凹部の形態の１つ以上のキャビティを形成してもよい。フィルタデバイスの各共振器に対して別個のキャビティを形成してもよい。また、２つ以上の共振器が１つのキャビティ上の１つのダイアフラムに存在できるように、キャビティを成形及び形成することができる。ダイアフラムを共有するこれらの共振器は、音響トラック上で音響的に結合される。１５１０Ｃで形成された１つ以上のキャビティは、デバイス基板を貫通しない。
理想的には、キャビティが１５１０Ｂ又は１５１０Ｃで形成された後、ウェーハ上のフィルタデバイスのほとんど又は全てが、一連の性能要件を満たすことになる。しかしながら、通常のプロセス公差によって、１５５０及び１５５５で形成される誘電体層の厚さなどのパラメータの変動、１５３０で形成される導体及びＩＤＴフィンガの厚さ及び線幅の変動、並びに圧電板の厚さの変動がもたらされる。これらの変動は、フィルタデバイスの性能を一連の性能要件から逸脱させることに寄与する。
性能要件を満たすフィルタデバイスの歩留まりを改善するために、１５５５で、共振器上に堆積されたパッシベーション／チューニング層の厚さを選択的に調整することによって、周波数チューニングを実行してもよい。フィルタデバイスの通過帯域の周波数は、パッシベーション／チューニング層に材料を加えることによって下げることができ、フィルタデバイスの通過帯域の周波数は、パッシベーション／チューニング層への材料を除去することによって上げることができる。典型的には、プロセス１５００は、最初は必要な周波数範囲よりも低いが、パッシベーション／チューニング層の表面から材料を除去することによって所望の周波数範囲にチューニングすることができる通過帯域を有するフィルタデバイスを製造するようにバイアスされる。
１５６０で、プローブカード又は他の手段を使用して、フィルタとの電気接続を行って、無線周波数（ＲＦ）試験及び入出力伝達関数などのフィルタ特性の測定を可能にすることができる。典型的には、ＲＦ測定は、共通の圧電板及び基板上に同時に製造されたフィルタデバイスの全て、又は大部分に対して行われる。
１５６５で、グローバル周波数チューニングは、例えば、先に説明したような走査イオンミルのような選択的材料除去ツールを用いてパッシベーション／チューニング層の表面から材料を除去することによって実行されてもよい。「グローバル」チューニングは、個々のフィルタデバイスと同等又はそれ以上の空間分解能で実行される。グローバルチューニングの目的は、各フィルタデバイスの通過帯域を所望の周波数範囲に向けて移動させることである。１５６０からの試験結果は、ウェーハ上の二次元位置の関数として除去されるべき材料の量を示すグローバル等高線マップを生成するために処理されてもよい。次に、選択的材料除去ツールを用いて、等高線マップに従って材料が除去される。
１５７０では、１５６５で行われたグローバル周波数チューニングの追加又は代替として、ローカル周波数チューニングが行われることがある。「ローカル」周波数チューニングは、個々のフィルタデバイスよりも小さい空間分解能で実行される。１５６０からの試験結果は、各フィルタデバイスにおいて除去されるべき材料の量を示すマップを生成するために処理されてもよい。ローカル周波数チューニングは、材料が除去される領域の大きさを制限するために、マスクの使用を必要とする場合がある。例えば、第一のマスクを使用してシャント共振器のみにチューニングを制限し、その後、第二のマスクを使用して直列共振器のみにチューニングを制限することができる（又は、その逆も可能）。これにより、フィルタデバイスの低帯域端（シャント共振器のチューニングによる）と高帯域端（直列共振器のチューニングによる）の独立したチューニングを行うことができるようになる。
１５６５及び／又は１５７０での周波数チューニングの後、フィルタデバイスは、１５７５で完成する。１５７５で起こり得るアクションには、デバイスと外部回路との間の接続を行うために、ボンディングパッド、若しくははんだバンプ又は他の手段（そのようなパッドが１５４５で形成されなかった場合）の形成、複数のフィルタデバイスを含むウェーハからの個々のフィルタデバイスの切り出し、他のパッケージング手順、及び追加の試験が含まれる。各フィルタデバイスが完成した後、プロセスは、１５９５で終了する。
（結びのコメント）
この説明全体を通して、示される実施形態及び実施例は、開示又は特許請求される装置及び手順に対する制限ではなく、模範と見なされるべきである。本明細書に提示される実施例の多くは、方法動作又はシステム要素の特定の組み合わせを含むが、それらの動作及びそれらの要素は、同じ目的を達成するために他の方法で組み合わせることもできることを理解されたい。フローチャートに関しては、ステップを追加することも、より少なくすることもでき、示されているステップを組み合わせて、あるいはさらに改良して、本明細書に記載の方法を達成してもよい。一実施形態に関連してのみ論じられる動作、要素、及び特徴は、他の実施形態における同様の役割から除外されることを意図するものではない。
本明細書で使用される場合、「複数」は２つ以上を意味する。本明細書で使用される場合、アイテムの「セット」は、そのようなアイテムの１つ以上を含み得る。本明細書で使用される場合、書面による説明又は特許請求の範囲において、「備える」、「含む」、「携える」、「有する」、「含有する」、「関与する」などの用語は、オープンエンドであると理解されるべきであり、つまり、含むが、限定されないことを意味する。クレームに関して、それぞれ「からなる」及び「本質的にからなる」の移行句のみが、クローズエンド又はセミクローズエンドの移行句である。クレーム要素を変更するためのクレームでの「第一」、「第二」、「第三」などの序数詞の使用は、それ自体では、１つのクレーム要素の他のクレーム要素に対するいかなる優先性、優先順位、又は順序、又は方法の動作が実行される時間的な順序を意味するものではなく、クレーム要素を区別するために、特定の名称を有する１つのクレーム要素を同じ名称を有する別の要素から区別するためのラベルとしてのみ使用される（ただし、序数詞を使用するため）。本明細書で使用される場合、「及び／又は」は、列挙されたアイテムが代替物であることを意味するが、その代替物は、列挙されたアイテムの任意の組み合わせも含む。

Claims (21)

  1. 音響共振器であって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    前記圧電板の一部が前記基板のキャビティにまたがっているダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）であって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ＩＤＴと、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと、
    を備え、
    前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの厚さｔｓと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．００８ｔｄ≦ｔｓ≦０．０６ｔｄ
    によって関係付けられる音響共振器。
  2. 音響共振器であって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    前記圧電板の一部が前記基板のキャビティにまたがっているダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）であって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ＩＤＴと、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと、
    を備え、
    前記アパーチャの前記第一及び第二のマージンのそれぞれの幅ｄｏｌと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．６ｔｄ≦ｄｏｌ≦３．０ｔｄ
    によって関係付けられる、音響共振器。
  3. 音響共振器であって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    前記圧電板の一部が前記基板のキャビティにまたがっているダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）であって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ＩＤＴと、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと、
    を備え、
    前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの幅ｄｔと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ４．０ｔｄ≦ｄｔ≦１５．０ｔｄ
    によって関係付けられる、音響共振器。
  4. 前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれは、前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向の前記ＩＤＴの全長にわたって延びる、請求項１から３のいずれか１項に記載の音響共振器。
  5. 前記第一及び第二の誘電体ストリップの一方又は両方の幅ｄｔ、前記アパーチャの前記第一及び第二のマージンのそれぞれの幅ｄｏｌ及び前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの厚さｔｓの少なくとも１つは、前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向の前記ＩＤＴの長さに沿って変化する、請求項１から３のいずれか１項に記載の音響共振器。
  6. 音響共振器であって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    前記圧電板の一部が前記基板のキャビティにまたがっているダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）であって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ＩＤＴと、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと
    を備え、
    前記第一の誘電体ストリップが、
    前記アパーチャの第一のマージンにある第一の部分と、
    前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップにある第二の部分と、
    を備え、
    前記第一の部分と前記第二の部分とが隣接しておらず、
    前記第一の誘電体ストリップの厚さｔｓと、前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．００８ｔｄ≦ｔｓ≦０．０６ｔｄ
    によって関連付けられる、音響共振器。
  7. 音響共振器であって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    前記圧電板の一部が前記基板のキャビティにまたがっているダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）であって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ＩＤＴと、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと
    を備え、
    前記第一の誘電体ストリップが、
    前記アパーチャの第一のマージンにある第一の部分と、
    前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップにある第二の部分と、
    を備え、
    前記第一の部分と前記第二の部分とが隣接しておらず、
    前記第一の部分の前記ＩＤＴフィンガに平行な方向における幅ｄｏｌと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．６ｔｄ≦ｄｏｌ≦３．０ｔｄ
    によって関連付けられる、音響共振器。
  8. 前記圧電板は、Ｚカットニオブ酸リチウム及びＺカットタンタル酸リチウムのうちの１つである、請求項１から３、６及び７のいずれか１項に記載の音響共振器。
  9. 前記ダイアフラムにある少なくとも１つの誘電体層をさらに備え、
    前記ダイアフラムの厚さｔｄは、前記圧電板の厚さおよび前記少なくとも１つの誘電体層の厚さを含む、請求項１から３、６及び７のいずれか１項に記載の音響共振器。
  10. フィルタであって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    複数のダイアフラムであって、各ダイアフラムは、それぞれの前記基板のキャビティにまたがる前記圧電板のそれぞれの部分を備える、複数のダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上の導体パターンであって、前記導体パターンは複数の音響共振器のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、各ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記複数の音響共振器のそれぞれのアパーチャを画定する、導体パターンと、
    を備える、フィルタであって、
    前記複数の音響共振器の少なくとも１つは、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと、
    をさらに備え、
    前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの厚さｔｓと、前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．００８ｔｄ≦ｔｓ≦０．０６ｔｄ
    によって関連付けられる、フィルタ。
  11. フィルタであって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    複数のダイアフラムであって、各ダイアフラムは、それぞれの前記基板のキャビティにまたがる前記圧電板のそれぞれの部分を備える、複数のダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上の導体パターンであって、前記導体パターンは複数の音響共振器のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、各ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記複数の音響共振器のそれぞれのアパーチャを画定する、導体パターンと、
    を備える、フィルタであって、
    前記複数の音響共振器の少なくとも１つは、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと、
    をさらに備え、
    前記アパーチャの前記第一及び第二のマージンのそれぞれの幅ｄｏｌと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．６ｔｄ≦ｄｏｌ≦３．０ｔｄ
    によって関連付けられる、フィルタ。
  12. フィルタであって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    複数のダイアフラムであって、各ダイアフラムは、それぞれの前記基板のキャビティにまたがる前記圧電板のそれぞれの部分を備える、複数のダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上の導体パターンであって、前記導体パターンは複数の音響共振器のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、各ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記複数の音響共振器のそれぞれのアパーチャを画定する、導体パターンと、
    を備える、フィルタであって、
    前記複数の音響共振器の少なくとも１つは、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと、
    をさらに備え、
    前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの幅ｄｔと、前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ４．０ｔｄ≦ｄｔ≦１５．０ｔｄ
    によって関連付けられる、フィルタ。
  13. 前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれは、前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向の前記ＩＤＴの全長にわたって延びる、請求項１０から１２のいずれか１項に記載のフィルタ。
  14. 前記第一及び第二の誘電体ストリップの一方又は両方の幅ｄｔ、前記アパーチャの前記第一及び第二のマージンのそれぞれの幅ｄｏｌ及び前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの厚さｔｓの少なくとも１つは、前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向の前記ＩＤＴの長さに沿って変化する、請求項１０から１２のいずれか１項に記載のフィルタ。
  15. フィルタであって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    複数のダイアフラムであって、各ダイアフラムは、それぞれの前記基板のキャビティにまたがる前記圧電板のそれぞれの部分を備える、複数のダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上の導体パターンであって、前記導体パターンは複数の音響共振器のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、各ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記複数の音響共振器のそれぞれのアパーチャを画定する、導体パターンと、
    を備える、フィルタであって、
    前記複数の音響共振器の少なくとも１つは、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと
    をさらに備え、
    前記第一の誘電体ストリップが、
    前記アパーチャの第一のマージンにある第一の部分と、
    前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップにある第二の部分と、
    を備え、
    前記第一の部分と前記第二の部分とが隣接しておらず、
    前記第一の誘電体ストリップの厚さｔｓと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．００８ｔｄ≦ｔｓ≦０．０６ｔｄ
    によって関連付けられる、フィルタ。
  16. フィルタであって、
    基板と、
    直接または１つ以上の中間材料層を介して前記基板に取り付けられる圧電材料の層である圧電板と、
    複数のダイアフラムであって、各ダイアフラムは、それぞれの前記基板のキャビティにまたがる前記圧電板のそれぞれの部分を備える、複数のダイアフラムと、
    前記圧電板の前面上の導体パターンであって、前記導体パターンは複数の音響共振器のインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を備え、各ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガが前記ダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記複数の音響共振器のそれぞれのアパーチャを画定する、導体パターンと、
    を備える、フィルタであって、
    前記複数の音響共振器の少なくとも１つは、
    前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延びる第一の誘電体ストリップと、
    前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる第二の誘電体ストリップと
    をさらに備え、
    前記第一の誘電体ストリップが、
    前記アパーチャの第一のマージンにある第一の部分と、
    前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップにある第二の部分と、
    を備え、
    前記第一の部分と前記第二の部分とが隣接しておらず、
    前記第一の部分の前記ＩＤＴフィンガに平行な方向における幅ｄｏｌと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．６ｔｄ≦ｄｏｌ≦３．０ｔｄ
    によって関連付けられる、フィルタ。
  17. 前記圧電板は、Ｚカットニオブ酸リチウム及びＺカットタンタル酸リチウムのうちの１つである、請求項１０から１２、１５及び１６のいずれか１項に記載のフィルタ。
  18. 前記ダイアフラムにある少なくとも１つの誘電体層をさらに備え、
    前記ダイアフラムの厚さｔｄは、前記圧電板の厚さおよび前記少なくとも１つの誘電体層の厚さを含む、請求項１０から１２、１５及び１６のいずれか１項に記載のフィルタ。
  19. 音響共振器の製造方法であって、
    圧電板の前面にインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を形成するステップであって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガは、基板のキャビティにまたがっている前記圧電板の一部を備えるダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ステップと、
    第一及び第二の誘電体ストリップを形成するステップであって、
    前記第一の誘電体ストリップは、前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延び、
    前記第二の誘電体ストリップは、前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる、ステップと、を含み、
    前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの厚さｔｓと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．００８ｔｄ≦ｔｓ≦０．０６ｔｄ
    によって関連付けられる、音響共振器の製造方法。
  20. 音響共振器の製造方法であって、
    圧電板の前面にインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を形成するステップであって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガは、基板のキャビティにまたがっている前記圧電板の一部を備えるダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ステップと、
    第一及び第二の誘電体ストリップを形成するステップであって、
    前記第一の誘電体ストリップは、前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延び、
    前記第二の誘電体ストリップは、前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる、ステップと、を含み、
    前記アパーチャの前記第一及び第二のマージンのそれぞれの幅ｄｏｌと前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ０．６ｔｄ≦ｄｏｌ≦３．０ｔｄ
    によって関連付けられる、音響共振器の製造方法。
  21. 音響共振器の製造方法であって、
    圧電板の前面にインターデジタル変換器（ＩＤＴ）を形成するステップであって、前記ＩＤＴは、第一及び第二のバスバーからそれぞれ延びるインターリーブされた第一及び第二のセットのインターデジタル変換器（ＩＤＴ）フィンガを備え、
    インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガは、基板のキャビティにまたがっている前記圧電板の一部を備えるダイアフラム上にあり、かつ
    前記ＩＤＴフィンガに垂直な方向に視て、インターリーブされた前記ＩＤＴフィンガの重なり合う部分が、前記音響共振器のアパーチャを画定する、ステップと、
    第一及び第二の誘電体ストリップを形成するステップであって、
    前記第一の誘電体ストリップは、前記アパーチャの第一のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第一のマージンと前記第一のバスバーとの間の第一のギャップに延び、
    前記第二の誘電体ストリップは、前記アパーチャの第二のマージンで前記ＩＤＴフィンガと重なり、前記第二のマージンと前記第二のバスバーとの間の第二のギャップに延びる、ステップと、を含み、
    前記第一及び第二の誘電体ストリップのそれぞれの幅ｄｔと、前記ダイアフラムの厚さｔｄは、方程式
    ４．０ｔｄ≦ｄｔ≦１５．０ｔｄ
    によって関連付けられる、音響共振器の製造方法。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013544041A (ja) 2011-03-25 2013-12-09 パナソニック株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
WO2015182521A1 (ja) 2014-05-26 2015-12-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP2019080093A (ja) 2017-10-20 2019-05-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019241174A1 (en) 2018-06-15 2019-12-19 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
JP2020088459A (ja) 2018-11-16 2020-06-04 日本電波工業株式会社 弾性表面波素子
WO2021060523A1 (ja) 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2645674B2 (ja) 1990-10-15 1997-08-25 国際電気株式会社 弾性表面波共振子
US5274345A (en) 1992-05-13 1993-12-28 Andersen Laboratories Dual function reflector structures for interdigital saw transducer
US5446330A (en) 1993-03-15 1995-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device having a lamination structure
US5552655A (en) 1994-05-04 1996-09-03 Trw Inc. Low frequency mechanical resonator
DE69608997T2 (de) 1995-04-12 2000-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resonateur-Kettenfilter mit akustischen Oberflächenwellen
US5632909A (en) 1995-06-19 1997-05-27 Motorola, Inc. Filter
US6172582B1 (en) 1996-02-20 2001-01-09 Cts Corporation Saw resonator and ladder filter with specified number of reflector electrode fingers
US5853601A (en) 1997-04-03 1998-12-29 Northrop Grumman Corporation Top-via etch technique for forming dielectric membranes
JPH1174751A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
US6540827B1 (en) 1998-02-17 2003-04-01 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Slicing of single-crystal films using ion implantation
JP3317274B2 (ja) 1999-05-26 2002-08-26 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
WO2000076065A1 (de) 1999-06-03 2000-12-14 Tele Filter Zweigniederlassung Der Dover Germany Gmbh Akustisches oberflächenwellenfilter
JP2001024475A (ja) 1999-07-09 2001-01-26 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
US6570470B2 (en) 2000-06-30 2003-05-27 Kyocera Corporation Surface acoustic wave ladder filter utilizing parallel resonators with different resonant frequencies
JP3797155B2 (ja) 2000-09-06 2006-07-12 株式会社村田製作所 端面反射型表面波装置の周波数調整方法
US6424237B1 (en) 2000-12-21 2002-07-23 Agilent Technologies, Inc. Bulk acoustic resonator perimeter reflection system
US6873226B2 (en) 2001-03-19 2005-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Edge-reflection surface acoustic wave filter
US6480074B1 (en) 2001-04-27 2002-11-12 Nokia Mobile Phones Ltd. Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters by reducing thickness non-uniformity
JP2002330052A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置及びそれを用いた弾性表面波デバイス
TW506128B (en) 2001-06-15 2002-10-11 Asia Pacific Microsystems Inc Manufacturing method of high-quality thin film type bulk acoustic wave device
US20030042998A1 (en) 2001-08-24 2003-03-06 Edmonson Peter J. Leaky surface acoustic wave resonators
US6661313B2 (en) 2001-10-25 2003-12-09 Sawtek, Inc. Surface acoustic wave devices using optimized cuts of lithium niobate (LiNbO3)
US6767749B2 (en) 2002-04-22 2004-07-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting
US6833774B2 (en) 2002-06-25 2004-12-21 Sawtek, Inc. Surface acoustic wave filter
JP3892370B2 (ja) 2002-09-04 2007-03-14 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子、フィルタ装置及びその製造方法
JP4766831B2 (ja) 2002-11-26 2011-09-07 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2004254291A (ja) 2003-01-27 2004-09-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
EP1515436A3 (en) 2003-08-29 2005-08-31 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave element and electronic equipment provided with the element
JP4192794B2 (ja) 2004-01-26 2008-12-10 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、及び電子機器
JP3875240B2 (ja) 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
JP2005347892A (ja) 2004-05-31 2005-12-15 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波素子
JP4306668B2 (ja) 2005-01-07 2009-08-05 セイコーエプソン株式会社 ラム波型高周波共振子
JP2006217281A (ja) 2005-02-03 2006-08-17 Toshiba Corp 薄膜バルク音響装置の製造方法
JP4613960B2 (ja) 2005-10-19 2011-01-19 株式会社村田製作所 ラム波デバイス
JP4585431B2 (ja) 2005-11-15 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 分波器
KR101302132B1 (ko) 2006-02-06 2013-09-03 삼성전자주식회사 멀티 밴드용 필터 모듈 및 그의 제작 방법
JP4315174B2 (ja) 2006-02-16 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 ラム波型高周波デバイスの製造方法
JP2007221588A (ja) 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器の製造方法
JP2007312164A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Hitachi Ltd 圧電薄膜共振器並びにそれを用いた高周波フィルタ及び高周波モジュール
US7463118B2 (en) 2006-06-09 2008-12-09 Texas Instruments Incorporated Piezoelectric resonator with an efficient all-dielectric Bragg reflector
US7639105B2 (en) 2007-01-19 2009-12-29 Georgia Tech Research Corporation Lithographically-defined multi-standard multi-frequency high-Q tunable micromechanical resonators
US7684109B2 (en) 2007-02-28 2010-03-23 Maxim Integrated Products, Inc. Bragg mirror optimized for shear waves
US9369105B1 (en) 2007-08-31 2016-06-14 Rf Micro Devices, Inc. Method for manufacturing a vibrating MEMS circuit
WO2009031358A1 (ja) 2007-09-06 2009-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子
WO2009081651A1 (ja) 2007-12-25 2009-07-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合圧電基板の製造方法
JP5090471B2 (ja) 2008-01-30 2012-12-05 京セラ株式会社 弾性波装置
US8278802B1 (en) 2008-04-24 2012-10-02 Rf Micro Devices, Inc. Planarized sacrificial layer for MEMS fabrication
CN102089970A (zh) 2008-07-11 2011-06-08 松下电器产业株式会社 板波元件和使用该板波元件的电子设备
JP5220503B2 (ja) 2008-07-23 2013-06-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
EP2345157A4 (en) 2008-08-01 2012-10-31 Epcos Ag PIEZOELECTRIC RESONATOR WITH OPERATING IN THICKERMODE MODE
EP2357729A4 (en) 2008-10-24 2015-03-25 Seiko Epson Corp SURFACE WAVE RECONNECTOR, SURFACE WAVE OSCILLATOR AND SURFACE WAVE MODULE DEVICE
JP4821834B2 (ja) 2008-10-31 2011-11-24 株式会社村田製作所 圧電性複合基板の製造方法
JP5433367B2 (ja) 2008-11-19 2014-03-05 日本碍子株式会社 ラム波装置
US8689426B2 (en) 2008-12-17 2014-04-08 Sand 9, Inc. Method of manufacturing a resonating structure
US8294330B1 (en) 2009-03-31 2012-10-23 Triquint Semiconductor, Inc. High coupling, low loss saw filter and associated method
US8902020B2 (en) 2009-07-27 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator filter with multiple cross-couplings
EP2533422A3 (en) 2010-01-28 2013-07-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Tunable filter
JP5105026B2 (ja) 2010-03-12 2012-12-19 株式会社村田製作所 弾性波共振子及びラダー型フィルタ
FI123640B (fi) 2010-04-23 2013-08-30 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Laajakaistainen akustisesti kytketty ohutkalvo-BAW-suodin
JP5429200B2 (ja) 2010-05-17 2014-02-26 株式会社村田製作所 複合圧電基板の製造方法および圧電デバイス
GB2482528A (en) 2010-08-05 2012-02-08 Adaptalog Ltd Crystal reference oscillator for navigation applications
JP5447682B2 (ja) 2010-09-28 2014-03-19 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
US8960004B2 (en) 2010-09-29 2015-02-24 The George Washington University Synchronous one-pole surface acoustic wave resonator
FR2966305B1 (fr) 2010-10-15 2013-07-12 Commissariat Energie Atomique Structure acoustique heterogene formee a partir d'un materiau homogene
JP5601377B2 (ja) 2010-11-30 2014-10-08 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2012086441A1 (ja) 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5650553B2 (ja) 2011-02-04 2015-01-07 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスの製造方法
US9136458B2 (en) 2011-03-22 2015-09-15 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave element
KR101904991B1 (ko) 2011-05-25 2018-10-08 페어차일드코리아반도체 주식회사 슈퍼정션 반도체 소자 및 그 제조방법
US8816567B2 (en) 2011-07-19 2014-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric laterally vibrating resonator structure geometries for spurious frequency suppression
EP2744107B1 (en) 2011-08-08 2020-01-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
WO2013061926A1 (ja) 2011-10-24 2013-05-02 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
FI124732B (en) 2011-11-11 2014-12-31 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Lateral connected bulk wave filter with improved passband characteristics
JP5918522B2 (ja) 2011-12-12 2016-05-18 太陽誘電株式会社 フィルタおよびデュプレクサ
JP2013214954A (ja) 2012-03-07 2013-10-17 Taiyo Yuden Co Ltd 共振子、周波数フィルタ、デュプレクサ、電子機器及び共振子の製造方法
DE102013204428B4 (de) 2012-03-29 2014-08-07 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Akustisches Oberflächenwellenbauelement
JP2013223025A (ja) 2012-04-13 2013-10-28 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ装置、フィルタ装置の製造方法及びデュプレクサ
US9178256B2 (en) 2012-04-19 2015-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Isotropically-etched cavities for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators
US9093979B2 (en) 2012-06-05 2015-07-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Laterally-coupled acoustic resonators
US9893264B2 (en) 2012-06-15 2018-02-13 Carnegie Mellon University Method for forming a suspended lithium-based membrane semiconductor structure
JP6013829B2 (ja) 2012-08-17 2016-10-25 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、デュプレクサ及びモジュール
WO2014090302A1 (en) 2012-12-12 2014-06-19 Epcos Ag Electroacoustic component
CN105164919B (zh) 2013-03-21 2017-04-26 日本碍子株式会社 弹性波元件用复合基板及弹性波元件
WO2015012914A2 (en) 2013-04-22 2015-01-29 Northeastern University Nano- and micro-electromechanical resonators
US9276557B1 (en) 2013-07-01 2016-03-01 Sandia Corporation Programmable electroacoustic filter apparatus and method for its manufacture
US20150014795A1 (en) 2013-07-10 2015-01-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface passivation of substrate by mechanically damaging surface layer
JP5817795B2 (ja) 2013-08-06 2015-11-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9815087B2 (en) 2013-12-12 2017-11-14 Qualcomm Incorporated Micromechanical ultrasonic transducers and display
US9525398B1 (en) 2014-05-27 2016-12-20 Sandia Corporation Single crystal micromechanical resonator and fabrication methods thereof
US9691963B2 (en) 2014-05-29 2017-06-27 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Capacitive coupled resonator and filter device with comb electrodes and support pillars separating piezoelectric layer
US9912314B2 (en) 2014-07-25 2018-03-06 Akoustics, Inc. Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter
KR20170034389A (ko) 2014-07-31 2017-03-28 스카이워크스 필터 솔루션즈 재팬 씨오., 엘티디. 탄성파 필터 및 이것을 이용한 듀플렉서
JP6468290B2 (ja) 2014-10-16 2019-02-13 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6800882B2 (ja) 2014-12-17 2020-12-16 コルボ ユーエス インコーポレイテッド 波閉じ込め構造を有する板波デバイス及び作製方法
US9837984B2 (en) 2014-12-24 2017-12-05 Qorvo Us, Inc. RF ladder filter with simplified acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US10079414B2 (en) 2015-03-17 2018-09-18 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Switched multiplexer with flat group delay and channelized limiting
CN107534433B (zh) 2015-05-08 2021-01-15 株式会社村田制作所 高频模块
WO2016189952A1 (ja) 2015-05-22 2016-12-01 株式会社村田製作所 電子部品
US10284176B1 (en) 2015-06-03 2019-05-07 Qorvo Us, Inc. Temperature compensated surface acoustic wave device and methods of manufacturing the same
US10541667B2 (en) 2015-08-25 2020-01-21 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator having trap-rich region
FR3042648B1 (fr) 2015-10-20 2018-09-07 Soitec Silicon On Insulator Dispositif a ondes acoustiques de surface et procede de fabrication associe
US10305447B2 (en) 2015-11-13 2019-05-28 Resonant Inc. Acoustic wave filter with enhanced rejection
US10305442B2 (en) 2016-01-22 2019-05-28 Qorvo Us, Inc. Guided wave devices with sensors utilizing embedded electrodes
US10164605B2 (en) 2016-01-26 2018-12-25 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonator with piezoelectric layer comprising lithium niobate or lithium tantalate
US10084427B2 (en) 2016-01-28 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10979025B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5G band n79 acoustic wave resonator RF filter circuit
US10187039B2 (en) 2016-06-07 2019-01-22 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Filter devices having reduced spurious emissions from lamb waves
JP6556103B2 (ja) 2016-06-28 2019-08-07 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス
WO2018003273A1 (ja) 2016-06-28 2018-01-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6520845B2 (ja) 2016-06-29 2019-05-29 株式会社村田製作所 電子部品装置、回路基板への電子部品装置の実装方法、および、回路基板への電子部品装置の実装構造
JP6556105B2 (ja) 2016-07-28 2019-08-07 太陽誘電株式会社 電子デバイスの製造方法
KR102776288B1 (ko) 2016-08-08 2025-03-07 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 장치 및 이의 제조방법
US10038422B2 (en) 2016-08-25 2018-07-31 Qualcomm Incorporated Single-chip multi-frequency film bulk acoustic-wave resonators
WO2018043606A1 (ja) 2016-09-02 2018-03-08 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10608608B2 (en) 2017-01-03 2020-03-31 Win Semiconductors Corp. Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure
WO2018168439A1 (ja) 2017-03-13 2018-09-20 株式会社村田製作所 ノッチフィルタ
WO2018168836A1 (ja) 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
US10439580B2 (en) 2017-03-24 2019-10-08 Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. Method for fabricating RF resonators and filters
CN110582938B (zh) 2017-04-26 2023-06-23 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10491291B2 (en) 2017-05-19 2019-11-26 Honeywell International Inc. System and method for multi-channel vehicle communications
US11451209B2 (en) 2017-10-31 2022-09-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Interdigital transducers on a piezoelectric thin-film for signal compression
WO2019094388A1 (en) 2017-11-07 2019-05-16 Resonant Inc. Ultra-wide-band saw sensor with hyperbolically frequency-modulated etched reflector
US10601392B2 (en) 2018-06-15 2020-03-24 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US10756697B2 (en) 2018-06-15 2020-08-25 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US12040779B2 (en) 2020-04-20 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor
US10790802B2 (en) 2018-06-15 2020-09-29 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate
TW201941464A (zh) 2018-03-02 2019-10-16 美商天工方案公司 用於聲波濾波器之藍姆波迴圈電路
US10530334B2 (en) 2018-05-10 2020-01-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Acoustic wave filter formed on a V-groove topography and method for producing the same
US10868513B2 (en) 2018-06-15 2020-12-15 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US10797675B2 (en) 2018-06-15 2020-10-06 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate
US11171629B2 (en) 2018-06-15 2021-11-09 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US10992283B2 (en) 2018-06-15 2021-04-27 Resonant Inc. High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated Z-cut lithium niobate
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US10998877B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method with frequency trimming based on electric measurements prior to cavity etch
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US10985728B2 (en) 2018-06-15 2021-04-20 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer
US20210013859A1 (en) 2018-06-15 2021-01-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US10992284B2 (en) 2018-06-15 2021-04-27 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers
US11646714B2 (en) 2018-07-10 2023-05-09 Texas Instruments Incorporated Laterally vibrating bulk acoustic wave resonator
US11143561B2 (en) 2018-12-05 2021-10-12 Resonant Inc. Passive microphone/pressure sensor using a piezoelectric diaphragm
US11146241B2 (en) 2019-02-08 2021-10-12 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Low loss acoustic device
US11405013B2 (en) 2019-02-27 2022-08-02 Skyworks Global Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator structure for second harmonic suppression
DE112020001227T5 (de) 2019-03-14 2022-02-10 Resonant Inc. Transversal angeregter akustischer Filmresonator mit Lambda-Halbe-Dielektrikumschicht
US11563418B2 (en) 2019-03-25 2023-01-24 Skyworks Solutions, Inc. Methods of manufacturing acoustic wave resonators with isolation
CN118316415A (zh) 2019-04-05 2024-07-09 株式会社村田制作所 横向激励薄膜体声波谐振器封装和方法
US10911021B2 (en) 2019-06-27 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop
US11652466B2 (en) 2019-08-29 2023-05-16 Skyworks Solutions, Inc. Suppression of transverse mode spurious signals in surface acoustic wave devices utilizing a dense film above gap region of interdigital transducer electrodes
US11469733B2 (en) 2020-05-06 2022-10-11 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress
US10992282B1 (en) 2020-06-18 2021-04-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width
CN116671009A (zh) 2020-12-23 2023-08-29 株式会社村田制作所 弹性波装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013544041A (ja) 2011-03-25 2013-12-09 パナソニック株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
WO2015182521A1 (ja) 2014-05-26 2015-12-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP2019080093A (ja) 2017-10-20 2019-05-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019241174A1 (en) 2018-06-15 2019-12-19 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
JP2020088459A (ja) 2018-11-16 2020-06-04 日本電波工業株式会社 弾性表面波素子
WO2021060523A1 (ja) 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 弾性波装置及びフィルタ装置

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