JP4306668B2 - ラム波型高周波共振子 - Google Patents
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Description
ここで、t/λは、規格化基板厚みと呼称されている。
図1〜図3は本発明の実施形態1に係るラム波型高周波共振子を示している。図4、図5には、位相速度と規格化基板厚みt/λ及びオイラー角(0,θ,0)におけるθとの関係、図6には、周波数温度偏差と温度との関係、図7は、本発明のラム波型高周波共振子が実現可能な領域を示す説明図である。また、図8〜図11は、その第1領域の特性、図12,13は第2領域の特性、図14,15は第3領域、図16〜図23は第4領域、図24,25は第5領域、図26〜図33は第6領域の特性を示すグラフである。
(実施形態1)
図4は、規格化基板厚みt/λと位相速度との関係の一部を示すグラフである。図4において、横軸にはt/λ、縦軸には位相速度(m/s)が示されている。ここでは、オイラー角(0,140,0)のラム波型高周波共振子を例示している。図4によれば、このラム波型高周波共振子には、複数のモードが存在していることが示され、規格化基板厚みt/λが大きくなるに従い、各モードにおける位相速度が位相速度3000(m/s)〜6000(m/s)の範囲で集約されており、特に5000(m/s)〜6000(m/s)の範囲では密集している。
図5は、位相速度と角度θと規格化基板厚みt/λとの関係を示したグラフである。図5において、横軸には角度θが、縦軸には位相速度が示されている。ここで、規格化基板厚みt/λを0.5〜4までの間を7種類のt/λに設定し、各t/λにおける位相速度の理論値を示す。
図6は、温度と共振周波数との関係を示すグラフである。図6において、横軸には、温度(単位:℃)、縦軸には、温度25℃のときの周波数を中心周波数とした場合の周波数温度偏差(単位:ppm)が表されている。本実施形態によるθ=140度のラム波型高周波共振子と、前述した従来技術のSTカット水晶(以降、単にST型と表す)、及びSTWカット水晶(以降、単にSTW型と表す)からなるレイリー波、SH型弾性表面波素子と、ATカット水晶(以降、単にAT型と表す)からなるラム波型共振子の−40℃〜90℃までの範囲の周波数温度偏差を比較する。
図7は、本発明のラム波型高周波共振子が実現可能な特性を有する領域を表す説明図である。横軸をオイラー角、縦軸にt/λを、本発明において実現すべき特性として位相速度が5000m/s、−40℃以上+90℃以下の範囲内における周波数温度変動量がSTWカット水晶よりも小さい250ppm以下、そして、水晶基板の励振の効率を表す電気機械結合係数(K2)が0.02%以上を得る複数の領域(第1領域〜第6領域)が得られた。
続いて、上述したそれぞれの領域について図面を参照して説明する。
図9は、第1領域におけるラム波型高周波共振子の周波数温度変動量と規格化基板厚みt/λ(以降、単にt/λで表すことがある)の関係を示すグラフである。このグラフでは、本実施形態を角度θ=140度の場合を例示している。図9において、横軸にt/λ、縦軸に周波数温度変動量が表されている。
図10は、電気機械結合係数K2とオイラー角(0、θ、0)における角度θとの関係を示すグラフである。図10において、横軸にはオイラー角(0、θ、0)が、縦軸には電気機械結合係数K2(単位:%)が表されている。ここで、t/λが1〜3の範囲において、7種類のt/λの値を設定し、各厚みでの電気機械結合係数K2の理論値を示す。
図11は、電気機械結合係数K2とt/λとの関係を示すグラフである。図11において、横軸にはt/λが、縦軸には電気機械結合係数K2(単位:%)が表されている。ここで、角度θを130度〜180度までの範囲を10度毎に分割した6種類を設定し、各角度θの電気機械結合係数K2の理論値を示す。
図12,13は、第2領域における周波数温度変動量とオイラー角(0、θ、0)における角度θの関係、及び周波数温度変動量とt/λの関係を示すグラフである。ここで、STWカット水晶よりも周波数温度特性がよい(周波数温度変動量が小さい)オイラー角(0、θ、0)におけるθの範囲は4度≦θ≦57.5度であり、t/λの範囲は2.08≦t/λ≦2.82である。
図14,15は、第3領域における周波数温度変動量とオイラー角(0、θ、0)における角度θの関係、及び周波数温度変動量とt/λの関係を示すグラフである。第3領域では、STWカット水晶よりも周波数温度特性がよいθの範囲は6度≦θ≦33度であり、t/λの範囲は0.975≦t/λ≦2.025である。
図16,17は、第4領域における周波数温度変動量とオイラー角(0、θ、0)における角度θの関係、及び周波数温度変動量とt/λの関係を示すグラフである。第4領域では、STWカット水晶よりも周波数温度特性がよい角度θの範囲は35度≦θ≦47.2度であり、t/λの範囲は0.176≦t/λ≦1.925である。
さらに、この第4領域における角度θ及びt/λと位相速度、周波数温度変動量、電気機械結合係数K2それぞれの関係について詳しく説明する。
図20に、オイラー角(0、θ、0)における角度θと位相速度と周波数温度変動量との関係を示す。ここで、t/λを1.7としている。図20から、周波数温度変動量がSTWカット水晶よりも小さいθの範囲は、35度≦θ≦47.2度であり(図16も参照する)、この範囲において位相速度5000m/s以上が得られることを示している。
次に、t/λと電気機械結合係数K2と周波数温度変動量との関係をみる。
図24,25は、第5領域における周波数温度変動量とオイラー角(0、θ、0)における角度θの関係、及び周波数温度変動量とt/λの関係を示すグラフである。第5領域では、STWカット水晶よりも周波数温度特性がよい角度θの範囲は2.7度≦θ≦16度であり、t/λの範囲は2.878≦t/λ≦3である。
図26,27は、第6領域における周波数温度変動量とオイラー角(0、θ、0)における角度θの関係、及び周波数温度変動量とt/λの関係を示すグラフである。第6領域では、STWカット水晶よりも周波数温度特性がよい角度θの範囲は116度≦θ≦122.1度であり、t/λの範囲は0.375≦t/λ≦1.06である。
さらに、この第6領域における角度θ及びt/λと、位相速度、周波数温度変動量、電気機械結合係数K2それぞれの関係について詳しく説明する。
図30に、オイラー角(0、θ、0)における角度θと位相速度と周波数温度変動量との関係を示す。図30から、周波数温度変動量がSTWカット水晶よりも小さい角度θの範囲は、116度≦θ≦122.1度であり(図26も参照する)、この範囲において位相速度5000m/s以上が得られることを示している。
次に、t/λと電気機械結合係数K2と周波数温度変動量との関係をみる。
また、このグラフから、規格化基板厚みt/λを3以下に設定することにより、位相速度5000m/s以上の高周波領域のモードが多数存在し、所望の位相速度(周波数)を選択的に得ることが可能である。
例えば、前述の実施形態では、反射器25,26を備えているが、これらの反射器を備えない端面反射型の構成とすることができる。
Claims (6)
- 水晶基板の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極を備えたラム波型高周波共振子であって、
前記水晶基板の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるように前記IDT電極が形成されており、
前記角度θが、140度≦θ≦178度で表される範囲において、
前記水晶基板の厚みtと、前記ラム波の波長λとの関係が、1.1≦t/λ≦3で表される範囲に設定されることを特徴とするラム波型高周波共振子。 - 請求項1に記載のラム波型高周波共振子において、
140度≦θ≦175度且つ1.1≦t/λ≦1.3、
150度≦θ≦160度且つ1.1≦t/λ≦1.8
またはθ=150度且つ1.1≦t/λ≦2、
であることを特徴とするラム波型高周波共振子。 - 水晶基板の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極を備えたラム波型高周波共振子であって、
前記水晶基板の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるように前記IDT電極が形成されており、
前記角度θが、4度≦θ≦57.5度で表される範囲において、
前記水晶基板の厚みtと、前記ラム波の波長λとの関係が、2.08≦t/λ≦2.82で表される範囲に設定されることを特徴とするラム波型高周波共振子。 - 水晶基板の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極を備えたラム波型高周波共振子であって、
前記水晶基板の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるように前記IDT電極が形成されており、
前記角度θが、6度≦θ≦33度で表される範囲において、
前記水晶基板の厚みtと、前記ラム波の波長λとの関係が、0.975≦t/λ≦2.025で表される範囲に設定されることを特徴とするラム波型高周波共振子。 - 水晶基板の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極を備えたラム波型高周波共振子であって、
前記水晶基板の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるように前記IDT電極が形成されており、
前記角度θが、35度≦θ≦47.2度で表される範囲において、
前記水晶基板の厚みtと、前記ラム波の波長λとの関係が、0.176≦t/λ≦1.925で表される範囲に設定されることを特徴とするラム波型高周波共振子。 - 水晶基板の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極を備えたラム波型高周波共振子であって、
前記水晶基板の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるように前記IDT電極が形成されており、
前記角度θが、2.7度≦θ≦16度で表される範囲において、
前記水晶基板の厚みtと、前記ラム波の波長λとの関係が、2.878≦t/λ≦3で表される範囲に設定されることを特徴とするラム波型高周波共振子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005292126A JP4306668B2 (ja) | 2005-01-07 | 2005-10-05 | ラム波型高周波共振子 |
US11/322,239 US7327070B2 (en) | 2005-01-07 | 2006-01-03 | Lamb-wave high-frequency resonator |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005002111 | 2005-01-07 | ||
JP2005292126A JP4306668B2 (ja) | 2005-01-07 | 2005-10-05 | ラム波型高周波共振子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006217566A JP2006217566A (ja) | 2006-08-17 |
JP4306668B2 true JP4306668B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=36652579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005292126A Expired - Fee Related JP4306668B2 (ja) | 2005-01-07 | 2005-10-05 | ラム波型高周波共振子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7327070B2 (ja) |
JP (1) | JP4306668B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014208664A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
US11258424B1 (en) | 2020-08-18 | 2022-02-22 | River Eletec Corporation | Acoustic wave device |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4306668B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | ラム波型高周波共振子 |
FR2905208B1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-12-19 | St Microelectronics Sa | Filtre a resonateurs a ondes de lamb couples. |
CN101641863A (zh) * | 2007-03-15 | 2010-02-03 | 国立大学法人山梨大学 | 兰姆波型弹性波元件 |
JP2008288652A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | Sh型バルク波共振子 |
JP2009027671A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | Sh型バルク波共振子 |
FR2922696B1 (fr) * | 2007-10-22 | 2010-03-12 | St Microelectronics Sa | Resonateur a ondes de lamb |
JP4553047B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | ラム波型共振子及び発振器 |
US8689426B2 (en) | 2008-12-17 | 2014-04-08 | Sand 9, Inc. | Method of manufacturing a resonating structure |
US8446227B2 (en) * | 2009-02-04 | 2013-05-21 | Sand 9, Inc. | Methods and apparatus for tuning devices having mechanical resonators |
JP5367612B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-12-11 | 日本碍子株式会社 | ラム波装置 |
US8661899B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-03-04 | Sand9, Inc. | Microelectromechanical gyroscopes and related apparatus and methods |
WO2011133682A1 (en) | 2010-04-20 | 2011-10-27 | Guiti Zolfagharkhani | Microelectromechanical gyroscopes and related apparatus and methods |
EP2395661A1 (fr) | 2010-06-10 | 2011-12-14 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Résonateur thermocompensé aux premier et second ordres |
JP5563378B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2014-07-30 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
WO2012040043A1 (en) | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Sand9, Inc. | Resonant sensing using extensional modes of a plate |
US9383208B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-07-05 | Analog Devices, Inc. | Electromechanical magnetometer and applications thereof |
WO2013172287A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US10873313B2 (en) | 2017-09-01 | 2020-12-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Piston mode lamb wave resonators |
CN109560785B (zh) * | 2017-09-27 | 2021-09-24 | 中国科学院半导体研究所 | 兰姆波谐振器及其制备方法 |
CN109560784B (zh) * | 2017-09-27 | 2021-09-24 | 中国科学院半导体研究所 | 兰姆波谐振器及其制备方法 |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
US20210328574A1 (en) * | 2020-04-20 | 2021-10-21 | Resonant Inc. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor |
US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5283037A (en) * | 1988-09-29 | 1994-02-01 | Hewlett-Packard Company | Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device |
DE59405686D1 (de) * | 1993-07-20 | 1998-05-20 | Avl List Gmbh | Piezoelektrisches Kristallelement |
JP3339350B2 (ja) | 1997-02-20 | 2002-10-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3269466B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2002-03-25 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置 |
US6378370B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-04-30 | Sensor Research & Development Corp. | Temperature compensated surface-launched acoustic wave sensor |
US6717327B2 (en) * | 2001-04-23 | 2004-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP2003258596A (ja) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Yasuhiko Nakagawa | ラム波型高周波共振器、これを用いた発振装置、及びラム波を用いた高周波信号生成方法 |
JP4058044B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2008-03-05 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 単結晶基板およびそのカット方法 |
US7272359B2 (en) * | 2004-01-26 | 2007-09-18 | Magnolia Broadband Inc. | Communicating signals according to a quality indicator using multiple antenna elements |
JP4306668B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | ラム波型高周波共振子 |
-
2005
- 2005-10-05 JP JP2005292126A patent/JP4306668B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-03 US US11/322,239 patent/US7327070B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014208664A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
US9800225B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-10-24 | River Eletec Corporation | Elastic wave device |
US11258424B1 (en) | 2020-08-18 | 2022-02-22 | River Eletec Corporation | Acoustic wave device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7327070B2 (en) | 2008-02-05 |
US20060152107A1 (en) | 2006-07-13 |
JP2006217566A (ja) | 2006-08-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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