JP7447992B2 - ボンディングワイヤとその製造方法 - Google Patents

ボンディングワイヤとその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7447992B2
JP7447992B2 JP2022513734A JP2022513734A JP7447992B2 JP 7447992 B2 JP7447992 B2 JP 7447992B2 JP 2022513734 A JP2022513734 A JP 2022513734A JP 2022513734 A JP2022513734 A JP 2022513734A JP 7447992 B2 JP7447992 B2 JP 7447992B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding wire
hollow member
wiring
manufacturing
injection hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022513734A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021205532A1 (ja
Inventor
俊樹 岸
光太 鹿間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Publication of JPWO2021205532A1 publication Critical patent/JPWO2021205532A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7447992B2 publication Critical patent/JP7447992B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/435—Modification of a pre-existing material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45025—Plural core members
    • H01L2224/45026—Plural core members being mutually engaged together, e.g. through inserts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the wire connector during or after the bonding process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、ＩＣ間の電気的接続に用いられるボンディングワイヤに関するものである。
近年、ＳＮＳ（Social Networking Service）の著しい発達により、世界中の通信のトラフィック量が年々増加している。今後、ＩｏＴ（Internet of Things）およびクラウドコンピューティング技術の発展により更なるトラフィック量の増加が見込まれており、膨大なトラフィック量を支えるために、データセンタ内外の通信容量の大容量化が求められている。
そのため、ボードおよびモジュールの小型化、高密度化が必要とされており、電気ＩＣ（Integrated Circuit）および光ＩＣの小型化が必要になる。ＩＣ間の電気的接続には、主にボンディングワイヤが使用されている。
ＩＣには電気接続用のＩ／Ｏ（Input/Output）パッドが設けられている。ＩＣ内の配線の幅が数μｍ以下なのに対して、Ｉ／Ｏパッドは数１０μｍ角の大きさがあり、ＩＣの小型に伴ってＩ／Ｏスループットが制限される。また、Ｉ／Ｏパッドを介さずに、ＩＣの配線にボンディングワイヤを接続しようとしても、市販のボンディングワイヤの最細径は１０μｍ程度であるため、ＩＣの配線にボンディングワイヤを接続することは困難であった（非特許文献１参照）。
"Bonding Capillaries - Catalogue - Japan"，エスピーティー株式会社，２００８年改訂，＜http://www.smallprecisiontools.com/file/products/bonding/allcatalogues/Bonding%20Capillaries%20-%20Catalogue%20-%20Japan.pdf＞
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、Ｉ／Ｏパッドを介さずにＩＣの配線に接続することが可能なボンディングワイヤを提供することを目的とする。
本発明のボンディングワイヤは、複数の開口端面がそれぞれ接続対象の配線の表面と当接して閉塞されるように、前記配線が形成されたＩＣの上に架設された絶縁体からなる中空部材と、前記中空部材が前記配線の表面と当接している箇所において前記配線の表面と接合するように前記中空部材内に充填された導体からなる接続部材とから構成され、前記中空部材と前記接続部材とは、２を超える多数の配線間を接続するように設けられ、１本の線から２を超える多数の枝線が分かれる形状であり、前記枝線の先端の接続部材が前記配線の表面と接合していることを特徴とするものである。
また、本発明のボンディングワイヤの製造方法は、複数の開口端面がそれぞれ接続対象の配線の表面と当接して閉塞されるように、前記配線が形成されたＩＣの上に絶縁体からなる中空部材を架設する第１の工程と、前記中空部材が前記配線の表面と当接している箇所において前記配線の表面と接するように、流動可能な状態の導体からなる接続部材を前記中空部材の注入孔を通して前記中空部材内に注入する第２の工程と、前記接続部材を硬化させる第３の工程とを含むことを特徴とするものである。
本発明によれば、直径１０μｍ以下の超極細径なボンディングワイヤを実現することができ、ＩＣ同士を接続する際にＩ／Ｏパッドを介さずにＩＣの配線に接続することが可能なボンディングワイヤを実現することができる。
図１は、本発明の第１の実施例に係るボンディングワイヤの縦断面図である。 図２は、本発明の第１の実施例に係るボンディングワイヤの製造方法を説明するフローチャートである。 図３は、本発明の第１の実施例に係るボンディングワイヤの空気孔付近を拡大した図である。 図４は、本発明の第２の実施例に係るボンディングワイヤの縦断面図である。 図５は、本発明の第１の実施例に係るＩＣとボンディングワイヤの平面図である。 図６は、本発明の第３の実施例に係るＩＣとボンディングワイヤの平面図である。 図７は、本発明の第４の実施例に係るボンディングワイヤの縦断面図である。 図８は、本発明の第４の実施例に係るＩＣとボンディングワイヤの平面図である。 図９は、本発明の第４の実施例に係るＩＣとボンディングワイヤの別の例の平面図である。 図１０は、本発明の第５の実施例に係るＩＣとボンディングワイヤの平面図である。 図１１は、本発明の第５の実施例に係るＩＣとボンディングワイヤの別の例の平面図である。
［第１の実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例に係るボンディングワイヤの縦断面図である。本実施例のボンディングワイヤ１は、複数の開口端面２０－１，２０－２がそれぞれ接続対象の配線１１－１，１１－２の表面と当接して閉塞されるように、配線１１－１，１１－２が形成されたＩＣ１０－１，１０－２上に架設された絶縁体からなる中空部材２と、中空部材２が配線１１－１，１１－２の表面と当接している箇所において配線１１－１，１１－２の表面と接合するように中空部材２内に充填された導体からなる接続部材３とから構成される。
ＩＣ１０－１，１０－２としては、表面に電気接続用の配線１１－１，１１－２が形成されているものであればよく、電気回路が形成された電気ＩＣ、光回路と電気回路とを含む光ＩＣのいずれであってもよい。
図２はボンディングワイヤ１の製造方法を説明するフローチャートである。最初に、配線１１－１，１１－２が形成されたＩＣ１０－１，１０－２の上に中空部材２を形成する（図２ステップＳ１）。
中空部材２は、超極細径な細管構造になっている。本発明では、ボンディングワイヤ１をＩＣ上の配線と接続するため、中空部材２の外径は数μｍ以下であることが好ましい。中空部材２の開口端面２０－１，２０－２は、配線１１－１，１１－２の表面と当接して閉塞される。中空部材２の材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性の樹脂がある。
中空部材２には、接続部材３の充填時に中空部材２内の空気を逃がすために外壁から内壁まで貫通するように設けられた空気孔２１と、接続部材３の充填のために外壁から内壁まで貫通するように設けられた注入孔２２とが、ＩＣ１０－１，１０－２上への架設の過程で形成される。図１は、ボンディングワイヤ１の完成後の形態を示しているため、注入孔２２は後述のように樹脂製の蓋４によって閉塞されている。
以上のような中空部材２を形成する装置としては、例えば２光子吸収を用いたナノレベルの光造形技術を応用した光造形型の３次元プリンタがある。２光子吸収を用いたナノレベルの光造形技術は、例えば文献「N.Lindenmann，G.Balthasar，D.Hillerkuss，R.Schmogrow，M.Jordan，J.Leuthold，W.Freude，and C.Koos1，“Photonic wire bonding: a novel concept for chipscale interconnects”，OPTICS EXPRESS，Vol.20，No.16，pp.17667-17677，2012」に開示されている。
続いて、流動可能な状態の接続部材３を蓋４によって閉塞されていない注入孔２２から例えばキャピラリなどによって中空部材２内に注入する（図２ステップＳ２）。このとき、中空部材２には空気孔２１が形成されており、接続部材３の注入に伴って中空部材２内の空気が空気孔２１を通って中空部材２の外に排出される。したがって、接続部材３は、中空部材２内を移動して配線１１－１，１１－２の表面まで達する。中空部材２には、配線１１－１の上部の位置と配線１１－２の上部の位置のそれぞれに少なくとも１つずつ空気孔２１を設けることが望ましい。これにより、接続部材３を配線１１－１，１１－２の表面まで到達させ易くすることができる。
流動可能な状態の接続部材３の例としては、例えばペースト状のバインダーの中に外径０．５μｍ程度の銀粒子や銀ナノ粒子などの金属粒子のフィラーを分散させた導電性接着剤がある。また、接続部材３の別の例としては、例えばＩｎなどの低い融点の金属を溶かした溶融金属がある。溶融金属を用いる場合、樹脂製の中空部材２が融解するのを防ぐため、中空部材２の材料よりも低い融点の金属を選ぶ必要がある。Ｉｎの融点は約１５６．６℃である。
接続部材３の注入完了後に、接続部材３を硬化させる（図２ステップＳ３）。流動可能な状態の接続部材３として導電性接着剤を用いる場合には、加熱によって導電性接着剤を硬化させるようにすればよい。このときの加熱温度は、中空部材２やＩＣ１０－１，１０－２に影響を与えない温度であることは言うまでもない。また、流動可能な状態の接続部材３として溶融金属を用いる場合には、自然冷却または強制冷却により溶融金属を硬化させるようにすればよい。
接続部材３の硬化完了後、中空部材２の注入孔２２の部分に３次元プリンタによって樹脂製の蓋４を形成して、蓋４によって注入孔２２を閉塞する（図２ステップＳ４）。蓋４を形成する理由は、中空部材２内に不純物が入らないようにするためである。
こうして、図１に示したボンディングワイヤ１の形成が完了し、ＩＣ１０－１の配線１１－１とＩＣ１０－２の配線１１－２とを電気的に接続することができる。
図３はボンディングワイヤ１の空気孔２１付近を拡大した図である。接続部材３として導電性接着剤を用いる場合、導電性接着剤の密度をａ［ｋｇ／ｍ3］、導電性接着剤の表面張力をγ［Ｎ／ｍ］とし、図３に示すように表面張力による力をＦ0［Ｎ］、Ｆ0のｃｏｓθ方向の力をＦ1［Ｎ］、空気孔２１の径をｂ［ｍ］、空気孔２１から漏れ出る導電性接着剤の重力をＭ1・ｇ［Ｎ］、重力加速度をｇ［ｍ／ｓ2］とすると、以下の関係が成り立つ。
Figure 0007447992000001
Ｆ1がＭ1・ｇ以上となるような空気孔２１の径ｂの設定と導電性接着剤の選定とを行えば、空気孔２１から導電性接着剤が漏れ出ることはないので、中空部材２内に導電性接着剤を充填することが可能となる。
同様に、接続部材３として溶融金属を用いる場合にも、溶融金属が空気孔２１から漏れ出ることがないように空気孔２１の径の設定と溶融金属の選定とを行えばよい。
［第２の実施例］
図４は本発明の第２の実施例に係るボンディングワイヤの縦断面図である。本実施例のボンディングワイヤ１ａは、注入孔２２に蓋４を形成しない例を示している。ＩＣ１０－１，１０－２を密封されたモジュール内に実装する場合には、空気中の不純物が中空部材２内に入ることはないので、蓋４が不要となる。
本実施例では、蓋４の製造工程をなくすことができ、モジュールの製造工程を簡易化することができる。
［第３の実施例］
第１、第２の実施例では、図５の平面図に示すように横断面形状が円環状の中空部材２を用いた。
これに対して、図６に示す本実施例のボンディングワイヤ１ｂのように、横断面形状が角環状の中空部材２ｂを用いてもよい。ボンディングワイヤ１ｂの製造方法は第１の実施例と同様である。第２の実施例で説明したとおり、中空部材２ｂには蓋４を形成しなくてもよい。
［第４の実施例］
図７は本発明の第４の実施例に係るボンディングワイヤの縦断面図である。本実施例のボンディングワイヤ１ｃは、注入孔２２と連通し、注入孔２２から上方に向かって径が漸次拡大する漏斗部２３を中空部材２ｃに設けたものである。漏斗部２３を設けることにより、キャピラリから注入孔２２への接続部材３の注入を簡易に行うことができる。ボンディングワイヤ１ｃの製造方法は第１の実施例と同様である。漏斗部２３を有する中空部材２ｃは、第１の実施例と同様に３次元プリンタによって形成可能である。漏斗部２３の開口部には蓋４を形成しなくてもよい。
図８は本実施例のボンディングワイヤ１ｃの平面図である。図８に示すように本実施例では、横断面形状が円環状の中空部材２ｃを用いた。これに対して、図９に示すボンディングワイヤ１ｄのように、横断面形状が角環状の中空部材２ｄを用いてもよい。
［第５の実施例］
第１～第４の実施例では、２点間のみでの接続しかできなかったが、本発明のボンディングワイヤの中空部材は３次元プリンタを用いて作製されているため、２点間のみではなく、多点間の接続が可能である。
図１０は本発明の第５の実施例に係るボンディングワイヤの平面図である。図１０は、ＩＣ１０－１～１０－４の配線１１－１～１１－４間を互いに接続するボンディングワイヤ１ｅの例を示している。図１０の例によれば、４点間の接続が可能である。
また、図１１に示すように、より複雑な形状のボンディングワイヤ１ｆを作製することも可能である。
本実施例によれば、２点間を接続する従来のボンディングワイヤに比べ、ワイヤの本数を減少させることができ、ワイヤ同士の短絡を回避することができる。また、従来に比べて複雑な接続が可能となる。
本発明は、ＩＣ間を接続する技術に適用することができる。
１，１ａ～１ｆ…ボンディングワイヤ、２，２ｂ～２ｄ…中空部材、３…接続部材、４…蓋、１０－１～１０－４…ＩＣ、１１－１～１１－４…配線、２０－１，２０－２…開口端面、２１…空気孔、２２…注入孔、２３…漏斗部。

Claims (8)

  1. 複数の開口端面がそれぞれ接続対象の配線の表面と当接して閉塞されるように、前記配線が形成されたＩＣの上に架設された絶縁体からなる中空部材と、
    前記中空部材が前記配線の表面と当接している箇所において前記配線の表面と接合するように前記中空部材内に充填された導体からなる接続部材とから構成され、
    前記中空部材と前記接続部材とは、２を超える多数の配線間を接続するように設けられ、１本の線から２を超える多数の枝線が分かれる形状であり、前記枝線の先端の接続部材が前記配線の表面と接合していることを特徴とするボンディングワイヤ。
  2. 請求項１記載のボンディングワイヤにおいて、
    前記中空部材は、横断面形状が円環状または角環状であることを特徴とするボンディングワイヤ。
  3. 複数の開口端面がそれぞれ接続対象の配線の表面と当接して閉塞されるように、前記配線が形成されたＩＣの上に絶縁体からなる中空部材を架設する第１の工程と、
    前記中空部材が前記配線の表面と当接している箇所において前記配線の表面と接するように、流動可能な状態の導体からなる接続部材を前記中空部材の注入孔を通して前記中空部材内に注入する第２の工程と、
    前記接続部材を硬化させる第３の工程とを含むことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
  4. 請求項３記載のボンディングワイヤの製造方法において、
    前記中空部材は、横断面形状が円環状または角環状であることを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
  5. 請求項３または４記載のボンディングワイヤの製造方法において、
    前記第１の工程は、前記接続対象の配線の上部の位置に、外壁から内壁まで貫通する空気孔が設けられるように前記中空部材を形成する工程を含むことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
  6. 請求項３乃至５のいずれか１項に記載のボンディングワイヤの製造方法において、
    前記第１の工程は、前記注入孔と連通し、前記注入孔から上方に向かって径が拡大する漏斗部が設けられるように前記中空部材を形成する工程を含むことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
  7. 請求項３乃至６のいずれか１項に記載のボンディングワイヤの製造方法において、
    前記注入孔の部分に蓋を形成して、前記蓋によって前記注入孔を閉塞する第４の工程をさらに含むことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
  8. 請求項３乃至７のいずれか１項に記載のボンディングワイヤの製造方法において、
    前記中空部材は、３次元プリンタによって形成されることを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
JP2022513734A 2020-04-07 2020-04-07 ボンディングワイヤとその製造方法 Active JP7447992B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/015637 WO2021205532A1 (ja) 2020-04-07 2020-04-07 ボンディングワイヤとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021205532A1 JPWO2021205532A1 (ja) 2021-10-14
JP7447992B2 true JP7447992B2 (ja) 2024-03-12

Family

ID=78023058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022513734A Active JP7447992B2 (ja) 2020-04-07 2020-04-07 ボンディングワイヤとその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230125151A1 (ja)
JP (1) JP7447992B2 (ja)
WO (1) WO2021205532A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012231034A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Fujifilm Corp ボンディングワイヤ、並びに、プリント回路板およびその製造方法
JP2016195292A (ja) 2016-08-25 2016-11-17 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2018110417A1 (ja) 2016-12-14 2018-06-21 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
JP2019134181A (ja) 2009-06-18 2019-08-08 ローム株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019134181A (ja) 2009-06-18 2019-08-08 ローム株式会社 半導体装置
JP2012231034A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Fujifilm Corp ボンディングワイヤ、並びに、プリント回路板およびその製造方法
JP2016195292A (ja) 2016-08-25 2016-11-17 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2018110417A1 (ja) 2016-12-14 2018-06-21 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021205532A1 (ja) 2021-10-14
US20230125151A1 (en) 2023-04-27
WO2021205532A1 (ja) 2021-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6291555B2 (ja) 封止表面に至るワイヤボンドを有するパッケージ・オン・パッケージアセンブリ
KR102541861B1 (ko) 리소-에칭가능 층에 브리지를 포함하는 통합 디바이스 패키지
CN103943600B (zh) 在芯片和基板之间的新型端接和连接
US9000573B2 (en) Package on package structure and method for manufacturing same
CN108292645A (zh) 具有基于沟槽模制的电磁干扰屏蔽的半导体封装
US20140355931A1 (en) Glass-Polymer Optical Interposer
JP2012520573A (ja) インピーダンス制御されたワイヤ・ボンド及び導電性基準部品を有するマイクロ電子アセンブリ
JP2007523482A (ja) 半導体チップの積層を備えた半導体素子、および、その製造方法
IT201600084419A1 (it) Procedimento per realizzare dispositivi a semiconduttore, dispositivo e circuito corrispondenti
KR101569577B1 (ko) 패키지 온 패키지 구조물 및 이의 형성 방법
CN104037155B (zh) 模块及该模块的制造方法、以及具有该模块的电子装置
JP2017034059A (ja) プリント配線板、半導体パッケージおよびプリント配線板の製造方法
CN108962840A (zh) 电子封装件及其制法
KR101208028B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 패키지
JP2017520929A (ja) 同軸配線を備える集積デバイス
TWI736072B (zh) 封裝結構與其形成方法
JP7447992B2 (ja) ボンディングワイヤとその製造方法
US20120068365A1 (en) Metal can impedance control structure
WO2015096589A1 (zh) 一种单向导电板及其制造方法
CN105280624A (zh) 电子装置模块及其制造方法
CN113632222A (zh) 用于集成电路中的裸片到裸片通信的间隔件
CN115332216B (zh) 一种用于芯片封装的中介层及芯片封装
TWI608590B (zh) Semiconductor memory device
KR102050011B1 (ko) 반도체 패키지용 상호 연결 구조체 및 상호 연결 구조체의 제조 방법
US20210375770A1 (en) Semiconductor package structure comprising rigid-flexible substrate and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7447992

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150